JPS62248253A - 完全密着型イメ−ジセンサ読み取り装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はファクシミリや複写機などの原稿の読み取りに
使用されている完全密着型イメージセンサ読み取り装置
に関するものである。

従来の技術 近年、ファクシミリや複写機などに代表される０ムｍ興
の海来はめイ噂り層もの≠；あスへこのような中にあっ
て、昨今各種０人機器の画像入力装置の小型軽量化や高
性能化を図ることを狙いとして、密着型イメージセンサ
読み取り装置が広範囲に利用されるようになってきた。

第３図は、従来ファクシミリなどの原稿の読み取りに使
用されている密着型イメージセンサ読み取り装置の構成
を示す図である。この従来の装置では、図示のように原
稿１を螢光燈などの光源２で均一に照射６し、原稿１か
らの反射光をセルフォックレンズ（光集束性ファイバー
レンズ）６を通して基板４に配例したイメージセンサ３
に結像させ電気信号を得ている〔例えば、山上登、他：
画像電子学会予稿、ａａ−０４（１９８３））。

最近では、より小型軽量化、低価格をめざしてセルフォ
ックレンズレス６の完全密着型イメージセンサ読み取り
装置の開発がさかんに行われている。

第４図は、完全密着型イメージセンサ読み取り装置の一
構成を示す図である。この装置では、図示のようにレン
ズレスの構造になっている。イメ−ジセンサ３を配例し
た透明基板４の下方に存在する光源２から透明基板４を
通して原稿１に照射６し、原稿１からの反射光をイメー
ジセンサ３に入射し、そこで原稿１の情報に対応した電
気信号を得ている〔例えばＹａｍａｍｏｔｏ、ｅｔｙａ
ｌ　：ＪＪＡＰｖｏｌ　１７　Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ　
、　１７−１　（１９７Ｂ）　１３５や田尻哲男、他：
昭和６６年度電子通信学会総合全国大会予稿９７６　あ
るいは山本英明、他：昭和５９年電気四学会連合大会予
稿３−１１０）。

発明が解決しようとする問題点 このように第４図に示すような従来の構造では、イメー
ジセンサ３の背面より照明光を斜め照射６させなければ
ならず、８ドツト／ｆｆｌｌ１１以上の解像度を有する
イメージセンサ３の場合は、照明効率。

ＭＴＦの低下が生じる。

また原稿１は、イメージセンサ３と接触対向しテイルの
で原稿１との摩擦によシ、イメージセンサ３にダメージ
を与え機械的強度が不安定になる。

従来の完全密着型イメージセンサ読み取り装置の場合、
イメージセンサ３がＣ０Ｄ（電荷結合素子）イメージセ
ンサやバイポーラＩＣイメージセンサなどの結晶タイプ
を用いると、照明効率やＭＴＦが極端に低下するので使
用することができなかった。

本発明の完全密着型イメージセンサ読み取り装置は、従
来使用されている装置における諸問題を解決するもので
、小型経世で高解像度２機械的安定性にすぐれ、バイポ
ーラＩＣイメージセンサやＣＯＤイメージセンサなどの
結晶タイプのイメージセンサも使用できるものを提供す
ることを目的とするものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の完全密着型イメー
ジセンサ読み取り装置は、基板に配例されたイメージセ
ンサ上に少なくとも１個以上の照明入射用開口部と少な
くとも１個以上の原稿照射用開口部を有し、それ以外は
光遮断膜でおおわれた透光性薄膜を原稿面側に備えた保
護用透光性基板でイメージセンサを気密封止する構成と
したものである。

作用 この構成にすることによシ、保護用透光性基板から原稿
に光を照射するために、高解像度の読み取りができ、機
械的安定性にすぐれ、イメージセンサの電気的特性の劣
化がない。

またイメージセンサの種類として、ＣＯＤイメージセ／
すやバイポーラＩＣイメージセンサなどの結晶タイプイ
メージセンサも使用できる。

実施例 以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。

第１図において、７は基板で基板材料としては、ガラス
基板２石英基板、サファイア基板などの透光性基板を用
いる。透光性基板以外にアルミナ基板、アルミニウム基
板、ステンレス基板なども用いてよい。基板Ｔ上にイメ
ージセンサ８を配例し固定する。イメージセンサ８の種
類として、ａ−５ｉ　、　Ｐｏ１ｉ−３ｉ　、　Ｃｄ５
−ＣｄＳｅなどの薄膜タイプあるいはＣＯＤ　、バイポ
ーラＩＣなどの結晶タイプがある。その後、不活性ガス
中又は真空中で光導波路ｅ付き保護用透明基板１０を光
導波路９面を原稿面１１に向け、基板７と接着させ気密
封止を行う。

ここで光導波路ｅ付き保護用透明基板１０について詳し
く説明する。保護用透光性基板１ｏの種類としては、ガ
ラス基板２石英基板、サファイア基板がある。前記保護
用透光性基板１０上にＫＢ法、ＤＣスパッタリング法、
抵抗加熱法、メッキ法などの薄膜形成技術を用いムｌ　
、　Ｍｏ　、　Ｏｒ　、ムｇ、ムａ。

Ｔ１　などの光遮断膜ｅ＆を０．１μｍ〜２０μｍ　形
成する。

その後、フォトリソ技術を用いて任意のパターンニング
を行う。前記光遮断膜９ａ上にＲＦスパッタリング法、
ＩＣＢ法、ｃｙｎ法を用いて、ガラｘ　、　Ｓｉｎ□、
ム１２０．　、　ＴｉＯ２，ＺｎＳ　、　ＭｇＦ２　　
などの透光性薄膜９ｂを０．１μｍ〜２０μｍ形成する
。前記透光性薄膜９ｂ上および側面に光遮断膜９ｃを前
記光遮断膜９＆と同様な薄膜形成方法を用いてｋｌ　、
　Ｍｏ　、　Ｏｒ　、ムｇ、ムａ　、　Ｔｉなどを０．
１μＸ１１〜２０μｍ形成し、フォトリソ技術を用いて
任意のパターンニングを行う。

このようにして完全密着型イメージセンサができる。

次に、本実施例による完全密着型イメージセンサを用い
た読み取り装置の説明を行う。

光源１２として螢光燈を用い光導波路９に光を照射１３
する。光導波路９内に入った光は、反射を繰り返しなが
ら光の出口にくる。ここから原稿１１面に光が照射され
、原稿１１の情報に応じて光が反射され、その反射光が
イメージセンサ８に入射され電気信号に変換される。

光源１２としては、螢光燈、ｌｌＣＤ、／−ロゲンラン
プが使用されている。

また光導波路９内に光を入射させる方法として、第２図
に示したようにフレキシブルな基板１４たとえばポリイ
シド基板上に前記光導波路９と同じ方法で光導波路１６
を形成し、この光導波路１６と光導波路９を光学的に接
続させ外部から光を導入してもよい。こういう構成にす
ると光源として外部光を利用すると、読み取り装置とし
ての光源は不用になる。

光を均一に原稿１１面に照射１３するために、透光性薄
膜９ｂ表面を研磨材にアルミナ粉を用いて研磨したり、
あるいはフッ酸系のエツチング液でエツチングして、６
０人〜５０００人の凹凸をつけて、光の散乱を多くする
ことも効果的である。

発明の効果 以上のように本発明は、保護用透光性基板に光導波路を
一体化しイメージセンサを気密封止するために、機械的
安定性がよくなりイメージセンサの電気的劣化がなく高
解像度の読み取りが可能である。

また結晶タイプのイメージセンサも使用可能になり高性
能の完全密着イメージセンサ読み取り装置が得られるし
、光源が任意の場所に置けるので小型になるといった効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の実施例による完全密着型イメ
ージセンサ読み取り装置の構成を示す断面図、第３図は
従来使用されている密着型イメージセンサ読み取り装置
の構成を示す説明図、第４図は従来使用されている完全
密着型イメージセンサ読み取り装置の構成を示す説明図
である。 ７・・・・・・基板、８・・・・・・イメージセンサ、
９・・・・・・光導波路、９ａ・・・・・・第１光遮断
膜、９ｂ・・・・・・透光性薄膜、９Ｃ・・・・・・第
２光遮断膜、１ｏ・・・・・・保護用透明基板、１１・
・・・・・原稿、１２・・・・・・光源。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図 ｌ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に配例されたイメージセンサと前記イメージセン
   サを保護封止する保護用透光性基板からなり、前記保護
   用透光性基板の原稿面側上に少なくとも１個以上の照明
   入射用開口部と少なくとも１個以上の原稿照射用開口部
   を有し、それ以外は光遮断膜でおおわれた透光性薄膜か
   らなる光導波路を備えた完全密着型イメージセンサ読み
   取り装置。