JPS62256241A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS62256241A JPS62256241A JP61096949A JP9694986A JPS62256241A JP S62256241 A JPS62256241 A JP S62256241A JP 61096949 A JP61096949 A JP 61096949A JP 9694986 A JP9694986 A JP 9694986A JP S62256241 A JPS62256241 A JP S62256241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- recording
- recording medium
- substrate
- information recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
情報記録媒体に関し、特に小さい元エネルギーにて情報
全記録″Ｔることができ石記録薄膜に関するｒ照射し、
記録薄膜ケ構成する材料の非晶質−結晶質転移による反
射率変化會成起せしめ、情報を記録する方法が知られて
いえ。この記録膜材料としてはテルル低級酸化物ＴｅＯ
ｘ （０＜ｘ＜ ２ ）や三七レン化アンチモンｓｂに
Ｓｅｓが知られていえが、光ビーム照射前後の反射率変
化量が小さかったり、光エネルギー吸収層？積層丁え必
要かあＺ等の欠点がある。不出願人は、先にか＼え欠点
會解消丁を材料としてテルル化ゲルマニウムＧｅＴｅ薄
膜ケ％願昭５９−１３７４５号により提案した。ＱｅＴ
ｅは元ビーム照射前後の反射率変化量が太きくしかも単
層で記録膜を構成で＠る利点かを）乙が、非晶質−結晶
質転移音生じさせえには該薄膜を４４０’に以上になＺ
よう元エネルギーケ与ええ必要があった０そのため高感
度記録、例えばビデオ信号ケ災時間で記録子え際には、
元ビーム装置は高出力のものが必要小さい元エネルギー
にて情報ケ記録再生丁えことのできｚ光情報記録媒体ケ
提供′Ｔとこと７目的とするもので、その特徴は記録薄
膜がＧｅ、Ｐｂ及びＴｅ ｋ主成分と丁４金属薄膜であ
りＧｅ、 Ｐｂ及びＴｅがＧｅ、−ｚＰｂｘＴｅ （０
＜ｘ≦０，５）なる組成（アトミツ以下実施例に便って
詳細にＨＦＩ男丁４０光情報記録媒体に使用さｔ″Ｌる
基板は熱伝導度が小さく、該基板表面が平滑でキズが少
ないことが必要で、又例えば光ビームな基板ケ通して記
録薄膜に照射丁４４合は該元ビームに対して透過性でな
ければならない。このような基板にはへ己録再生１／−
ザー元に対し透明な合成樹脂、例えばポリメチルメタク
リレート、ポリカルボネート、ポリ塩化ビニル、ポリス
ルホンなどや、ガラスが用いられえ。
全記録″Ｔることができ石記録薄膜に関するｒ照射し、
記録薄膜ケ構成する材料の非晶質−結晶質転移による反
射率変化會成起せしめ、情報を記録する方法が知られて
いえ。この記録膜材料としてはテルル低級酸化物ＴｅＯ
ｘ （０＜ｘ＜ ２ ）や三七レン化アンチモンｓｂに
Ｓｅｓが知られていえが、光ビーム照射前後の反射率変
化量が小さかったり、光エネルギー吸収層？積層丁え必
要かあＺ等の欠点がある。不出願人は、先にか＼え欠点
會解消丁を材料としてテルル化ゲルマニウムＧｅＴｅ薄
膜ケ％願昭５９−１３７４５号により提案した。ＱｅＴ
ｅは元ビーム照射前後の反射率変化量が太きくしかも単
層で記録膜を構成で＠る利点かを）乙が、非晶質−結晶
質転移音生じさせえには該薄膜を４４０’に以上になＺ
よう元エネルギーケ与ええ必要があった０そのため高感
度記録、例えばビデオ信号ケ災時間で記録子え際には、
元ビーム装置は高出力のものが必要小さい元エネルギー
にて情報ケ記録再生丁えことのできｚ光情報記録媒体ケ
提供′Ｔとこと７目的とするもので、その特徴は記録薄
膜がＧｅ、Ｐｂ及びＴｅ ｋ主成分と丁４金属薄膜であ
りＧｅ、 Ｐｂ及びＴｅがＧｅ、−ｚＰｂｘＴｅ （０
＜ｘ≦０，５）なる組成（アトミツ以下実施例に便って
詳細にＨＦＩ男丁４０光情報記録媒体に使用さｔ″Ｌる
基板は熱伝導度が小さく、該基板表面が平滑でキズが少
ないことが必要で、又例えば光ビームな基板ケ通して記
録薄膜に照射丁４４合は該元ビームに対して透過性でな
ければならない。このような基板にはへ己録再生１／−
ザー元に対し透明な合成樹脂、例えばポリメチルメタク
リレート、ポリカルボネート、ポリ塩化ビニル、ポリス
ルホンなどや、ガラスが用いられえ。
１膜ｇ報記録薄膜は前記基板上に接して設けえこともで
きるが、前記基板上に低熱云導物質からなる熱遮断性薄
膜、前記基板上に存在丁乙キズヶ除去丁４高分子塗膜又
は元ビーム反射性薄膜ケ介して設けることもできる。金
属記録薄膜は公知の技術、例えば真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング等によって前記基板上に被
着させることができる。
きるが、前記基板上に低熱云導物質からなる熱遮断性薄
膜、前記基板上に存在丁乙キズヶ除去丁４高分子塗膜又
は元ビーム反射性薄膜ケ介して設けることもできる。金
属記録薄膜は公知の技術、例えば真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング等によって前記基板上に被
着させることができる。
不実施例においては前記記録薄膜は真空蒸着法にて基板
上に被着させた。真空蒸着法によりＧｅ）’ＸＰｂｘＴ
ｅ （μ下ＧｅＰｂＴｅと記載する場合もある）合金薄
膜？作製−ヨ乙にはＧｅＰｂＴｅ合金ケ蒸発源と−ｆｌ
−元蒸発法あるいはＧｅＴｅ ５ＰｂＴｅ ’ｌｉ蒸発
源とする二元同時蒸楕法ケ用いにとができ手発明にはい
ずｎも有効であった。
上に被着させた。真空蒸着法によりＧｅ）’ＸＰｂｘＴ
ｅ （μ下ＧｅＰｂＴｅと記載する場合もある）合金薄
膜？作製−ヨ乙にはＧｅＰｂＴｅ合金ケ蒸発源と−ｆｌ
−元蒸発法あるいはＧｅＴｅ ５ＰｂＴｅ ’ｌｉ蒸発
源とする二元同時蒸楕法ケ用いにとができ手発明にはい
ずｎも有効であった。
一元蒸発法に用いられ乙合金は以下のように作製した純
度９９．９９％以上のＧｅ、Ｐｂ及びＴｅ ’＜所望の
合金組成とな餐よう秤量し、石英ガラス管内に人九↓）
−空封止ｒ行った。この石英ガラス管ｉ １００ｏｐＣ
，５時間加熱の後急冷してＧｅＰｂＴｅ合金會得た。
度９９．９９％以上のＧｅ、Ｐｂ及びＴｅ ’＜所望の
合金組成とな餐よう秤量し、石英ガラス管内に人九↓）
−空封止ｒ行った。この石英ガラス管ｉ １００ｏｐＣ
，５時間加熱の後急冷してＧｅＰｂＴｅ合金會得た。
ＧｅＰｂＴｅ合金は、抵抗加熱法、亀子ビーム加熱法い
ずれの方法によっても蒸発させとことができる。
ずれの方法によっても蒸発させとことができる。
なお蒸発源合金組成と薄膜合金組成との差異は抵抗加熱
法において少し認められたので、このことｒ”Ｊ慮して
前記合金組成ケ変化をせ府ことによシ所望の合金組成ケ
持つＧｅＰｂＴｅ薄膜ケ得こことかで＠Ｚ〇一方市子ビ
ーム加熱法においては蒸発源合金組成と薄１摸合金組成
との差異は認めらｎなかつ７’ｎ。
法において少し認められたので、このことｒ”Ｊ慮して
前記合金組成ケ変化をせ府ことによシ所望の合金組成ケ
持つＧｅＰｂＴｅ薄膜ケ得こことかで＠Ｚ〇一方市子ビ
ーム加熱法においては蒸発源合金組成と薄１摸合金組成
との差異は認めらｎなかつ７’ｎ。
次に記１図は二元同時蒸発法ケ示す図で真空槽１１の中
に回転子２居板ホルダー１２が設けられておシその下方
に基板１３會嘔り付ける。基板１３の下方にｌｄ蒸発源
１４および１５がありそれぞｎ、にＧｅＴｅおよびＰｂ
Ｔｅが斜線の如く充填されＺＯ蒸発源１４および１５は
独立に制御可能な電源１６および１７會有し、蒸発源１
４および１５に供給式れ１７１カケ変化させえととによ
り、作製されｌ ＧｅＰｂＴｅ薄膜中のＧｅとｐｂの比
を変化させ所望の合金組成ケもつＧｅＰｂＴｅ薄膜會得
た。なお合金組成定量は螢光Ｘ線分析装置ケ使用して行
った。
に回転子２居板ホルダー１２が設けられておシその下方
に基板１３會嘔り付ける。基板１３の下方にｌｄ蒸発源
１４および１５がありそれぞｎ、にＧｅＴｅおよびＰｂ
Ｔｅが斜線の如く充填されＺＯ蒸発源１４および１５は
独立に制御可能な電源１６および１７會有し、蒸発源１
４および１５に供給式れ１７１カケ変化させえととによ
り、作製されｌ ＧｅＰｂＴｅ薄膜中のＧｅとｐｂの比
を変化させ所望の合金組成ケもつＧｅＰｂＴｅ薄膜會得
た。なお合金組成定量は螢光Ｘ線分析装置ケ使用して行
った。
第２図実線２１は、Ｇｅ□−ｘＰｂｘ、Ｔｅ合金薄膜に
おいて種々のＸの値の薄膜ケ作製し非結晶−結晶、転移
点塗測定した結果であえ。測定はガラス基板上にＧｅＰ
ｂＴｅ合金薄膜會被着させた試料會加熱し、薄膜の反射
率あえいは透過率の光学的性質が大きく変化する点を転
移点とした。又、第２図実ｆｉ！２２は、基板上に被着
されたＧｏ、−ｘＰｂｘＴｅ＃膜に、波長λ＝８３０
ｎｍの半導体レーザー′ｙｔ、ｋ ２０Ｏｎｓ間照射し
たの相対値ケ示す。＜ｉ ２図に見られるとと＜ Ｇｅ
ｚ−エＰｂｘＴｅ ’ＡＮ膜はＧｅＴｅ ４膜に比較
するならば、Ｇｅ１゜ＰｂｘＴｅ Ｈｌ ：庚申のＸの
値が太きくなＺにっ粗非結晶−請晶転移点が下が〃、例
えばｘ ＝ ０．２で３９４０Ｋ 。
おいて種々のＸの値の薄膜ケ作製し非結晶−結晶、転移
点塗測定した結果であえ。測定はガラス基板上にＧｅＰ
ｂＴｅ合金薄膜會被着させた試料會加熱し、薄膜の反射
率あえいは透過率の光学的性質が大きく変化する点を転
移点とした。又、第２図実ｆｉ！２２は、基板上に被着
されたＧｏ、−ｘＰｂｘＴｅ＃膜に、波長λ＝８３０
ｎｍの半導体レーザー′ｙｔ、ｋ ２０Ｏｎｓ間照射し
たの相対値ケ示す。＜ｉ ２図に見られるとと＜ Ｇｅ
ｚ−エＰｂｘＴｅ ’ＡＮ膜はＧｅＴｅ ４膜に比較
するならば、Ｇｅ１゜ＰｂｘＴｅ Ｈｌ ：庚申のＸの
値が太きくなＺにっ粗非結晶−請晶転移点が下が〃、例
えばｘ ＝ ０．２で３９４０Ｋ 。
ｘ ＝ ０．４で３３００にとなシ、情報？記録するに
必要な元エネルギーはｘ ＝ ０．２のとき７５チ、ｘ
＝０．４のときは４０％であり、ＧｅＴｅＲ膜に比しそ
れぞｎ３３チ、６０％の光エネルギー全節約でき乙。
必要な元エネルギーはｘ ＝ ０．２のとき７５チ、ｘ
＝０．４のときは４０％であり、ＧｅＴｅＲ膜に比しそ
れぞｎ３３チ、６０％の光エネルギー全節約でき乙。
不実施例においてはＧｅＰｂＴｅａ金薄膜は真空蒸着法
にて作製されたが、該ＧｅＰｂＴｅ Ｎ ＦＪは真空蒸
着法に限らず公知の技術であるスパッタリング法で作製
しても同様の結果が得らｊた。ただし、この場合ＧｅＰ
ｂＴｅ薄膜の非結晶−結晶転移点は、真空蒸着法に比し
てＧｅ１−ＸＰｂｘＴｅ薄膜中のＸの値にか＼わらず２
０〜４０°Ｋ ４ ＜なった。しかしスパッタ法により
作邊メしたＧｅＴｅ薄膜の転移点は４８０’にであった
ので、Ｇｅ 、−ＸＰｂｘＴｅ薄膜の転移点はＸの値に
か＼わらずＧｅＴｅ薄膜の転移点より低く、ｘの値の増
大と共に転移点が下がる効果は真空蒸着が：、ケ用いた
前ｊ４己実施例と同じでを）つた。又、前記実施例は元
ビームとして半導体レーザーケ用いたが、光ビームは半
導体レーザーに限定されることな（、Ｈｅ −Ｎｅレー
ザ、Ａｒレーザー等のレーザー元、キャノンランプ、タ
ングステンランプヶ用いえことができる。なぜならＧｅ
ＰｂＴｅ薄膜はＧｅＴｅ薄膜と同様に光学的性質の波長
依存性がゆＺやかて、該薄膜の膜厚全記録光ビーム波長
に応じて最適化できるからであえ。
にて作製されたが、該ＧｅＰｂＴｅ Ｎ ＦＪは真空蒸
着法に限らず公知の技術であるスパッタリング法で作製
しても同様の結果が得らｊた。ただし、この場合ＧｅＰ
ｂＴｅ薄膜の非結晶−結晶転移点は、真空蒸着法に比し
てＧｅ１−ＸＰｂｘＴｅ薄膜中のＸの値にか＼わらず２
０〜４０°Ｋ ４ ＜なった。しかしスパッタ法により
作邊メしたＧｅＴｅ薄膜の転移点は４８０’にであった
ので、Ｇｅ 、−ＸＰｂｘＴｅ薄膜の転移点はＸの値に
か＼わらずＧｅＴｅ薄膜の転移点より低く、ｘの値の増
大と共に転移点が下がる効果は真空蒸着が：、ケ用いた
前ｊ４己実施例と同じでを）つた。又、前記実施例は元
ビームとして半導体レーザーケ用いたが、光ビームは半
導体レーザーに限定されることな（、Ｈｅ −Ｎｅレー
ザ、Ａｒレーザー等のレーザー元、キャノンランプ、タ
ングステンランプヶ用いえことができる。なぜならＧｅ
ＰｂＴｅ薄膜はＧｅＴｅ薄膜と同様に光学的性質の波長
依存性がゆＺやかて、該薄膜の膜厚全記録光ビーム波長
に応じて最適化できるからであえ。
杢発明においてＧｅニーｘＰｂｘＴｅ合金薄膜の組成孕
ＯくＸ≦０．５とした理由は以下の通ってあえ。Ｇｅ
ｚ ｘＰｂｘＴｅ合金薄膜においてＸが大きくなるにつ
れ該薄膜の非結晶−結晶転移温度は低くなりｘ ＝ ０
．５のときには該転移点は３１０°にとなつ室温よりわ
ずかに高いが、ｘ ） ０．５のときは、作製した上記
合金薄膜は室温にて丁でに結晶質に転移してい４ことに
なり、ｆ＃報？記録することができなくなるからである
。従って周囲温度が室温より高くな乙可能性があと＠合
は、転移温度會例えば３５００に程度に設定Ｔ１げよぐ
、この為にば０ ＜ｘ≦０．３５とすれば以上評述した
ｘ′）に、奉拝と１俵−樹坏ｔに序数３れた薄膜ケ有し
、該薄膜へ元ビームヶ照射し情報全記録すＺ光情報記録
媒体において、上記薄膜がＧｅＸＰｂ及びＴｅ″Ｉｆ：
主成分とする薄膜であり、該Ｇｅ、 Ｐｂ、 Ｔｏ
は、Ｇｅ、ｘＰｂｘＴｅ （０＜ｘ≦０，５）な々組
成でろ２ことケ特徴とすえ光情報記録媒体は小さ々光エ
ネルギーにて１責報ケ記録することができ、安価な記録
再生装置にて高感度記録ケ実現丁乙ことができえ。
ＯくＸ≦０．５とした理由は以下の通ってあえ。Ｇｅ
ｚ ｘＰｂｘＴｅ合金薄膜においてＸが大きくなるにつ
れ該薄膜の非結晶−結晶転移温度は低くなりｘ ＝ ０
．５のときには該転移点は３１０°にとなつ室温よりわ
ずかに高いが、ｘ ） ０．５のときは、作製した上記
合金薄膜は室温にて丁でに結晶質に転移してい４ことに
なり、ｆ＃報？記録することができなくなるからである
。従って周囲温度が室温より高くな乙可能性があと＠合
は、転移温度會例えば３５００に程度に設定Ｔ１げよぐ
、この為にば０ ＜ｘ≦０．３５とすれば以上評述した
ｘ′）に、奉拝と１俵−樹坏ｔに序数３れた薄膜ケ有し
、該薄膜へ元ビームヶ照射し情報全記録すＺ光情報記録
媒体において、上記薄膜がＧｅＸＰｂ及びＴｅ″Ｉｆ：
主成分とする薄膜であり、該Ｇｅ、 Ｐｂ、 Ｔｏ
は、Ｇｅ、ｘＰｂｘＴｅ （０＜ｘ≦０，５）な々組
成でろ２ことケ特徴とすえ光情報記録媒体は小さ々光エ
ネルギーにて１責報ケ記録することができ、安価な記録
再生装置にて高感度記録ケ実現丁乙ことができえ。
、、Ａ１図１ｍ−１４：発明光情報記録媒体ケ作製丁と
装置の１例ケ示し、第２図は杢発明によ２記録媒体の組
成と非晶質−結晶質転移点及び記＠光エネルギーの関係
ケ示す図であえ。 １１・・・真空槽 １３・・・基板１４．１５・・
・蒸発源
装置の１例ケ示し、第２図は杢発明によ２記録媒体の組
成と非晶質−結晶質転移点及び記＠光エネルギーの関係
ケ示す図であえ。 １１・・・真空槽 １３・・・基板１４．１５・・
・蒸発源
Claims (1)
- 基体と該基体上に形成された薄膜を有し、該薄膜へ光ビ
ームを照射し情報を記録する光情報記録媒体において、
上記薄膜がゲルマニウム、鉛、テルルを主成分としＧｅ
＿１＿−＿ｘＰｂ＿ｘＴｅ（０＜ｘ≦０．５）なる組成
であることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61096949A JPS62256241A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61096949A JPS62256241A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256241A true JPS62256241A (ja) | 1987-11-07 |
| JPH0444330B2 JPH0444330B2 (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=14178547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61096949A Granted JPS62256241A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62256241A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61217287A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-26 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP61096949A patent/JPS62256241A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61217287A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-26 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0444330B2 (ja) | 1992-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |