JPS63170A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63170A JPS63170A JP61143615A JP14361586A JPS63170A JP S63170 A JPS63170 A JP S63170A JP 61143615 A JP61143615 A JP 61143615A JP 14361586 A JP14361586 A JP 14361586A JP S63170 A JPS63170 A JP S63170A
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- Japan
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- algaas
- gaas
- doped
- gallium arsenide
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/40—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels
- H10D30/47—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels having two-dimensional [2D] charge carrier gas channels, e.g. nanoribbon FETs or high electron mobility transistors [HEMT]
- H10D30/471—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT]
- H10D30/473—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having confinement of carriers by multiple heterojunctions, e.g. quantum well HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/81—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials of structures exhibiting quantum-confinement effects, e.g. single quantum wells; of structures having periodic or quasi-periodic potential variation
- H10D62/815—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials of structures exhibiting quantum-confinement effects, e.g. single quantum wells; of structures having periodic or quasi-periodic potential variation of structures having periodic or quasi-periodic potential variation, e.g. superlattices or multiple quantum wells [MQW]
- H10D62/8161—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials of structures exhibiting quantum-confinement effects, e.g. single quantum wells; of structures having periodic or quasi-periodic potential variation of structures having periodic or quasi-periodic potential variation, e.g. superlattices or multiple quantum wells [MQW] potential variation due to variations in composition or crystallinity, e.g. heterojunction superlattices
- H10D62/8162—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials of structures exhibiting quantum-confinement effects, e.g. single quantum wells; of structures having periodic or quasi-periodic potential variation of structures having periodic or quasi-periodic potential variation, e.g. superlattices or multiple quantum wells [MQW] potential variation due to variations in composition or crystallinity, e.g. heterojunction superlattices having quantum effects only in the vertical direction, i.e. layered structures having quantum effects solely resulting from vertical potential variation
- H10D62/8164—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials of structures exhibiting quantum-confinement effects, e.g. single quantum wells; of structures having periodic or quasi-periodic potential variation of structures having periodic or quasi-periodic potential variation, e.g. superlattices or multiple quantum wells [MQW] potential variation due to variations in composition or crystallinity, e.g. heterojunction superlattices having quantum effects only in the vertical direction, i.e. layered structures having quantum effects solely resulting from vertical potential variation comprising only semiconductor materials
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、２次元電子ガスをチャネルとするＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ系半導体装置にかかり、バッファ層とし
てノンドープのＡｌＧａＡｓ層とＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ超格子構造とを設け、ノンドープのＧａＡｓチャネル
層を該ＡｌＧａＡｓバッファ層より薄くして、ＡｌＧａ
Ａｓ電子供給層を設けることにより、その特性を向上し
、加えてＭＯ−ＣＶＤ法により半導体基体を形成して実
用化に対処することを可能とする。
／ＡｌＧａＡｓ系半導体装置にかかり、バッファ層とし
てノンドープのＡｌＧａＡｓ層とＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ超格子構造とを設け、ノンドープのＧａＡｓチャネル
層を該ＡｌＧａＡｓバッファ層より薄くして、ＡｌＧａ
Ａｓ電子供給層を設けることにより、その特性を向上し
、加えてＭＯ−ＣＶＤ法により半導体基体を形成して実
用化に対処することを可能とする。
本発明は半導体装置、特に空間分離ドーピングと界面量
子化による高移動度のキャリアをチャネルとする、例え
ば高電子移動度電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）等の
ＧａＡｓ ／へ１ＧａＡｓ系半導体装置の改善に関する
。
子化による高移動度のキャリアをチャネルとする、例え
ば高電子移動度電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）等の
ＧａＡｓ ／へ１ＧａＡｓ系半導体装置の改善に関する
。
例えばＨＥｌ’ｌＴは、２次元状態の電子が移動する領
域と不純物をドーピングする領域とを空間的に分離して
キャリア移動度の増大を実現し、高速デバイスとして強
い期待が寄せられているが、その実用化のためになお一
層の改善が要望されている。
域と不純物をドーピングする領域とを空間的に分離して
キャリア移動度の増大を実現し、高速デバイスとして強
い期待が寄せられているが、その実用化のためになお一
層の改善が要望されている。
空間分離ドーピングとキャリアの界面量子化により高移
動度を実現している半導体装置の例として、ＨＥ？ＩＴ
の一例の模式側断面図を第２図（ａｌに示す。
動度を実現している半導体装置の例として、ＨＥ？ＩＴ
の一例の模式側断面図を第２図（ａｌに示す。
その半導体基体は半絶縁性砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基
板２１上に、バッファ層を兼ねるノンドープのＧａＡｓ
チャネル層２５、これより電子親和力が小さい砒化アル
ミニウムガリウム（ＡＩＧａＡｓ）電子供給層２６及び
ｎ型ＧａＡｓ層２７が積層され、このＡｌＧａＡｓ電子
供給層２６はＧａＡｓチャネル層２５とのへテロ接合界
面近傍に例えば厚さ５ｎｍ程度のノンドープのスペーサ
領域２６ａを設けて、その他を例えばシリコン（Ｓｉ）
を濃度２ ＸＩＯ”ｃｍ−’程度にドープしたｎ型領域
２６ｂとすることが多い。
板２１上に、バッファ層を兼ねるノンドープのＧａＡｓ
チャネル層２５、これより電子親和力が小さい砒化アル
ミニウムガリウム（ＡＩＧａＡｓ）電子供給層２６及び
ｎ型ＧａＡｓ層２７が積層され、このＡｌＧａＡｓ電子
供給層２６はＧａＡｓチャネル層２５とのへテロ接合界
面近傍に例えば厚さ５ｎｍ程度のノンドープのスペーサ
領域２６ａを設けて、その他を例えばシリコン（Ｓｉ）
を濃度２ ＸＩＯ”ｃｍ−’程度にドープしたｎ型領域
２６ｂとすることが多い。
このＡｌＧａＡｓ電子供給層２６からＧａＡｓチャネル
１２５へ遷移した電子によってヘテロ接合界面近傍に２
次元電子ガス２５ｅが形成される。この２次元電子ガス
２５ｅの面密度をゲート電極２９によるショットキ空乏
層で制御してトランジスタ動作が行われるが、２次元電
子ガス２５ｅは不純物散乱による移動度低下が殆どなく
、格子散乱が減少する例えば７７に程度以下の低温にお
いて最も高い移動度が得られる。
１２５へ遷移した電子によってヘテロ接合界面近傍に２
次元電子ガス２５ｅが形成される。この２次元電子ガス
２５ｅの面密度をゲート電極２９によるショットキ空乏
層で制御してトランジスタ動作が行われるが、２次元電
子ガス２５ｅは不純物散乱による移動度低下が殆どなく
、格子散乱が減少する例えば７７に程度以下の低温にお
いて最も高い移動度が得られる。
また第２図（ｂ）に示す従来例では、前記従来例と同等
の各半導体層とＧａＡｓ基板２１との間にバ・７フア層
としてノンドープのＡｌＧａＡｓ層２２を設けている。
の各半導体層とＧａＡｓ基板２１との間にバ・７フア層
としてノンドープのＡｌＧａＡｓ層２２を設けている。
実用化に備えて次第に適用されている有機金属熱分解気
相成長（ＭＯ−ＣＶＤ）法による半導体基体では、この
ＡｌＧａＡｓバッファＪｉ！２２は成長初期に生じ易い
組成の偏りの回避、ＧａＡｓ基板２１に含まれる不純物
等の拡散の阻止などを従来上たる目的としている。
相成長（ＭＯ−ＣＶＤ）法による半導体基体では、この
ＡｌＧａＡｓバッファＪｉ！２２は成長初期に生じ易い
組成の偏りの回避、ＧａＡｓ基板２１に含まれる不純物
等の拡散の阻止などを従来上たる目的としている。
上述の第２図（ａｌの従来例では、ＧａＡｓチャネル層
２５はバッファ層を兼ねてその厚さが例えば０．５〜１
−程度と大きく、ゲート電圧がマイナスであるときに２
次元電子ガス２５ｅがへテロ接合界面近傍から深さ方向
に拡がり、ピンチオフ電圧のずれを生ずる傾向がある。
２５はバッファ層を兼ねてその厚さが例えば０．５〜１
−程度と大きく、ゲート電圧がマイナスであるときに２
次元電子ガス２５ｅがへテロ接合界面近傍から深さ方向
に拡がり、ピンチオフ電圧のずれを生ずる傾向がある。
第２図（ｂｌの従来例ではＧａＡｓチャネル層２５を薄
くし、ＡｌＧａＡｓバッファ層２２によって２次元電子
ガス２５ｅの深さ方向の拡がりを抑制することが試みら
れている。しかしながらＡｌＧａＡｓバッファ層２２の
結晶成長表面にはＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｉｃｒ。
くし、ＡｌＧａＡｓバッファ層２２によって２次元電子
ガス２５ｅの深さ方向の拡がりを抑制することが試みら
れている。しかしながらＡｌＧａＡｓバッファ層２２の
結晶成長表面にはＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｉｃｒ。
５ｃｏｐｙ）観察で明らかにされている様に凹凸の乱れ
を生じ、この面上に成長するＧａＡｓチャネル層２５を
薄くすれば２次元電子ガス２５ｅがこの界面の乱れの影
響を受けて、その移動度が低下するなどの問題を伴って
いる。
を生じ、この面上に成長するＧａＡｓチャネル層２５を
薄くすれば２次元電子ガス２５ｅがこの界面の乱れの影
響を受けて、その移動度が低下するなどの問題を伴って
いる。
他方前記の半導体基体のＭＯ−ＣＶＤ法による成長では
、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層２６のへテロ接合界面近
傍にキャリア濃度が低いデイプリージョン領域を生ずる
問題がある。
、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層２６のへテロ接合界面近
傍にキャリア濃度が低いデイプリージョン領域を生ずる
問題がある。
第３図はこの現象を調査するための試料の深さ方向のキ
ャリア濃度分布を示す図であり、本試料では半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板上に、厚さが何れも１１００ｎのノンドープ
のＡｌＧａＡｓ層２２ａ１ノンドープのｉ型ＧａＡｓ層
２５ａ及び電子供給層２６に相当し不純物濃度を５ Ｘ
ＩＯ”Ｃｍ−’と低くしたｎ型ＡｌＧａＡｓ層２６ａを
積層しているが、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層２６ａのＧａＡｓ
層２５ａとのへテロ接合界面近傍に、ＧａＡｓ層２５ａ
にノンドープでも生ずる１０１５ ｃ 「３程度以下の
キャリア濃度より更に低い例えば５ ＸＩＯ”ｃｍ−’
程度の低濃度領域Ａを生じて、ＧａＡｓ層２５ａに２次
元電子ガスが形成されない。
ャリア濃度分布を示す図であり、本試料では半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板上に、厚さが何れも１１００ｎのノンドープ
のＡｌＧａＡｓ層２２ａ１ノンドープのｉ型ＧａＡｓ層
２５ａ及び電子供給層２６に相当し不純物濃度を５ Ｘ
ＩＯ”Ｃｍ−’と低くしたｎ型ＡｌＧａＡｓ層２６ａを
積層しているが、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層２６ａのＧａＡｓ
層２５ａとのへテロ接合界面近傍に、ＧａＡｓ層２５ａ
にノンドープでも生ずる１０１５ ｃ 「３程度以下の
キャリア濃度より更に低い例えば５ ＸＩＯ”ｃｍ−’
程度の低濃度領域Ａを生じて、ＧａＡｓ層２５ａに２次
元電子ガスが形成されない。
これらの試料に生ずる低キヤリア濃度領域ＡはＭＯ−Ｃ
ＶＤ法によるＡｌＧａＡｓ層成長の初期に発生し、反応
管内表面でアルミニウム（ＡＩ）と例えば酸素（０）等
の不純物との化合物ができ、これが結晶成長面に到達す
るためと考えられ、目的とするＡｌＧａＡｓ層の前に成
長するＧａＡｓ層が薄く、その成長時間が短い場合には
この問題が現れない。
ＶＤ法によるＡｌＧａＡｓ層成長の初期に発生し、反応
管内表面でアルミニウム（ＡＩ）と例えば酸素（０）等
の不純物との化合物ができ、これが結晶成長面に到達す
るためと考えられ、目的とするＡｌＧａＡｓ層の前に成
長するＧａＡｓ層が薄く、その成長時間が短い場合には
この問題が現れない。
本発明は上述の各問題点を解決して、高速デバイスとし
て期待が大きいＯＥＭＴ等の実用化を推進することを目
的とする。
て期待が大きいＯＥＭＴ等の実用化を推進することを目
的とする。
前記問題点は、半絶縁性砒化ガリウム基板上に、ノンド
ープの砒化アルミニウムガリウム・バッファ層と、 砒化ガリウム層と砒化アルミニウムガリウム層とからな
るノンドープのバッファ超格子構造と、該砒化アルミニ
ウムガリウム・バッファ層より薄いノンドープの砒化ガ
リウム・チャネル層と、ドナー不純物をドープした砒化
アルミニウムガリウム電子供給層とを備えて、 該砒化ガリウム・チャネル層に２次元電子ガスが形成さ
れる本発明による半導体装置により解決される。
ープの砒化アルミニウムガリウム・バッファ層と、 砒化ガリウム層と砒化アルミニウムガリウム層とからな
るノンドープのバッファ超格子構造と、該砒化アルミニ
ウムガリウム・バッファ層より薄いノンドープの砒化ガ
リウム・チャネル層と、ドナー不純物をドープした砒化
アルミニウムガリウム電子供給層とを備えて、 該砒化ガリウム・チャネル層に２次元電子ガスが形成さ
れる本発明による半導体装置により解決される。
なおＭＯ−ＣＶＤ法による半導体基体では、前記砒化ア
ルミニウムガリウム・バッファ層のアルミニウム混晶比
をｘ、前記バッファ超格子構造のアルミニウム混晶比の
平均値をｙ１前記砒化アルミニウムガリウム電子供給層
のアルミニウム混晶比を２として、 ｙ≧ｘ＞ｚ とすることが望ましい。
ルミニウムガリウム・バッファ層のアルミニウム混晶比
をｘ、前記バッファ超格子構造のアルミニウム混晶比の
平均値をｙ１前記砒化アルミニウムガリウム電子供給層
のアルミニウム混晶比を２として、 ｙ≧ｘ＞ｚ とすることが望ましい。
本発明によれば、ＡｌＧａＡｓバッファ層上にＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ超格子構造を設けることによりバッフ
ァ層／チャネル層界面の乱れを抑制して、ＧａＡｓチャ
ネル層が薄い場合にも２次元電子ガスに移動度低下等の
悪影響が及ぶことを防止する。
／ＡｌＧａＡｓ超格子構造を設けることによりバッフ
ァ層／チャネル層界面の乱れを抑制して、ＧａＡｓチャ
ネル層が薄い場合にも２次元電子ガスに移動度低下等の
悪影響が及ぶことを防止する。
この様に障害を排除することにより、ＧａＡｓチャネル
層を薄くして、２次元電子ガスの拡がりによるピンチオ
フ電圧のずれ等の特性を改善すること、更にＭＯ−ＣＶ
Ｄ法による半導体基体ではｎ型Ａ ｌＧａＡｓ電子供給
層のへテロ接合界面近傍のデイプリージョン領域を防止
すること等の効果が得られる。
層を薄くして、２次元電子ガスの拡がりによるピンチオ
フ電圧のずれ等の特性を改善すること、更にＭＯ−ＣＶ
Ｄ法による半導体基体ではｎ型Ａ ｌＧａＡｓ電子供給
層のへテロ接合界面近傍のデイプリージョン領域を防止
すること等の効果が得られる。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図はＨＥＭＴにかかる本発明の実施例を示す模式側
断面図である。
断面図である。
本実施例の半導体基体は半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、
ＡｌＧａＡｓバッファ層２及び４、バッファ超格子構造
３、ＧａＡｓチャネル層５、層６ａ、 ６ｂから−なる
ＡｌＧａＡｓ電子供給層６ 、ＧａＡｓキャップＮ７が
例えば下記の如＜ ＭＯ−ＣＶＤ法により形成されてい
る。
ＡｌＧａＡｓバッファ層２及び４、バッファ超格子構造
３、ＧａＡｓチャネル層５、層６ａ、 ６ｂから−なる
ＡｌＧａＡｓ電子供給層６ 、ＧａＡｓキャップＮ７が
例えば下記の如＜ ＭＯ−ＣＶＤ法により形成されてい
る。
符号 組成 不純物 厚さｃｍ−”
ｎｍ ７ ＧａＡｓ ２ ｘｌＱｌａ
３０６ｂ Ａｌ５Ｇａｔ−Ｊｓ； ｚ□０
．３ ２ ｘｌＱｌａ ３０５ａ Ａ１．
Ｇａｌ−、Ａｓ； ｚ＝０．３ ノンドープ 嬌５
５ ＧａＡｓ ノンドープ 下記
４ Ａｌ５Ｇａｔ−ｗＡｓ； ｗ＝０．５ ノ
ンドープ ＃５０３ 超格子構造 ３ａ×５層＋３ｂ
×５層３ｂ ＧａＡｓ ノンドープ
１３ａ Ａｌ５Ｇａｔ−ｙＡｓＨｙ＝ｘ、ｏ
ノンドープ １２Ａ１ｘＧａｌ−ｘＡｓ； ｘ
＝０．５ ノンドープ ≧５０本実施例のバッファ
は基板１側がらＡｌＧａＡｓ層２、超格子構造３、Ａｌ
ＧａＡｓ層４で構成しているが、ＡｌＧａＡｓ層２及び
４はＡｌ混晶比を０．５として、へｌＧａＡｓ電子供給
層６ａ、６ｂの０．３より大きくしている。
ｎｍ ７ ＧａＡｓ ２ ｘｌＱｌａ
３０６ｂ Ａｌ５Ｇａｔ−Ｊｓ； ｚ□０
．３ ２ ｘｌＱｌａ ３０５ａ Ａ１．
Ｇａｌ−、Ａｓ； ｚ＝０．３ ノンドープ 嬌５
５ ＧａＡｓ ノンドープ 下記
４ Ａｌ５Ｇａｔ−ｗＡｓ； ｗ＝０．５ ノ
ンドープ ＃５０３ 超格子構造 ３ａ×５層＋３ｂ
×５層３ｂ ＧａＡｓ ノンドープ
１３ａ Ａｌ５Ｇａｔ−ｙＡｓＨｙ＝ｘ、ｏ
ノンドープ １２Ａ１ｘＧａｌ−ｘＡｓ； ｘ
＝０．５ ノンドープ ≧５０本実施例のバッファ
は基板１側がらＡｌＧａＡｓ層２、超格子構造３、Ａｌ
ＧａＡｓ層４で構成しているが、ＡｌＧａＡｓ層２及び
４はＡｌ混晶比を０．５として、へｌＧａＡｓ電子供給
層６ａ、６ｂの０．３より大きくしている。
超格子構造３は上記の如＜Ｙ＝１．０のＡｌ５Ｇａｔ−
ｙＡｓすなわちＡｌＡｓとＧａＡｓとで構成し、その厚
さ及び層数を重みづけした混晶比の平均値ｙを０．５以
上としている。
ｙＡｓすなわちＡｌＡｓとＧａＡｓとで構成し、その厚
さ及び層数を重みづけした混晶比の平均値ｙを０．５以
上としている。
ＧａＡｓチャネルＮ５はこの本発明によるバッファ上に
、厚さ例えば５〜５０ｎｍ程度の範囲で任意に成長する
ことができ、ＡｌＧａＡｓ電子供給層６とのへテロ接合
界面近傍に２次元電子ガス５ｅが形成され、ＡｌＧａＡ
ｓバッファ層５とのへテロ接合界面も十分に滑らかであ
って、電子移動度の低下等の障害が解決されている。
、厚さ例えば５〜５０ｎｍ程度の範囲で任意に成長する
ことができ、ＡｌＧａＡｓ電子供給層６とのへテロ接合
界面近傍に２次元電子ガス５ｅが形成され、ＡｌＧａＡ
ｓバッファ層５とのへテロ接合界面も十分に滑らかであ
って、電子移動度の低下等の障害が解決されている。
この半導体基体上に従来技術により、ソース、ドレイン
電極８を例えば金ゲルマニウム／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）
を用いて、ゲート電極９を例えばアルミニウム（ＡＩ）
を用いて配設する。
電極８を例えば金ゲルマニウム／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）
を用いて、ゲート電極９を例えばアルミニウム（ＡＩ）
を用いて配設する。
本実施例ではＧａＡｓチャネル層を薄くシて井戸構造と
した効果が、バッファ層界面の乱れによる悪影響なく得
られ本発明の効果を実証している。
した効果が、バッファ層界面の乱れによる悪影響なく得
られ本発明の効果を実証している。
なお本発明はＩＩＥＭＴにその適用を限られるものでは
なく、空間分離ドーピングと界面量子化による高移動度
のキャリアを利用する他のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系半
導体装置にも適用することが可能である。
なく、空間分離ドーピングと界面量子化による高移動度
のキャリアを利用する他のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系半
導体装置にも適用することが可能である。
以上説明した如く本発明によれば、空間分離ドーピング
と界面量子化による２次元電子ガスをチャネルとするＧ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体装置において、ＧａＡｓ
チャネル層を薄くし井戸構造としてその特性を向上し、
加えてＮｏ−ＣＶＤ法により半導体基体を形成して実用
化に良く対処することが可能となる。
と界面量子化による２次元電子ガスをチャネルとするＧ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体装置において、ＧａＡｓ
チャネル層を薄くし井戸構造としてその特性を向上し、
加えてＮｏ−ＣＶＤ法により半導体基体を形成して実用
化に良く対処することが可能となる。
第１図はＨＥＭＴにかかる実施例の模式側断面図、第２
図（ａ）、（ｂ）はＨＥＭＴの従来例の模式側断面図、
第３図はＭＯ−ＣＶＤ法による試料のキャリア濃度分布
の例を示す図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２及び４はノンドープのＡｌＧａＡｓバッファ層、３は
ＧａＡｓ ／＾ｌＧａＡｓ超格子構造、５はノンドープ
のＧａＡｓチャネル層、５ｅは２次元電子ガス、 ６ａはノンドープのＡｌＧａＡｓスペーサ層、６ｂはｎ
型ＡｌＧａＡｓ電子供給層、 ７はｎ型ＧａＡｓキャップ層翫 ８はソース、ドレイン電極、 ９はゲート電極を示す。 Ｘ党り］の榎武゛震１１餠［有］図 竿 １ 呟 （α） （し） ＨＥ、”ＩＴのイ道ｆ：、グ″ｊの、涙式：侵″１町韻
【子 ２ 図
図（ａ）、（ｂ）はＨＥＭＴの従来例の模式側断面図、
第３図はＭＯ−ＣＶＤ法による試料のキャリア濃度分布
の例を示す図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２及び４はノンドープのＡｌＧａＡｓバッファ層、３は
ＧａＡｓ ／＾ｌＧａＡｓ超格子構造、５はノンドープ
のＧａＡｓチャネル層、５ｅは２次元電子ガス、 ６ａはノンドープのＡｌＧａＡｓスペーサ層、６ｂはｎ
型ＡｌＧａＡｓ電子供給層、 ７はｎ型ＧａＡｓキャップ層翫 ８はソース、ドレイン電極、 ９はゲート電極を示す。 Ｘ党り］の榎武゛震１１餠［有］図 竿 １ 呟 （α） （し） ＨＥ、”ＩＴのイ道ｆ：、グ″ｊの、涙式：侵″１町韻
【子 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半絶縁性砒化ガリウム基板上に、ノンドープの砒化
アルミニウムガリウム・バッファ層と、砒化ガリウム層
と砒化アルミニウムガリウム層とからなるノンドープの
バッファ超格子構造と、該砒化アルミニウムガリウム・
バッファ層より薄いノンドープの砒化ガリウム・チャネ
ル層と、ドナー不純物をドープした砒化アルミニウムガ
リウム電子供給層とを備えて、 該砒化ガリウム・チャネル層に２次元電子ガスが形成さ
れることを特徴とする半導体装置。 ２）前記砒化アルミニウムガリウム・バッファ層のアル
ミニウム混晶比をｘ、前記バッファ超格子構造のアルミ
ニウム混晶比の平均値をｙ、前記砒化アルミニウムガリ
ウム電子供給層のアルミニウム混晶比をｚとして、 ｙ≧ｘ＞ｚ なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143615A JPS63170A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143615A JPS63170A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170A true JPS63170A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=15342859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61143615A Pending JPS63170A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63170A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464367A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH036030A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Sharp Corp | 電界効果型半導体装置 |
| US5146295A (en) * | 1988-03-29 | 1992-09-08 | Omron Tateisi Electronic Co. | Semiconductor light emitting device having a superlattice buffer layer |
| US5254863A (en) * | 1990-10-19 | 1993-10-19 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor device such as a high electron mobility transistor |
| US5283445A (en) * | 1991-11-29 | 1994-02-01 | Fujitsu Limited | Quantum semiconductor device employing quantum boxes for enabling compact size and high-speed operation |
| JPH06188272A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-07-08 | Nec Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP61143615A patent/JPS63170A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464367A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
| US5146295A (en) * | 1988-03-29 | 1992-09-08 | Omron Tateisi Electronic Co. | Semiconductor light emitting device having a superlattice buffer layer |
| JPH036030A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Sharp Corp | 電界効果型半導体装置 |
| US5254863A (en) * | 1990-10-19 | 1993-10-19 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor device such as a high electron mobility transistor |
| US5283445A (en) * | 1991-11-29 | 1994-02-01 | Fujitsu Limited | Quantum semiconductor device employing quantum boxes for enabling compact size and high-speed operation |
| JPH06188272A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-07-08 | Nec Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
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