JPS62265730A - 半導体集積回路の電極パツド - Google Patents
半導体集積回路の電極パツドInfo
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- JPS62265730A JPS62265730A JP61108645A JP10864586A JPS62265730A JP S62265730 A JPS62265730 A JP S62265730A JP 61108645 A JP61108645 A JP 61108645A JP 10864586 A JP10864586 A JP 10864586A JP S62265730 A JPS62265730 A JP S62265730A
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- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止タイプの半導体装置、特に半導体集積
回路(半導体チップ)の電極パッドの構造に関する。
回路(半導体チップ)の電極パッドの構造に関する。
一般に、樹脂封止タイプの半導体装置においては、半導
体チップ上に形成したアルミニウム電極と外部リード電
極とを熱圧着で結線している。
体チップ上に形成したアルミニウム電極と外部リード電
極とを熱圧着で結線している。
第2図に従来の半導体チップの電極パッド構造を示す。
第2図を参照して、半導体チップのアルミニウム電極1
が絶縁保護@6上に形成され、さらに絶縁保護膜4によ
って覆われる。その後、アルミ電橋1上の絶縁保護膜4
が周辺の絶縁保護膜4を残してエツチングされ、アルミ
ニウム電極1を露出させる。そして、前述のように熱圧
着によって金線2を電極1に結合する。ところで、金線
2と電極1の結合を考慮すると、アルミニウム電極1の
露出部分を大きくする必要があり、また、金線2と電極
1との接合は熱圧着によっているため、絶縁保護膜4と
金線2のボール2″とが接触することは好ましくない。
が絶縁保護@6上に形成され、さらに絶縁保護膜4によ
って覆われる。その後、アルミ電橋1上の絶縁保護膜4
が周辺の絶縁保護膜4を残してエツチングされ、アルミ
ニウム電極1を露出させる。そして、前述のように熱圧
着によって金線2を電極1に結合する。ところで、金線
2と電極1の結合を考慮すると、アルミニウム電極1の
露出部分を大きくする必要があり、また、金線2と電極
1との接合は熱圧着によっているため、絶縁保護膜4と
金線2のボール2″とが接触することは好ましくない。
従って、一般に金線2と電極1とが結合さ′rした状態
では電極1の露出部分が完全に金線2のボール2′で田
れていないのが普通である。
では電極1の露出部分が完全に金線2のボール2′で田
れていないのが普通である。
半導体テップの電極パッドにおける問題点のひとつとし
て水分の侵入によるアルミニウム電極の腐蝕がある。上
述の電極パッド構造の場合。
て水分の侵入によるアルミニウム電極の腐蝕がある。上
述の電極パッド構造の場合。
半導体チップ上の電極はその周辺部が絶縁保護膜で覆わ
れているが、金線と電極との接合面と保護膜との間には
図示のようにすきまが生じ。
れているが、金線と電極との接合面と保護膜との間には
図示のようにすきまが生じ。
電極が露出する。従って、このような半導体チップを樹
脂封止すると、樹脂の吸水性によシ。
脂封止すると、樹脂の吸水性によシ。
水分が半導体チップ表面に達した際、アルミニウム電極
が最も腐蝕しやすいという問題がある。
が最も腐蝕しやすいという問題がある。
本発明の目的はアルミニウム電極が腐蝕しにしい構造の
電極パッドを提供することにある。
電極パッドを提供することにある。
本発明による半導体集積回路の電極パッドは半導体チッ
プのアルミニウム電極が該アルミニウム電極と接合され
る金線との接合面を除いてポリシリコン層で被覆されて
いることを特徴としている。
プのアルミニウム電極が該アルミニウム電極と接合され
る金線との接合面を除いてポリシリコン層で被覆されて
いることを特徴としている。
以下本発明について実施例によって説明する。
第1図を参照して、絶縁保護膜6上にアルミニウム電極
1が形成され、このアルミニウム電極1を覆うようにし
て絶縁保護膜3上にポリシリコン層5が形成される。そ
して、アルミニウム電極1と金線2との接合面に対応す
るポリシリコン層5及び絶縁保護膜3上のポリシリコン
層5がエツチングによシ除去される。即ち1図示のよう
にアルミニウム電極1の側周面及び上面一部(接合面を
除く部分)がポリシリコン層5で覆われることになる。
1が形成され、このアルミニウム電極1を覆うようにし
て絶縁保護膜3上にポリシリコン層5が形成される。そ
して、アルミニウム電極1と金線2との接合面に対応す
るポリシリコン層5及び絶縁保護膜3上のポリシリコン
層5がエツチングによシ除去される。即ち1図示のよう
にアルミニウム電極1の側周面及び上面一部(接合面を
除く部分)がポリシリコン層5で覆われることになる。
次に、絶縁保N膜3.ポリシリコン層4.アルミニウム
電極1の接合面を覆うようにして絶縁保護膜4が形成さ
れ、上述の接合面及びポリシリコン層5の一部に対応す
る絶縁保護膜4がエツチングによって除去される。即ち
9図示のように絶縁保護@4は接合面及びポリシリコン
層5を露出させるようにエツチングによって除去される
。そして、熱圧着によって金線2と電極1の接合面とを
結合する。この時、金線2のポール2“はポリシリコン
層5の内周面に密着する。即ち、アルミニウム電極1は
ポリシリコン層5及び金線2のポール2′で覆われるこ
とになと る。ポリシリコン層5オ金線2のポール2°との接触は
なんら問題はない。
電極1の接合面を覆うようにして絶縁保護膜4が形成さ
れ、上述の接合面及びポリシリコン層5の一部に対応す
る絶縁保護膜4がエツチングによって除去される。即ち
9図示のように絶縁保護@4は接合面及びポリシリコン
層5を露出させるようにエツチングによって除去される
。そして、熱圧着によって金線2と電極1の接合面とを
結合する。この時、金線2のポール2“はポリシリコン
層5の内周面に密着する。即ち、アルミニウム電極1は
ポリシリコン層5及び金線2のポール2′で覆われるこ
とになと る。ポリシリコン層5オ金線2のポール2°との接触は
なんら問題はない。
以上説明したように本発明によれば、アルミニウム電極
を金線と接合した状態で、アルミニウム電極がポリシリ
コン層及び金線自体で完全に覆われるから、即ち、不必
要なアルミニウム電極の露出部分がまったくないから、
水分の浸入によるアルミニウム電極の腐蝕を著しく軽減
することが可能となる。
を金線と接合した状態で、アルミニウム電極がポリシリ
コン層及び金線自体で完全に覆われるから、即ち、不必
要なアルミニウム電極の露出部分がまったくないから、
水分の浸入によるアルミニウム電極の腐蝕を著しく軽減
することが可能となる。
第1図は本発明による電極パッドの構造を示す図、第2
図は従来の電極パッドの構造を示す図である。 1・・・アルミニウム電極、2・・・金線、2°・・・
ポール、3,4・・・絶縁保護膜、5・・・ポリシリコ
ン層。 毅 C9 毅
図は従来の電極パッドの構造を示す図である。 1・・・アルミニウム電極、2・・・金線、2°・・・
ポール、3,4・・・絶縁保護膜、5・・・ポリシリコ
ン層。 毅 C9 毅
Claims (1)
- 1、半導体チップのアルミニウム電極が該電極と接合さ
れる金線との接合面を除いてポリシリコン層で被覆され
ていることを特徴とする半導体集積回路の電極パッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61108645A JPS62265730A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 半導体集積回路の電極パツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61108645A JPS62265730A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 半導体集積回路の電極パツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62265730A true JPS62265730A (ja) | 1987-11-18 |
Family
ID=14490053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61108645A Pending JPS62265730A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 半導体集積回路の電極パツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62265730A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5891745A (en) * | 1994-10-28 | 1999-04-06 | Honeywell Inc. | Test and tear-away bond pad design |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP61108645A patent/JPS62265730A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5891745A (en) * | 1994-10-28 | 1999-04-06 | Honeywell Inc. | Test and tear-away bond pad design |
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