JPS62243761A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
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- JPS62243761A JPS62243761A JP8745486A JP8745486A JPS62243761A JP S62243761 A JPS62243761 A JP S62243761A JP 8745486 A JP8745486 A JP 8745486A JP 8745486 A JP8745486 A JP 8745486A JP S62243761 A JPS62243761 A JP S62243761A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばＷｓ Ｍｏ ｓ Ｃｒ等の高融点金
属あるいはそのシリサイド等から成る薄膜をスパッタリ
ングによって作製するのに用いられるスパッタリング用
ターゲットに関する。
属あるいはそのシリサイド等から成る薄膜をスパッタリ
ングによって作製するのに用いられるスパッタリング用
ターゲットに関する。
例えば超ＬＳＩの電極配線膜等として使用される例えば
Ｗｓ Ｍｏ ＳＣｒ等の高融点金属あるいはそのシリサ
イド（例えばＷＳｉ２、Ｍｏ５ｉｚ、ＣｒＳｉ。
Ｗｓ Ｍｏ ＳＣｒ等の高融点金属あるいはそのシリサ
イド（例えばＷＳｉ２、Ｍｏ５ｉｚ、ＣｒＳｉ。
等）の製膜に用いられるスパッタリング用ターゲットに
は、従来、Ｗ％Ｍｏ ｓ Ｃｒ ％ Ｓ ｉ等の微粉末
を必要組成に配合し、それを成形および焼結したターゲ
ットが使用されていた。
は、従来、Ｗ％Ｍｏ ｓ Ｃｒ ％ Ｓ ｉ等の微粉末
を必要組成に配合し、それを成形および焼結したターゲ
ットが使用されていた。
しかしながら上記のような従来のターゲットには次のよ
うな問題があった。
うな問題があった。
■ 当該ターゲットを用いて得られるスパッタ膜の特性
の均一性に劣る。
の均一性に劣る。
これは、（ｉ）微粉末は比表面積が非常に大きい（例え
ば１００ｍ”／ｇｒ程度）ため、大気中の水分、有機物
等の不純物を吸着し易く、更に酸化するため、高純度の
ターゲットが得にくいこと、（ｉｉ）微粉末を必要組成
に配合した場合、局部的な組成のゆらぎが不可避的に生
じるため、全体に亘り組成の均一なターゲットが得にく
いこと、等に起因する。
ば１００ｍ”／ｇｒ程度）ため、大気中の水分、有機物
等の不純物を吸着し易く、更に酸化するため、高純度の
ターゲットが得にくいこと、（ｉｉ）微粉末を必要組成
に配合した場合、局部的な組成のゆらぎが不可避的に生
じるため、全体に亘り組成の均一なターゲットが得にく
いこと、等に起因する。
■ 当該ターゲットを用いて得られるスパッタ膜の膜厚
の均一性に劣る。
の均一性に劣る。
これは、焼結体であるため当該ターゲットには数％〜数
十％程度の気孔が残存しており、これによってスパッタ
リングの均一性が損なわれるからである。
十％程度の気孔が残存しており、これによってスパッタ
リングの均一性が損なわれるからである。
■ 当該ターゲットは経済性があまり良くない。
これは、（ｉ） ｍ粉末（例えば１μｍ以下）を原料と
しているため原料が高価であること、（ｉｉ）焼結雰囲
気（例えばＨ２ガス雰囲気）の高純度化が必要であり、
しかも焼結には１５００℃程度の高温を必要とするため
、製造プロセスに手間がかかること、等に起因する。
しているため原料が高価であること、（ｉｉ）焼結雰囲
気（例えばＨ２ガス雰囲気）の高純度化が必要であり、
しかも焼結には１５００℃程度の高温を必要とするため
、製造プロセスに手間がかかること、等に起因する。
そこでこの発明は、上記のような問題点を解決したスパ
ッタリング用ターゲットを提供することを目的とする。
ッタリング用ターゲットを提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明のスパッタリング用ターゲットは、高融点金属
およびその合金の少なくとも一方から成り、化学気相成
長法によって作製されていることを特徴とする。
およびその合金の少なくとも一方から成り、化学気相成
長法によって作製されていることを特徴とする。
第１図は、この発明の一実施例に係るスパッタリング用
ターゲットを示す部分断面図である。この実施例のスパ
ッタリング用ターゲットは、金属あるいはカーボン等か
ら成るバッキングプレート（基板）１上に、高融点金属
およびその合金の少なくとも一方から成る、即ち高融点
金属、その合金または両者の混合物（以下、これらを単
に高融点金属等と呼ぶ場合がある）から成る厚膜２を化
学気相成長法（ＣＶＤ法）によって成長させたものであ
る。
ターゲットを示す部分断面図である。この実施例のスパ
ッタリング用ターゲットは、金属あるいはカーボン等か
ら成るバッキングプレート（基板）１上に、高融点金属
およびその合金の少なくとも一方から成る、即ち高融点
金属、その合金または両者の混合物（以下、これらを単
に高融点金属等と呼ぶ場合がある）から成る厚膜２を化
学気相成長法（ＣＶＤ法）によって成長させたものであ
る。
もっとも、この発明に係るスパッタリング用ターゲット
の他の例としては、バッキングプレートｌ上に上記のよ
うな高融点金属等をブロック状（塊状）等に成長させた
もの、あるいは高融点金属等を厚膜状、ブロック状等に
成長させた後にバッキングプレート１を後処理（例えば
切削、化学処理等）で除去したもの等がある。
の他の例としては、バッキングプレートｌ上に上記のよ
うな高融点金属等をブロック状（塊状）等に成長させた
もの、あるいは高融点金属等を厚膜状、ブロック状等に
成長させた後にバッキングプレート１を後処理（例えば
切削、化学処理等）で除去したもの等がある。
上記高融点金属としては、例えばＷｓ Ｍｏ ｓ Ｃｒ
等のような、元素周期表のＩＶａ族、Ｖａ族あるいはＶ
ｉａ族に属する元素が採り得る。
等のような、元素周期表のＩＶａ族、Ｖａ族あるいはＶ
ｉａ族に属する元素が採り得る。
上記合金としては、例えばＷ−３ｉ系合金（例えばＷＳ
ｉ２等）、Ｍｏ−３ｉ系合金（例えばＭｏ５ｉ＝等）、
Ｃｒ−３ｉ系合金（例えばＣｒ５ｉｚ等）のような、元
素周期表の■ａ族、Ｖａ族、Ｖｉａ族に属する元素のシ
リサイドが採り得る。
ｉ２等）、Ｍｏ−３ｉ系合金（例えばＭｏ５ｉ＝等）、
Ｃｒ−３ｉ系合金（例えばＣｒ５ｉｚ等）のような、元
素周期表の■ａ族、Ｖａ族、Ｖｉａ族に属する元素のシ
リサイドが採り得る。
化学気相成長法としては、常圧のＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等が採り得る。
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等が採り得る。
化学気相成長の反応ガスとしては、例えば、Ｗ−３ｉ系
膜を成長させる場合はＳｉＨ４＋ＷＦ６の混合ガス、Ｍ
ｏ−５ｉ系膜を成長させる場合はＳｉｇｎ ＋ＭｏＣｌ
５あるいはＳｉＨ，＋ＭｏＦ、、の混合ガス、Ｃｒ−３
ｔ系膜を成長させる場合はＳ ｉ Ｈａ＋ＣｒＣ１４の
混合ガス等が採り得る。
膜を成長させる場合はＳｉＨ４＋ＷＦ６の混合ガス、Ｍ
ｏ−５ｉ系膜を成長させる場合はＳｉｇｎ ＋ＭｏＣｌ
５あるいはＳｉＨ，＋ＭｏＦ、、の混合ガス、Ｃｒ−３
ｔ系膜を成長させる場合はＳ ｉ Ｈａ＋ＣｒＣ１４の
混合ガス等が採り得る。
上記のようなスパッタリング用ターゲットには次のよう
な特徴がある。
な特徴がある。
■ 当該ターゲットによれば特性の均一なスパッタ膜が
得られる。
得られる。
これは、（ｉ）当該ターゲットは化学気相成長法で作製
されているため高純度であること、（ｉｉ）化学気相成
長法の温度条件を変化させることによりターゲットの成
長結晶粒の大きさを任意に制御することができること、
（ｉｉｉ）組成が局部的にも均一であること、等による
。
されているため高純度であること、（ｉｉ）化学気相成
長法の温度条件を変化させることによりターゲットの成
長結晶粒の大きさを任意に制御することができること、
（ｉｉｉ）組成が局部的にも均一であること、等による
。
■ 当該ターゲットによれば膜厚の均一なスパッタ膜が
得られる。
得られる。
これは、当該ターゲットは気孔を全く含まないため、ス
パッタ時の放電条件が一定となる等、スパッタリングの
均一性が良くなることによる。
パッタ時の放電条件が一定となる等、スパッタリングの
均一性が良くなることによる。
■ 当該ターゲットによれば多様なスパッタ膜を得るこ
とができる。
とができる。
これは、反応ガス組成等の化学気相条件を変えることに
より、ターゲット組成を自由に制御することができるか
らである。
より、ターゲット組成を自由に制御することができるか
らである。
■ 当該ターゲットは経済性に優れている。
これは、（ｉ）従来のように高価な微粉末を使用してい
ないこと、（ｉｉ）製造プロセスが簡単であること、（
ｉ ｉ ｉ）更に、従来のように全体をターゲットとし
て所定組成にする必要は必ずしもなく、例えば安価で加
工性の良いバッキングプレートｌの表面にだけ所望組成
の厚膜２またはブロックを形成したものでも良いこと、
等による。
ないこと、（ｉｉ）製造プロセスが簡単であること、（
ｉ ｉ ｉ）更に、従来のように全体をターゲットとし
て所定組成にする必要は必ずしもなく、例えば安価で加
工性の良いバッキングプレートｌの表面にだけ所望組成
の厚膜２またはブロックを形成したものでも良いこと、
等による。
Ｗ−３ｉ ムターゲットのイ
減圧ＣＶＤ法により、下記条件にて一週間Ｗ−３ｉ系膜
を基板（バッキングプレート）上に成長させた結果、１
００ｍａ＋φＸ２．ＯｍｍシのＷ −Ｓ ｉ系膜（組成
比Ｗ／Ｓｉ ＝１／２．４）が得られた。
を基板（バッキングプレート）上に成長させた結果、１
００ｍａ＋φＸ２．ＯｍｍシのＷ −Ｓ ｉ系膜（組成
比Ｗ／Ｓｉ ＝１／２．４）が得られた。
これをスパッタリングに使用した結果、ＬＳＩゲート電
極として使用できる高純度で安定した特性を持つスパッ
タ膜が得られた。
極として使用できる高純度で安定した特性を持つスパッ
タ膜が得られた。
藍圧旦叉旦条件
バッキングプレート：カーボン（１００ｍａ＋φＸ’ｌ
、 Ｑ ａｓ ｔ ） 反応ガス・・Ｓ ｉ Ｈａ ＋ Ｗ Ｆ ｈの混合ガス
成長温度・・８００℃ 圧力 ・・０．１ＴＯｒｒ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明に係るスパッタリング用ターゲ
ットは経済性に優れていると共に、当該ターゲットによ
れば、特性や膜厚等の均一なスパッタ膜が得られる。
、 Ｑ ａｓ ｔ ） 反応ガス・・Ｓ ｉ Ｈａ ＋ Ｗ Ｆ ｈの混合ガス
成長温度・・８００℃ 圧力 ・・０．１ＴＯｒｒ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明に係るスパッタリング用ターゲ
ットは経済性に優れていると共に、当該ターゲットによ
れば、特性や膜厚等の均一なスパッタ膜が得られる。
第１図は、この発明の一実施例に係るスパッタリング用
ターゲットを示す部分断面図である。
ターゲットを示す部分断面図である。
Claims (3)
- （１）高融点金属およびその合金の少なくとも一方から
成り、化学気相成長法によって作製されていることを特
徴とするスパッタリング用ターゲット。 - （２）前記高融点金属が元素周期表のIVａ族〜VIａ族に
属する元素であり、前記合金がそのシリサイドである特
許請求の範囲第１項記載のスパッタリング用ターゲット
。 - （３）バッキングプレートを有する特許請求の範囲第１
項または第２項記載のスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8745486A JPS62243761A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8745486A JPS62243761A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243761A true JPS62243761A (ja) | 1987-10-24 |
Family
ID=13915304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8745486A Pending JPS62243761A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62243761A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06228746A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-16 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 高融点金属スパッタターゲット |
| JP2007080999A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Nissin Electric Co Ltd | シリコンドットの形成方法及び装置 |
| JP2007088311A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Nissin Electric Co Ltd | シリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置 |
| JP2007088317A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Nissin Electric Co Ltd | シリコン物体形成方法及び装置 |
| US7988835B2 (en) | 2004-03-26 | 2011-08-02 | Nissin Electric Co., Ltd. | Silicon dot forming method and silicon dot forming apparatus |
| JP2012522133A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト・ツァー・フォデラング・デル・アンゲワンテン・フォーシュング・エー．ファウ． | マグネトロンコーティングモジュール及びマグネトロンコーティング方法 |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP8745486A patent/JPS62243761A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06228746A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-16 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 高融点金属スパッタターゲット |
| US7988835B2 (en) | 2004-03-26 | 2011-08-02 | Nissin Electric Co., Ltd. | Silicon dot forming method and silicon dot forming apparatus |
| JP2007080999A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Nissin Electric Co Ltd | シリコンドットの形成方法及び装置 |
| JP2007088311A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Nissin Electric Co Ltd | シリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置 |
| JP2007088317A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Nissin Electric Co Ltd | シリコン物体形成方法及び装置 |
| US7887677B2 (en) | 2005-09-26 | 2011-02-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Silicon object forming method and apparatus |
| JP2012522133A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト・ツァー・フォデラング・デル・アンゲワンテン・フォーシュング・エー．ファウ． | マグネトロンコーティングモジュール及びマグネトロンコーティング方法 |
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