JPS6224942B2 - - Google Patents
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- JPS6224942B2 JPS6224942B2 JP60212495A JP21249585A JPS6224942B2 JP S6224942 B2 JPS6224942 B2 JP S6224942B2 JP 60212495 A JP60212495 A JP 60212495A JP 21249585 A JP21249585 A JP 21249585A JP S6224942 B2 JPS6224942 B2 JP S6224942B2
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- bonding
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- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ワイヤボンダに関し、特に超音波ワ
イヤボンデイング技術におけるウエツジ（ボンデ
イング用端子）の上下動作を迅速なものとし、ボ
ンデイング速度のハイスピード化を計ることを目
的とするものである。
イヤボンデイング技術におけるウエツジ（ボンデ
イング用端子）の上下動作を迅速なものとし、ボ
ンデイング速度のハイスピード化を計ることを目
的とするものである。
一般に超音波ワイヤボンデイング方式は、超音
波エネルギにより被ボンデイング体にボンデイン
グワイヤを加圧振動させながら相互の新鮮面を露
出させて塑性変形による固相接合を行なうもので
ある。したがつて、そのワイヤボンデイングに先
だつて、ボンデイングワイヤのつぶれなどの変形
を生じさせると接合性のよいボンデイングができ
ないために、ボンデイングワイヤの変形をできる
だけ少なくするようにして被ボンデイング体にボ
ンデイングワイヤを接触させ、しかる後ウエツジ
の超音波振動によりボンデイングを行なう必要が
ある。
波エネルギにより被ボンデイング体にボンデイン
グワイヤを加圧振動させながら相互の新鮮面を露
出させて塑性変形による固相接合を行なうもので
ある。したがつて、そのワイヤボンデイングに先
だつて、ボンデイングワイヤのつぶれなどの変形
を生じさせると接合性のよいボンデイングができ
ないために、ボンデイングワイヤの変形をできる
だけ少なくするようにして被ボンデイング体にボ
ンデイングワイヤを接触させ、しかる後ウエツジ
の超音波振動によりボンデイングを行なう必要が
ある。
このため、従来の超音波ワイヤボンデイング方
式は、ワイヤボンデイングの際、ウエツジの上下
動作は第１図ａ〜ｂに示すように、ウエツジが被
ワイヤボンデイング体に接近したらボンデイング
ワイヤをゆつくりと降下させるようにウエツジを
低速下降させ、ワイヤが被ボンデイング体に接触
する際、ワイヤが変形しないような動作をもつて
行なつている。
式は、ワイヤボンデイングの際、ウエツジの上下
動作は第１図ａ〜ｂに示すように、ウエツジが被
ワイヤボンデイング体に接近したらボンデイング
ワイヤをゆつくりと降下させるようにウエツジを
低速下降させ、ワイヤが被ボンデイング体に接触
する際、ワイヤが変形しないような動作をもつて
行なつている。
なお、ウエツジの上下動作プロフイルを示す第
１図ｂにおいて、図のＡ〜Ｄはウエツジの上下動
作速度の態様を示すもので、Ａはウエツジが定位
置状態、Ｂはウエツジが高速下降速度状態、Ｃは
ウエツジが低速下降速度状態、Ｄはウエツジが高
速上昇速度状態をそれぞれ示すものである。ま
た、ａ〜ｋで示す各点は、ウエツジの動作速度が
転換する個所を示すものである。
１図ｂにおいて、図のＡ〜Ｄはウエツジの上下動
作速度の態様を示すもので、Ａはウエツジが定位
置状態、Ｂはウエツジが高速下降速度状態、Ｃは
ウエツジが低速下降速度状態、Ｄはウエツジが高
速上昇速度状態をそれぞれ示すものである。ま
た、ａ〜ｋで示す各点は、ウエツジの動作速度が
転換する個所を示すものである。
しかしながら、従来の超音波ワイヤボンデイン
グ方式では、ウエツジの下降動作に長時間を要す
るため、これがボンデイングのハイスピード化に
支障となつている。
グ方式では、ウエツジの下降動作に長時間を要す
るため、これがボンデイングのハイスピード化に
支障となつている。
これは、被ボンデイング体としてセラミツクパ
ツケージの場合をとつてみると、セラミツクそれ
にリードのそれぞれの部品精度のばらつきや固着
材へのペレツトの埋め込み深さ、ガラスへのリー
ドの埋め込み深さのばらつきなどが大きく、特に
後者のばらつきが±0.3mmにも達し、それぞれの
被ボンデイング体間のボンデイング高さが部品精
度のばらつきにより大きく異なることより、その
高さのばらつきが顕著なものとなり、このばらつ
きを吸収できるだけの時間（第１図における
T1，T2）、ウエツジの低速下降をつづけなければ
ならないことに起因している。
ツケージの場合をとつてみると、セラミツクそれ
にリードのそれぞれの部品精度のばらつきや固着
材へのペレツトの埋め込み深さ、ガラスへのリー
ドの埋め込み深さのばらつきなどが大きく、特に
後者のばらつきが±0.3mmにも達し、それぞれの
被ボンデイング体間のボンデイング高さが部品精
度のばらつきにより大きく異なることより、その
高さのばらつきが顕著なものとなり、このばらつ
きを吸収できるだけの時間（第１図における
T1，T2）、ウエツジの低速下降をつづけなければ
ならないことに起因している。
この対策として、ウエツジの下降速度を上げた
り、低速下降の時間帯を短縮することが考えられ
るが、そうすると、ウエツジの高速下降によりボ
ンデイングワイヤが被ボンデイング体であるペレ
ツトやリードに衝撃をもつて接触することにつな
がり、ボンデイングの接合性を悪くするため、こ
のような対策にはおのずと限界がある。
り、低速下降の時間帯を短縮することが考えられ
るが、そうすると、ウエツジの高速下降によりボ
ンデイングワイヤが被ボンデイング体であるペレ
ツトやリードに衝撃をもつて接触することにつな
がり、ボンデイングの接合性を悪くするため、こ
のような対策にはおのずと限界がある。
このため、ウエツジの上下動作におけるウエツ
ジの下降時間の占める時間を大きくとる必要があ
り、この時間が大となつて、ボンデイング速度の
ハイスピード化のネツクとなつている。
ジの下降時間の占める時間を大きくとる必要があ
り、この時間が大となつて、ボンデイング速度の
ハイスピード化のネツクとなつている。
一方、従来の超音波ワイヤボンダにおけるウエ
ツジの上下動機構は、ウエツジが取り付けられて
いるボンデイングアームを、ウエツジが第１図に
図示するような動きができるようなカム線図をも
つカムを一方向に旋回させながらウエツジを上下
動させるものである。
ツジの上下動機構は、ウエツジが取り付けられて
いるボンデイングアームを、ウエツジが第１図に
図示するような動きができるようなカム線図をも
つカムを一方向に旋回させながらウエツジを上下
動させるものである。
したがつて、このような従来のウエツジの上下
動機構においては、ウエツジの上下動幅及び速度
がカムのカム線図と回転数によつて決まつてしま
うために、ウエツジの上下動作及び速度の態様を
変えるにはそれに対応するようなカム線図をもつ
別仕様のカムに取り換える必要がある。そのた
め、ウエツジの動きを簡単に変更することができ
ず、１台のボンダをもつて種々の態様のボンデイ
ングを行なうことができない欠点がある。
動機構においては、ウエツジの上下動幅及び速度
がカムのカム線図と回転数によつて決まつてしま
うために、ウエツジの上下動作及び速度の態様を
変えるにはそれに対応するようなカム線図をもつ
別仕様のカムに取り換える必要がある。そのた
め、ウエツジの動きを簡単に変更することができ
ず、１台のボンダをもつて種々の態様のボンデイ
ングを行なうことができない欠点がある。
本発明の目的は、このような従来のワイヤボン
デイング方式による諸問題を解決し、ハイスピー
ドなワイヤボンデイングができる及びワイヤボン
ダを提供することにある。
デイング方式による諸問題を解決し、ハイスピー
ドなワイヤボンデイングができる及びワイヤボン
ダを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、ウエツジの上下動
作を容易に変更でき、１台のボンダで種々の態様
のボンデイングを行なうことができ、しかも自動
化しうるワイヤボンダを提供することにある。
作を容易に変更でき、１台のボンダで種々の態様
のボンデイングを行なうことができ、しかも自動
化しうるワイヤボンダを提供することにある。
本発明におけるワイヤボンダとしては、ボンデ
イング用端子の上下動作速度及び移動量を制御し
うる制御機構部を有し、被ボンデイング体に合わ
せたボンデイング用端子の上下動作プロフイルに
よりワイヤボンデイングするワイヤボンダとする
ものである。
イング用端子の上下動作速度及び移動量を制御し
うる制御機構部を有し、被ボンデイング体に合わ
せたボンデイング用端子の上下動作プロフイルに
よりワイヤボンデイングするワイヤボンダとする
ものである。
以下、本発明のワイヤボンダを用いた超音波ワ
イヤボンデイング法の一実施例をもつて本発明を
具体的に詳述する。
イヤボンデイング法の一実施例をもつて本発明を
具体的に詳述する。
第２図ａ〜ｂは、被ボンデイング体の１例であ
るデユアルインライン形のセラミツクパツケージ
を示す図で、同図ａは平面図、同図ｂは同図ａに
おけるAA′矢視縦断面図である。図において、２
１はセラミツクパツケージ本体、２２はIcが設け
られている半導体素子ペレツトで、その表面に14
個のパツド電極２２ａ〜２２ｎがあり、固着材２
３によりセラミツクパツケージ本体２１ダイボン
デイングされているものである。２４ａ〜２４ｎ
はペレツト２２における14個のパツド電極２２ａ
〜２２ｎに対応するリードであり、低融点ガラス
２５によりセラミツクパツケージ本体２１に取り
付けられているものである。
るデユアルインライン形のセラミツクパツケージ
を示す図で、同図ａは平面図、同図ｂは同図ａに
おけるAA′矢視縦断面図である。図において、２
１はセラミツクパツケージ本体、２２はIcが設け
られている半導体素子ペレツトで、その表面に14
個のパツド電極２２ａ〜２２ｎがあり、固着材２
３によりセラミツクパツケージ本体２１ダイボン
デイングされているものである。２４ａ〜２４ｎ
はペレツト２２における14個のパツド電極２２ａ
〜２２ｎに対応するリードであり、低融点ガラス
２５によりセラミツクパツケージ本体２１に取り
付けられているものである。
この種の被ワイヤボンデイング体にワイヤボン
デイングする本発明にかかるワイヤボンダによる
超音波ワイヤボンデイング法について 順を追つ
て説明する。
デイングする本発明にかかるワイヤボンダによる
超音波ワイヤボンデイング法について 順を追つ
て説明する。
(1) ウエツジの低速下降時間T1，T2に余裕をも
つて設定したウエツジの上下動（第３図参照）
によつて、半導体ペレツト２２のパツド電極２
２ａとそのパツド電極２２ａに対応するリード
２４ａをボンデイングワイヤであるアルミニウ
ム線で相互接続する。この場合、ウエツジの低
速下降時間T1，T2に余裕をもたせるのは、こ
の時点において、パツド電極２２ａ及びリード
２４ａの位置が明確にわかつていないためであ
る。
つて設定したウエツジの上下動（第３図参照）
によつて、半導体ペレツト２２のパツド電極２
２ａとそのパツド電極２２ａに対応するリード
２４ａをボンデイングワイヤであるアルミニウ
ム線で相互接続する。この場合、ウエツジの低
速下降時間T1，T2に余裕をもたせるのは、こ
の時点において、パツド電極２２ａ及びリード
２４ａの位置が明確にわかつていないためであ
る。
この場合、ウエツジの初期位置ａからパッド
電極２２ａの位置までの距離（ウエツジが下
降してパツド電極２２ａに着地するまでの距
離）Dalを測定することと、パツド電極２２ａ
にワイヤボンデイングしたのち、ウエツジが上
昇した位置ｅ，ｆからリード２４ａの位置ｍま
で距離（ウエツジが下降してリード２４ａに着
地するまでの距離）Dfmを測定することを行な
う。
電極２２ａの位置までの距離（ウエツジが下
降してパツド電極２２ａに着地するまでの距
離）Dalを測定することと、パツド電極２２ａ
にワイヤボンデイングしたのち、ウエツジが上
昇した位置ｅ，ｆからリード２４ａの位置ｍま
で距離（ウエツジが下降してリード２４ａに着
地するまでの距離）Dfmを測定することを行な
う。
(2) 個々のパツド電極２２ａ，２２ｂ，……２２
ｎの相互の位置のばらつきの値±Δα及び個々
のリード２４ａ，２４ｂ，……２４ｎの相互の
位置のばらつきの値±Δβを被ボンデイング体
の部品精度や組立精度などを基にして１個の被
ボンデイング体の中でおさえる位置ばらつきと
して選定する。そして、ウエツジがパツド電極
に対して下降する際の低速動作範囲をウエツジ
の高さにしてDalの位置を中心として±Δαの
領域と規定し、ウエツジがリードに対して下降
する際の低速動作範囲をウエツジの高さにして
Dfmの位置を中心として±Δβの領域と規定
し、この規定にもとづいたウエツジの上下動作
プロフイルを決める。このプロフイルを図示し
たものが第４図ａである。
ｎの相互の位置のばらつきの値±Δα及び個々
のリード２４ａ，２４ｂ，……２４ｎの相互の
位置のばらつきの値±Δβを被ボンデイング体
の部品精度や組立精度などを基にして１個の被
ボンデイング体の中でおさえる位置ばらつきと
して選定する。そして、ウエツジがパツド電極
に対して下降する際の低速動作範囲をウエツジ
の高さにしてDalの位置を中心として±Δαの
領域と規定し、ウエツジがリードに対して下降
する際の低速動作範囲をウエツジの高さにして
Dfmの位置を中心として±Δβの領域と規定
し、この規定にもとづいたウエツジの上下動作
プロフイルを決める。このプロフイルを図示し
たものが第４図ａである。
(3) 第４図ａに示すようなウエツジの上下動作プ
ロフイルにしたがつてウエツジを動作させて、
パツド電極２２ｂとリード２４ｂとをアルミニ
ウム線によりワイヤボンデイングし、次いで順
次第４図ａに示すようなプロフイルによるウエ
ツジの動きにより、パツド電極２２ｃ，２２
ｄ，……，２２ｎとそれに対応するリード２４
ｃ，２４ｄ，……，２４ｎとをアルミニウム線
によりワイヤボンデイングし、１つのセラミツ
クパツケージすなわち１個の被ワイヤボンデイ
ング体のワイヤボンデイングを終了する。第４
図ｂは、上述したようなワイヤボンデイングに
おけるウエツジの上下動プロフイルを示す図で
ある。
ロフイルにしたがつてウエツジを動作させて、
パツド電極２２ｂとリード２４ｂとをアルミニ
ウム線によりワイヤボンデイングし、次いで順
次第４図ａに示すようなプロフイルによるウエ
ツジの動きにより、パツド電極２２ｃ，２２
ｄ，……，２２ｎとそれに対応するリード２４
ｃ，２４ｄ，……，２４ｎとをアルミニウム線
によりワイヤボンデイングし、１つのセラミツ
クパツケージすなわち１個の被ワイヤボンデイ
ング体のワイヤボンデイングを終了する。第４
図ｂは、上述したようなワイヤボンデイングに
おけるウエツジの上下動プロフイルを示す図で
ある。
(4) 続いて、順次各被ワイヤボンデイング体にワ
イヤボンデイングする際には、前記した(1)〜(3)
の手続をとつて行なう。
イヤボンデイングする際には、前記した(1)〜(3)
の手続をとつて行なう。
上述したことからもあきらかのように、本発明
にかかる超音波ワイヤボンデイング法は、ウエツ
ジの低速下降時間（第４図におけるT1′，T2′）が
短時間となるため、ウエツジ上下動作時間が非常
に短かくなり、ハイスピードなボンデイングがで
きる。これは、個々の被ボンデイング体に対し、
あらかじめウエツジの下降する基準位置Dal，
dfmを測定しておき、これを基にしてウエツジの
パツド電極及びリードに対して下降する際の低速
下降動作範囲を決めていることによる。また、ウ
エツジの高さのばらつきとして選定した値±Δ
α、±Δβは、各個の被ボンデイング体の部品精
度や組立精度などを基にして行なつているため、
それぞれの被ボンデイング体間のボンデイング高
さのばらつきがなくなり、小さな値となつている
ことによる。
にかかる超音波ワイヤボンデイング法は、ウエツ
ジの低速下降時間（第４図におけるT1′，T2′）が
短時間となるため、ウエツジ上下動作時間が非常
に短かくなり、ハイスピードなボンデイングがで
きる。これは、個々の被ボンデイング体に対し、
あらかじめウエツジの下降する基準位置Dal，
dfmを測定しておき、これを基にしてウエツジの
パツド電極及びリードに対して下降する際の低速
下降動作範囲を決めていることによる。また、ウ
エツジの高さのばらつきとして選定した値±Δ
α、±Δβは、各個の被ボンデイング体の部品精
度や組立精度などを基にして行なつているため、
それぞれの被ボンデイング体間のボンデイング高
さのばらつきがなくなり、小さな値となつている
ことによる。
すなわち、本発明にかかわる超音波ワイヤボン
デイング法では、第４図ｂに示すように、パツド
電極２２ａとそれに対応するリード２４ａとのワ
イヤボンデイングに要する時間は従来と同じくt1
であるが、パツド電極２２ｂ，２２ｃ，……，２
２ｎとそれに対応するリード２４ｂ，２４ｃ，…
…，２４ｎとのワイヤボンデイングに要する時間
は、（ｎ―１）t2であり、結局、１個の被ボンデ
イング体にワイヤボンデイングするに要する時間
はt1＋（ｎ―１）t2である。一方、従来の方式での
１個の被ボンデイング体にワイヤボンデイングす
るに要する時間はnt1である。したがつて、本発
明は、１個の被ボンデイング体にワイヤボンデイ
ングするに要する時間を従来方式のものに比較し
てnt1―｛t1＋（ｎ―１）t2｝＝（ｎ―１）（t1―t2）
だ
け短縮することができ、前述したようにT1＋T2
≫T1′＋T2′であることよりt1≫t2となり、大幅に
ワイヤボンデイング時間を本発明は短かくでき、
ハイスピードなワイヤボンデイングができるもの
である。
デイング法では、第４図ｂに示すように、パツド
電極２２ａとそれに対応するリード２４ａとのワ
イヤボンデイングに要する時間は従来と同じくt1
であるが、パツド電極２２ｂ，２２ｃ，……，２
２ｎとそれに対応するリード２４ｂ，２４ｃ，…
…，２４ｎとのワイヤボンデイングに要する時間
は、（ｎ―１）t2であり、結局、１個の被ボンデ
イング体にワイヤボンデイングするに要する時間
はt1＋（ｎ―１）t2である。一方、従来の方式での
１個の被ボンデイング体にワイヤボンデイングす
るに要する時間はnt1である。したがつて、本発
明は、１個の被ボンデイング体にワイヤボンデイ
ングするに要する時間を従来方式のものに比較し
てnt1―｛t1＋（ｎ―１）t2｝＝（ｎ―１）（t1―t2）
だ
け短縮することができ、前述したようにT1＋T2
≫T1′＋T2′であることよりt1≫t2となり、大幅に
ワイヤボンデイング時間を本発明は短かくでき、
ハイスピードなワイヤボンデイングができるもの
である。
次に、本発明にかかる超音波ワイヤボンダにつ
いて説明する。
いて説明する。
第５図は本発明の一実施例である超音波ワイヤ
ボンダを示す概略図であり、特にウエツジの上下
動作機構部を示す図である。図において、１はボ
ンデイング用端子であるウエツジで、ボンデイン
グワイヤであるアルミニウム線２がウエツジ先端
に導びかれている。３は超音波振動子が接続され
ているホーンであり、ホーン支持具４を通してカ
ム５の回転により上下動し、ウエツジを上下動さ
せるものである。
ボンダを示す概略図であり、特にウエツジの上下
動作機構部を示す図である。図において、１はボ
ンデイング用端子であるウエツジで、ボンデイン
グワイヤであるアルミニウム線２がウエツジ先端
に導びかれている。３は超音波振動子が接続され
ているホーンであり、ホーン支持具４を通してカ
ム５の回転により上下動し、ウエツジを上下動さ
せるものである。
６はカム５を回転させる駆動モータである。７
はウエツジを前後左右に移動させるXYテーブル
であり、８は被ボンデイング体、９は被ボンデイ
ング体８を支持する支持台である。
はウエツジを前後左右に移動させるXYテーブル
であり、８は被ボンデイング体、９は被ボンデイ
ング体８を支持する支持台である。
１０はウエツジ着地検出器で、ホーン支持具４
と電気的に絶縁されたレバー１１に電気接続され
ており、ウエツジ１が下降して被ボンデイング体
８に接触した際、レバー１１がアースされたカム
から離れ、レバー電圧が上がることにより、ウエ
ツジ１が被ボンデイング体８に着地（接触）した
際の状態を検出しうるものである。
と電気的に絶縁されたレバー１１に電気接続され
ており、ウエツジ１が下降して被ボンデイング体
８に接触した際、レバー１１がアースされたカム
から離れ、レバー電圧が上がることにより、ウエ
ツジ１が被ボンデイング体８に着地（接触）した
際の状態を検出しうるものである。
カム５は第７図に示すようなカム線図をもつも
ので、回転角とカムリフトとの関係が線型のもの
を使用している。
ので、回転角とカムリフトとの関係が線型のもの
を使用している。
また、このワイヤボンダは、第６図に示すよう
な制御機構部を備えている。この制御機構部は、
ウエツジの上下動作速度及び移動量を制御しうる
もので、モータ６と、このモータ６に直結してい
るロータリエンコーダ（回転角度を検出するも
の）１２及びタコジエネレータ（回転速度を検出
するもの）１３とをメカニカルなものとして有
し、これを制御する電気回路すなわち回転角度の
指令データを記憶しうるメモリ回路１４、回転角
度判定回路１５、速度制御回路１６、モータのド
ライバ回路１７、ウエツジをボンデイング時など
に適宜停止させうるタイマ１８を主要素として構
成されているものである。
な制御機構部を備えている。この制御機構部は、
ウエツジの上下動作速度及び移動量を制御しうる
もので、モータ６と、このモータ６に直結してい
るロータリエンコーダ（回転角度を検出するも
の）１２及びタコジエネレータ（回転速度を検出
するもの）１３とをメカニカルなものとして有
し、これを制御する電気回路すなわち回転角度の
指令データを記憶しうるメモリ回路１４、回転角
度判定回路１５、速度制御回路１６、モータのド
ライバ回路１７、ウエツジをボンデイング時など
に適宜停止させうるタイマ１８を主要素として構
成されているものである。
したがつて、この制御機構部は、メモリ１４に
制御用カム５の回転角に対応させたウエツジ１の
上下動作速度及び移動量を記憶させておけば、そ
のメモリ１４からの指令どおりにモータ６を回転
させ、それに対応してカム５を回転させてウエツ
ジ１を所望の高速下降速度、低速下降速度、上昇
速度をもつて上下動させ、タイマ１８を通してウ
エツジ１の動作の停止を行なわしめうるものであ
る。
制御用カム５の回転角に対応させたウエツジ１の
上下動作速度及び移動量を記憶させておけば、そ
のメモリ１４からの指令どおりにモータ６を回転
させ、それに対応してカム５を回転させてウエツ
ジ１を所望の高速下降速度、低速下降速度、上昇
速度をもつて上下動させ、タイマ１８を通してウ
エツジ１の動作の停止を行なわしめうるものであ
る。
この種の超音波ワイヤボンダの動作について第
２図ａ〜ｂに示す被ボンデイング体にワイヤボン
デイングする態様について順を追つて説明する。
２図ａ〜ｂに示す被ボンデイング体にワイヤボン
デイングする態様について順を追つて説明する。
(1) ウエツジ１の低速下降時間T1，T2に余裕を
もつて設定したウエツジ１の上下動（第３図参
照）によつて、半導体ペレツト２２のパツド電
極２２ａとそのパツド電極２２ａに対応するリ
ード２４ａをアルミニウム線２で相互接続す
る。この場合、ウエツジ１の低速下降時間
T1，T2に余裕をもたせるのは、この時点にお
いて、パツド電極２２ａ及びリード２４ａの位
置が明確にわかつていないためである。
もつて設定したウエツジ１の上下動（第３図参
照）によつて、半導体ペレツト２２のパツド電
極２２ａとそのパツド電極２２ａに対応するリ
ード２４ａをアルミニウム線２で相互接続す
る。この場合、ウエツジ１の低速下降時間
T1，T2に余裕をもたせるのは、この時点にお
いて、パツド電極２２ａ及びリード２４ａの位
置が明確にわかつていないためである。
このワイヤボンデイング時、ウエツジ１が下
降してパツド電極２２ａに接触したことをウエ
ツジ着地検出器１０より検出し、この時のロー
タリエンコーダ１２の出力を制御部内部のメモ
リ１４に記憶させる。また、同じく、ウエツジ
１が下降してリード２２ａに接触したことをウ
エツジ着地検出器１０により検出し、この時の
ロータリエンコーダ１２の出力を制御部内部の
メモリ１４に記憶させる。
降してパツド電極２２ａに接触したことをウエ
ツジ着地検出器１０より検出し、この時のロー
タリエンコーダ１２の出力を制御部内部のメモ
リ１４に記憶させる。また、同じく、ウエツジ
１が下降してリード２２ａに接触したことをウ
エツジ着地検出器１０により検出し、この時の
ロータリエンコーダ１２の出力を制御部内部の
メモリ１４に記憶させる。
この情報は、ウエツジが下降してパツド電極
２２ａに着地するまでの距離Dalを測定するこ
とと、パツド電極２２ａにワイヤボンデイング
したのち、停止状態下のウエツジ１が再び下降
してリード２４ａに着地するまでの距離Dfmを
測定することに相当する。
２２ａに着地するまでの距離Dalを測定するこ
とと、パツド電極２２ａにワイヤボンデイング
したのち、停止状態下のウエツジ１が再び下降
してリード２４ａに着地するまでの距離Dfmを
測定することに相当する。
(2) 個々のパツド電極２２ａ，２２ｂ，……，２
２ｎの相互の位置のばらつきの値±Δα及び
個々のリード２４ａ，２４ｂ，……，２４ｎの
相互の位置のばらつきの値±Δβを被ボンデイ
ング体の部品精度や組立精度などを基にして選
定する。そして、ウエツジ１がパツド電極に対
して下降する際の低速動作範囲をウエツジの高
さにしてDalの位置を中心として±Δαの領域
と規定し、ウエツジ１がリードに対して下降す
る際の低速動作範囲をウエツジの高さにして
Dfmの位置を中心として±Δβの領域と規定
し、この規定にもとづいたウエツジ１の上下動
作プロフイルを決め、これを制御部のメモリ回
路に記憶させる。このプロフイルを図示したも
のが第４図ａである。
２ｎの相互の位置のばらつきの値±Δα及び
個々のリード２４ａ，２４ｂ，……，２４ｎの
相互の位置のばらつきの値±Δβを被ボンデイ
ング体の部品精度や組立精度などを基にして選
定する。そして、ウエツジ１がパツド電極に対
して下降する際の低速動作範囲をウエツジの高
さにしてDalの位置を中心として±Δαの領域
と規定し、ウエツジ１がリードに対して下降す
る際の低速動作範囲をウエツジの高さにして
Dfmの位置を中心として±Δβの領域と規定
し、この規定にもとづいたウエツジ１の上下動
作プロフイルを決め、これを制御部のメモリ回
路に記憶させる。このプロフイルを図示したも
のが第４図ａである。
(3) メモリ回路から前記したウエツジ上下動作プ
ロフイルに従つた信号を出力すると、モータ６
がそれに従つた回転を行なう。この動作によつ
てウエツジ１を上下動させ、順次、パツド電極
２２ｂ，２２ｃ，……２２ｎとその電極に対応
するリード２４ｂ，２４ｃ，……，２４ｎとを
アルミニウム線によりワイヤボンデイングする
ことにより、１つのセラミツクパツケージすな
わち１個の被ワイヤボンデイング体のワイヤボ
ンデイングを終了させる。
ロフイルに従つた信号を出力すると、モータ６
がそれに従つた回転を行なう。この動作によつ
てウエツジ１を上下動させ、順次、パツド電極
２２ｂ，２２ｃ，……２２ｎとその電極に対応
するリード２４ｂ，２４ｃ，……，２４ｎとを
アルミニウム線によりワイヤボンデイングする
ことにより、１つのセラミツクパツケージすな
わち１個の被ワイヤボンデイング体のワイヤボ
ンデイングを終了させる。
(4) 続いて、順次各被ワイヤボンデイング体にワ
イヤボンデイングする際には、前記した(1)〜(3)
の操作をとつて行なう。
イヤボンデイングする際には、前記した(1)〜(3)
の操作をとつて行なう。
上述したことからあきらかのように、本発明に
かかる超音波ワイヤボンダは、下記するような諸
特長をもつものである。
かかる超音波ワイヤボンダは、下記するような諸
特長をもつものである。
(1) ウエツジの上下動作は、メモリ回路に記憶さ
せるウエツジの上下動作プロフイルにより容易
に変更できる。
せるウエツジの上下動作プロフイルにより容易
に変更できる。
(2) ウエツジの上下動作はメモリ回路に記憶させ
る情報の交換だけでよく、したがつて容易にそ
れを変更できることから、１台のボンダで種々
の態様のボンデイングを行なうことができる。
る情報の交換だけでよく、したがつて容易にそ
れを変更できることから、１台のボンダで種々
の態様のボンデイングを行なうことができる。
(3) 実施例にかかるワイヤボンデイング法に則つ
たワイヤボンデイングができ、そのワイヤボン
デイング操作を自動化できる。
たワイヤボンデイングができ、そのワイヤボン
デイング操作を自動化できる。
(4) 実施例にかかるワイヤボンデイング法に則つ
たワイヤボンデイングができるため、高速度ワ
イヤボンデイングができる。
たワイヤボンデイングができるため、高速度ワ
イヤボンデイングができる。
本発明は、超音波ワイヤボンデイング方式に限
定されず、熱圧着法などによるワイヤボンデイン
グ方式にも適用できる。
定されず、熱圧着法などによるワイヤボンデイン
グ方式にも適用できる。
第１図ａ〜ｂは従来の超音波ワイヤボンデイン
グ方式におけるウエツジの上下動作プロフイルを
示す図、第２図ａ〜ｂは被ボンデイング体の一種
であるセラミツクパツケージを示す図で、同図ａ
は平面図、同図ｂは同図ａのAA′矢視縦断面図、
第３図乃至第４図ａ〜ｂは本発明にかかるウエツ
ジの上下動作プロフイルを示す図、第５図〜第６
図は本発明にかかる超音波ワイヤボンダを示す概
略図、第７図は本発明にかかるカムのカム線図で
ある。 １……ウエツジ、２……アルミニウム線、３…
…ホーン、４……ホーン支持具、５……カム、６
……モータ、７……XYテーブル、８……被ボン
デイング体、９……支持台、１０……ウエツジ着
地検出器、１１……レバー、１２……ロータリエ
ンコーダ、１３……タコジエネレータ、１４……
メモリ回路、１５……回転角度判定回路、１６…
…速度制御回路、１７……モータのドライバ回
路、１８……タイマ。
グ方式におけるウエツジの上下動作プロフイルを
示す図、第２図ａ〜ｂは被ボンデイング体の一種
であるセラミツクパツケージを示す図で、同図ａ
は平面図、同図ｂは同図ａのAA′矢視縦断面図、
第３図乃至第４図ａ〜ｂは本発明にかかるウエツ
ジの上下動作プロフイルを示す図、第５図〜第６
図は本発明にかかる超音波ワイヤボンダを示す概
略図、第７図は本発明にかかるカムのカム線図で
ある。 １……ウエツジ、２……アルミニウム線、３…
…ホーン、４……ホーン支持具、５……カム、６
……モータ、７……XYテーブル、８……被ボン
デイング体、９……支持台、１０……ウエツジ着
地検出器、１１……レバー、１２……ロータリエ
ンコーダ、１３……タコジエネレータ、１４……
メモリ回路、１５……回転角度判定回路、１６…
…速度制御回路、１７……モータのドライバ回
路、１８……タイマ。
Claims (1)
- １ ボンデイング用端子が被ボンデイング面に接
触したことを検出するボンデイング用端子着地検
出器と、前記検出器による検出結果と被ボンデイ
ング面の位置のばらつきとに基づいて前記ボンデ
イング用端子の上下動作の下降速度を制御する制
御部とを有することを特徴とするワイヤボンダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212495A JPS6193638A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ワイヤホンダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212495A JPS6193638A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ワイヤホンダ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4902779A Division JPS55141736A (en) | 1979-04-23 | 1979-04-23 | Method for wirebonding and wirebonder |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193638A JPS6193638A (ja) | 1986-05-12 |
| JPS6224942B2 true JPS6224942B2 (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=16623602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212495A Granted JPS6193638A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ワイヤホンダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193638A (ja) |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60212495A patent/JPS6193638A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6193638A (ja) | 1986-05-12 |
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