JPS62256510A - 表面弾性波デバイスの製造方法 - Google Patents
表面弾性波デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPS62256510A JPS62256510A JP61099658A JP9965886A JPS62256510A JP S62256510 A JPS62256510 A JP S62256510A JP 61099658 A JP61099658 A JP 61099658A JP 9965886 A JP9965886 A JP 9965886A JP S62256510 A JPS62256510 A JP S62256510A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- film thickness
- Prior art date
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は映像機器９通信機器等に用いられる表面弾性波
デバイスの製造方法に関するものである。
デバイスの製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、機器の高周波化に伴い表面弾性波デバイスが使用
されることが多くなってきているが、さらに高性能化へ
の要望が高まってきている。
されることが多くなってきているが、さらに高性能化へ
の要望が高まってきている。
従来、この種の表面弾性波デバイスは、第３図に示すよ
うな構成であった。第３図において、圧電基板１上に櫛
形電極２あるいは櫛形電極２と反射電極３をフォトエツ
チングにより形成して、フィルタあるいは共振子を得て
いたものであった。
うな構成であった。第３図において、圧電基板１上に櫛
形電極２あるいは櫛形電極２と反射電極３をフォトエツ
チングにより形成して、フィルタあるいは共振子を得て
いたものであった。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の櫛形電極と反射電極を有する表面弾性
波デバイスでは１反射電極は表面弾性波を効率良く反射
させるために、ある程度以上の電極膜厚を必要とする。
波デバイスでは１反射電極は表面弾性波を効率良く反射
させるために、ある程度以上の電極膜厚を必要とする。
一方、櫛形電極の方は電極指の電気抵抗がある程度以下
になれば、電極膜厚が薄いほど電極内の反射が少なくな
り、周波数特性が良くなる。しかしながら、従来のフォ
トエツチングによる電極形成方法では、櫛形電極と反射
電極の膜厚が同じになるため、櫛形電接１及射電極とも
最適の膜厚にすることはできなかった。
になれば、電極膜厚が薄いほど電極内の反射が少なくな
り、周波数特性が良くなる。しかしながら、従来のフォ
トエツチングによる電極形成方法では、櫛形電極と反射
電極の膜厚が同じになるため、櫛形電接１及射電極とも
最適の膜厚にすることはできなかった。
本発明はこのような問題点を解決するもので。
反射電極の膜厚を櫛形電極の膜厚より厚くして、それぞ
れの最適の膜厚を得ることにより、優れた特性の光面弾
性波デバイスを得ることを目的とするものである。
れの最適の膜厚を得ることにより、優れた特性の光面弾
性波デバイスを得ることを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この目的を達成するだめに本発明の表面弾性波デバイス
の製造方法は、圧電基板上に櫛形電極と反射電極を設け
た後、電解メッキにより反射電極の上にだけ下地金属と
同種あるいは異種の金属を付着させるという方法をとる
ものである。
の製造方法は、圧電基板上に櫛形電極と反射電極を設け
た後、電解メッキにより反射電極の上にだけ下地金属と
同種あるいは異種の金属を付着させるという方法をとる
ものである。
作用
以上のようにして作製される表面弾性波デバイスの製造
方法では、櫛形電極と反射電極の電極膜厚を別々にする
ことができるので、それぞれ最適の膜厚にすることがで
き、優れた特性の表面弾性波デバイスを得ることができ
ることとなる。
方法では、櫛形電極と反射電極の電極膜厚を別々にする
ことができるので、それぞれ最適の膜厚にすることがで
き、優れた特性の表面弾性波デバイスを得ることができ
ることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例について１図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例による表面弾性波デバイスを
示す断面図、第２図は本発明の一実施例による表面弾性
波デバイスのウェハを示す平面図である。第１図９第２
図において１４は圧電基板、５は櫛形電極、６は反射電
極１７は電解メッキ金属、８はスクライブラインである
。
示す断面図、第２図は本発明の一実施例による表面弾性
波デバイスのウェハを示す平面図である。第１図９第２
図において１４は圧電基板、５は櫛形電極、６は反射電
極１７は電解メッキ金属、８はスクライブラインである
。
本発明の一実施例では、最初にフォトエツチングにより
、圧電基板４の上に櫛形電極５と反射電極６を設け１そ
の後電解メッキ拮に入れて反射電極６につないだスクラ
イブライン８から電流を流して、反射電極６の上に電解
メッキ金属７を付着させるものである。なお、本発明で
は各チップ間の反射電極どうしをスクライブラインを介
して相互につないで電解メッキを施こすことも特徴とし
ている。また、反射電極と電解メッキ金属は同種金属ま
たは異種金属のどちらでも良いものである。
、圧電基板４の上に櫛形電極５と反射電極６を設け１そ
の後電解メッキ拮に入れて反射電極６につないだスクラ
イブライン８から電流を流して、反射電極６の上に電解
メッキ金属７を付着させるものである。なお、本発明で
は各チップ間の反射電極どうしをスクライブラインを介
して相互につないで電解メッキを施こすことも特徴とし
ている。また、反射電極と電解メッキ金属は同種金属ま
たは異種金属のどちらでも良いものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、圧電基板上に櫛形電極と
反射電極を設けた後、電解メッキにより反射電極の上に
だけ金属を付着させることにより１反射電極の電極膜厚
を櫛形電極の膜厚より厚くすることができ、そのためそ
れぞれの最適膜厚を得ることができ、結果的に優れた特
性を得ることができる。
反射電極を設けた後、電解メッキにより反射電極の上に
だけ金属を付着させることにより１反射電極の電極膜厚
を櫛形電極の膜厚より厚くすることができ、そのためそ
れぞれの最適膜厚を得ることができ、結果的に優れた特
性を得ることができる。
まだ、従来のフォトエツチング法では１周波数の微調整
ができなかったが、本発明の方法によればフォトエツチ
ングで電極を形成した状態で周波数を測定し、その値に
応じてメッキ膜厚を微調整すれば、周波数を微調整する
ことができ、歩留りが向上し、その実用的価値は犬なる
ものがある。
ができなかったが、本発明の方法によればフォトエツチ
ングで電極を形成した状態で周波数を測定し、その値に
応じてメッキ膜厚を微調整すれば、周波数を微調整する
ことができ、歩留りが向上し、その実用的価値は犬なる
ものがある。
なお、メッキ金属の種類は前述したように下地金属（反
射電極）と同種であっても異種であっても良く、下地金
属より密度の大きな金属を選ぶことにより、メッキ膜を
薄くすることができる。
射電極）と同種であっても異種であっても良く、下地金
属より密度の大きな金属を選ぶことにより、メッキ膜を
薄くすることができる。
第１図は本発明の一実施例による表面弾性波デバイスを
示す断面図、第２図はそのウェハの平面図、第３図は従
来の表面弾性波デバイスを示す断面図である。 ４ ・・・・圧電基板、６・・・・・櫛形電極、６・・
・・・反射電極、７・・・・電解メッキ金属、８ ・・
・スクライブライン。
示す断面図、第２図はそのウェハの平面図、第３図は従
来の表面弾性波デバイスを示す断面図である。 ４ ・・・・圧電基板、６・・・・・櫛形電極、６・・
・・・反射電極、７・・・・電解メッキ金属、８ ・・
・スクライブライン。
Claims (4)
- （１）圧電基板上に櫛形電極と反射電極を設けた後、前
記反射電極の上にだけ電解メッキにより金属を付着させ
るようにしてなる表面弾性波デバイスの製造方法。 - （２）各チップ間の反射電極どうしをスクライブライン
を介して相互につないで電解メッキを施こすようにした
特許請求の範囲第１項記載の表面弾性波デバイスの製造
方法。 - （３）反射電極と、電解メッキ金属を同種金属とした特
許請求の範囲第１項記載の表面弾性波デバイスの製造方
法。 - （４）反射電極と電解メッキ金属を異種金属とした特許
請求の範囲第１項記載の表面弾性波デバイスの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61099658A JPS62256510A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61099658A JPS62256510A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256510A true JPS62256510A (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=14253146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61099658A Pending JPS62256510A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62256510A (ja) |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61099658A patent/JPS62256510A/ja active Pending
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