JPS6224609A

JPS6224609A - 減結合コンデンサとその製造方法

Info

Publication number: JPS6224609A
Application number: JP61056060A
Authority: JP
Inventors: ドナルド・ピー・シリング; レイモンド・ジヨドイン; ジヨセフ・イー・ジヨンストン; ユージン・カスク; ウイリアム・エー・ワトソン; ジヨージ・エム・ヘルナンデス
Original assignee: Rogers Corp
Current assignee: Rogers Corp
Priority date: 1985-03-13
Filing date: 1986-03-13
Publication date: 1987-02-02
Also published as: IT1207291B; IT8619723A0; US4630170A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、集積回路用減結合コンデンサの分野に関する
。詳しくは、新規且つ改良された減結合コンデンサ並び
にコンデンサがその４個のリード（それらのうちの２個
は電気的に不動の「擬似」ピン）を単一面上に含むリー
ドフレームから形成されているコンデンサの形成方法に
関する。このリードフレーム構造によって減結合コンデ
ンサはエンキャップ成形されて、二重インライン集積回
路または他の電子部品と共用される印刷配線板に自動挿
入できる減結合コンデンサとなる。

米国特許４５０２１０１（これは当醸受人に譲渡されて
おり、その全内容が描書において参考にされている）は
、集積回路パッケージ用減結合コンデンサを開示してい
る。この先行出願の減結合コンデンサは反対側を金属で
処理されたセラミック材料の薄い長方形チップであって
、長方形状のセラミックチップの対角に位置する一対の
隅に近い２点にチップの反対側上の金属処理された被覆
からのリードを備えている。２個のリードは下方に曲げ
られており、減結合コンデンサ組立体は非導電性材料の
被膜で包封される。該先行出願の教義に基づき、減結合
コンデンサは従来の二重インライン集積回路から延伸す
る二重のリードの間の場所に取り付けられる寸法とされ
る。減結合コンデンサからの２個のリードは印刷配線板
に、つまり接地並びに給電導体が接続される印刷配線板
スルーホールの中へ挿入される。次いで関係する集積回
路または、他の電子部品がコンデンサに置かれ、集積回
路または他の部品の給電リードは２個のコンデンサ・リ
ードが挿入されている印刷配線板の同じスルーホールに
位置するように配線板の中へ挿入される。

米国出願番号４５０２１０１の減結合コンデンサ上に対
角的に位置するリードすなわちピンは、減結合コンデン
サを自動的に印刷配線板に挿入することが要望される際
に問題を生じるのである。標準の自動挿入装置は、集積
回路素子を印刷配線板に挿入することに利用できる。標
準の自動挿入装置の挿入ヘッドは、集積回路の曲げられ
た端子ピンつまりリードの付近で集積回路をつかむ。集
積回路素子上には２個の対称列のピンがあるため、自動
挿入装置は集積回路素子を挿入のために対称的且つ安定
してつかむことができる。しかし、先願の米国特許番号
４５０２１０１の減結合コンデンサの挿入を同じ自動挿
入装置によって試みる際には、減結合コンデンサは２個
の対称列のピンではなくて長方形のコンデンサの対角的
に反対の隅に２個のピンしか持たないという事実の故に
、不安定な状態並びに不整合が生じる９２個のピンしか
ないため、コンデンサは挿入ヘッド内で傾き、印刷配線
板の該当人におけるコンデンサ端子間に不整合が生じる
。

減結合コンデンサを印刷配線板に自動挿入することが特
に望ましく、また集積回路素子に用いた同じ自動挿入装
置による自動挿入を行うこンデンサに関しては、その電
子的な使用性や有効性の観点からではなく、むしろそれ
を大量組立技術に適合させるという観点から重大な問題
が生じるのである。

自動挿入用能で、気密的に密封され、さらに自動化され
た組立工程で製造できる減結合コンデンサ構造に対する
必要も、存在する。

米国特許番号４４７５１４３（当鎗受入に譲渡された）
は、減結合コンデンサ組立体に擬似ピンつまり安定用の
ピンを配設することによって上述の自動挿入の問題を解
決するための方法を開示している。米国特許番号４４９
１８９５゜４４９４１６９．４４９４１７０．４４９７
０１２米国特許出願番号５５１５７６、現在の米国特許
番号５５１４６８、現在の米国特許番号４５３２５７２
は、すべて当譲受人に鎮渡されているが、これらは擬似
ピンすなわち成形された安定用ラグを持つ減結合コンデ
ンサの他の構造並びにその製作方法を提供するものであ
る。

済み特許並びに係属出願において開示された形式の減結
合コンデンサは、それらが２層の組立体から構成されて
いるため、それらをエンキャップ成形工程に入れること
は容易でない。すなわち、それらは２個のリードを持つ
上部導体と２個のリードを持つ下部導体から成り、各導
体からのひとつのリードは電気的に不働の［擬側リード
である。遺憾ながら、現在用いられているこれらの減結
合コンデンサの組立方法は、適切なエンキャップ成形に
必要とされる２つの導電層間の平行度及び垂直度の公差
を維持していない。エンキャップ成形されたパッケージ
がコンデンサの周辺保護を提供し、また適合した集積回
路ＤＩＰ挿入装置を用いた自動挿入に必要とされる寸法
安定性、大きさ、重量などを提供するために重要である
ことは、当業者によって理解されるであろう。

それに加えて、また同様に重要なことであるが、上述の
論究された形式（すなわち、擬似リードを含む）の減結
合コンデンサのために目下用いられている製造工程は、
減結合コンデンサ機器用の容量性素子として複層半導体
セラミックコンデンサ・チップを組み込むのに特に適し
ているわけではない。実際に、この状況のため、容量性
素子が単位容積当り限定されたキャパシタンスの単層コ
ンデンサであるように制約されている。しかし、２個の
リードしか持たない（すなわち、擬似リードを持たない
）複層セラミックコンデンサ・チップを有する減結合コ
ンデンサの製造方法が、米国特許出願番号６９０１１７
現在の米国特許番号　　　　　　　において開示されて
いるが、これは当譲受人に譲渡される。

より速くまたより電力を消費する新世代の集積回路機器
（すなわち、２５６にメモリー集積回路）を減結合する
際に用いられる高度キャパシタンス容積を持つ効率的且
つ経済的な減結合コンデンサ並びにその製造方法に対す
る要望かあることを理解すべきである。

先行技術の上述及び他の諸問題は、本発明の新しく且つ
改良された減結合コンデンサとその製造方法とによって
解決され、あるいは実質的に軽減される。本発明の減結
合コンデンサは、単一面上にコンデンサの４個のリード
（それらのうちの２個は、電気的に不働の擬似リードで
ある）を含むリードフレームから形成される。

そのようなリードフレームを用いることにより、優れた
効率的なエンキャップ成形減結合コンデンサ・パッケー
ジのための寸法公差が自動的に与えられるであろう。こ
のようにして、本発明は気密的に密閉され、自動挿入可
能で、リードフレームから製作され、その後にエンキャ
ップ成形工程か行われる改良された減結合コンデンサの
構造とそれを製造する方法を提供する。

本発明の方法の第１の実施態様にしたがって、下部導体
と４個のリードが導電性材料の連続帯から作られる。リ
ードのうちの１個は下部導体に固着しているが、他の３
個のリードは下部導体から絶縁されている。次いで、単
層セラミックチップと上部導体か下部導体上にのせられ
て下部導体の間にはさまれることになる。３個の電気的
に絶縁された（擬似）リードのうちの１個は、例えば曲
げた先端部を介して上部導体に電気的に接続されるため
、２個の電気的に能動のリード（各導体に１個接続）と
２個の電気的に不働の擬似リードが存在する、擬似リー
ドと能動リードは、互いにそれぞれ反対側に配設される
。最終的に、リード、セラミックコンデンサ、導体がす
べて、リードだけを包封材料から突き出した状態で、成
形工程によって包封される。その後で、減結合コンデン
サがリードフレームから切り離される。本発明の減結合
コンデンサは、このようにして、気密的にも密封され、
　　。

また集積回路ＤＩＰ挿入装置で処理できるように自動的
に挿入することもできるのである。

本発明の方法の第２の実施態様番こしたがって、それぞ
れに接続された１個のリードを持つ一対の導体が、導電
性材料の連続帯から形成される。

それぞれ導体と結合してはいるが、それから絶錫六餉ア
？λ２−赫小媚ｌ＋１１１１−１．’表　エ小零好６１
ら形成される。その後、複層半導体セラミックコンデン
サが、２つの導体の間に（導体から形成される棚部材上
が望ましい）配設される。複層コンデンサは、それぞれ
各導体に接着している第１及び第２の導電性端面を含ん
でいる。その後、リードセラミックチップ、導体がすべ
て、リードだけを包封材料から突き出した状態で、成形
工程によって包封される。最終的に、減結合コンデンサ
がリードフレームから切り離される。本発明の減結合コ
ンデンサは、このようにして、気密的にも密封され、集
積回路ＤＩＰ挿入装置に接続して用いるために自動的に
挿入することもできるのである。

本発明の上述並びに他の特徴及び長所は、以下の詳しい
説明及び図面から、当業者にとって明白であり、また理
解されるであろう。

本発明は、気密的に密封され、自動挿入可能で、リード
フレームから製作され、その後にエンキャップ成形工程
が行われる改良された減結合コンデンサの構造とそれを
製造する方法を提供する。第１図〜第１２図は、その中
に平らな単層セラミックチップ・コンデンサを持つ包封
された減結合コンデンサを形成するための工程に関する
。第１３図〜第２１図は、その中に複層セラミックチッ
プ・コンデンサを持つリードフレームから成る包封され
た減結合コンデンサを形成するための工程に関する。

先ず第１図については、本発明にしたがって用いられる
リードフレームが、全体的に１０として示されている。

リードフレーム１０は連続した平らな導電性材料、つま
り銅の帯材であり、そのそれぞれの側端に沿って整合及
び搬送のための穴１２があけられている。第１図が本発
明に基づく単層の減結合コンデンサを製作するために適
したリードフレームの小部分のみを示していることが、
理解されるであろう。さらにリードフレームは、その部
品かすべて堅固な打抜部品であることが望ましいという
ことが理解されるのであろう。したがって、所要のリー
ドフレーム形状は。何らかの適切な従来技術を用いて導
電性材料の帯材から不要な材料を除去することによって
作られる。リードフレーム１０は一般的に長方形形状を
持つ底部すなわち下部の導体１４を含むが、この導体は
４個の支持部材１６を介してリードフレームの残部に接
合されている。

リードフレーム１０は、さらに４個のリードすなわちピ
ン１８　、２０　、２２　、２４を含んでいる。減結合
コンデンサ製造工程のこの時点において、リード１８は
下部導体１４に機械的に接合している故に電気的に能動
なピンであるが、他のリード２０．２２．２４は下部導
体１４から絶縁されている故に電気的に不動の、すなわ
ち擬似のピンである。しかし、以下により詳しく論究さ
れるように、電気的に能動なり一ド１８から対角の位置
にあるリード２２は、リード１８と同じ゛く電気的に能
動なリードへ変換される。

本発明の重要な特徴は、４個のリードつまりピン１８，
２０，２２．２４がすべて、同−千同時に製作されるた
め、成形工程（射出、トランスファー）に影響を及ぼす
必要な公差を維持することかできる。

第２図及び第３図においては、２６（第３図）と表示さ
れる単層容量性セラミックチップが下部導体１４上にの
せられ、適切な接着剤によって導体に接合される。容量
性セラミックチップ１０は、平らな一般に長方形の板の
形状をしたチタンバリウムのようなセラミックコンデン
サ素子から成る。セラミックチップ２６はその上１ご上
部導体つまり導体キャップ２８を含むが、それはチップ
に接着的に接合されている。あるいは、それはセラミッ
クチップ２６上の導電性材料の被覆物から構成されても
よい。セラミックチップ２６と上部導体２８は下部導体
１４並びに能動ピン１８及び擬似ピン２０の部分（リー
ド２０は、第２図に示されるように、能動ピン１８の正
反対側に位置する）のすべての上に配置されて、それら
をおおう。２つの擬似リード２２．．Ｌ２４は−　コン
デンサチップ２日、Ｊ−枡触しないことに留意すべきで
ある。望ましいのは、擬似ＩＪ　−）’　２０　（能動
リードｒ８の反対側に位ｉｉ）が適切な被覆物、たとえ
ばンルダーマスクなどによってチップから電気的に絶縁
されることであろう。

尚も第２図及び第３図について、能動なＩＪ　＋ド１８
に対して対角の反対側に位置する擬似リード２２は、上
部導体２８を介してセラミックチップ２６に接触する。

導体２８はセラミックチップに接着的に接合されており
、擬似リード２２に対する電気的及び機械的結合を提供
する曲げられた端部３０（第９図参照）を具備している
。したがって、上部導体２８の曲げられた端部３０と擬
似リード２２との間の接触により、ＩＪ　−Ｋ　２２は
電気的に能動なり一ド１８（こ類似した電気的に能動な
リードとなる。曲げられた端部３０をリード２２に接合
することは、ハンダ、導電性接着剤、リベット留め、ス
プライニング、溶接、超音波溶接、あるいは他の適切な
方法によって達成できることが理解されるであろう。曲
げられた端部３ｏが上部導体２８に設けられていないな
らば、代案として、ワイヤ接着技術が所要の擬似リード
２２を能動リードにするために用いられる。したかって
、減結合コンデンサ製造工程におけるこの時点で、本発
明の部分的に組み立てられた減結合コンデンサは２個の
対角的に反対側に位置する電気的に能動なり一ド１８及
び２２と、２個の対角的に反対側に位置する電気曲番こ
不倒の擬似リード２ｏ及び２４を具備することが、理解
されるであろう。

次ｌζ第４図及び第５図について、本発明の減結合コン
デンサを製造する次工程では、支持部材つまり結合部材
１６が除去される。これらの支持部材は導体部分１４を
いくつかの加工工程の間、すなわち上部導体の取付は並
びに部品を共に接着ないし積層する間番こその位置に保
持する。これらの支持部材は最終の成形パッケージから
突き出して成形工程の妨げとなるので、工程のこの時点
Ｉこおいて除去されるのである。

第６図〜第８図に関して、リードフレーム１゜はエンキ
ャップ成形とパリ取りか行われた後のものが図示されて
いる。３２と表示された成形包封は、あらゆる適切且つ
周知の成形手順を利用することができる。減結合コンデ
ンサ上には、それから突き出している２個の能動リード
１８と２２並びに２個の擬似リード２０と２４以外は何
らの露出した導電表面も残されていないことに留意すべ
きである。成形された包封材３２は、減結合コンデンサ
３４の種々の部品を気密的に密封し、またそれらを保護
する機能を果たす。成形後は、減結合コンデンサのパリ
取り工程を行うことが望ましい。パリ取りとは、成形中
にパッケージに付着した余分の包封材料を除去する工程
である。この余分の材料は、通常、金型の合わせ面のと
ころに最も多く生じる。リードフレーム組立体は、成形
工程前にピンの方向を正しくするためにひつくり返され
ていることが、理解されるであろう。

成形及びパリ取りの後、本発明１こ基づく、ま第１図〜
第４図において３６　、３８　、４０．４２と表示され
たいずれの支持構造物からも切り離される。好ましい実
施態様においては、少くとも一対の隔離部つまりライザ
４４及び４６が、クリーニング及び他の目的のために減
結合コンデンサを配線板から区切るために、減結合コン
デンサの中へ包封される。

第１０図〜第１２図においては、減結合コンデンサがト
リミングされ、また各リード１８゜２０．２２．２４が
それらの最終的且つ正しい方向に曲げられた後のものが
示されている。既述のよう１ζ、第９図は上部導体２８
の曲げられた端部３０がリード２２に対する電気的及び
機械的接続を形成してリード２２を擬似リードから能動
リードへ変換する様態を詳細６ζ示す横断面図である。

第１図〜第１２図に示された方法により製作される本発
明の減結合コンデンサに基づいて、良好且つ有効にエン
キャップ成形された減結合差を維持する新規なリードフ
レーム１０が利用される。既述のように、リードフレー
ム１０は、単一平面上にコンデンサの４個のリードを含
む。

そのようなリードフレームを使用することによって、減
結合コンデンサのエンキャップ成形に必要な不可欠の寸
法公差が自動的に得られる。

最終的な減結合コンデンサ機器は、気密的に密封され、
さらに適合した集積回路ＤＩＰ挿入装置を用いて自動的
に挿入可能なのである。

第１３図〜第２１図の論究１こ移るならば、本発明の他
の実施態様が示されているが、この場合には、複層の半
導体セラミックチップ・コンデンサ（ＭＬＣ）が第１図
〜第１２図の実施態様に関連した薄い平らな単層容量性
チップの代りに使用される。第１３図では、リードフレ
ーム１０（既述）と同じ方法で製作され、整合及び搬送
のための穴４９を持つリードフレームが、全体的に５０
と表示されている。リードフレーム５０は、［ＨＪ状の
部分つまり開口５６によってその間が分離された２つの
導体部分５２及び５４を含む。導体５２は、それに完全
に固着された電気的に能動なピンつまりリード５８と、
空間６２によってそれから絶縁されている電気的に不働
の擬似ピンつまりリード６０とを含む。

同様に、導体５４は、それに完全に固着された電気的に
能動なピンつまりリード６４と、空間６８によって導体
５４から分離されている電気的に不働の擬似ピンつまり
リード６６とを含む。

第１図〜第１２図のリードフレーム１０１こ関して論究
されたように、リードフレーム５０も、種々の工程中１
こ導体５２．５４並ひにリード５８．６０，６４．６６
をフレームに支持するいくつかの支持構造物を含む。こ
れらの支持構造物は、導体５２及び５４をリードフレー
ムの位置に保持する機能を果たす支持部材７０，７２゜
７４．７６と種々のリード５８，６０，６４゜６６に対
する支持を為す支持部材７８　、８０　。

８２．８４とを含む。

第１５図及び第１６図に言及するならば、複層セラミッ
クチップ・コンデンサを受容して保持するのに適した棚
部材が作られる。この棚部材は、支持部または棚を作る
ために曲げられる導体５２及び５４の２つの内側向きの
部材８６と８８から成る（第１６図参照）。次に、複層
セラミックコンデンサ９０が、各導体部材８６゜８８（
棚）に固着される。この固着は、ソルダーペーストある
いは他の適切な周知の方法によって行うことができる。

第１８Ａ図は、コンデンサ９０と導体部材８６との間の
固着部分を示す拡大図である。第１８Ｂ図において示さ
れた代案の実施態様では、複層コンデンサチップに９０
°または他の適切な角度を持つ端部９２を具備すること
により、棚部材を作る工程が省略できる。複層コンデン
サと導体５２及び５４との間の接続を行うために、他の
適切で周知の構造、例えば突き合わせ接合あるいはタン
グが適用できるこ−とが、理解できるであろう。

望ｔＬいことに、複層セラミックコンデンサ９０は、セ
ラミック９１と金属被覆の交互落屑を利用し、それぞれ
端板電極９８及び１００に接続された金属９４及び９６
の交互層を持つ市販形式のものであり、焼成されて一体
のブロックを形成する。しかし、他のどのような適切な
複層セラミックチップ構造であっても、本発明にしたが
って利用できることが理解されるであろう。

第１９図〜第２１図は、エンキャップ成形後、またいく
つかの支持構造物７０〜８４が切り離された後の複数セ
ラミックチップ・減結合コンデンサを示す。したがって
、全体的に１０２と表示された最終的な減結合コンデン
サ構造は、一対の電気的に絶縁された擬似リード６ｏ及
び６６と、それぞれ導体５２及び５４に完全に接合され
ている一対の電気的に能動なり一ド５８及び６４とを含
む。次いで、導体５２及び５４が、複層コンデンサ９ｏ
の電極９８と１００にそれぞれ電気的に結合される。全
体の組立体は、さらに、２個の電気的に能動なリード５
８及び６４並びに２個の電気的に不働のリード６ｏ及び
６６だけを外へ突き出した状態で、包封材料１０４でお
おわれる。

第１図〜第１２図の単層チップの実施態様におけるよう
に、第１３図〜第２１図の複層セラミックチップの実施
態様も４個のり一ド５８゜６０．６４．６６のすべてを
単一平面に有するリードフレーム５０を利用する。この
リードフレーム５０を使用することにより、減結合コン
デンサ１０２のエンキャップ成形に対して必要とされる
寸法的に不可欠な公差が自動的に維持される。多くの応
用に対して、第１３図〜第２１図の減結合コンデンサ１
０２は、第１図〜第１２図の減結合コンデンサ３４より
も好ましいと思われる。この理由は、減結合コンデンサ
１０２が高キャパシタンスの複層半導体セラミックチッ
プ・コンデンサ９０を用いているからである。

そのようなコンデンサは、フラット・キャパシタンス対
温度特性のような他の望ましい性質に加えて、従来の平
らな単層セラミックコンデンサを用いて得られるよりも
、はるかに高いキャパシタンス値を提供する。

第１３図〜第２１図において示されるような本発明の実
施態様は、第１図〜第１２図の単層コンデンサの態様よ
りも望ましいいくつかの他の特徴及び長所を提供する。

例えば、第１図〜第１２図の減結合コンデンサ３４を製
作する方法とは異なり、減結合コンデンサ１０２はコン
デンサチップ上に配設されるべき上部導体つまり導体キ
ャップを必要としない。また、コンデンサチップへの上
部及び下部導体の積層も、減結合コンデンサ１０２につ
いては不要である。

したがって、少くともこれらの２つの工程の削減は、減
結合コンデンサ１０２を製作するためのコスト及び製造
時間を（減結合コンデンサ３４の製作に比べて）低減さ
せることが理解されるであろう。

好ましい実施態様が示されて説明されたが、それらに対
する種々の修正及び代案が、本発明の精神と範囲から逸
脱することなく行われ得るであろう。さらに、本発明は
限定によってではなく、例証によって説明されているこ
とが、理解されねばならない。

【図面の簡単な説明】

図面に言及するならば、同一の要素は、いくつかの図面
において同じ番号を付けられている。第１図は、本発明にしたがってその中に単層セラミック
チップを持つ減結合コンデンサを形成するために用いら
れるリードフレームの平面図である。第２図は、本発明の減結合コンデンサを形成するための
第１段階を示す第１図のリードフレームの平面図である
。第３図は、第２図のリードフレームの側面図である。第４図は、本発明の減結合コンデンサを形成するための
第２段階を示す第１図のリードフレームの平面図である
。第５図は、第４図のリードフレームの側面図である。第６図は、本発明の減結合コンデンサを形成小フ町−俵
ハ端り内軸を二＋端１Ｍ小ｌ−ピ１１ノームの平面図で
ある。第７図は、第６図のリードフレームの側面図であろう第８図は、第６図のリードフレームの部分の横断面前面
図である。第９図は、第１０図の９−９線についての横断面前面図
である。第１０図は、その中に単層セラミックチップを含む本発
明の減結合コンデンサの平面図である。第１１図は、第１０図の減結合コンデンサの側面図であ
る。第１２図は、第１０図の減結合コンデンサの端面図であ
る。第１３図は、本発明にしたがってその中に複層セラミッ
クチップを持つ減結合コンデンサを形成するために用い
られるリードフレームの平面図である。第１４図は、第１３図のリードフレームの側面図であ机第１５図は、本発明の減結合コンデンサの複層セラミッ
クチップ？形成するための第１段階を示す第１３図のリ
ードフレームの平面図である０第１６図は、第１５図のリードフレームの側面図である
。第１７図は、エンキャップ成形前の本発明にしたがった
複層チップ減結合フンデ〉すの側面図である。第１８Ａ図は、第１７図の減結合コンデンサの部分の拡
大された横断面前面図である。第１８Ｂ図は、選択案としての形状を示す第１７図の減
結合コンデンサの部分の拡大された横断面前面図である
。第１９図は、エンキャップ成形後の、また第２０図の１
９−１９線についての第１７図の減結合コンデンサの横
断面前面図である。第１９Ａ図は、第１９図の部分拡大図である。第２０図は、本発明にしたがった複層セラミクチツブ減
結合コンデンサの平面図である。第２１図は、第２０図の複層セラミックチップ減結合コ
ンデンサの端面図である。Ｗ許出）１人　　　ロジャース・コーボレイション「−
下１へ代　　理　　人　　　安　　　達　　　光　　　雄　し
ゴ亡ｊＦＩＧ　＋ＦＩＧ、２　　　　　　　　　　　　　　　　　ＦＩＧ
、３ＦＩＧ、　４　　　　　　　　　　　　　ＦＩＧ、
　５ＦＩＧ、６　　　　　　　　　　　　ＦＩＧ、　７
ＦＩＧ、ｌ○ ＦＩＧ、　＋５ｏｏ　　　　　　　　　　　５６ＦＩＧ、　＋７手続補正書（Ａ弐゛ｐ昭和に７年７月２７日Ｍ８６　　　口１．・・イース、コーセレイシク゛／　
　　　　、１２字削除ｉ・− ４、代理人ｃＡ″？・・、（゛ヤ則ぺ・Ａヤいｔｌ。

Claims

【特許請求の範囲】１、接続された第１の能動のリードを持つ第１導体の形
状を定めるために、また前記第１導体から絶縁された第
２、第３、第４リードの形状を定めるために、前記第１
、第２、第３、第４リードを同一平面上に持つ導電性材
料の帯材から不要な材料を除去する段階と、単層コンデンサ要素を前記第１導体上にのせ、前記コン
デンサ要素が第１及び第２導電性端面を持ち、前記第１
導電性端面が前記第１導体と電気的に接続し、前記コン
デンサ要素が前記第１導体を実質的におおい、また第１
及び第２リードを部分的におおう段階と、第２導体を前記コンデンサ要素上にのせ、前記第２導電
端が前記第２導体と電気的に接続する段階と、前記第２導体と前記第３リードとの間に電気的及び機械
的接続を形成する段階と、上記のの諸要素を接合して組立体を形成する段階と、前記組立体をエンキヤツプ成形して、前記第１、第２、
第３、第４リードの部分を除く前記組立体のすべてを包
封する段階とを含むコンデンサの製造方法。２、前記第２導体と前記第３リードとの間の電気的及び
機械的接続を形成する前記段階が、屈曲タングを前記第
２導体の部分に配設する段階と、前記屈曲タングを前記
第３リードへ接合する段階とから成る特許請求の範囲第
１項記載の方法。３、導電性材料の帯材から不要の材料を除去する前記段
階がさらに、前記導電性帯材において前記第１導体を支
持するための支持構造物を形成する段階と、エンキヤツ
プ成形段階前に前記支持構造物を切り離す段階とを含む
特許請求の範囲第１項記載の方法。４、導電性材料の帯材から不要の材料を除去する前記段
階がさらに、前記導電性帯材において前記第１、第２、
第３、第４リードを支持するための支持構造物を形成す
る段階と、エンキヤップ成形段階後に前記支持構造物を
切り離す段階とを含む特許請求の範囲第１項記載の方法
。５、前記能動リードが対角的に反対の第１対の位置にあ
り、また前記擬似リードが対角的に反対の第２対の位置
にある特許請求の範囲第１項記載の方法。６、前記第１及び第２導体を、導電性接着剤によつてコ
ンデンサ要素の第１及び第２導電端面に接合することを
含む特許請求の範囲第１項記載の方法。７、導電性材料の前記帯材に整合穴を形成することを含
む特許請求の範囲第１項記載の方法。８、前記包封組立体上に少くともひとつのセットオフを
形成することを含む特許請求の範囲第１項記載の方法。９、第１電気導体と、第２電気導体と、第１位置の前記第１導体から延伸する第１能動リードと
、第２位置の前記第２導体から延伸する第２能動リードと
、前記第１または第２能動リードを前記第１または第２導
体に電気的に接続するための装置と、一対の擬似リード
において、前記擬似リードが前記第１及び第２導体から
電気的に絶縁され、前記擬似リードのうちの第１リード
が第３位置の前記第１導体から延伸し、また前記擬似リ
ードのうちの第２リードが第４位置の前記第２導体から
延伸している一対の擬似リードと、前記第１及び第２能動リード並びに前記擬似リード対の
少くとも一部分が、同一平面内にあることと、前記第１及び第２導体間の単層容量性要素において、前
記容量性要素が第１及び第２導電端面を有することと、前記第１及び第２導体と前記容量性要素が共に接合され
、前記第１導体と前記第１導電端面が電気的に接続され
、また前記第２導体と前記第２導電端面が電気的に接続
されていることと、さらに前記導体及び容量性要素を包封しているエンキヤップ成
形外被において、前記能動及び擬似リードが前記第１、
第２、第３、第４位置の前記包封外被から延伸している
ことを含むコンデンサ。１０、前記第１または第２能動リードを前記第１または
第２導体に電気的に接続するための前記装置が、前記第
１または第２導体の部分において前記第１または第２能
動リードに電気的に接続されている屈曲タングから成る
特許請求の範囲第９項記載のコンデンサ。１１、前記屈曲タングが、導電性接着剤によつて前記第
１または第２能力リードに接合される特許請求の範囲第
１０項記載のコンデンサ。１２、前記容量性要素が、一対の導電端面を持つセラミ
ック材料である特許請求の範囲第９項記載のコンデンサ
。１３、前記能動リードが対角的に反対の第１対の位置に
あり、また前記擬似リードが対角的に反対の第２対の位
置にある特許請求の範囲第９項記載のコンデンサ。１４、前記包封外被上にセットオフ装置を含む特許請求
の範囲第９項記載のコンデンサ。１５、前記第１または第２能動リードが、前記第１また
は第２導体のひとつに完全に固着される特許請求の範囲
第９項記載のコンデンサ。１６、コンデンサの導体と能動及び擬似リードを形成す
る一対の縁帯材の間に位置する一連のコンデンサにおい
て、前記コンデンサのそれぞれが、第１電気導体と、第２電気導体と第１位置の前記第１導体から延伸する第１能動リードと
、第２位置の前記第２導体から延伸する第２能動リードと
、前記第１または第２能動リードを前記第１または第２導
体に電気的に接続するための装置と、一対の擬似リード
において、前記擬似リードが前記第１及び第２導体から
電気的に絶縁され、前記擬似リードのうちの第１リード
が第３位置の前記第１導体から延伸し、また前記擬似リ
ードのうちの第２リードが第４位置の前記第２導体から
延伸している一対の擬似リードと、前記第１及び第２能動リード並びに前記擬似リード対の
少くとも一部分が、同一平面内にあることと、前記第１及び第２導体間の単層容量性要素において、前
記容量性要素が第１及び第２導電端面を有することと、前記第１及び第２導体と前記容量性要素が共に接合され
、前記第１導体と前記第１導電端面が電気的に接続され
、また前記第２導体と前記第２導電端面が電気的に接続
されていることと、さらに前記導体及び容量性要素を包封しているエンキヤツプ成
形外被において、前記能動及び擬似リードが前記第１、
第２、第３、第４位置の前記包封外被から延伸している
エンキヤツプ成形外被とを有する一連のコンデンサ。１７、前記第１または第２能動リードを前記第１または
第２導体に接続するための前記装置が、前記第１または
第２導体の部分において前記第１または第２能動リード
に電気的に接続されている屈曲タングから成る特許請求
の範囲第１６項記載のコンデンサ。１８、前記屈曲タングが、導電性接着剤によつて前記第
１または第２能動リードに接合される特許請求の範囲第
１７項記載のコンデンサ。１９、前記容量性要素が、一対の導電端面を持つセラミ
ック材料である特許請求の範囲第１６項記載のコンデン
サ。２０、前記能動リードが対角的に反対の第１対の位置に
あり、また前記擬似リードが対角的に反対の第２対の位
置にある特許請求の範囲第１６項記載のコンデンサ。２１、前記包封外被上のセットオフ装置を含む特許請求
の範囲第１６項記載のコンデンサ。２２、前記第１または第２能動リードのひとつが、前記
第１または第２導体のひとつに完全に固着される特許請
求の範囲第１６項記載のコンデンサ。２３、接続された第１の能動リードを持つ第１導体並び
に接続された第２の能動リードを持つ第２導体の形状を
定めるために導電性材料の帯材から不要な材料を除去す
る段階と、前記第１導体に結合してはいるが電気的にそれから絶縁
されている第１擬似リード並びに前記第２導体に結合し
てはいるが電気的にそれから絶縁されている第２擬似リ
ードの形状を定めるために、前記第１及び第２能動リー
ド並びに前記第１及び第２擬似リードを同一平面上に持
つ導電性材料の前記帯材からさらに不要な材料を除去す
る段階と、前記第１導体と第２導体の間に複層コンデンサ要素を配
置し、前記コンデンサ要素が第１及び第２導電性端面を
持ち、前記第１導電性端面が前記第１導体と電気的に接
続し、前記第２導電性端面が第２導体と電気的に接続す
る段階と、上記の諸要素を接合して、前記第１及び第２
導体並びに共に接合された前記複層コンデンサ要素を具
備する組立体を形成する段階と、前記組立体をエンキヤツプ成形して、前記第１及び第２
能動リード並びに前記第１及び第２擬似リードの部分を
除く前記組立体のすべてを包封する段階とを含むコンデ
ンサの製造方法。２４、前記第１及び第２導体において支持装置を形成す
る段階と、前記複層コンデンサ要素を前記支持装置にの
せる段階とを含む特許請求の範囲第２３項記載の方法。２５、前記支持装置が、前記第１導体における第１屈曲
部分と前記第２導体における第２屈曲部分から成り、前
記屈曲部分を内側に向けて棚形状を成すようにした特許
請求の範囲第２４項記載の方法。２６、第１タブを前記コンデンサ要素の前記第１導電性
端面に設け、また第２タブを前記コンデンサ要素の前記
第２導電性端面に設ける段階と、前記第１及び第２タブ
をそれぞれ前記第１及び第２導体に接合する段階とを含
む特許請求の範囲第２３項記載の方法。２７、前記第１及び第２タブが９０°の屈曲を有する特
許請求の範囲第２６項記載の方法。２８、前記導電性材料から不要な材料を除去する前記段
階がさらに、前記第１及び第２導体を前記導電性帯材に
おいて支持するための支持構造物を形成する段階と、包封段階の前に前記支持構造物を切り離す段階とを含む
特許請求の範囲第２３項記載の方法。２９、前記導電性材料から不要な材料を除去する前記段
階がさらに、前記第１及び第２リードと前記擬似リード
を前記導電性帯材において支持するための支持構造物を
形成する段階と、包封段階の後で前記支持構造物を切り離す段階とを含む
特許請求の範囲第２３項記載の方法。３０、コンデンサ要素の前記第１及び第２導電性端面を
導電性接着剤で接合することを含む特許請求の範囲第２
３項記載の方法。３１、導電性材料の前記帯材において整合穴を形成する
ことを含む特許請求の範囲第２３項記載の方法。３２、前記能動リードが対角的に反対の第１対の位置に
あり、また前記擬似リードが対角的に反対の第２対の位
置にある特許請求の範囲第２３項記載の方法。３３、前記容量性要素が、一対の導電性端面を備えた導
電性交互薄層を有するセラミック材料である特許請求の
範囲第２３項記載の方法。３４、前記包封組立体上にセットオフ装置を設ける段階
を含む特許請求の範囲第２３項記載の方法。３５、第１電気導体と、第２電気導体と、第１位置の前記第１導体から延伸する第１能動リードと
、第２位置の前記第２導体から延伸する第２能動リードと
、前記第１導体と結合してはいるが、第３位置でそれから
電気的に絶縁されている第１擬似リードと、前記第２導体と結合してはいるが、第４位置でそれから
電気的に絶縁されている第２擬似リードと、前記第１及び第２能動リード並びに前記第１及び第２擬
似リードの少くとも一部分が、同一平面内にあることと
、前記第１及び第２導体の間の複層容量性要素において、
前記容量性要素が第１及び第２導電性端面を持ち、前記
第１導電性端面が前記第１導体と電気的に接続しており
、また前記第２導電性端面が前記第２導体と電気的に接
続している複層容量性要素と、さらに前記導体及び容量性要素を包封しているエンキヤップ成
形外被において、前記能動及び擬似リードが前記第１、
第２、第３、第４位置の前記包封外被から延伸している
ことを含むコンデンサ。３６、前記第１及び第２導体の支持装置において、前記
複層容量性要素が前記支持装置上に位置するようにした
特許請求の範囲第３５項記載のコンデンサ。３７、前記支持装置が前記第１導体における第１屈曲部
分と前記第２導体における第２屈曲部分とから成り、前
記屈曲部分を内側に向けて棚形状を成すようにした特許
請求の範囲第３６項記載のコンデンサ。３８、前記容量性要素の前記第１導電性端面上の第１タ
ブ装置と、前記容量性要素の前記第２導電性端面上の第２タブ装置
と、さらに前記第１及び第２タブ装置が、それぞれ前記第１及び第
２導体に接合されていることを含む特許請求の範囲第３
５項記載のコンデンサ。３９、前記第１及び第２タブが、９０°の屈曲を有する
特許請求の範囲第３８項記載のコンデンサ。４０、前記容量性要素の前記第１及び第２導電性端面が
、それぞれ前記第１及び第２導体に接合されている特許
請求の範囲第３５項記載のコンデンサ。４１、前記接合が、導電性接着剤によつて達成される特
許請求の範囲第４０項記載のコンデンサ。４２、前記接合が、導電性接着剤によつて達成される特
許請求の範囲第３８項記載のコンデンサ。４３、前記能動リードが対角的に反対の第１対の位置に
あり、また前記擬似リードが対角的に反対の第２対の位
置にある特許請求の範囲第３５項記載のコンデンサ。４４、前記容量性要素が、一対の導電性端面を備えた導
電性交互薄層を有するセラミック材料である特許請求の
範囲第３５項記載のコンデンサ。４５、前記包封組立体上にセットオフ装置を含む特許請
求の範囲第３５項記載のコンデンサ。４６、コンデンサの一対の導体並びに能動及び擬似リー
ドを形成する一対の縁帯材の間に位置する一連のコンデ
ンサにおいて、前記コンデンサのそれぞれが、第１電気導体と、第２電気導体と、第１位置の前記第１導体から延伸する第１能動リードと
、第２位置の前記第２導体から延伸する第２能動リードと
、前記第１導体と結合してはいるが、第３位置でそれから
電気的に絶縁されている第１擬似リードと、前記第２導体と結合してはいるが、第４位置でそれから
電気的に絶縁されている第２擬似リードと、前記第１及び第２能動リード並びに前記第１及び第２擬
似リードの少くとも一部分が、同一平面内にあることと
、前記第１及び第２導体の間の複層容量性要素において、
前記容量性要素が第１及び第２導電性端面を持ち、前記
第１導電性端面が前記第１導体と電気的に接続しており
、また前記第２導電性端面が前記第２導体と電気的に接
続している複層容量性要素と、さらに前記導体及び容量性要素を包封しているエンキヤツプ成
形外被において、前記能動及び擬似リードが前記第１、
第２、第３、第４位置の前記包封外被から延伸している
ことを含む一連のコンデンサ。４７、前記第１及び第２導体における支持装置を含み、
前記複層容量性要素が前記支持装置上に位置している特
許請求の範囲第４６項記載のコンデンサ。４８、前記支持装置が前記第１導体における第１屈曲部
分と前記第２導体における第２屈曲部分から成り、前記
屈曲部分が内側に向けられて棚形状を成している特許請
求の範囲第４７項記載のコンデンサ。４９、前記容量性要素の前記第１導電性端面上の第１タ
ブ装置と、前記容量性要素の前記第２導電性端面上の第２タブ装と
、さらに前記第１及び第２タブ装置が、それぞれ前記第１及び第
２導体に接合されていることを含む特許請求の範囲第４
６項記載のコンデンサ。５０、前記第１及び第２タブが、９０°の屈曲を有する
特許請求の範囲第４９項記載のコンデンサ。５１、前記容量性要素の前記第１及び第２導電性端面が
、それぞれ前記第１及び第２導体に接合されている特許
請求の範囲第２９項記載のコンデンサ。５２、前記接合が、導電性接着剤によつて達成される特
許請求の範囲第５１項記載のコンデンサ。５３、前記接合が、導電性接着剤によつて達成される特
許請求の範囲第４９項記載のコンデンサ。５４、前記能動リードが対角的に反対の第１対の位置に
あり、また前記擬似リードが対角的に反対の第２対の位
置にある特許請求の範囲第４６項記載のコンデンサ。５５、前記容量性要素が、一対の導電性端面を備えた導
電性交互薄層を有するセラミック材料である特許請求の
範囲第４６項記載のコンデンサ。５６、前記包封組立体上にセットオフ装置を含む特許請
求の範囲第４６項記載のコンデンサ。