JPS62243767A - 堆積膜形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリコンを含有する堆積膜、とりわけａｔｅ性
膜殊に半導体デバイス、感光デバイス画像入力用のライ
ンセンサー撮像デバイスなどに用いる多結晶シリコン又
は単結晶シリコンの堆積膜を形成するのに好適な方法に
関する。

〔従来の技術〕

従来の多結晶シリコンの形成法としては、主トシテ、常
圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法１、プラズマＣＶＤ法などが
あり、これらの方法で作成した多結晶膜の結晶の粒径を
拡大するかあるいは単結晶化させる方法としては、レー
ザ電子ビーム等の闇討あるいはフラッシュランプ、線状
ヒータ等による加熱等の７二一ル手段によって、多結晶
膜の一部を溶融し、溶融部分を移動させながら、再結晶
化させる、ラテラル、シーディングエピタキシーと呼ば
れるものがある。

しかし、従来の多結晶形成法では、結晶粒径の制御や粒
界に存在する欠陥の補償、あるいは結晶面を揃えること
が困難であるため、前述のアニールにおいて高エネルギ
ーで溶融させる必要があった。そのため、堆積した時点
で平坦であった膜でも、溶融−固化に伴う体積変化によ
り表面に凹凸が生じ、ＬＳＩなどの半導体装置に応用す
る点で問題がある。また、下地基板に絶縁膜衛堆積し、
その上に多結晶シリコンの層を形成する場合や、基板上
にトランジスタなどの素子を形成してから前述の７ニー
ル処理をする場合等、高エネルギーの溶融に伴ない下地
基板あるいは絶縁膜あるいは下地基板に形成した素子等
に熱的損傷を与えたり、不純物が拡散したりする問題が
ある。

したがって、従来の多結晶膜形成法で作成した膜を従来
の７ニール方法で多結晶の粒径を拡大するかあるいは単
結晶化した場合、ＬＳＩ等の半導体装置に応用するには
多くの困難な点がある。

〔発明の目的〕 本発明の目的は、配向性のそろった良質の多結晶膜を得
られる新しい多結晶膜形成法を用い、該形成法の堆積の
前期あるいは堆積中あるいは堆桔後に堆積膜に光あるい
はマイクロ波等の電磁波または電子線等の輻射線を照射
するかまたは熱を加えることによって、従来のアニール
技術よりも低エネルギーで多結晶の粒径の拡大あるいは
単結晶化を行ない、従来の７ニール技術の欠点をなくし
て１表面を平坦にし、下地基板等の熱的損傷や不純物拡
散をおさえて容易に多結晶の粒径の拡大あるいは単結晶
化する方法を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の堆積膜形成法は基体温度保持手段によって所定
の温度に保持された基体上に堆積膜′　を形成する為の
成膜空間内に、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解す
ることにより生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ
）と化学的相互作用をする成膜用化学物質より生成され
る活性Ｎ　（Ｂ）とを、夫々別々に導入し化学反応させ
ることによって前記基体上に堆積膜を形成するにあたっ
て、該堆積膜に対してエツチング作用を有するガスまた
はその分解物を供給し、前記エツチング作用を有するガ
スまたはその分解物に光エネルギーを照射して前記堆積
膜に対するエツチング活性を選択に増大せしめると共に
、前記基体温度保持手段とは別の膜加熱手段による格子
の再配列を施すことで、特定の面方位の結晶成長を優先
的に行って、堆積膜を形成することにある。

又、本発明によれば、成膜空間の雰囲気温度、基体温度
を所望に従って任意に制御することにより、より安定し
たＣＶＤ法とすることができる。

更に、励起エネルギーは成膜用の基体近傍に到達した各
活性種に一様にあるいは選択的制御的に付与されるが、
光エネルギーを使用すれば、適宜の光学系を用いて基体
の全体に照射して堆積膜を形成することができるし、あ
るいは所望部分のみに選択的制御的に照射して部分的に
堆積膜を形成することができ、またレジスト等を使用し
て所定の図形部分のみに照射し堆積膜を形成できるなど
の便利さを有しているため、有利に用いられる。

本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）に於て活性化された活性種を使う事である。このこ
とにより、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に伸ば
すことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温度も一層
の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定した堆
積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供できる０
本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）か
らの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒、より好ましくは１秒以上、最
適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択されて
使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間で形
成される堆積膜を構成する成分を構成するものとなる。

又、成膜用の化学物質は、活性化空間（Ｂ）に於て活性
化エネルギーを作用されて活性化されて、成膜空間に導
入され、同時に活性化空間（Ａ）から導入され、形成さ
れる堆積膜の構成成分となる構成要素を含む活性種（Ａ
）と化学的に相互作用する。その結果、所望の基体上に
堆積膜が容易に形成されるが、同時に１反応系に存在す
るハロゲン含有ガス、及び／又はハロゲン含有活性種の
エツチング効果により、結晶の一定面方位を優先的に有
する多結晶堆積膜を形成することが可能になった。すな
わち、シリコンの多結晶成長時には、成長速度の面方位
使存性がある。これは、Ｍ堆積方法や堆積条件により異
なるが、本発明の方法では、（１，１，０）＞（１、ｌ
　、ｌ）＞　（１，０，０）が優勢である。

この条件下でエツチングガスの種類や、エツチング条件
街適当に選択することにより、より強い配向性の（１，
１，０）＞＞（１，１，１））＞（１，０，０）条件を
実現でき、ひいては（１，１，０）面のみに配向した粒
径の大きな堆積膜の形成が可能となる。もちろん条件に
より配向方位の制御も可能である。

本発明において、活性化空間（Ａ）に導入されるケイ素
とハロゲンを含む化合物としては。

例えば鎖状または環状シラン化合物の水素原子の一部乃
至全部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具
体的には、たとえば、５ｉｕＹ２ｕ＋２　（ｕは１以上
の整数、ＹはＦ、ＣＩＬびＩより選択される少なくとも
一種の元素である。）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素
、５ｆｖＹ２ｖ（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を
有する。）で示される環状ハロゲン化ケイ素、Ｓ　ｉ　
＋ＩＨ）ｃＹｙ　（ｕ及びＹは前述の意味を有する。Ｘ
＋Ｙ”２ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は
環状化合物などが挙げられる。

具体的には、例えば、ＳｉＦ４゜ （Ｓ　１Ｆ２）５　、（Ｓ　１Ｆ２）ａ　。

（Ｓ　１Ｆ２）　４．Ｓ　１２Ｆａ　、５ｉ３Ｆａ　。

ＳｉＨＦ３．ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＣ１ａ。

（Ｓ　１ｃｉＬ２）ｓ　、ＳｉＢｒ４゜（ＳｉＢｒ２）
ｓ、Ｓｉ　２ＣｊＬａ。

５ｉ２Ｂｒ　６．５ｉ）ｉｃｊ１３．５ｉＨ３ｃｊＬ。

５ｉＨ２ＣＪ１２，５ｉＨＢｒ３，５ｉＨｉ３　　。

５Ｌ２Ｃ１３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化し
得るものが挙げられる。

活性種（Ａ）を生成させるためには、前記ケイ素とハロ
ゲンを含む化合物に加えて、必要に応じてケイ素単体等
他のケイ素化合物、水素、ハロゲン化合物（例えばＦ２
ガス、Ｃ１２ガス、ガス化したＢｒ２．Ｉ２等）などを
併用することができる。

本発明において、活性化空間（Ａ）で活性種（Ａ）を生
成させる方法としては、各々の条件、装置な考慮してマ
イクロ波、ＲＦ、低周波、ＤＣ等の電気エネルギー、ヒ
ータ加熱、赤外線加熱等による熱エネルギー、光エネル
ギーなどの活性化エネルギーが使用される。

上述し声ものに、活性化空間（Ａ）で熱。

光、電気などの励起エネルギーを加えることにより、活
性種（Ａ）が生成される。

本発明の方法で用いれらる活性化空間（Ｂ）に於て、活
性種（Ｂ）を生成させる前記゛成膜用の化学物質として
は、水素ガス及び／又はハロゲン化合物（例えばＦ２ガ
ス、Ｃ１ｚガス、ガス化したＢｒ２、Ｉ２等）が有利に
用いられる。また、これらの成膜用の化学物質に加えて
１例えばヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガスを
用いることもできる。これらの成膜用の化学物質の複数
を用いる場合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内に
ガス状態で導入することもできるし、あるいはこれらの
成膜用の化学物質をガス状態で夫々独立した供給源から
各個別に供給し、活性化空間（Ｂ）に導入することもで
きるし、又夫々独立の活性化空間に導入して、夫々個別
に活性化することも出来る。

本発明において６成膜中間に導入される前記活性Ｍ　（
Ａ）と前記活性種（Ｂ）との量の割合は、成膜条件、活
性種の種類などで適宜所望に従って決められるが、好ま
しくは１０：　ｌ〜１：１０（導入流量比）が適当であ
り、より好ましくは８：２〜４：６とされるのが望まし
い。

ハロゲンを成分として含む化合物は、ガス状態で直接成
賎空間内に導入しても差支えないし、或は、予め活性化
空間（Ａ）乃至は活性化空間（Ｂ）、又は第３の活性化
空間（Ｃ）で活性化してその後、成膜空間に導入するこ
ともできる。

本発明におけるエツチング作用を有するガスまたは活性
種としては、Ｆ２　、Ｃ１２、ガス死重たＢｒｚ、Ｉ２
などの／＼ロゲン、　ＣＩ（Ｆａ　。

ＣＦａ、ＣｚＦａ、ＣＣＪｌ＋、ＣＢｒＦａ。

ＣＣＩりＦ２．ＣＣＣ１０Ｆ　、　ＣＣ皇Ｆ、、Ｃ２Ｃ
ｌ２Ｆｍなどのハロゲン化炭素、ＢＣＣ２０ＢＦ２など
のハロゲン化ホウ素をはじめとするＳＦ６　、ＮＦ３　
、ＰＦ５　、Ｘ６Ｆｚなどのハロゲン化物、更にこれら
のガスによるＦｍ。

Ｃ１’ｇなどのラジカル、ＣＦＪ÷、ＣＣＪｌ＋などの
イオンが用いられる。これらは混合して用いることもで
きるし、膜に影響を及ぼさない程度の０２．Ｉ２その他
ガスを添加してエツチング特性をコントロールすること
ができる。

これらのガスまたは活性種の膜面に於るエツチングへの
導入法としては、別にエツチング空間を配して成膜と交
互にくり返してもよいし、ｄｌｌｌｌ膜中間中ツチング
活性を有した状態で導入して、成膜と同時にエツチング
作用をさせて、結晶性膜の成長方向を限定するという効
果を与えて１本発明の目的を連してもよい。

次に、前述の多結晶膜堆積法において、（１）４Ｍの前
期あるいは（２）堆積中あるいは（３）堆＃ａ後に准積
膜を光あるいはマイクロ波等の電磁波または電子線等の
輻射線を照射するかまたは熱を加えることによって、多
結晶の結晶粒径を増大させ、あるいは単結晶化する作用
について説明する。

前記において、（１）の堆積の前期とは、前記堆積法に
よって２０００人望ましくは１０００Å以下の極〈薄い
膜を堆積した後の時点であす、２０００人望ましくは１
０００Å以下の膜を堆積した時点で堆積を申止し、光あ
るいはマイクロ波等の電磁波または電子線等の輻射線を
照射するかまたは熱を加えることによって。

２０００Å以下望ましくはｔｏｏｏÅ以下の掻く薄い膜
の多結晶の粒径を拡大するかまたは単結晶化し、配向面
のそろった下地膜を作成する。その後前記堆積法により
、下地膜の配向面にそろった配向性のよい堆積を行なう
ことにより、所望の膜厚で膜全体にわたり、多結晶膜の
粒径の拡大もしくは単結晶化が可能となる。以とのよう
に１０００Å以下の極く薄い暎に輻射線を照射または加
熱することにより、従来よりも低いエネルギーで多結晶
の粒径の拡大もしくは単結晶化ができ５発熱量も少ない
ので下地基板等に与える損傷または不純物拡散も従来よ
りおさえることができる。また、前記処理した極く薄く
下地−のとに堆積することにより、膜表面を平坦にする
ことができる。

次に（２）の堆積中とは、前記多結晶−堆積法の堆積と
同時に光あるいはザイクロ波等の電磁波または電子線等
の輻射線を照射するかまたは熱を加えることであり、堆
積している膜の表面層のみを前記処理することにより、
従来よりも低エネルギーで多結晶の粒径の拡大もしくは
単結晶化が可能となる。したがって、発熱量が少なく、
下地基板等に与える損傷、不純物拡散も少なく１表面も
平坦にできる。さらに前記堆積法で使用するハロゲンあ
るいはハロゲンの化合物又はその励起種により、膜中の
ダングリングボンドの終端に寄与しない余分な水素が引
き抜かれることにより、結晶粒径が拡大し、結晶粒界の
ダングリングボンドがハロゲンの原子又は水素により効
果的に終端されることにより。

結晶粒界の電気的特性が向上し、結果として膜全体の電
気的特性が向上する。

最後に（３）の堆積後とは、前記多結晶膜堆積法による
堆積終了後の時点であり、該時点で光あるいはマイクロ
波等の電磁波または電子線等の輻射線を照射するかまた
は熱を加えることによって、多結晶の粒径を拡大するか
もしくは単結晶化することができる。ここで前記堆積法
により堆積した多結晶膜が配向面のそろった多結晶Ｉ９
であり、膜中の水素濃度が低いことから、従来よりも低
いエネルギーで前記処理をして、多結晶の粒径を拡大す
るかもしくは単結晶化することができる。したがって発
熱量が少なく下地基板等に与える損傷、不純物拡散も少
なく表面も平坦にできる。

以上説明したすべての方法は、いずれも、絶縁膜をつけ
た基板上に多結晶を成長させるのに特に有効である。

以下実施例を示し、本発明について更に詳細に説明する
。

まず、多結晶膜堆積法の例を説明する。

基体として平板状のガラス基板（コーニング社製＃７０
５９）を用い第１図の装置を用いて該基板上に多結晶シ
リコン膜を形成した。すなわち、基体（＃７０５９）１
０３を支持台１０２上に載置し、排気装置を用いて堆積
室１０１内を排気し、約１０４Ｔｏｒｒに減圧した。ガ
ス供給用ポンベ１０６よりＨ２ガス５０ｓｃｃｍをガス
導入管１２５を介して活性化−室ＣＢ）１２３に導入し
た。活性化室（Ｂ）１２３内に導入されたＨ２ガス等は
マイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化されて
活性水素等とされ、導入管１２４を通じて。

活性水素等を成膜室１０１に導入した。又、他方、活性
化室（Ａ）１１４にＳｉＦ４ガス２０ｓｅｃｍをガス導
入管１１２を介して導入した。活性化室（Ａ）１１４内
に導入されたＳｉＦ４ガスはマイクロ波プラズマ発生装
置１１３により活性化されて導入管１１２を通じて、成
膜室１０１に導入した。

さらに、エツチングガスとしてＦ２ガス１０１０５ｃを
ガス導入管１２６を通じて成膜室１０１に導入した。

成膜室１０１内の圧力を０．０２Ｔｏｒｒに保チつつ１
ＫＷＸｅランプからの光を、あらかじめヒーター１０４
によって３５０℃に加熱された基体１０３に垂直に照射
し、活性種を相互的に化学反応させることで多結晶シリ
コン膜を堆積すると同時に、前記の光照射によりＦ２を
活性化してＦ＊を生成し、結晶面によるエツチング速度
の違いを利用して、前記の多結晶シリコン膜を堆積と同
時にエツチングすることで一定の配向性の強い多結晶シ
リコン膜を形成した。この時、結晶面によるエツチング
速度の違いは（１，０，０）＞（１，１，１）＞（１゜
１．０）であり（１，１，０）面を主要な結晶面として
有する多結晶シリコン膜が形成された。すなわち形成さ
れた堆積膜をＸ線回折によって評価したところ、（１、
ｌ　、　Ｏ）面を反映する結晶角（２θ）４７．３度に
おけるピーク強度が各々（１，１，１）面、（１，０，
０）面を反映する結晶角（２０）２８．４度及び６９．
２度のピーク強度に対して１０〜１５倍の値を示した。

さらに透過型電子顕微鏡によって観察したところ、結晶
粒径は２１００人で分析したところ、２０００ｃｍ−１
近傍に弱いピークが認められ、水素含有量は０．２原子
％であった。　次いで、得られたノンドープの多結晶シ
リコン膜試料を蒸着槽に入れ、真空度１Ｏ−５Ｔｏｒｒ
でクシ型のＡ１ギャップ電極（長さ２５０終１幅５ｍｍ
）を形成した後、印加電圧１０Ｖで暗電流を測定し、暗
導電σｄを求めて、多結晶シリコン膜を評価した。上述
の成膜条件並びに堆積膜の評価結果を各々第１表並びに
第２表に示す。

次に前述の多結晶膜形成法の前期において、光あるいは
マイクロ波等の電磁波または電子線等の輻射線の照射ま
たは加熱を行なう実施例を示す。

（実施例１） まず第２図のようにガラス基板１１の上に前述の多結晶
膜堆積法により、前述の堆積条件のうち、表１の条件で
、多結晶［９１２を１０００人堆積した。

次に！９３図のようにＸｅランプをＡｒイオンレーザに
置き変え、基板温度２００℃で０．２ＴｏｒｒのＨ２中
でＡｒイオンレーザを用いて。

石英窓３０１を通し、ＩＷの出力で試料上のビーム径５
０ｇｍで走査速度５０ｃｍ／ｓｅｃで走査のピッチ３５
ｇｍで７ニールを行なった結果、結晶粒径は平均２１０
０人から平均２ａｍに拡大した。またＸ線回折測定によ
れば（２２０）の配向面のピークの強度が５倍以上増大
した。

４　Ｃ，ｔ−７−１１７４ｉＬ　７　悠Ａ　ｒ　Ｉナソ
ｌ／　−４−＊Ｘｅランプにもどし、前述と同じ表１の
条件で多結晶膜を４０００人堆積した。これを第４図に
示す、その結果平均３ＩＬｍ以上の粒径の多結晶膜が得
られた。膜表面は凹凸の差が１００Å以下の平担さであ
り、トリアドモビリティを測定した結果３３０　ｃｒｎ
″／ｖＩＩＳであった。

（実施例２） 実施例１と全く同じ条件で１０００人の多結晶８１１２
を堆積し、Ｘｅランプをはずして波長１９３ｎｍ、パル
ス幅３０ｎｓｅｃのＡｒＦｚキシマレーザーを２１０　
ｍ　Ｊ　／　ｃ　ｒｎ’　テ１００パルス、２５０℃に
保った試料に照射した。その結果、多結晶膜の粒径は平
均１４ｍ以上に成長した０次に実施例１と同じ条件で多
結晶膜を４０００人堆積した結果、膜表面の凹凸８０Å
以下、平均粒径１．５ｇｍ以上、移動度１８０Ｃゴ／Ｖ
・Ｓの多結晶膜が得られた。

次に、多結晶膜の堆積中に堆積膜を光あるいはマイクロ
液等の電磁波または電子線等の輻射線を照射するかまた
は熱を加える実施例を示す。

（実施例３） 第１図の実験装置においてＸｅランプ５０１と同時にハ
ロゲンランプ５０２を取りつけ、基板上にローラーによ
る移動方向と垂直の巾１ｍｍ以下の直線状にハロゲンラ
ンプ光を集光する。これを第５図に示す。

第５図の装置を用い、実施例１の表１と同条件で多結晶
膜を堆積する。このとき、堆積と同時にハロゲンランプ
５０２を照射し、ローラーにより試料を２ｍｍ／ｓｅｃ
で移動させた。このときハロゲンランプ光が集光された
試料表面の温度は６００℃であった。

以上の方法でローラーにより試料を往復移動させて多結
晶膜を５０００人堆積した。

その結果、平均３ｇｍの粒重粒径の多結晶膜が得られ表
面の凹凸は１００Å以下で、移動度は３８０ｃｒｎ”／
ｖ＊ｓであった。

（実施例４） 第１図の実験装置において基板表面から３ｍｍのキヨリ
に、ローラーによる試料の移動方向と垂直に、ダンゲス
テン線状ヒーターを配置する。

線状ヒーターを８５０″Ｃに加熱し、ローラーにより試
料を１．５ｍｍ／ｓｅｃで移動させながら、実施例１の
表１と同条件で５０００大の多結晶膜を堆積させた。そ
の結果、結晶粒径は平均２Ｂｍ、表面の凹凸は１００Å
以下、移動度は２９０ｃｍ”／ｖ＊ｓであった。

最後に多結晶膜形成膜後に、光あるいはマイクロ波等の
電磁波または電子線等の輻射線の照射または加熱を行な
う実施例を示す。

（実施例５） 実施例１の表１と全く同じ条件で、ｓｏｏ。

人の多結晶Ｓｉをガラス基板上に形成した。

堆積終了後試料を第６図の電子線照射装置にうつした。

電子銃Ｓｏｌから出た電子は偏向電極６０３ａ、ｂと制
御電極６０２ａ、ｂ。

６０４ａ、ｂとによって試料上に電子の加速収束ビーム
を照射する。

加速電圧７ＫＶでビーム電流２ｍＡ、　　ビーム径１　
ｏｏ＝に絞った電子ビームを３５０”０の基板温度に保
った試料に照射し、走査速度４００ｍｍ／Ｓｅｃ、行送
りピッチ５０終で１Ｏ−７の減圧中で走査したところ、
結晶粒径が平均１終ｍ表面の凹凸２００Å以下移動度１
６０ｃｒｎ”／Ｖ・Ｓの多結晶膜が得られた。

（実施例６） 実施例１の表１と全く同一じ条件で５０００人の多結晶
Ｓｉをガラス基板上に形成し、０．１Ｔｏｒｒの水素ガ
ス中で第７図のように下部固定ヒーター７０１上に試料
７０２をのせ上部可動ヒーター７０３をｌ　ｍｍ／　ｓ
　ｅ　ｃで移動させる。このとき下部固定ヒーターを６
００℃に１部可動ヒーターを１１００℃に上部可動ヒー
ターと試料表面のキョリは２ｍｍにした。その結果、平
均結晶粒径１ｇ、ｍ以上１表面の凹凸ｔＳＯÅ以下、移
動度１８０　ｃｍ″／　ｖ　＊　ｓの多結晶膜が得られ
た。

以［−の実施例ではガラス基板上に多結晶Ｓｉ膜を成長
させたものであるが、ガラス基板上にグロー放電法等で
窒化シリコン膜、醸化シリコン膜等の絶縁膜を形成し、
絶１＆膜上に多結晶５ｉｌｌｌを成長させることも可能
である。また堆積後に７ニールする場合は、ＴＰＴなど
の素子を形成した後に、半導体通路部のみをレーザーア
ニール電子ビームアニールなどを行なうことも可能であ
る。

もちろん成膜条件各種アニール方法１条件などは以上の
実施例に限られるものではない。

〔発明の効果〕

、　結晶の一定面方位を持つ膜のみを優先的に堆積する
ことを特徴とする多結晶堆積膜形成法において、該形成
法の堆積前期あるいは堆積中あるいは堆積後に堆ａｇを
光あるいはマイクロ波等の電磁波または電子線等の輻射
線を照射するかまたは熱を加えることによって、多結晶
の結晶粒径を従来方法より低エネルギーで拡大すること
ができる。

そのため、膜表面が平坦で下地基板等の熱的損傷や不純
物拡散をおさえて、移動度その他１０２−−−一基体 １０３−−−一堆１１を膜 １０４−−−一基体加熱用ヒーター １０６〜１１１−−−−ガス供給源 １１４−−−一活性化室（Ａ） １２３−−−一活性化室（Ｂ） １１７−−−−光エネルギー発生装置 １１−−−−−−ガラス基板 １２−一−−−−１０００人の多結晶Ｓｉ堆８！膜１３
　−−−−４０００人の多結晶Ｓｉ堆積膜３０１−−−
一石英窓 ３０２−−−一基板ホルダー ５０１−−−−Ｘ　ｅランプ ５０２−−−−ハロゲンランプ ５０３−−−一可動式基板ホルダー ６０１−−−一電子銃 （５０２ａ、ｂ−−−一制御電極 ６０３ａ、ｂ−−−一偏向電極 ６０４ａ、ｂ−一−−制御電極 ７０１−−−一下部固定ヒーター ７０２−−−一試料

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体温度保持手段によって所定の温度に保持された基体
   上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に、ケイ素とハロ
   ゲンを含む化合物を分解することにより生成される活性
   種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用をする成
   膜用化学物質より生成される活性種（Ｂ）とを、夫々別
   々に導入し化学反応させることによって前記基体上に堆
   積膜を形成するにあたって、該堆積膜に対してエッチン
   グ作用を有するガスまたはその分解物を供給し、前記エ
   ッチング作用を有するガスまたはその分解物に光エネル
   ギーを照射して前記堆積膜に対するエッチング活性を選
   択に増大せしめると共に、前記基体温度保持手段とは別
   の膜加熱手段による格子の再配列を施すことにより特定
   の面方位の結晶成長を優先的に行うことを特徴とする堆
   積膜形成法。