JPH02225317A - 化学的気相蒸着法による酸化物超伝導体の製造方法 - Google Patents
化学的気相蒸着法による酸化物超伝導体の製造方法Info
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- JPH02225317A JPH02225317A JP4186089A JP4186089A JPH02225317A JP H02225317 A JPH02225317 A JP H02225317A JP 4186089 A JP4186089 A JP 4186089A JP 4186089 A JP4186089 A JP 4186089A JP H02225317 A JPH02225317 A JP H02225317A
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- Japan
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- complex
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、化学的気相蒸着法による酸化物超伝導体の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
（従来の技術）
液体窒素温度以上のＴｃを有する超伝導体として、近年
ＹＢａｔＣｕｓＯｘ、 ＢＬＳｒａＣａａＣｕＪｙおよ
びＴＩＪａａＣａｘＣｕｉＯ□等の酸化物超伝導体が発
見され、その実用化が期待されている０通常、酸化物超
伝導体は粉末の焼結により製造されるが、セラミックス
特有のもろさのため成形加工が困難であり、また、超伝
導体の応用分野では膜状の超伝導体も用いられるので、
気相から超伝導体を製造する方法が種々提案されている
。
ＹＢａｔＣｕｓＯｘ、 ＢＬＳｒａＣａａＣｕＪｙおよ
びＴＩＪａａＣａｘＣｕｉＯ□等の酸化物超伝導体が発
見され、その実用化が期待されている０通常、酸化物超
伝導体は粉末の焼結により製造されるが、セラミックス
特有のもろさのため成形加工が困難であり、また、超伝
導体の応用分野では膜状の超伝導体も用いられるので、
気相から超伝導体を製造する方法が種々提案されている
。
たとえば、蒸着法やスパッタリング法などが提案されて
いるが、これらの手法は高真空状態を必要とし、それゆ
えに大量生産が困難、設備が高価等の問題があった。こ
れに対し、原料金属元素の化合物をガス状にし、気相反
応により基体上に所望の化合物を堆積させる化学的気相
蒸着法（ＣＶＤ法）が提案されている。この手法は常圧
もしくは低真空状態でおこなうことができ、装置も単純
化可能である。ＣＶＤ法に用いられる酸化物超伝導体製
造用金属元素を存する原料化合物としては従来金属アセ
デルアセトン化合物、金属ジピバロイルメタン化合物等
の金属β−ジケトン化合物類、ヨウ化物、臭化物等の金
属ハロゲン化物が用いられている。
いるが、これらの手法は高真空状態を必要とし、それゆ
えに大量生産が困難、設備が高価等の問題があった。こ
れに対し、原料金属元素の化合物をガス状にし、気相反
応により基体上に所望の化合物を堆積させる化学的気相
蒸着法（ＣＶＤ法）が提案されている。この手法は常圧
もしくは低真空状態でおこなうことができ、装置も単純
化可能である。ＣＶＤ法に用いられる酸化物超伝導体製
造用金属元素を存する原料化合物としては従来金属アセ
デルアセトン化合物、金属ジピバロイルメタン化合物等
の金属β−ジケトン化合物類、ヨウ化物、臭化物等の金
属ハロゲン化物が用いられている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、原料金属の中で超伝導体の必須構成元素
であるＢａ、 Ｓｒ、 Ｃａ等のＩＩ Ａ族の原料化合
物として従来用いられているジピバロイルメタン錯体は
、ガス化するときに一部分解しながらガス化する。蒸気
圧が一定でない、再現性の良い金属輸送量がとれない等
の問題点を有していた。一方、金属ハロゲン化物として
は通常ヨウ化物が用いられるが、これはガス化するため
には８００℃以上の高温が必要、ヨウ素が超伝導体中に
残存し特性を著しく低下させるという問題点を有してい
た。
であるＢａ、 Ｓｒ、 Ｃａ等のＩＩ Ａ族の原料化合
物として従来用いられているジピバロイルメタン錯体は
、ガス化するときに一部分解しながらガス化する。蒸気
圧が一定でない、再現性の良い金属輸送量がとれない等
の問題点を有していた。一方、金属ハロゲン化物として
は通常ヨウ化物が用いられるが、これはガス化するため
には８００℃以上の高温が必要、ヨウ素が超伝導体中に
残存し特性を著しく低下させるという問題点を有してい
た。
（課題を解決するための手段）
本発明者は前述の問題点を解決するべく種々研究した結
果、周期表ＨＡ族金属を定量的に気体状態で輸送するこ
とのできる化合物を見出した。かくして本発明は、化学
的気相蒸着法による酸化物超伝導体の製造方法において
、元素周期表ＩＩ Ａ族からなる群より選ばれた１種以
上の金属とシクロペンタジェニル誘導体との錯体を原料
とし、これを気化した後分解することを特徴とする製造
方法を提供するものである。
果、周期表ＨＡ族金属を定量的に気体状態で輸送するこ
とのできる化合物を見出した。かくして本発明は、化学
的気相蒸着法による酸化物超伝導体の製造方法において
、元素周期表ＩＩ Ａ族からなる群より選ばれた１種以
上の金属とシクロペンタジェニル誘導体との錯体を原料
とし、これを気化した後分解することを特徴とする製造
方法を提供するものである。
本発明の錯体は、周期表ＩＩ Ａ族金属を２個のシクロ
ペンタジェニルｌ（側銷を有するものも含む）がサンド
イッチ状にはさみ込んだ構造を有する化合物である。
ペンタジェニルｌ（側銷を有するものも含む）がサンド
イッチ状にはさみ込んだ構造を有する化合物である。
本発明におけるシクロペンタジェニル誘導体としてはシ
クロペンタジェニル環の側銷が、水素原子または炭素数
１〜８個のアルキル基もしくは芳香族基から選ばれた基
であることが好ましい。炭素数が９個以上になると金属
錯体のガス化が困難であるので好ましい。側銷は、水素
原子または炭素数１〜４個のアルキル基またはフェニル
基であることがさらに好ましい。シクロペンタジェニル
誘導体の好ましい具体例としては、シクロペンタジェニ
ル、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタ
ジェニル、ｎ−プロピルシクロペンタジェニル、イソプ
ロピルシクロペンタジェニル、ｎ−ブチルシクロペンタ
ジェニル、Ｓ−ブチルシクロペンタジェニル、インブチ
ルシクロペンタジェニル、ｔ−ブチルシクロペンタジェ
ニル、１．２−ジメチルシクロペンタジェニル、１．３
−ジメチルシクロペンタジェニル、ｌ−メチル−３−エ
チルシクロペンタジェニル、１−メチル−２−エチルシ
クロペンタジェニル、１，２．３− トリメチルシクロ
ペンタジェニル、フェニルシクロペンタジェニル、１，
２．４− トリメチルシクロペンタジェニル、テトラメ
チルシクロペンタジェニル、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル、エチルテトラメチルシクロペンタジェニル、
ｎ−プロピルテトラメチルシクロペンタジェニル、イソ
ブロビルテトラメヂルシクロペンタジエニル、ｎ−ブチ
ルテトラメチルシクロペンタジェニル、イソブチルテト
ラメチルシクロペンタジェニル、Ｓ−ブチルテトラメチ
ルシクロペンタジェニル、ｔ−ブチルテトラメチルシク
ロペンタジェニル、フェニルテトラメチルシクロペンタ
ジェニル等が挙げられる。１つの錯体中の２つのシクロ
ペンタジェニル誘導体は、必ずしも同一のものでなくて
良い。
クロペンタジェニル環の側銷が、水素原子または炭素数
１〜８個のアルキル基もしくは芳香族基から選ばれた基
であることが好ましい。炭素数が９個以上になると金属
錯体のガス化が困難であるので好ましい。側銷は、水素
原子または炭素数１〜４個のアルキル基またはフェニル
基であることがさらに好ましい。シクロペンタジェニル
誘導体の好ましい具体例としては、シクロペンタジェニ
ル、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタ
ジェニル、ｎ−プロピルシクロペンタジェニル、イソプ
ロピルシクロペンタジェニル、ｎ−ブチルシクロペンタ
ジェニル、Ｓ−ブチルシクロペンタジェニル、インブチ
ルシクロペンタジェニル、ｔ−ブチルシクロペンタジェ
ニル、１．２−ジメチルシクロペンタジェニル、１．３
−ジメチルシクロペンタジェニル、ｌ−メチル−３−エ
チルシクロペンタジェニル、１−メチル−２−エチルシ
クロペンタジェニル、１，２．３− トリメチルシクロ
ペンタジェニル、フェニルシクロペンタジェニル、１，
２．４− トリメチルシクロペンタジェニル、テトラメ
チルシクロペンタジェニル、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル、エチルテトラメチルシクロペンタジェニル、
ｎ−プロピルテトラメチルシクロペンタジェニル、イソ
ブロビルテトラメヂルシクロペンタジエニル、ｎ−ブチ
ルテトラメチルシクロペンタジェニル、イソブチルテト
ラメチルシクロペンタジェニル、Ｓ−ブチルテトラメチ
ルシクロペンタジェニル、ｔ−ブチルテトラメチルシク
ロペンタジェニル、フェニルテトラメチルシクロペンタ
ジェニル等が挙げられる。１つの錯体中の２つのシクロ
ペンタジェニル誘導体は、必ずしも同一のものでなくて
良い。
本発明においてシクロペンタジェニル誘導体と金属との
錯体は、例えば、対応する金属のヨウ化合物とシクロペ
ンタジェニル誘導体のナトリウム塩を、ＴＨＦ、１．２
−ジメトキシエタン、エーテル等の適当な溶媒中での反
応あるいは、金属とシクロペンタジェニル誘導体との直
接反応により合成される。
錯体は、例えば、対応する金属のヨウ化合物とシクロペ
ンタジェニル誘導体のナトリウム塩を、ＴＨＦ、１．２
−ジメトキシエタン、エーテル等の適当な溶媒中での反
応あるいは、金属とシクロペンタジェニル誘導体との直
接反応により合成される。
本発明は、酸化物超伝導体を構成する金属元素のうち、
Ｃａ、 Ｂａ、 Ｓｒ等の周期表ＩＩＡ族金属のシクロ
ペンタジェニル誘導体錯体を使用してＣＶＤ法により酸
化物超伝導体を製造するものである。
Ｃａ、 Ｂａ、 Ｓｒ等の周期表ＩＩＡ族金属のシクロ
ペンタジェニル誘導体錯体を使用してＣＶＤ法により酸
化物超伝導体を製造するものである。
本発明によれば、周期表ｎＡＡ族金属含むものであれば
、組成的に特に限定されずに酸化物超伝導体が製造でき
る。具体的にはＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系、Ｙｂ −Ｂａ
−Ｃｕ −０系、Ｈｏ −Ｈａ −Ｃｕ −０系、Ｅｒ
−Ｂａ −Ｃｕ −０系、Ｌａ −Ｓｒ −Ｃｕ −
０系などの希土類を含むいわゆるイツトリウム系超伝導
体、Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系およびこの
系にさらにｐｂを添加した系などのビスマス系超伝導体
。
、組成的に特に限定されずに酸化物超伝導体が製造でき
る。具体的にはＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系、Ｙｂ −Ｂａ
−Ｃｕ −０系、Ｈｏ −Ｈａ −Ｃｕ −０系、Ｅｒ
−Ｂａ −Ｃｕ −０系、Ｌａ −Ｓｒ −Ｃｕ −
０系などの希土類を含むいわゆるイツトリウム系超伝導
体、Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系およびこの
系にさらにｐｂを添加した系などのビスマス系超伝導体
。
Ｔｌ −Ｂａ −Ｃａ −Ｃｕ −０系およびこの系に
さらにｐｂを添加した系などのタリウム系超伝導体が挙
げられる。
さらにｐｂを添加した系などのタリウム系超伝導体が挙
げられる。
上述のような系において、周期表ＩＩ Ａ族金属以外の
金属成分については金属アセチルアセトン錯体、金属ジ
ピバロイルメタン錯体、金属ヘキサフルオロアセチルア
セトン錯体、金属６，６゜７．７，８，８．８−へブタ
フルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オクタジオン錯
体等のβ−ジケトン錯体、金属ポルフィリン錯体、金属
フタロシアニン類、金属シクロペンタジェニル錯体など
をＣＶＤ原料として用いることができる。
金属成分については金属アセチルアセトン錯体、金属ジ
ピバロイルメタン錯体、金属ヘキサフルオロアセチルア
セトン錯体、金属６，６゜７．７，８，８．８−へブタ
フルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オクタジオン錯
体等のβ−ジケトン錯体、金属ポルフィリン錯体、金属
フタロシアニン類、金属シクロペンタジェニル錯体など
をＣＶＤ原料として用いることができる。
本発明において酸化物超伝導体を合成するにあたっては
、例えば上記の原料を加熱してガス化し、Ｎｉ、 Ａｒ
等の不活性のキャリアガスにより加熱炉またはプラズマ
帯域のような酸化領域に輸送し、酸素を供給しながら酸
化領域で上記化合物を分解して基体上に堆積させる。こ
の場合、基体上には酸化物の薄膜が形成される。この後
さらに、６００〜１０００℃の空気中または酸素雰囲気
中での加熱焼成工程を加えても良い。原料の分解堆積は
、必ずしも酸素を必要とせず、堆積した後、堆積物を酸
素雰囲気中で焼成して、これらを酸化して、酸化物超伝
導体の膜を得ても良い。
、例えば上記の原料を加熱してガス化し、Ｎｉ、 Ａｒ
等の不活性のキャリアガスにより加熱炉またはプラズマ
帯域のような酸化領域に輸送し、酸素を供給しながら酸
化領域で上記化合物を分解して基体上に堆積させる。こ
の場合、基体上には酸化物の薄膜が形成される。この後
さらに、６００〜１０００℃の空気中または酸素雰囲気
中での加熱焼成工程を加えても良い。原料の分解堆積は
、必ずしも酸素を必要とせず、堆積した後、堆積物を酸
素雰囲気中で焼成して、これらを酸化して、酸化物超伝
導体の膜を得ても良い。
本発明に用いる基体としては、例えばＭｇＯ３ｒＴｉＯ
ｓ、 Ａ１２０１． ＺｒＯ，、ＮｄＧａＯｓ、 Ｌａ
Ｇａ０ｚ、ＬａＡｌＯｓ等の単結晶あるいは焼結体から
なるセラミックス、金、銀、銅、鉄、ステンレス鋼など
の金属を始め種々の材質のものを使用できる。基板の形
状としても、板状、テープ状、線材状などの種々の形状
を採用できる。
ｓ、 Ａ１２０１． ＺｒＯ，、ＮｄＧａＯｓ、 Ｌａ
Ｇａ０ｚ、ＬａＡｌＯｓ等の単結晶あるいは焼結体から
なるセラミックス、金、銀、銅、鉄、ステンレス鋼など
の金属を始め種々の材質のものを使用できる。基板の形
状としても、板状、テープ状、線材状などの種々の形状
を採用できる。
本発明の酸化物超伝導体は、基体上に堆積させる場合は
、薄膜状で得られる。膜の厚さは、金属化合物ガスの濃
度あるいは堆積時間を変えることにより制御可能である
。また、基体状に堆積させるのではなく、気体状の原料
化合物を反応させ、酸化することにより粉末状の焼結用
酸化物超伝導体粉末を得ることもできる。
、薄膜状で得られる。膜の厚さは、金属化合物ガスの濃
度あるいは堆積時間を変えることにより制御可能である
。また、基体状に堆積させるのではなく、気体状の原料
化合物を反応させ、酸化することにより粉末状の焼結用
酸化物超伝導体粉末を得ることもできる。
（実施例）
実施例１
ビス（ペンタメチルシクロペンタジェニル）バリウム（
以下ＢａＭｅ、Ｃｐという）のｌＩＫをガラス容器に入
れて２００℃に加熱し、発生した蒸気を１．０Ｔｏｒｒ
の減圧下アルゴンよりなる流量毎分１５０ｍ１ （標準
状態以下同様）のキャリアガスに乗せて加熱された供給
管を通じて水冷した凝縮ゾーンに導入し固化させた。凝
縮ゾーンにはＢａＭｅａＣｐが輸送されて固化していた
。ガラス容器に入れたＢａＭｅｓＣｐと輸送されたＢａ
Ｍｅ６ＣＩ）のＢａ含有量を元素分析により測定した結
果を表１に示す。Ｂａ含有量の差がほとんどないことか
ら輸送の際の原料の分解はないと考えられる。また、輸
送されたＢａ−ＴＰＰの■と輸送時間の関係は、図１の
１のような直線関係なっており、輸送速度が一定である
ことがわかる。
以下ＢａＭｅ、Ｃｐという）のｌＩＫをガラス容器に入
れて２００℃に加熱し、発生した蒸気を１．０Ｔｏｒｒ
の減圧下アルゴンよりなる流量毎分１５０ｍ１ （標準
状態以下同様）のキャリアガスに乗せて加熱された供給
管を通じて水冷した凝縮ゾーンに導入し固化させた。凝
縮ゾーンにはＢａＭｅａＣｐが輸送されて固化していた
。ガラス容器に入れたＢａＭｅｓＣｐと輸送されたＢａ
Ｍｅ６ＣＩ）のＢａ含有量を元素分析により測定した結
果を表１に示す。Ｂａ含有量の差がほとんどないことか
ら輸送の際の原料の分解はないと考えられる。また、輸
送されたＢａ−ＴＰＰの■と輸送時間の関係は、図１の
１のような直線関係なっており、輸送速度が一定である
ことがわかる。
実施例２〜１５
実施例１のＢａＭｅｓＣｐ、 ２００℃の加熱温度に代
＾て、それぞれ表１に示したような原料化合物、加熱温
度にした以外はすべて実施例１と同様にして原料化合物
と輸送された物質の金属含有量および、輸送量と輸送時
間の関係を求めた。これらの結果を表１および図１に示
す。いずれも輸送の際の分解はないと考えられ、輸送速
度も一定であった。
＾て、それぞれ表１に示したような原料化合物、加熱温
度にした以外はすべて実施例１と同様にして原料化合物
と輸送された物質の金属含有量および、輸送量と輸送時
間の関係を求めた。これらの結果を表１および図１に示
す。いずれも輸送の際の分解はないと考えられ、輸送速
度も一定であった。
比較例１〜３
実施例１のＢａＭｅａＣｐ、 ２００℃の加熱温度に代
えて、それぞれ表１に示したような原料化合物、加熱温
度にした以外はすべて実施例１と同様にして原料化合物
と輸送された物質（加熱開始から１時間の間に固化した
もの）の金属含有量および、輸送量と輸送時間の関係を
求めた。これらの結果を表１および図１に示す。輸送さ
れた物質は、原料化合物に比べて金属含有量が減少して
おり、輸送の際に原料が分解しているものと思われる。
えて、それぞれ表１に示したような原料化合物、加熱温
度にした以外はすべて実施例１と同様にして原料化合物
と輸送された物質（加熱開始から１時間の間に固化した
もの）の金属含有量および、輸送量と輸送時間の関係を
求めた。これらの結果を表１および図１に示す。輸送さ
れた物質は、原料化合物に比べて金属含有量が減少して
おり、輸送の際に原料が分解しているものと思われる。
また、図１に示したとおり、時間が経過するにつれて輸
送速度が低下しており、定量的な輸送が困難であること
がわかる。
送速度が低下しており、定量的な輸送が困難であること
がわかる。
実施例１６
ＢａＭｅｓＣｐ＋ジピバロイルメタン銅、ジピバロイル
メタンイツトリウムをステンレス製の容器に入れ、それ
ぞれ１５０℃、１２０℃、１２５℃に加熱してガス化し
、１０Ｔｏｒｒの減圧下それぞれアルゴンよりなる流量
毎分２００ｍ１のキャリアガスにのせて加熱された供給
管を通じて反応管に導きそこで流量毎分１００ｍ１の酸
素ガスと混合した。この混合ガスを、８５０℃に加熱し
たＭｇＯ単結晶基板上に２時間通した。
メタンイツトリウムをステンレス製の容器に入れ、それ
ぞれ１５０℃、１２０℃、１２５℃に加熱してガス化し
、１０Ｔｏｒｒの減圧下それぞれアルゴンよりなる流量
毎分２００ｍ１のキャリアガスにのせて加熱された供給
管を通じて反応管に導きそこで流量毎分１００ｍ１の酸
素ガスと混合した。この混合ガスを、８５０℃に加熱し
たＭｇＯ単結晶基板上に２時間通した。
この結果％ＭｇＯ基板上にＹＢａｘＣｕｓＯｙからなる
均質な超伝導体膜が得られた。この膜の直流抵抗の温度
依存性を４端子法で測定したところ臨界温度（Ｔｃ）は
８６にであった。
均質な超伝導体膜が得られた。この膜の直流抵抗の温度
依存性を４端子法で測定したところ臨界温度（Ｔｃ）は
８６にであった。
実施例１７〜１９
実施例１６におけるＢａＭｅｓＣ＋）およびその加熱温
度１５０℃をそれぞれ表２に示す化合物および加熱１度
とした場合はすべて実施例１６と同様にしてＭｇＯ単結
晶基板上にＹＢａｚＣｕＪ、薄膜を得た。
度１５０℃をそれぞれ表２に示す化合物および加熱１度
とした場合はすべて実施例１６と同様にしてＭｇＯ単結
晶基板上にＹＢａｚＣｕＪ、薄膜を得た。
同様にして測定したＴｃを表２に示す。
実施例２０
ビス（ペンタメチルシクロペンタジェニル）ストロンチ
ウム（以下ＳｒＭｅ、Ｃｐという）、ビス（ペンタメチ
ルシクロペンタジェニル）カルシウム（以下ＣａＭｅ、
Ｃｐという）ジピバロイルメタン銅、トリフェニルビス
マスをステンレス製容器に入れ、それぞれ１５０℃、１
．５０℃、１３０℃、１．２５℃に加熱してガス化し、
１０Ｔｏｒｒの減圧下それぞれアルゴンよりなる流量毎
分２８０ｍ１のキャリアガスにのせて加熱された供給管
を通じて反応管に導きそこで流量毎分１２０ｍ１の酸素
ガスと混合した。この混合ガスを、８５０℃に加熱した
ＭｇＯ単結晶基板上に２時間通した。
ウム（以下ＳｒＭｅ、Ｃｐという）、ビス（ペンタメチ
ルシクロペンタジェニル）カルシウム（以下ＣａＭｅ、
Ｃｐという）ジピバロイルメタン銅、トリフェニルビス
マスをステンレス製容器に入れ、それぞれ１５０℃、１
．５０℃、１３０℃、１．２５℃に加熱してガス化し、
１０Ｔｏｒｒの減圧下それぞれアルゴンよりなる流量毎
分２８０ｍ１のキャリアガスにのせて加熱された供給管
を通じて反応管に導きそこで流量毎分１２０ｍ１の酸素
ガスと混合した。この混合ガスを、８５０℃に加熱した
ＭｇＯ単結晶基板上に２時間通した。
この結果、ＭｇＯ基板上にＢ１１５ｒｉＣａ２ＣｕｉＯ
ｙからなる均質な超伝導体膜が得られた。この膜のＴｃ
は１００にであった。
ｙからなる均質な超伝導体膜が得られた。この膜のＴｃ
は１００にであった。
実施例２１〜２３
実施例２０における５ｒｈｌｅｓＣｐ、 ＣａＭｅＪ：
ｐおよびそれらの加熱温度をそれぞれ表３に示す化合物
および加熱温度とした以外はすべて実施例２０と同様に
して、ＭｇＯ基板上にＢｉｚＳｒｉＣａｉＣｕｓＯｙ薄
膜を得た。それらのＴｃを表３に示す。
ｐおよびそれらの加熱温度をそれぞれ表３に示す化合物
および加熱温度とした以外はすべて実施例２０と同様に
して、ＭｇＯ基板上にＢｉｚＳｒｉＣａｉＣｕｓＯｙ薄
膜を得た。それらのＴｃを表３に示す。
（発明の効果）
本発明の周期表ＩＩ Ａ族金属とシクロペンクジエニル
誘導体との錯化合物は、気化した際に分解せずかつ蒸気
圧も一定であり、気化したものをキャリアガスにより輸
送したときの輸送速度も一定であるので、ＨＡ族金属を
含む酸化物超伝導体を化学的気相蒸着法で製造する際、
定量的に制御が容易で、作業性にも優れている。
誘導体との錯化合物は、気化した際に分解せずかつ蒸気
圧も一定であり、気化したものをキャリアガスにより輸
送したときの輸送速度も一定であるので、ＨＡ族金属を
含む酸化物超伝導体を化学的気相蒸着法で製造する際、
定量的に制御が容易で、作業性にも優れている。
化学的気相蒸着法によれば、超伝導体の線材あるいはテ
ープのように長い導線を連続的に製造することができ、
大量生産が容易になり、品質が良好で均質な線材あるい
はテープを経済的に得ることができる。
ープのように長い導線を連続的に製造することができ、
大量生産が容易になり、品質が良好で均質な線材あるい
はテープを経済的に得ることができる。
図１は、本発明の実施例１〜１５および比較例１〜３に
おける原料化合物の輸送時間と輸送料の関係を示す図で
ある。図において、直線１〜１５はそれぞれ実施例１〜
１５に対応し、曲線１６〜１８はそれぞれ比較例１〜３
に対応する。
おける原料化合物の輸送時間と輸送料の関係を示す図で
ある。図において、直線１〜１５はそれぞれ実施例１〜
１５に対応し、曲線１６〜１８はそれぞれ比較例１〜３
に対応する。
Claims (2)
- （１）化学的気相蒸着法による酸化物超伝導体の製造方
法において元素周期表IIＡ族からなる群より選ばれた１
種以上の金属とシクロペンタジエニル誘導体との錯体を
原料とし、これを気化した後分解することを特徴とする
製造方法。 - （２）シクロペンタジエニル誘導体が、シクロペンタジ
エニル環の側銷が水素原子または炭素数１〜８個のアル
キル基もしくは芳香族基から選ばれた基からなるもので
ある請求項１の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4186089A JPH02225317A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 化学的気相蒸着法による酸化物超伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4186089A JPH02225317A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 化学的気相蒸着法による酸化物超伝導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225317A true JPH02225317A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12620002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4186089A Pending JPH02225317A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 化学的気相蒸着法による酸化物超伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02225317A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025222A (en) * | 1994-03-09 | 2000-02-15 | Fujitsu Limited | Vapor phase growth of a dielectric film and a fabrication process of a semiconductor device having such a dielectric film |
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-
1989
- 1989-02-23 JP JP4186089A patent/JPH02225317A/ja active Pending
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| WO2020116182A1 (ja) * | 2018-12-06 | 2020-06-11 | 株式会社高純度化学研究所 | ビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）亜鉛、化学蒸着用原料、および亜鉛を含有する薄膜の製造方法 |
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