JPS62266873A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62266873A JPS62266873A JP61111251A JP11125186A JPS62266873A JP S62266873 A JPS62266873 A JP S62266873A JP 61111251 A JP61111251 A JP 61111251A JP 11125186 A JP11125186 A JP 11125186A JP S62266873 A JPS62266873 A JP S62266873A
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- Japan
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- doped
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- gaas
- gallium arsenide
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/82—Heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/40—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels
- H10D30/47—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels having two-dimensional [2D] charge carrier gas channels, e.g. nanoribbon FETs or high electron mobility transistors [HEMT]
- H10D30/471—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT]
- H10D30/473—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having confinement of carriers by multiple heterojunctions, e.g. quantum well HEMT
- H10D30/4732—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having confinement of carriers by multiple heterojunctions, e.g. quantum well HEMT using Group III-V semiconductor material
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、２次元電子ガスをチャネルとするＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ系半導体装置にかかり、Ｇ、］］Ａｓ／
ｎ−ＡｌＧａＡｓ選択ドープヘテロ接合構をＧｅ光吸収
層で挟み、ＤＸセンターをイオン化する入射光を阻止す
ることにより、 該２次元電子ガスの変動を抑止し、該半導体装置の特性
の安定性を向上するものである。
／ＡｌＧａＡｓ系半導体装置にかかり、Ｇ、］］Ａｓ／
ｎ−ＡｌＧａＡｓ選択ドープヘテロ接合構をＧｅ光吸収
層で挟み、ＤＸセンターをイオン化する入射光を阻止す
ることにより、 該２次元電子ガスの変動を抑止し、該半導体装置の特性
の安定性を向上するものである。
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体装置、特に空間分離ドーピングと界面量
子化による高移動度のキャリアをチャネルとする例えば
高電子移動度電界効果トランジスタ（ＩＥＭＴ）等の砒
化ガリウム＜ＧａＡｓ）／砒化アルミニウムガリウム（
ＡｉＧａＡｓ）系半導体装置の改善に関する。
子化による高移動度のキャリアをチャネルとする例えば
高電子移動度電界効果トランジスタ（ＩＥＭＴ）等の砒
化ガリウム＜ＧａＡｓ）／砒化アルミニウムガリウム（
ＡｉＧａＡｓ）系半導体装置の改善に関する。
例えば）ＩＥＭＴは２次元状態の電子か移５ＪＪする領
域と不純物をドーピングする“ｉｎ域とを空間的に分離
してキャリア移動度の増大を実現し、高速デバイスとし
てまたマイクロ波帯域の低雑音デバイスとして強い期待
が寄せられているが、なおその特性の安定性向上が要望
されている。
域と不純物をドーピングする“ｉｎ域とを空間的に分離
してキャリア移動度の増大を実現し、高速デバイスとし
てまたマイクロ波帯域の低雑音デバイスとして強い期待
が寄せられているが、なおその特性の安定性向上が要望
されている。
［従来の技術］
空間分離ドーピングとキャリアの界面量子化により高移
動度を実現しているＧパｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体装置
の例として、ＨＥ？ＩＴの一従来例の模式側断面図を第
２図に示す。
動度を実現しているＧパｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体装置
の例として、ＨＥ？ＩＴの一従来例の模式側断面図を第
２図に示す。
その半導体基体は半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、ノン
ドープのｉ型ＧａＡｓ層１３、これより電子親和力が小
さく例えば濃度２Ｘ１０”ｃｍ−’程度にドナー不純物
がドープされたｎ型＾１ｘＧａｌ−ＸＡＳ層１４、及び
不純物濃度が同程度以上のｎ型ＧａＡｓ層１５が積層形
成され、このｎ型ＡＩＧａＡｓｊｉ！ｉ１４からｉ形Ｇ
ａＡｓ層１３へ遷移した電子によってヘテロ接合界面近
傍に２次元電子ガス１３ｅが形成される。この２次元電
子ガス１３〜ｅは不純物散乱による移動度低下が殆どな
く、格子散乱が減少する例えば７７に程度以下の低温に
おいて最も高い移動度が得られる。
ドープのｉ型ＧａＡｓ層１３、これより電子親和力が小
さく例えば濃度２Ｘ１０”ｃｍ−’程度にドナー不純物
がドープされたｎ型＾１ｘＧａｌ−ＸＡＳ層１４、及び
不純物濃度が同程度以上のｎ型ＧａＡｓ層１５が積層形
成され、このｎ型ＡＩＧａＡｓｊｉ！ｉ１４からｉ形Ｇ
ａＡｓ層１３へ遷移した電子によってヘテロ接合界面近
傍に２次元電子ガス１３ｅが形成される。この２次元電
子ガス１３〜ｅは不純物散乱による移動度低下が殆どな
く、格子散乱が減少する例えば７７に程度以下の低温に
おいて最も高い移動度が得られる。
この半導体基体上にソース、ドレイン電極１７とゲート
電極１８を設け、ゲート電極１８によるショッＩ・キ空
乏層で２次元電子ガス１３ｅの面密度を制御してトラン
ジスタ動作が行われる。
電極１８を設け、ゲート電極１８によるショッＩ・キ空
乏層で２次元電子ガス１３ｅの面密度を制御してトラン
ジスタ動作が行われる。
この構造において、ｎ型Ａｌｅ（Ｇａ、−、Ａｓ電子供
給層１４の混晶比Ｘは２次元電子ガス１３ｅの移動度μ
ｎ及び面密度Ｎｓ等を考慮して選択されるが、この層１
４とｉ形ＧａＡｓチャネル層１３との伝導帯のエネルギ
ー準位差が少ない場合には２次元電子ガス１３ｅの面密
度Ｎｓが小さくなるために、通常伝導帯の弔位差を０．
２４ｅＶ程度以上、従ってｎ型Ａｌ、、Ｇａ、−、へＳ
電子供給層１４のＡｌ混晶比Ｘを０．３程度以上とする
ことが望ましい。
給層１４の混晶比Ｘは２次元電子ガス１３ｅの移動度μ
ｎ及び面密度Ｎｓ等を考慮して選択されるが、この層１
４とｉ形ＧａＡｓチャネル層１３との伝導帯のエネルギ
ー準位差が少ない場合には２次元電子ガス１３ｅの面密
度Ｎｓが小さくなるために、通常伝導帯の弔位差を０．
２４ｅＶ程度以上、従ってｎ型Ａｌ、、Ｇａ、−、へＳ
電子供給層１４のＡｌ混晶比Ｘを０．３程度以上とする
ことが望ましい。
しかしながら他方において、ＡｌＸＧａ、□ＡｓのＡｌ
混晶比Ｘが０．２５程度より大きいときには、ドープし
たシリコン（Ｓｉ）等のドナー準位が急激に深くなる。
混晶比Ｘが０．２５程度より大きいときには、ドープし
たシリコン（Ｓｉ）等のドナー準位が急激に深くなる。
このＡｌＸＧａ＋−、ｇＡ３の深いドナ一単位は温度２
００に程度以下において、光子エネルギーが０．８５±
０．１ｅＶ以上の光が入射すれば電子が伝導帯に励起さ
れ、光照射が停止しても伝導電子がドナー準位に落ちな
いＰＰＣ（ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ ｐｈｏｔｏ ｃｏｎ
ｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）等の現象を示してＤＸセンターと
呼ばれるが、これにより、ドーピング量を増加してもこ
れに見合う高いキャリア濃度が得られない。
００に程度以下において、光子エネルギーが０．８５±
０．１ｅＶ以上の光が入射すれば電子が伝導帯に励起さ
れ、光照射が停止しても伝導電子がドナー準位に落ちな
いＰＰＣ（ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ ｐｈｏｔｏ ｃｏｎ
ｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）等の現象を示してＤＸセンターと
呼ばれるが、これにより、ドーピング量を増加してもこ
れに見合う高いキャリア濃度が得られない。
更に第３図にＧａＡｓ／Ａｌｅ、 ：＋Ｇａ（１，７Ａ
ｓからなるＨＥＭＴの電子移動度μｎ及び２次元電子ガ
ス面密度Ｎｓの１例を環境温度を横軸として図示する様
に、低温において２次元電子ガス面密度Ｎｓの低下、従
って伝達コンダクタンスｇ、の低下が現れ、更に同図に
光を照射した”明”と光を遮断した”暗”とを比較図示
する様に、光が入射することにより２次元電子ガスの移
動度μｎ及び電子面密度Ｎｓが変動し、従って伝達コン
ダクタンスｇ、及び闇値電圧■い等が変動する現象が現
れている。
ｓからなるＨＥＭＴの電子移動度μｎ及び２次元電子ガ
ス面密度Ｎｓの１例を環境温度を横軸として図示する様
に、低温において２次元電子ガス面密度Ｎｓの低下、従
って伝達コンダクタンスｇ、の低下が現れ、更に同図に
光を照射した”明”と光を遮断した”暗”とを比較図示
する様に、光が入射することにより２次元電子ガスの移
動度μｎ及び電子面密度Ｎｓが変動し、従って伝達コン
ダクタンスｇ、及び闇値電圧■い等が変動する現象が現
れている。
この問題に対処するために、前記従来例のＡｌＸＧａ
、 −、Ａｓ層１４に代えて例えばＳｉドープＧａＡｓ
／ノンドープＡｌＡｓ超格子を用いる構造が提供されて
いるが、この構造では例えば９原子層の中央の５原子層
のみに３１をドープしており、熱拡散等による不安定性
の要因となっている。
、 −、Ａｓ層１４に代えて例えばＳｉドープＧａＡｓ
／ノンドープＡｌＡｓ超格子を用いる構造が提供されて
いるが、この構造では例えば９原子層の中央の５原子層
のみに３１をドープしており、熱拡散等による不安定性
の要因となっている。
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体材料を用いた従来のＩ
ＩＥＭＴ等には上述の如き不安定性があるが、本発明は
光入射によって発生しその停止後にも通常残存する特性
変化を防止して、高速電子計算機、低雑音マイクロ波回
路等に大きい効果が期待されているＨＥＭＴ、或いはそ
の他の高移動度半導体装置を改善することを目的とする
。
ＩＥＭＴ等には上述の如き不安定性があるが、本発明は
光入射によって発生しその停止後にも通常残存する特性
変化を防止して、高速電子計算機、低雑音マイクロ波回
路等に大きい効果が期待されているＨＥＭＴ、或いはそ
の他の高移動度半導体装置を改善することを目的とする
。
前記問題点は、第１のゲルマニウム層上に、少なくとも
ノンドープの砒化ガリウム層と、ドナー不純物をドープ
した砒化アルミニウムガリウム層とを介して、第２のゲ
ルマニウム層がエピタキシャル成長され、 該砒化ガリウム層の該砒化アルミニウムガリウム層との
ヘテロ接合界面近傍に、２次元電子ガスが形成される本
発明による半導体装置により解決される。
ノンドープの砒化ガリウム層と、ドナー不純物をドープ
した砒化アルミニウムガリウム層とを介して、第２のゲ
ルマニウム層がエピタキシャル成長され、 該砒化ガリウム層の該砒化アルミニウムガリウム層との
ヘテロ接合界面近傍に、２次元電子ガスが形成される本
発明による半導体装置により解決される。
ＡｌＧａＡｓ電子供給層内にＤＸセンターを形成するド
ナー不純物が光によってイオン化されるのは、先に述べ
た如く光子エネルギーが０．８５±０．１ｅＶ以上の光
であり、ＧａＡｓの禁制帯幅はこの値より遥かに大きい
１．４ｅＶ程度であるのに対して、ゲルマニウム（Ｇｅ
）の禁制帯幅は室温で０．６６ｅＶ、絶対零度ＯＫでも
０．７４ｅνである。従ってＡｌＧａＡｓ電子供給層と
ＧａＡｓチャネル層の上下にＧｅ層を設けて光子エネル
ギーがこの禁制帯幅より大きい光を吸収することにより
、入射光によるＤＸセンターのイオン化を阻止し、２次
元電子ガス面密度Ｎｓの変動を抑止することができる。
ナー不純物が光によってイオン化されるのは、先に述べ
た如く光子エネルギーが０．８５±０．１ｅＶ以上の光
であり、ＧａＡｓの禁制帯幅はこの値より遥かに大きい
１．４ｅＶ程度であるのに対して、ゲルマニウム（Ｇｅ
）の禁制帯幅は室温で０．６６ｅＶ、絶対零度ＯＫでも
０．７４ｅνである。従ってＡｌＧａＡｓ電子供給層と
ＧａＡｓチャネル層の上下にＧｅ層を設けて光子エネル
ギーがこの禁制帯幅より大きい光を吸収することにより
、入射光によるＤＸセンターのイオン化を阻止し、２次
元電子ガス面密度Ｎｓの変動を抑止することができる。
しかもＧａＡｓ、 ＡｌＧａＡｓとＧｅとは、結晶構造
が前者の閃亜鉛鉱（α−ＺｎＳ）形に対し後者はダイヤ
モンド（Ｃ）形で格子形状が合致し、かつ格子定数がＧ
ａＡｓの５．６５３４人に対しＧｅは５．６５７４８人
と極めて近いために、その一方の単結晶上に他方をエピ
タキシャル成長して任意の半導体基体を形成することが
可能である。
が前者の閃亜鉛鉱（α−ＺｎＳ）形に対し後者はダイヤ
モンド（Ｃ）形で格子形状が合致し、かつ格子定数がＧ
ａＡｓの５．６５３４人に対しＧｅは５．６５７４８人
と極めて近いために、その一方の単結晶上に他方をエピ
タキシャル成長して任意の半導体基体を形成することが
可能である。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図はＨＥＭＴにかかる本発明の実施例を示す模式側
断面図であり、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２は厚さ例
えば０．５−程度のノンドープのＧｅ層、３は厚さ例え
ば０．５μｍ程度のノンドープのＧａＡｓ層、４は例え
ば濃度２×ｌ０１８ｃｍ−３程度に３１をドープし、厚
さ４０ｎｍ程度のｎ型Ａ１０．３Ｇａａ、 ７Ａ５層、
５はこれと同程度以上にＳｉをドープし、厚さ例えば５
０ｎｍ程度のｎ型ＧａＡｓＪｉ、６は例えば濃度５×１
０′８〜１×１０１９にｍ−コ程度に砒素（Ａｓ）をド
ープし、厚さ０．２μｍ程度の１型Ｇｅ層、３ｅは２次
元電子ガス、７はソース、ドレイン電極、８はゲート電
極である。
断面図であり、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２は厚さ例
えば０．５−程度のノンドープのＧｅ層、３は厚さ例え
ば０．５μｍ程度のノンドープのＧａＡｓ層、４は例え
ば濃度２×ｌ０１８ｃｍ−３程度に３１をドープし、厚
さ４０ｎｍ程度のｎ型Ａ１０．３Ｇａａ、 ７Ａ５層、
５はこれと同程度以上にＳｉをドープし、厚さ例えば５
０ｎｍ程度のｎ型ＧａＡｓＪｉ、６は例えば濃度５×１
０′８〜１×１０１９にｍ−コ程度に砒素（Ａｓ）をド
ープし、厚さ０．２μｍ程度の１型Ｇｅ層、３ｅは２次
元電子ガス、７はソース、ドレイン電極、８はゲート電
極である。
本実施例の半導体基体は例えば分子線ｊ：ビタキシャル
成長方法（ＭＢＥ法）によって形成し、この半扉体基体
上に、ソース、ドレイン電極７を例えば金ゲルマニウム
／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）を用いて、ゲート電極８を例え
ばアルミニウム（ＡＩ）を用いて配Ｑ−ｒる。
成長方法（ＭＢＥ法）によって形成し、この半扉体基体
上に、ソース、ドレイン電極７を例えば金ゲルマニウム
／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）を用いて、ゲート電極８を例え
ばアルミニウム（ＡＩ）を用いて配Ｑ−ｒる。
本実施例では例えば温度７７Ｋにおいて、白色光を照射
した前後で２次元電子ガス面密度Ｎｓ、伝達コンダクタ
ンスｇ、及び闇値電圧■いに有意差が現れず本発明の効
果が実証されている。
した前後で２次元電子ガス面密度Ｎｓ、伝達コンダクタ
ンスｇ、及び闇値電圧■いに有意差が現れず本発明の効
果が実証されている。
また本発明はＨＥＭＴにその適用を限られるものではな
く、例えば速度変調トランジスタ（Ｖｅｌｏｃｉｔｙ−
Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、Ｈ，
５ａｋａｋｉ： Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ。
く、例えば速度変調トランジスタ（Ｖｅｌｏｃｉｔｙ−
Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、Ｈ，
５ａｋａｋｉ： Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、シｏ１．２１．Ｎｏ、６．１９８２年６月）
、単量子井戸トランジスタ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔ
ｕｍ Ｗｅｌｌ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ。
、単量子井戸トランジスタ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔ
ｕｍ Ｗｅｌｌ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ。
Ｃ，Ｈａｍａｇｕｃｈ ｉ他： Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、 Ｖｏｌ、２３．Ｎｏ、３゜１９８４年３
月）等の空間分離ドーピングと界面量子化による高移動
度のキャリアを利用する半導体装置全般に適用すること
が可能である。
、Ｐｈｙｓ、 Ｖｏｌ、２３．Ｎｏ、３゜１９８４年３
月）等の空間分離ドーピングと界面量子化による高移動
度のキャリアを利用する半導体装置全般に適用すること
が可能である。
以上説明した如く本発明によれば、空間分離ドーピング
と界面量子化による２次元電子ガスをチャネルとするＧ
ａＡｓ ／＾１ＧａＡｓ系半導体装置において、入射光
によるＤＸセンターのイオン化が大幅に抑止され、）Ｉ
ＥＭＴ等の半導体装置の闇値電圧等の特性の安定性向上
が実現される。
と界面量子化による２次元電子ガスをチャネルとするＧ
ａＡｓ ／＾１ＧａＡｓ系半導体装置において、入射光
によるＤＸセンターのイオン化が大幅に抑止され、）Ｉ
ＥＭＴ等の半導体装置の闇値電圧等の特性の安定性向上
が実現される。
第１図はＨＥＭＴにかかる本発明の実施例の模式側断面
図、 第２図はｌ（ＥＭＴの従来例の模式側断面図、第３図は
その電子移動度及び電子面密度の例を示す図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はノンドープのＧｅ層、 ３はノンドープ ３ｅは２次元電子ガス、 ４はｎ型ＡＩＯ． ｚＧａｏ． Ｊｓ＠、５はｎ型Ｇａ
Ａｓ層、 ６はｎ＋型Ｇｅ層、 ７はソース、ドレイン電極、 ８はゲート電極を示す。 第 １ 図 従来例の漢人便・ｊ断面図 簗２図
図、 第２図はｌ（ＥＭＴの従来例の模式側断面図、第３図は
その電子移動度及び電子面密度の例を示す図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はノンドープのＧｅ層、 ３はノンドープ ３ｅは２次元電子ガス、 ４はｎ型ＡＩＯ． ｚＧａｏ． Ｊｓ＠、５はｎ型Ｇａ
Ａｓ層、 ６はｎ＋型Ｇｅ層、 ７はソース、ドレイン電極、 ８はゲート電極を示す。 第 １ 図 従来例の漢人便・ｊ断面図 簗２図
Claims (1)
- 第１のゲルマニウム層上に、少なくともノンドープの砒
化ガリウム層と、ドナー不純物をドープした砒化アルミ
ニウムガリウム層とを介して、第２のゲルマニウム層が
エピタキシャル成長され、該砒化ガリウム層の該砒化ア
ルミニウムガリウム層とのヘテロ接合界面近傍に、２次
元電子ガスが形成されることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61111251A JPS62266873A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61111251A JPS62266873A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62266873A true JPS62266873A (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=14556436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61111251A Pending JPS62266873A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62266873A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804842A (en) * | 1995-06-20 | 1998-09-08 | Nec Research Institute, Inc. | Optically writing erasable conductive patterns at a bandgap-engineered heterojunction |
| EP1936697A2 (en) | 2006-12-22 | 2008-06-25 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) | A field effect transistor device, and methods of production thereof |
| EP1936696A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-06-25 | INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC) | A field effect transistor device and methods of production thereof |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP61111251A patent/JPS62266873A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804842A (en) * | 1995-06-20 | 1998-09-08 | Nec Research Institute, Inc. | Optically writing erasable conductive patterns at a bandgap-engineered heterojunction |
| EP1936697A2 (en) | 2006-12-22 | 2008-06-25 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) | A field effect transistor device, and methods of production thereof |
| EP1936696A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-06-25 | INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC) | A field effect transistor device and methods of production thereof |
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