JPS6224896Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6224896Y2 JPS6224896Y2 JP1979165967U JP16596779U JPS6224896Y2 JP S6224896 Y2 JPS6224896 Y2 JP S6224896Y2 JP 1979165967 U JP1979165967 U JP 1979165967U JP 16596779 U JP16596779 U JP 16596779U JP S6224896 Y2 JPS6224896 Y2 JP S6224896Y2
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- electrodes
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- matrix
- electrode
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- Expired
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
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- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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- Position Input By Displaying (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は各種情報処理装置に使用されるキヤラ
クター表示面、例えば各種表示器（デイスプレ
ー）の表示面上に載置され、特定の表示位置、従
つて特定のキヤラクターを摘出するために使用さ
れる透明スイツチの改良に関す。
クター表示面、例えば各種表示器（デイスプレ
ー）の表示面上に載置され、特定の表示位置、従
つて特定のキヤラクターを摘出するために使用さ
れる透明スイツチの改良に関す。
この種透明スイツチは透明なスペーサをその間
に夾む上下２個の透明基板（硝子又は合成樹脂
板）上に夫々縦横に、載置される表示面の表示記
号の縦横表示ピツチに合わせて、透明なマトリツ
クス電極が蒸着されて構成され、特定の表示位置
を指で押すことにより、その位置に該当する該マ
トリツクス電極の交叉位置で直接導電的、あるい
は静電的に接続され、端部端子を介してその出力
を後続の位置検知回路に伝達する。
に夾む上下２個の透明基板（硝子又は合成樹脂
板）上に夫々縦横に、載置される表示面の表示記
号の縦横表示ピツチに合わせて、透明なマトリツ
クス電極が蒸着されて構成され、特定の表示位置
を指で押すことにより、その位置に該当する該マ
トリツクス電極の交叉位置で直接導電的、あるい
は静電的に接続され、端部端子を介してその出力
を後続の位置検知回路に伝達する。
第１図はこの種透明スイツチの要部を上面図イ
側断面図ロで示すもので、１は透明なガラス、或
はエポキシ樹脂板でその表示に、例えば酸化錫、
あるいは酸化インジユーム等からなる透明電極条
２が縦方向に蒸着併設され、その上に同様透明な
エポキシ樹脂膜３が電極条２を避けて、スペーサ
として設けられ、更にその上に下面に横方向に透
明電極条４を蒸着せる透明且つ可撓性の表面電極
基板５が載置されてマトリツクス電極構成として
一体化されている。
側断面図ロで示すもので、１は透明なガラス、或
はエポキシ樹脂板でその表示に、例えば酸化錫、
あるいは酸化インジユーム等からなる透明電極条
２が縦方向に蒸着併設され、その上に同様透明な
エポキシ樹脂膜３が電極条２を避けて、スペーサ
として設けられ、更にその上に下面に横方向に透
明電極条４を蒸着せる透明且つ可撓性の表面電極
基板５が載置されてマトリツクス電極構成として
一体化されている。
マトリツクス電極２，４の夫々の配列ピツチは
該透明スイツチの載置される表示板のキヤラクタ
ー６（鎖線を以て示す）の配列ピツチに等しく、
従つて各キヤラクターの中心が電極２，４の交叉
位置と一致している。
該透明スイツチの載置される表示板のキヤラクタ
ー６（鎖線を以て示す）の配列ピツチに等しく、
従つて各キヤラクターの中心が電極２，４の交叉
位置と一致している。
指先７を以て交叉位置を押せば電極２，４の該
当交叉位置で電気的接触をなし、特定のＡ、Ｂ端
子間が導通状態となる。指先７を離せば表面の可
撓性透明基板５は自己の復元力により旧に復し、
電気的接触は解放される。
当交叉位置で電気的接触をなし、特定のＡ、Ｂ端
子間が導通状態となる。指先７を離せば表面の可
撓性透明基板５は自己の復元力により旧に復し、
電気的接触は解放される。
図より明らかに、交叉位置によつて端子Ａ、Ｂ
間の電気回路長即ちパス長が異り、当然そのパス
抵抗値も異なつてくる。然して電気回路長を形成
する透明電極２，４は透明度をよくするため数ミ
クロン厚さの酸化錫、或いは酸化インジユームの
蒸着膜である故、その比抵抗もかなり大きく、交
叉位置によるパス抵抗値の相異は、後続の交叉位
置検出回路に影響を及ぼすこととなる。
間の電気回路長即ちパス長が異り、当然そのパス
抵抗値も異なつてくる。然して電気回路長を形成
する透明電極２，４は透明度をよくするため数ミ
クロン厚さの酸化錫、或いは酸化インジユームの
蒸着膜である故、その比抵抗もかなり大きく、交
叉位置によるパス抵抗値の相異は、後続の交叉位
置検出回路に影響を及ぼすこととなる。
このため、後続検出回路で該透明スイツチのパ
ス抵抗の低い部分を補う補正抵抗を挿入する等の
手段が講じられていた。
ス抵抗の低い部分を補う補正抵抗を挿入する等の
手段が講じられていた。
然してマトリツクス電極２，４の配設数が増加
し、従つて選択キヤラクター６の数が大きくなる
程パス抵抗値の異る回路数も増える故に、パス抵
抗値の相異も数十倍に達することもあり、検出回
路内における抵抗補正手段も複雑化する。
し、従つて選択キヤラクター６の数が大きくなる
程パス抵抗値の異る回路数も増える故に、パス抵
抗値の相異も数十倍に達することもあり、検出回
路内における抵抗補正手段も複雑化する。
本考案はこの欠点を防止するため、先づ透明ス
イツチ内においてパス抵抗値を均一化せんとする
にある。
イツチ内においてパス抵抗値を均一化せんとする
にある。
この目的は、それぞれ透明絶縁基板に縦横に配
設される上下の透明なマトリツクス電極の各々の
基部に、互いに形状の異なる切欠部を設けて部分
的に抵抗値の増大を図り、これによつて選択交叉
位置に関係なく略均一なパス抵抗を形成させる構
造となすことによつて達成される。
設される上下の透明なマトリツクス電極の各々の
基部に、互いに形状の異なる切欠部を設けて部分
的に抵抗値の増大を図り、これによつて選択交叉
位置に関係なく略均一なパス抵抗を形成させる構
造となすことによつて達成される。
マトリツクス電極パターンは従来に比して複雑
となるがマスクを使用する蒸着工程には変りなく
所定形状のマスクを作成するだけでよい。第２図
は本考案に使用されるマトリツクス透明電極パタ
ーンの一例を示すもので縦電極B0，B1，B2……
横電極A0，A1，A2……夫々の交叉位置は選択キ
ヤラクター６上に設けられる。各電極の適当位置
に切欠部８を設け、電極パス路に高さｈ、長さ
の狭少部９を設けて、パス通路の抵抗値を高めて
いる。その度合は、厚さ一様な蒸着電極の場合、
長さに正比例し、高さｈに反比例する。従つて
電極A0，A1，A2……，B0，B1，B2……と順次長
さを小さく、高さｈを大きくすることによつて
A0，B0間、A1，B1間、A0，B1間、A1，B0間……
夫々のパス抵抗値を略等しくすることができる。
となるがマスクを使用する蒸着工程には変りなく
所定形状のマスクを作成するだけでよい。第２図
は本考案に使用されるマトリツクス透明電極パタ
ーンの一例を示すもので縦電極B0，B1，B2……
横電極A0，A1，A2……夫々の交叉位置は選択キ
ヤラクター６上に設けられる。各電極の適当位置
に切欠部８を設け、電極パス路に高さｈ、長さ
の狭少部９を設けて、パス通路の抵抗値を高めて
いる。その度合は、厚さ一様な蒸着電極の場合、
長さに正比例し、高さｈに反比例する。従つて
電極A0，A1，A2……，B0，B1，B2……と順次長
さを小さく、高さｈを大きくすることによつて
A0，B0間、A1，B1間、A0，B1間、A1，B0間……
夫々のパス抵抗値を略等しくすることができる。
従つてキヤラクターの数が増えても狭少部９の
形状種類もそれ程増大させる必要はない。
形状種類もそれ程増大させる必要はない。
以上説明したように本考案によれば、絶縁スペ
ーサを夾んで透明絶縁基板に縦横に配設される上
下の透明なマトリツクス電極を有する透明スイツ
チにおいて、上下マトリツクス電極の各交叉位置
におけるパス抵抗を均一にすることが出来るの
で、後続の位置検出回路に特別な補正手段を設け
る必要がなくなり、経済的価値と相まつて、その
実用的効果は著しい。
ーサを夾んで透明絶縁基板に縦横に配設される上
下の透明なマトリツクス電極を有する透明スイツ
チにおいて、上下マトリツクス電極の各交叉位置
におけるパス抵抗を均一にすることが出来るの
で、後続の位置検出回路に特別な補正手段を設け
る必要がなくなり、経済的価値と相まつて、その
実用的効果は著しい。
第１図は一般的な透明スイツチの一例を上面図
イ及び側断面図ロで示し、第２図は本考案による
透明スイツチに使用されるマトリツクスパターン
の一例を示す。 図において、１，５は透明基板、２，４は夫々
基板上に蒸着されたマトリツクス電極、３はスペ
ーサ、６は選択キヤラクター、８は切欠部、９は
マトリツクス電極上の狭少部を示す。
イ及び側断面図ロで示し、第２図は本考案による
透明スイツチに使用されるマトリツクスパターン
の一例を示す。 図において、１，５は透明基板、２，４は夫々
基板上に蒸着されたマトリツクス電極、３はスペ
ーサ、６は選択キヤラクター、８は切欠部、９は
マトリツクス電極上の狭少部を示す。
Claims (1)
- 表示面上に載置された表示位置を摘出するため
の透明スイツチにおいて、絶縁スペーサを夾んで
それぞれ透明絶縁基板に縦横に配設される上下の
透明なマトリクス電極の各々の基部に、切欠部よ
りなる高抵抗部を設けて、該上下マトリクス電極
の各交叉位置におけるパス抵抗を均一化したこと
を特徴とする透明スイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979165967U JPS6224896Y2 (ja) | 1979-11-30 | 1979-11-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979165967U JPS6224896Y2 (ja) | 1979-11-30 | 1979-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5682830U JPS5682830U (ja) | 1981-07-04 |
| JPS6224896Y2 true JPS6224896Y2 (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=29676868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979165967U Expired JPS6224896Y2 (ja) | 1979-11-30 | 1979-11-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224896Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108934U (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-23 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 入力パネル |
| JP5876257B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-03-02 | 住友理工株式会社 | 静電容量型センサ装置 |
-
1979
- 1979-11-30 JP JP1979165967U patent/JPS6224896Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5682830U (ja) | 1981-07-04 |
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