JPS6224653A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS6224653A JPS6224653A JP60161961A JP16196185A JPS6224653A JP S6224653 A JPS6224653 A JP S6224653A JP 60161961 A JP60161961 A JP 60161961A JP 16196185 A JP16196185 A JP 16196185A JP S6224653 A JPS6224653 A JP S6224653A
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- Japan
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- frame
- lead frame
- air
- gate
- lead
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、半導体装置、特に樹脂封止型の半導体装置の
製造に用いられるリードフレームに適用して有効な技術
に関する。
製造に用いられるリードフレームに適用して有効な技術
に関する。
［背景技術］
ベレットをエポキシ樹脂等の合成樹脂（レジン）で封止
してなる、いわゆる樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、上下の金型の間にリードフレームを載置して金
型間にレジンを注入するモールド工程がある。
してなる、いわゆる樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、上下の金型の間にリードフレームを載置して金
型間にレジンを注入するモールド工程がある。
上記モールド工程では溶融状態のレジンを高圧で注入す
るため、金型内部の空気を注入されるレジンに対応して
外部に逃がしてやらなければならない。
るため、金型内部の空気を注入されるレジンに対応して
外部に逃がしてやらなければならない。
すなわち、金型内の空気の抜けが十分に行われないと、
封止後のレジンに、いわゆるボイドと呼ばれる空気溜ま
りが生じることが多い。このボイドがパッケージ内にあ
ると、パフケージに十分な強度が得られなかったり、外
部からの水分の侵入を促進してワイヤ等の腐食の原因と
なるからであこの点について、金型にエアベントと呼ば
れる凹部を設けて、レジンの注入にともないここから金
型内の空気抜きを行うことが知られている。
封止後のレジンに、いわゆるボイドと呼ばれる空気溜ま
りが生じることが多い。このボイドがパッケージ内にあ
ると、パフケージに十分な強度が得られなかったり、外
部からの水分の侵入を促進してワイヤ等の腐食の原因と
なるからであこの点について、金型にエアベントと呼ば
れる凹部を設けて、レジンの注入にともないここから金
型内の空気抜きを行うことが知られている。
しかし、前記金型は種類の異なるリードフレームのモー
ルドに共用されることが多く、そのためエアベントはリ
ードフレームの形状に対応して形成することができなか
った。たとえば、前記エアベントは金型のゲート（レジ
ン注入口）と反対方向のフレーム部に当接する部位にし
か設けることができず、リード方向には設けることがで
きなかった。この結果、金型内の空気抜きが十分でなく
ボイドがなお発生することが本発明者によって明らかに
された。
ルドに共用されることが多く、そのためエアベントはリ
ードフレームの形状に対応して形成することができなか
った。たとえば、前記エアベントは金型のゲート（レジ
ン注入口）と反対方向のフレーム部に当接する部位にし
か設けることができず、リード方向には設けることがで
きなかった。この結果、金型内の空気抜きが十分でなく
ボイドがなお発生することが本発明者によって明らかに
された。
さらに、上記の方法では、ボイドが最も発生し易い金型
のゲート近傍にエアベントを形成することができない。
のゲート近傍にエアベントを形成することができない。
そのため、非ゲート方向のフレーム部にどのように広い
エアベントを形成してもボイドの防止を完全に防止する
ことはできないことも同時に本発明者によって明らかに
された。
エアベントを形成してもボイドの防止を完全に防止する
ことはできないことも同時に本発明者によって明らかに
された。
なお、樹脂封止型半導体装置の技術として詳しく述べで
ある例としては、株式会社工業調査会、１９８０年１月
１５日発行ｒｌｃ化実装技術」 （日本マイクロエレク
トロニクス協会ｍ）、Ｐ１４９〜Ｐ１５０がある。
ある例としては、株式会社工業調査会、１９８０年１月
１５日発行ｒｌｃ化実装技術」 （日本マイクロエレク
トロニクス協会ｍ）、Ｐ１４９〜Ｐ１５０がある。
「発明の目的Ｊ
本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の製造工程の一
つであるモールド工程時におけるボイドの発生を防止で
きるリードフレームを提供することにある。
つであるモールド工程時におけるボイドの発生を防止で
きるリードフレームを提供することにある。
本発明の他の目的は、パッケージ強度が高く、耐湿性に
優れた信転性の高い半導体装置を提供することにある。
優れた信転性の高い半導体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、フレーム部およびダム部の表面にエアベント
としての凹部が形成されたリードフレーム構造とするこ
とにより、モールドに際して金型内の空気抜きを良好に
行うことができるため、安定したレジン注入を行うこと
ができ、ボイドの発生を防止することができる。
としての凹部が形成されたリードフレーム構造とするこ
とにより、モールドに際して金型内の空気抜きを良好に
行うことができるため、安定したレジン注入を行うこと
ができ、ボイドの発生を防止することができる。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例であるリードフレームを示す
斜視図、第２図は実施例のリードフレームを用いたモー
ルド工程を示す断面図である。
斜視図、第２図は実施例のリードフレームを用いたモー
ルド工程を示す断面図である。
本実施例のリードフレーム１はデュアルインラインパッ
ケージ形状ＣＤＩＰ）の半導体装置の製造に用いられる
リードフレームであり、中央にペレットを装着するタブ
２を有し、長さ方向のフレーム部３ａ、３ｂおよび幅方
向に延設されたフレーム部４ａ、４ｂで囲まれた部分を
一単位として複数のものが並列方向に連結されて一つの
リードフレーム１を形成してなるものである。
ケージ形状ＣＤＩＰ）の半導体装置の製造に用いられる
リードフレームであり、中央にペレットを装着するタブ
２を有し、長さ方向のフレーム部３ａ、３ｂおよび幅方
向に延設されたフレーム部４ａ、４ｂで囲まれた部分を
一単位として複数のものが並列方向に連結されて一つの
リードフレーム１を形成してなるものである。
前記タブ２は長さ方向のフレーム部３ａ、３ｂから中央
方向に延設されたタブ吊りリード５区よって支持されて
おり、幅方向のフレーム部４ａ。
方向に延設されたタブ吊りリード５区よって支持されて
おり、幅方向のフレーム部４ａ。
４ｂからは前記中央のタブ２の方向にタブ２の近傍まで
複数のリード６が延設されている。リード６はその途中
部分でリードフレーム１の幅方向に延設されたタイバー
すなわちダム７により互いに連結された状態となってお
り、このダム７に囲まれた部分はインナーリード８とし
て形成されている。このインナーリード８の部分はワイ
ヤポンディングが行われ、またモールドの際に封止され
る部分であり、この部分にはボンディングを良好に行う
ために金めつき等を施してもよい。
複数のリード６が延設されている。リード６はその途中
部分でリードフレーム１の幅方向に延設されたタイバー
すなわちダム７により互いに連結された状態となってお
り、このダム７に囲まれた部分はインナーリード８とし
て形成されている。このインナーリード８の部分はワイ
ヤポンディングが行われ、またモールドの際に封止され
る部分であり、この部分にはボンディングを良好に行う
ために金めつき等を施してもよい。
一方、長さ方向のフレーム部３ａには表面から裏面方向
に貫通する移送用孔９ａ、９ｂが開設されている。すな
わち、リードフレーム１の移送時にはこの移送用孔９ａ
、９ｂに移送機構のフック（図示せず）を係合させるよ
うにして各製造工程間を移送されるのである。
に貫通する移送用孔９ａ、９ｂが開設されている。すな
わち、リードフレーム１の移送時にはこの移送用孔９ａ
、９ｂに移送機構のフック（図示せず）を係合させるよ
うにして各製造工程間を移送されるのである。
なお、上記形状のリードフレーム１は、たとえば４２７
０イ、コバールもしくは銅等からなる薄板状（０，２５
ｍｍ程度）の導電性金属板に、プレス切断もしくは薬液
によるエツチング処理を施すことにより所定形状に加工
される。
０イ、コバールもしくは銅等からなる薄板状（０，２５
ｍｍ程度）の導電性金属板に、プレス切断もしくは薬液
によるエツチング処理を施すことにより所定形状に加工
される。
前記リードフレームｌの表面にはエアベント１０として
の凹部が複数箇所に形成されている。たとえば、後述す
る金型のゲート１１に当接するフレーム部３ｂと反対方
向のフレーム部３ａには幅広のエアベント１０ａが形成
されている。このエアベン）ＩＯａは前記移送用孔９ａ
を避けるように形成されている。そのため、モールド後
に、移送用孔９ａ内にレジンが付着してリードフレーム
１の移送が困難になることはない。
の凹部が複数箇所に形成されている。たとえば、後述す
る金型のゲート１１に当接するフレーム部３ｂと反対方
向のフレーム部３ａには幅広のエアベント１０ａが形成
されている。このエアベン）ＩＯａは前記移送用孔９ａ
を避けるように形成されている。そのため、モールド後
に、移送用孔９ａ内にレジンが付着してリードフレーム
１の移送が困難になることはない。
また、ゲート１１側のフレーム部３ｂにもエアベントＩ
Ｏｂが形成されているが、このゲート１１側のエアベン
トＩＯａはフレーム部３ｂ内を経由して非封止領域、す
なわちインナーリード８の外部方向に空気を抜くように
構成されている。このように、エアベントｌＯｂを迂回
させて形成したのは、ゲー）１１側のフレーム部３ｂ側
では金型の構造上、ゲー［１が形成されているために、
ゲート方向に空気抜きを行うことができないためである
。
Ｏｂが形成されているが、このゲート１１側のエアベン
トＩＯａはフレーム部３ｂ内を経由して非封止領域、す
なわちインナーリード８の外部方向に空気を抜くように
構成されている。このように、エアベントｌＯｂを迂回
させて形成したのは、ゲー）１１側のフレーム部３ｂ側
では金型の構造上、ゲー［１が形成されているために、
ゲート方向に空気抜きを行うことができないためである
。
さらに、ダム７上のリード連結部分にも各々幅狭のエア
ベント１０ｃが形成されている。これらの各エアベント
１０ａ、１０ｂ、１０ｃはリードフレーム１の表面から
例えば、２０μｍ〜４０μｍ程度の深さで形成されてお
り、このような構造の加工はエツチング処理等により行
うことが可能である。
ベント１０ｃが形成されている。これらの各エアベント
１０ａ、１０ｂ、１０ｃはリードフレーム１の表面から
例えば、２０μｍ〜４０μｍ程度の深さで形成されてお
り、このような構造の加工はエツチング処理等により行
うことが可能である。
次に本実施例の作用について説明する。
上記構造のリードフレーム１は、第２図に示すように、
まず中央のタブ２の上にペレット１２が取付けられ、さ
らにベレット１２とインナーリード８間にワイヤボンデ
ィングがなされてペレット１２とリード６との電気的導
通が図られる。このワイヤボンディングは、例えば金等
からなるワイヤ１３の一端を加熱して溶融ポールを形成
し、この溶融ボールをベレット１２上の所定位置に押圧
して第一ボンディングを行う。次にワイヤ長さを所定量
確保した後にワイヤ１３の他端を超音波振動を印加しな
がらインナーリード８の所定位置に押圧し、さらにワイ
ヤ１３の余線部分を切断することにより行われるもので
ある。
まず中央のタブ２の上にペレット１２が取付けられ、さ
らにベレット１２とインナーリード８間にワイヤボンデ
ィングがなされてペレット１２とリード６との電気的導
通が図られる。このワイヤボンディングは、例えば金等
からなるワイヤ１３の一端を加熱して溶融ポールを形成
し、この溶融ボールをベレット１２上の所定位置に押圧
して第一ボンディングを行う。次にワイヤ長さを所定量
確保した後にワイヤ１３の他端を超音波振動を印加しな
がらインナーリード８の所定位置に押圧し、さらにワイ
ヤ１３の余線部分を切断することにより行われるもので
ある。
このようにしてベレット１２およびワイヤ１３の取付け
られたリードフレーム１はモールド金型１４の間に載置
される。このモールド金型１４は上型１４ａと下型１４
ｂとでキャビティ１５を形成する一対構造を有しており
、下型１・４ｂには前記キャビティ１５内へのレジン注
入口としてのゲート１１が開設されている。
られたリードフレーム１はモールド金型１４の間に載置
される。このモールド金型１４は上型１４ａと下型１４
ｂとでキャビティ１５を形成する一対構造を有しており
、下型１・４ｂには前記キャビティ１５内へのレジン注
入口としてのゲート１１が開設されている。
次に、前記リードフレーム１が上型１４ａと下型１４ｂ
に挟持された状態でキャビティ１５内に封止材であるレ
ジン１７が溶融状態でゲート１６より高圧注入される。
に挟持された状態でキャビティ１５内に封止材であるレ
ジン１７が溶融状態でゲート１６より高圧注入される。
このレジン１７の注入にともなって、キャビティ１５内
の空気１８はリードフレーム１に形成された各エアベン
ト１０ａ、１０ｂ、１０ｃを流通して外部に排出される
。
の空気１８はリードフレーム１に形成された各エアベン
ト１０ａ、１０ｂ、１０ｃを流通して外部に排出される
。
このように、本実施例では金型１４にではなく、リード
フレーム１自体にエアベントを有する構造であるため、
リードフレーム１の形状に対応したエアベント１０ａ、
１０ｂ、１０ｃをリードフレーム１上にそれぞれ形成す
ることができる。
フレーム１自体にエアベントを有する構造であるため、
リードフレーム１の形状に対応したエアベント１０ａ、
１０ｂ、１０ｃをリードフレーム１上にそれぞれ形成す
ることができる。
特に、本実施例では非ゲート側のフレーム部３ａのみな
らず、ダム７の表面およびゲート１工側にもエアベント
１０ｂ、ｌｏｃが各々開設されているため、レジン圧に
よりキャビティ１５内の残留空気１８を平面四方向に排
出することができる。
らず、ダム７の表面およびゲート１工側にもエアベント
１０ｂ、ｌｏｃが各々開設されているため、レジン圧に
よりキャビティ１５内の残留空気１８を平面四方向に排
出することができる。
したがって、効率良く空気１８を抜くことができ、注入
されたレジン内でのボイドの発生を有効に防止すること
ができる。
されたレジン内でのボイドの発生を有効に防止すること
ができる。
［効果］
（１）、フレーム部およびダム部の表面にエアベントと
しての凹部が形成されたリードフレーム構造とすること
により、リードフレームの形状に応じたエアベントを形
成することができるため、モールドに際して金型内の空
気抜きを良好に行うことができ、ボイドの発生を防止す
ることができる。
しての凹部が形成されたリードフレーム構造とすること
により、リードフレームの形状に応じたエアベントを形
成することができるため、モールドに際して金型内の空
気抜きを良好に行うことができ、ボイドの発生を防止す
ることができる。
（２）、エアベントとしての凹部を封止部分を囲むフレ
ーム部もしくはダム部の四方向に形成することによって
、金型のキャビティ内の残留空気を効率よく外部に排出
することができるため、ボイドの発生を効率的に防止す
ることができる。
ーム部もしくはダム部の四方向に形成することによって
、金型のキャビティ内の残留空気を効率よく外部に排出
することができるため、ボイドの発生を効率的に防止す
ることができる。
（３）、フレーム部のゲート側のエアベントを、フレー
ム部の表面をフレームの長さ方向に延設し、非ゲート方
向にエアを逃がすように形成することにより、キャビテ
ィ内のゲート近傍の空気を外部に排出することができる
ため、ゲート近傍に発生し易いボイドを効果的に防止す
ることができる。
ム部の表面をフレームの長さ方向に延設し、非ゲート方
向にエアを逃がすように形成することにより、キャビテ
ィ内のゲート近傍の空気を外部に排出することができる
ため、ゲート近傍に発生し易いボイドを効果的に防止す
ることができる。
（４）、前記＋１１〜（３）により、樹脂封止型半導体
装置におけるパッケージ内のボイドの発生を防止するこ
とができるため、パッケージ強度が高く、耐湿性に優れ
た信幀性の高い半導体装置を提供することができる。
装置におけるパッケージ内のボイドの発生を防止するこ
とができるため、パッケージ強度が高く、耐湿性に優れ
た信幀性の高い半導体装置を提供することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例では第１図に示したように８本のリー
ドを有するリードフレームについてのみ説明したが、こ
れに限らず、これ以下の本数もしくはこれ以上の本数を
有するものであってもよい。
ドを有するリードフレームについてのみ説明したが、こ
れに限らず、これ以下の本数もしくはこれ以上の本数を
有するものであってもよい。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆるデュアルインラインパ
ッケージ形状の半導体装置の製造に用いられるリードフ
レームにに適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、レジンモールドされてなる半導
体装置であれば、たとえばフラットパッケージ形状（Ｐ
ＰＰ）もしくはリード付チップキャリアパッケージ形状
（ＰＬＣＣ）等の半導体装置のリードフレームに適用し
ても有効な技術である。
をその利用分野である、いわゆるデュアルインラインパ
ッケージ形状の半導体装置の製造に用いられるリードフ
レームにに適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、レジンモールドされてなる半導
体装置であれば、たとえばフラットパッケージ形状（Ｐ
ＰＰ）もしくはリード付チップキャリアパッケージ形状
（ＰＬＣＣ）等の半導体装置のリードフレームに適用し
ても有効な技術である。
第１図は本発明の実施例であるリードフレームを示す斜
視図、 第２図は実施例のリードフレームを用いたモールド工程
を示す断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・タブ、３ａ。 ３ｂ・・・フレーム部、４ａ、４ｂ・・・フレーム部、
５・・・タブ吊りリード、６・・・リード、７・・・ダ
ム、８・・・インナーリード、９ａ。 ９ｂ・・・移送用孔、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ・・・エ
アベント、１１・・・ゲート、１２・・・ベレット、１
３・・・ワイヤ、１４・・・金型、１４ａ・・・上型、
１４ｂ・・・下型、１５・・・キャビティ、１７・・・
レジン、１８・・・空気（残留空気）。 第 １ 図 第 ２ 図
視図、 第２図は実施例のリードフレームを用いたモールド工程
を示す断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・タブ、３ａ。 ３ｂ・・・フレーム部、４ａ、４ｂ・・・フレーム部、
５・・・タブ吊りリード、６・・・リード、７・・・ダ
ム、８・・・インナーリード、９ａ。 ９ｂ・・・移送用孔、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ・・・エ
アベント、１１・・・ゲート、１２・・・ベレット、１
３・・・ワイヤ、１４・・・金型、１４ａ・・・上型、
１４ｂ・・・下型、１５・・・キャビティ、１７・・・
レジン、１８・・・空気（残留空気）。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、樹脂封止型半導体装置の製造に用いられるリードフ
レームであって、フレーム部およびダム部の表面にエア
ベント用の凹部が形成されてなることを特徴とするリー
ドフレーム。 ２、前記凹部が封止部分を囲むフレーム部もしくはダム
部の四方向に形成されていることを特徴とすることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。 ３、前記凹部がエッチング処理により形成されてなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のリードフレ
ーム。 ４、フレーム部のゲート側の凹部がフレーム部の表面を
フレームの長さ方向に延設され、非ゲート方向にエアを
逃がすように形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161961A JPS6224653A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161961A JPS6224653A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224653A true JPS6224653A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15745358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60161961A Pending JPS6224653A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293065A (en) * | 1992-08-27 | 1994-03-08 | Texas Instruments, Incorporated | Lead frame having an outlet with a larger cross sectional area than the inlet |
-
1985
- 1985-07-24 JP JP60161961A patent/JPS6224653A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293065A (en) * | 1992-08-27 | 1994-03-08 | Texas Instruments, Incorporated | Lead frame having an outlet with a larger cross sectional area than the inlet |
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