JPH033342A - 樹脂モールド型半導体装置 - Google Patents
樹脂モールド型半導体装置Info
- Publication number
- JPH033342A JPH033342A JP1138704A JP13870489A JPH033342A JP H033342 A JPH033342 A JP H033342A JP 1138704 A JP1138704 A JP 1138704A JP 13870489 A JP13870489 A JP 13870489A JP H033342 A JPH033342 A JP H033342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin
- electrode pad
- bonding
- element chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐湿性を改善した樹脂モールド型半導体装置に
関する。
関する。
従来、樹脂モールド型半導体装置は、第2図(a)に平
面図を、第2図(b)にそのB−B線断面図をそれぞれ
示すように、リードフレーム1のアイランド2に半導体
素子チップ4を搭載し、その電極パッド5とリード3と
をボンディングワイヤ6で相互に電気接続している。そ
して、アイランド2.半導体素子チップ4.ボンディン
グワイヤ6、リード3の一部を樹脂7によってモールド
封止している。
面図を、第2図(b)にそのB−B線断面図をそれぞれ
示すように、リードフレーム1のアイランド2に半導体
素子チップ4を搭載し、その電極パッド5とリード3と
をボンディングワイヤ6で相互に電気接続している。そ
して、アイランド2.半導体素子チップ4.ボンディン
グワイヤ6、リード3の一部を樹脂7によってモールド
封止している。
この場合、半導体素子チップ4においては、電気的な接
続が不必要な電極バッド5aにはボンディングワイヤ6
を接続してはいない。
続が不必要な電極バッド5aにはボンディングワイヤ6
を接続してはいない。
上述した従来の樹脂モールド型半導体装置は、半導体素
子チップ4における電気的な接続を行わない電極パッド
5aにはボンディングワイヤ6を接続していないため、
この電極バッド5aの全面が露呈されて樹脂7に接触さ
れる。このため、電極バッド5aが樹脂7に直接密着す
る面積が大きくなり、樹脂7の粒子の隙間より浸入した
水等の不純物により電極バッド5aやこれに繋がる半導
体素子チップ4の内部配線が腐蝕してしまうという問題
がある。
子チップ4における電気的な接続を行わない電極パッド
5aにはボンディングワイヤ6を接続していないため、
この電極バッド5aの全面が露呈されて樹脂7に接触さ
れる。このため、電極バッド5aが樹脂7に直接密着す
る面積が大きくなり、樹脂7の粒子の隙間より浸入した
水等の不純物により電極バッド5aやこれに繋がる半導
体素子チップ4の内部配線が腐蝕してしまうという問題
がある。
本発明はこのような問題を解消して耐湿性に優れた樹脂
モールド型半導体装置を提供することを目的とする。
モールド型半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、半導体素子チップにおいて、電
気接続が不要な電極パッドにボンディングボールを接続
している。
気接続が不要な電極パッドにボンディングボールを接続
している。
この構成では、ボンディングボールによって電極パッド
の表面が被覆され、樹脂との直接接触面積が低減され、
樹脂を通して浸入される水分による電極パッドの腐蝕を
防止する。
の表面が被覆され、樹脂との直接接触面積が低減され、
樹脂を通して浸入される水分による電極パッドの腐蝕を
防止する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図(a)及び(b)は本発明の一実施例の平面図及
びそのA−A線に沿う断面図である。図において、1は
リードフレームであり、そのアイランド2には半導体素
子チップ4を搭載し、電極パッド5とリード3とをボン
ディングワイヤ6によって電気接続している。このとき
、リード3と電気的な接続が不要なバッド5aには、ボ
ンディングワイヤ6のボール6aのみをボンディングし
ている。
びそのA−A線に沿う断面図である。図において、1は
リードフレームであり、そのアイランド2には半導体素
子チップ4を搭載し、電極パッド5とリード3とをボン
ディングワイヤ6によって電気接続している。このとき
、リード3と電気的な接続が不要なバッド5aには、ボ
ンディングワイヤ6のボール6aのみをボンディングし
ている。
この構成は、例えば電極パッド5aにボンディングワイ
ヤ6をボールボンディングした後、ボール6aのみを残
してボンディングワイヤ6を根本近傍部位で切断するこ
とにより構成できる。
ヤ6をボールボンディングした後、ボール6aのみを残
してボンディングワイヤ6を根本近傍部位で切断するこ
とにより構成できる。
しかる上で、半導体素子チップ4.ボンディングワイヤ
64.リード3の一部を樹脂7によってモールド封止し
て半導体装置を完成している。
64.リード3の一部を樹脂7によってモールド封止し
て半導体装置を完成している。
この構成によれば、リード3に対して電気接続が不要な
電極パッド5aは、ボール6aによってその大部分が被
覆されるため、樹脂7で封止したときにも電極パッド5
aが樹脂7に直接接触される面積は極めて少なくなる。
電極パッド5aは、ボール6aによってその大部分が被
覆されるため、樹脂7で封止したときにも電極パッド5
aが樹脂7に直接接触される面積は極めて少なくなる。
このため、樹脂を通して浸入される水分等が電極パッド
5aの表面に付着することは少なくなり、電極パッド5
a及びこれに繋がる内部配線の腐蝕を防止することがで
きる。
5aの表面に付着することは少なくなり、電極パッド5
a及びこれに繋がる内部配線の腐蝕を防止することがで
きる。
因みに、本発明者の実験によれば、次のような結果が得
られ、本発明の半導体装置の耐湿性が改善されることが
確認できた。
られ、本発明の半導体装置の耐湿性が改善されることが
確認できた。
電気接続を行わない電極パッド5aへの、ボール6・a
のボンディングの有無である。
のボンディングの有無である。
以上説明したように本発明は、電気接続が不要な電極パ
ッドにボンディングボールを接続しているので、このボ
ンディングボールによって電極パッドの表面が被覆され
、樹脂との直接接触面積が低減され、樹脂の隙間より浸
入した水等の不純物によりパッドが腐蝕することを防ぐ
効果がある。
ッドにボンディングボールを接続しているので、このボ
ンディングボールによって電極パッドの表面が被覆され
、樹脂との直接接触面積が低減され、樹脂の隙間より浸
入した水等の不純物によりパッドが腐蝕することを防ぐ
効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示し、同図(a)は平面図
、同図(b)はそのA−A線に沿う断面図、第2図は従
来の半導体装置を示し、同図(a)は平面図、同図(b
)はそのB−B線に沿う断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・アイランド、3・・
・リード、4・・・半導体素子チップ、5.5a・・・
電極パッド、6・・・ボンディングワイヤ、6a・・・
ボール、なお、ボンディング条件の「有り」 「無し」
は、第1 図 (b) 第2 図 (a) (b)
、同図(b)はそのA−A線に沿う断面図、第2図は従
来の半導体装置を示し、同図(a)は平面図、同図(b
)はそのB−B線に沿う断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・アイランド、3・・
・リード、4・・・半導体素子チップ、5.5a・・・
電極パッド、6・・・ボンディングワイヤ、6a・・・
ボール、なお、ボンディング条件の「有り」 「無し」
は、第1 図 (b) 第2 図 (a) (b)
Claims (1)
- 1、半導体素子チップの選択された電極パッドをボンデ
ィングワイヤによりリードに電気接続し、かつ樹脂によ
りモールド封止してなる半導体装置において、前記半導
体素子チップは、選択されずに電気接続が不要な電極パ
ッドにボンディングボールを接続したことを特徴とする
樹脂モールド型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138704A JPH033342A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 樹脂モールド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138704A JPH033342A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 樹脂モールド型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033342A true JPH033342A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15228176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1138704A Pending JPH033342A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 樹脂モールド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH033342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5697855A (en) * | 1994-12-16 | 1997-12-16 | Daiwa Seiko, Inc. | Golf club head |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1138704A patent/JPH033342A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5697855A (en) * | 1994-12-16 | 1997-12-16 | Daiwa Seiko, Inc. | Golf club head |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960026505A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPH033342A (ja) | 樹脂モールド型半導体装置 | |
| JPS6086851A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0567069B2 (ja) | ||
| JPH02105557A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2743157B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0666351B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6046038A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS6236299Y2 (ja) | ||
| JPH03169057A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01286342A (ja) | 面実装超薄形半導体装置 | |
| JP2542274Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2819614B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2596246B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH07101726B2 (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS6155770B2 (ja) | ||
| JPS6114672B2 (ja) | ||
| JPH027447A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2633513B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2554059Y2 (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPH0351977Y2 (ja) | ||
| JPS6244531Y2 (ja) | ||
| JP2577880B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60177663A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6245159A (ja) | 半導体装置 |