JPS6226111B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6226111B2 JPS6226111B2 JP57140702A JP14070282A JPS6226111B2 JP S6226111 B2 JPS6226111 B2 JP S6226111B2 JP 57140702 A JP57140702 A JP 57140702A JP 14070282 A JP14070282 A JP 14070282A JP S6226111 B2 JPS6226111 B2 JP S6226111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- chip select
- power supply
- memory
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、チツプセレクト端子に与えるバツク
アツプ電源の制御回路に関する。
アツプ電源の制御回路に関する。
従来この種の回路は、例えば第1図に示すよう
に、メモリ1への誤書込みを防止するためのチツ
プセレクト端子CS(一般にLowレベルで書込み
が許可される。)が2個ある場合は、2つの回路
で制御を行なつている。すなわち、回路Aは電源
の立上り/立下りにおけるメモリの誤動作(誤書
込み)を防ぐための回路であり、回路Bはメモリ
にRead/Writeを行うための通常の論理回路であ
る。回路Aは、入力される電圧が規定電圧以上に
なるとフオトカプラ2内のトランジスタをオンし
てチツプセレクト端子CS1をLow Levelにする
ことによつて、電源投入時におけるCS2の不安
定な動き(第2図に示す)による誤動作を防いで
いる。しかし、チツプセレクト端子が1個のメモ
リに対しては、この回路は適用できない。そこ
で、従来チツプセレクト端子CSが1個のメモリ
1′に対しては、第3図のように回路Aと回路B
とを、ORゲート3を通じてチツプセレクト端子
CSに結線することにより、電源投入時のメモリ
1′の誤動作を防いでいる。しかし、誤動作を防
止するためのORゲート3にもバツテリーバツク
アツプが必要となり、電池4の消費電力が大きく
なるという欠点があつた。
に、メモリ1への誤書込みを防止するためのチツ
プセレクト端子CS(一般にLowレベルで書込み
が許可される。)が2個ある場合は、2つの回路
で制御を行なつている。すなわち、回路Aは電源
の立上り/立下りにおけるメモリの誤動作(誤書
込み)を防ぐための回路であり、回路Bはメモリ
にRead/Writeを行うための通常の論理回路であ
る。回路Aは、入力される電圧が規定電圧以上に
なるとフオトカプラ2内のトランジスタをオンし
てチツプセレクト端子CS1をLow Levelにする
ことによつて、電源投入時におけるCS2の不安
定な動き(第2図に示す)による誤動作を防いで
いる。しかし、チツプセレクト端子が1個のメモ
リに対しては、この回路は適用できない。そこ
で、従来チツプセレクト端子CSが1個のメモリ
1′に対しては、第3図のように回路Aと回路B
とを、ORゲート3を通じてチツプセレクト端子
CSに結線することにより、電源投入時のメモリ
1′の誤動作を防いでいる。しかし、誤動作を防
止するためのORゲート3にもバツテリーバツク
アツプが必要となり、電池4の消費電力が大きく
なるという欠点があつた。
従つて本発明の目的は、1個のチツプセレクト
端子を持つ回路のバツテリーバツクアツプに要す
る消費電力を低減することにある。
端子を持つ回路のバツテリーバツクアツプに要す
る消費電力を低減することにある。
本発明によれば、選択信号を発生する論理回路
と、この回路の電圧が規定電圧に達したことを検
出する手段とを電気的に直列に接続してチツプセ
レクト端子に与え、論理回路が規定電圧に達した
時にのみ選択信号を与えることを特徴とするチツ
プセレクト制御回路が得られる。
と、この回路の電圧が規定電圧に達したことを検
出する手段とを電気的に直列に接続してチツプセ
レクト端子に与え、論理回路が規定電圧に達した
時にのみ選択信号を与えることを特徴とするチツ
プセレクト制御回路が得られる。
次に、本発明の一実施例を示す第4図を参照し
て本発明を詳細に説明する。
て本発明を詳細に説明する。
電圧比較器5は入力電源(装置電源)が4.5V
以上になつたことを検出してその出力をLowレベ
ルにする。しかし、電圧比較器5の電源電圧も同
時に立上るため、電源投入直後において、その出
力が不安定になり、場合によつては入力電源が
4.5V以下にもかかわらずその出力がLowレベルに
なることがある。この状態においても、フオトカ
プラ6の一次側に電流が流れないように、ツエナ
ーダイオードZDを直列に挿入している。ダイオ
ード7は5V電源が入つたときに、メモリ1′が動
作するのに十分な電源を供給できるようにたとえ
ば、シヨツトキーダイオードが用いられる。ダイ
オード8は、入力電源が規定電圧以下のときに、
メモリ1′のデータ保持をするのに十分な電圧を
バツテリー9より供給するために設けられてい
る。フオトカプラ6のエミツタ端子は、オープン
コレクタタイプのトランジスタ10のコレクタ端
子に接続されている。従つてフオトカプラ6内の
トランジスタはそのオン・オフをトランジスタ1
0により規制されている。抵抗Rは、ほぼ電源電
圧に等しいHighレベルの入力信号をチツプセレ
クト端子CSに与えるために設けられ、これによ
りスタンバイ時の電源電流を最小にすることがで
きる。
以上になつたことを検出してその出力をLowレベ
ルにする。しかし、電圧比較器5の電源電圧も同
時に立上るため、電源投入直後において、その出
力が不安定になり、場合によつては入力電源が
4.5V以下にもかかわらずその出力がLowレベルに
なることがある。この状態においても、フオトカ
プラ6の一次側に電流が流れないように、ツエナ
ーダイオードZDを直列に挿入している。ダイオ
ード7は5V電源が入つたときに、メモリ1′が動
作するのに十分な電源を供給できるようにたとえ
ば、シヨツトキーダイオードが用いられる。ダイ
オード8は、入力電源が規定電圧以下のときに、
メモリ1′のデータ保持をするのに十分な電圧を
バツテリー9より供給するために設けられてい
る。フオトカプラ6のエミツタ端子は、オープン
コレクタタイプのトランジスタ10のコレクタ端
子に接続されている。従つてフオトカプラ6内の
トランジスタはそのオン・オフをトランジスタ1
0により規制されている。抵抗Rは、ほぼ電源電
圧に等しいHighレベルの入力信号をチツプセレ
クト端子CSに与えるために設けられ、これによ
りスタンバイ時の電源電流を最小にすることがで
きる。
次にこの回路の動作について説明する。装置電
源が投入されると、電圧比較器5は入力電源が
4.5V以上になつたときに出力をLowレベルにす
る。それによつて、フオトカプラ6の一次側のダ
イオードが発光し、二次側のトランジスタがON
になる。それまでの間に、電源投入によつてたと
え論理回路11が誤動作したとしても、メモリ
1′のチツプセレクト端子CSへのHighレベル信号
の供給には何ら影響することはない。
源が投入されると、電圧比較器5は入力電源が
4.5V以上になつたときに出力をLowレベルにす
る。それによつて、フオトカプラ6の一次側のダ
イオードが発光し、二次側のトランジスタがON
になる。それまでの間に、電源投入によつてたと
え論理回路11が誤動作したとしても、メモリ
1′のチツプセレクト端子CSへのHighレベル信号
の供給には何ら影響することはない。
本発明は以上説明したように、オープンコレク
タタイプのトランジスタを用いてフオトカプラー
の動作を制御したことによつて、電源投入時にお
けるバツテリバツクアツプ回路の誤動作を生じる
ことなく、チツプセレクト端子が1個のメモリ等
の回路を制御することができる。
タタイプのトランジスタを用いてフオトカプラー
の動作を制御したことによつて、電源投入時にお
けるバツテリバツクアツプ回路の誤動作を生じる
ことなく、チツプセレクト端子が1個のメモリ等
の回路を制御することができる。
第1図、第2図および第3図は、従来のチツプ
セレクト端子のバツテリバツクアツプ回路を示す
図、第4図は、本発明の一実施例を示す図であ
る。 1′……メモリ、5……電圧比較器、6……フ
オトカプラ、7,8……ダイオード、9……バツ
テリ電源、10……トランジスタ、11……論理
回路。
セレクト端子のバツテリバツクアツプ回路を示す
図、第4図は、本発明の一実施例を示す図であ
る。 1′……メモリ、5……電圧比較器、6……フ
オトカプラ、7,8……ダイオード、9……バツ
テリ電源、10……トランジスタ、11……論理
回路。
Claims (1)
- 1 選択信号を発生する論理回路と、前記論理回
路の電源電圧が規定動作電圧に達したことを検出
する手段とを電気的に直列に接続してチツプセレ
クト端子に与えることを特徴とするチツプセレク
ト制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140702A JPS5930284A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | チツプセレクト制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140702A JPS5930284A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | チツプセレクト制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5930284A JPS5930284A (ja) | 1984-02-17 |
| JPS6226111B2 true JPS6226111B2 (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=15274741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57140702A Granted JPS5930284A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | チツプセレクト制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5930284A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364693A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-23 | Alps Electric Co Ltd | スタテイツクramのバツテリ−バツクアツプ回路 |
| JPH04258885A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| CN109783415B (zh) * | 2018-11-23 | 2022-05-27 | 山东航天电子技术研究所 | 一种修正处理器bm3803读时序的装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53142141A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-11 | Hitachi Ltd | Static semiconductor memory |
| JPS5833635B2 (ja) * | 1979-12-25 | 1983-07-21 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
-
1982
- 1982-08-13 JP JP57140702A patent/JPS5930284A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5930284A (ja) | 1984-02-17 |
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