JPS62268355A - 電力変換装置のスナバ回路 - Google Patents
電力変換装置のスナバ回路Info
- Publication number
- JPS62268355A JPS62268355A JP10845786A JP10845786A JPS62268355A JP S62268355 A JPS62268355 A JP S62268355A JP 10845786 A JP10845786 A JP 10845786A JP 10845786 A JP10845786 A JP 10845786A JP S62268355 A JPS62268355 A JP S62268355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- snubber circuit
- diode
- current
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電力変換装置に係り、特に、１アームが電流開
閉素子とダイオードの直列回路で構成された方式のスナ
バ回路に関する。
閉素子とダイオードの直列回路で構成された方式のスナ
バ回路に関する。
交流を直流に、又は、直流を交流に変換する電力変換装
置は、一般に、電流開閉素子（１ヘランジスタやＧＴＯ
のことで、ここではトランジスタと呼ぶ）を各アームに
用いてブリッジ構成している（たとえば８．６０電気学
会全国大会５０２）。
置は、一般に、電流開閉素子（１ヘランジスタやＧＴＯ
のことで、ここではトランジスタと呼ぶ）を各アームに
用いてブリッジ構成している（たとえば８．６０電気学
会全国大会５０２）。
そして、トランジスタのように逆方向電圧の許容値が小
さい場合にはトランジスタとダイオードをを直列に接続
して印加される逆方向電圧をダイオードで保持するよう
になっている。
さい場合にはトランジスタとダイオードをを直列に接続
して印加される逆方向電圧をダイオードで保持するよう
になっている。
この回路で、トランジスタが転流するとき、これまで流
れていたトランジスタの電流が急激に減少するため配線
に含まれるインダクタンスにより過電圧が発生する。こ
のとき、過電圧が電源電圧に加わり、トランジスタの順
方向、及び、ダイオードの逆方向の許容値を越えると各
素子の破醸という事故になる。そこで、この問題を解決
するため一般に、第２図で示すように各素子に並列にコ
ンデンサＣｔ、Ｃｄ、抵抗Ｒｔ、Ｒｄからなるスナバ回
路を用いることが考えられる。
れていたトランジスタの電流が急激に減少するため配線
に含まれるインダクタンスにより過電圧が発生する。こ
のとき、過電圧が電源電圧に加わり、トランジスタの順
方向、及び、ダイオードの逆方向の許容値を越えると各
素子の破醸という事故になる。そこで、この問題を解決
するため一般に、第２図で示すように各素子に並列にコ
ンデンサＣｔ、Ｃｄ、抵抗Ｒｔ、Ｒｄからなるスナバ回
路を用いることが考えられる。
しかし、従来技術では各々のスナバ回路は互いに各素子
に発生する過電圧を別々に吸収するように働くため、ス
サバ定数はほぼ同等の値を用いなければならずスナバ回
路が大形で高価であり、又、実装スペースが大きくなる
等の問題があった。
に発生する過電圧を別々に吸収するように働くため、ス
サバ定数はほぼ同等の値を用いなければならずスナバ回
路が大形で高価であり、又、実装スペースが大きくなる
等の問題があった。
本発明の目的は小形で安価な電力変換装置を提供するこ
とにある。
とにある。
上記目的は、スナバ回路方式を変更することにより達成
される。
される。
スナバ回路の一方を全体の過電圧を吸収するように構成
し、他方を、その素子に印加される過電圧を吸収するよ
うに構成すれば一方のスナバ回路の定数、特に、コンデ
ンサの値を小さくすることができる。
し、他方を、その素子に印加される過電圧を吸収するよ
うに構成すれば一方のスナバ回路の定数、特に、コンデ
ンサの値を小さくすることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図を用いて説明
する。
する。
第１図において、Ｕ、Ｖ、Ｗは三相電源、Ｕ ＋。
ｖ’、ｗ”、ｕ−、ｖ−、ｗ−は各アーム構成要素、Ｌ
ｄは直流リアクトル、ＬＬは負荷（たとえばインバー
タ部とこれで駆動される誘導電動機等）Ｃ「は平滑用コ
ンデンサ、ＵＴ ｒ ” 、 ＵＴ ｒ−は各アームＵ
＋とＵ−中のトランジスタ、ＵＤ”。
ｄは直流リアクトル、ＬＬは負荷（たとえばインバー
タ部とこれで駆動される誘導電動機等）Ｃ「は平滑用コ
ンデンサ、ＵＴ ｒ ” 、 ＵＴ ｒ−は各アームＵ
＋とＵ−中のトランジスタ、ＵＤ”。
ｔＴＤ−は各アームＵ′″とＵ−中のダイオード、Ｃｔ
、Ｃｄ、Ｒｔ、Ｒｄはスナバ用のコンデンサ及び抵抗で
ある。なお、■“〜Ｗ−も同様に構成されるものである
がここでは省略している。
、Ｃｄ、Ｒｔ、Ｒｄはスナバ用のコンデンサ及び抵抗で
ある。なお、■“〜Ｗ−も同様に構成されるものである
がここでは省略している。
今、変換回路中の一つのモードとして、アームＶ−の１
〜ランジスタＶＴｒ−が導通し、かつ、電源Ｕが電源Ｖ
よりも高いときにアームＵ＋の１〜ランジスタＵＴｒ＋
が導通しているときは、電源Ｕ−Ｖの電圧が負荷Ｌ Ｌ
、に印加されている。いわゆる、電源印加時である。こ
のような条件で１〜ランジスタτＪＴｒ＋のベース電流
をなくし、今まで流れていた電流Ｉｃを急激に減少させ
る状況を考察すると、第３図の（ａ）の回路で、印加電
源電圧はダイオード側が正となっているので、電流Ｉｃ
はトランジスタの遮断特性に従って第３図（ｂ）のよう
にややゆるやかに減少するが１〜ランジスタのコレクタ
エミッタ間電圧Ｖ ｅｒ は電源部のインダクタンス
による過電圧とトランジスタ廻りの配線中のインダクタ
ンスによる過電圧が印加されることになるが電源部のイ
ンダクタンスによる過電圧は電源側に接続された平滑コ
ンデンサＯｆで吸収されるようになっており、トランジ
スタにはその部分以後の配線中に含まれるインダクタン
スにより、第２回（ｂ）のＶｃε 波形の電圧が印加さ
れ、その過電圧を第１図で示すように、コンデンサＣｔ
と抵抗Ｒｔのスナバ回路で吸収するようにダイオードと
トランジスタの直列回路にかかるように構成する。これ
を第一のスナバ回路と呼ぶ。このときの電圧波形はダイ
オードに対して順方向であり、ダイオードに過電圧は印
加されない。
〜ランジスタＶＴｒ−が導通し、かつ、電源Ｕが電源Ｖ
よりも高いときにアームＵ＋の１〜ランジスタＵＴｒ＋
が導通しているときは、電源Ｕ−Ｖの電圧が負荷Ｌ Ｌ
、に印加されている。いわゆる、電源印加時である。こ
のような条件で１〜ランジスタτＪＴｒ＋のベース電流
をなくし、今まで流れていた電流Ｉｃを急激に減少させ
る状況を考察すると、第３図の（ａ）の回路で、印加電
源電圧はダイオード側が正となっているので、電流Ｉｃ
はトランジスタの遮断特性に従って第３図（ｂ）のよう
にややゆるやかに減少するが１〜ランジスタのコレクタ
エミッタ間電圧Ｖ ｅｒ は電源部のインダクタンス
による過電圧とトランジスタ廻りの配線中のインダクタ
ンスによる過電圧が印加されることになるが電源部のイ
ンダクタンスによる過電圧は電源側に接続された平滑コ
ンデンサＯｆで吸収されるようになっており、トランジ
スタにはその部分以後の配線中に含まれるインダクタン
スにより、第２回（ｂ）のＶｃε 波形の電圧が印加さ
れ、その過電圧を第１図で示すように、コンデンサＣｔ
と抵抗Ｒｔのスナバ回路で吸収するようにダイオードと
トランジスタの直列回路にかかるように構成する。これ
を第一のスナバ回路と呼ぶ。このときの電圧波形はダイ
オードに対して順方向であり、ダイオードに過電圧は印
加されない。
なお、トランジスタＵＴｒ＋が遮断されるときはアーム
Ｖ＋のトランジスタＶＴｒ＋が導通され。
Ｖ＋のトランジスタＶＴｒ＋が導通され。
負荷電流はアーム■−とアーム■１で環流するようにな
っており、出力回路の直流リアクトルの電流は急減され
ることがなく、直流リアクトルが過電圧を発生すること
はない。
っており、出力回路の直流リアクトルの電流は急減され
ることがなく、直流リアクトルが過電圧を発生すること
はない。
一方、」−記のようにアームＶ−のトランジスタＶ Ｔ
ｒ−が導通しているとき、電源のＶ相がＵ相の電圧よ
り高いときにアームＵ１のトランジスタＵ Ｔ ｒ ’
−が導通ずると負荷ＬＬ負の電圧を印加するモードとな
る。このようなモードで今度はアームＶ＋のトランジス
タＶＴｒ”が導通すると、トランジスタＵＴｒ”はベー
ス電流の有無に関係なくｖ相電圧が１〜ランジスタＵ
Ｔ ｒ ”のエミッタ側に印加され、トランジスタ電流
Ｉｃは第３図（Ｃ）のように高い変化率で減少される、
いわゆる、電源転流が行なわれることになり、１−ラン
ジスタ電流Ｉｃは負方向に流れる。いわり）るりカバリ
電流である。このときダイオードは蓄積電荷を放出し、
逆阻止状態に戻るから電流が急変し、ダイオードにはＶ
ｄの波形の電圧が印加されることになり、このときの急
激な過電圧は第１図に示すようにダイオードに並列に接
続したコンデンサＣｄ、抵抗Ｒｄからなるスナバ回路で
吸収するようにする。
ｒ−が導通しているとき、電源のＶ相がＵ相の電圧よ
り高いときにアームＵ１のトランジスタＵ Ｔ ｒ ’
−が導通ずると負荷ＬＬ負の電圧を印加するモードとな
る。このようなモードで今度はアームＶ＋のトランジス
タＶＴｒ”が導通すると、トランジスタＵＴｒ”はベー
ス電流の有無に関係なくｖ相電圧が１〜ランジスタＵ
Ｔ ｒ ”のエミッタ側に印加され、トランジスタ電流
Ｉｃは第３図（Ｃ）のように高い変化率で減少される、
いわゆる、電源転流が行なわれることになり、１−ラン
ジスタ電流Ｉｃは負方向に流れる。いわり）るりカバリ
電流である。このときダイオードは蓄積電荷を放出し、
逆阻止状態に戻るから電流が急変し、ダイオードにはＶ
ｄの波形の電圧が印加されることになり、このときの急
激な過電圧は第１図に示すようにダイオードに並列に接
続したコンデンサＣｄ、抵抗Ｒｄからなるスナバ回路で
吸収するようにする。
これを第二のスナバ回路と呼ぶ。
第二のスナバ回路は第１図に示すように、ダイオード廻
りの配線のインダクタンス分による過電圧を吸収するの
であるから、スナバ定数、特に、コンデンサｃｄの値は
第一のスナバ回路のコンデンサＣｔに比較して小さな値
でも十分過電圧を吸収することができる。
りの配線のインダクタンス分による過電圧を吸収するの
であるから、スナバ定数、特に、コンデンサｃｄの値は
第一のスナバ回路のコンデンサＣｔに比較して小さな値
でも十分過電圧を吸収することができる。
本発明によればスナバ回路の小形化が図られ、安価な電
力変換装置を提供することができる。
力変換装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第３図は本発明の
詳細な説明する特性図、第２図は従来技）術を説明する
ため０回路図７あ６・ Ｃｔ、Ｒｔ・・・第一のスナバ回路、Ｃｄ、Ｒｄ・・・
第二のスナバ回路。
詳細な説明する特性図、第２図は従来技）術を説明する
ため０回路図７あ６・ Ｃｔ、Ｒｔ・・・第一のスナバ回路、Ｃｄ、Ｒｄ・・・
第二のスナバ回路。
Claims (1)
- １、少なくとも一アームは電流開閉素子とダイオードの
直列回路からなる電力変換装置において、前記電流開閉
素子と前記直列回路にかかる第一のスナバ回路と、前記
ダイオードに接続される第二のスナバ回路とで構成した
ことを特徴とする電力変換装置のスナバ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10845786A JPS62268355A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 電力変換装置のスナバ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10845786A JPS62268355A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 電力変換装置のスナバ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62268355A true JPS62268355A (ja) | 1987-11-20 |
Family
ID=14485254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10845786A Pending JPS62268355A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 電力変換装置のスナバ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62268355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013146131A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Kokusan Denki Co Ltd | 直流電源装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5910165A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | ゲートターンオフサイリスタのスイッチング回路 |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP10845786A patent/JPS62268355A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5910165A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | ゲートターンオフサイリスタのスイッチング回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013146131A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Kokusan Denki Co Ltd | 直流電源装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5077651A (en) | Snubber circuit of power converter | |
| JP3598933B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| US6597590B2 (en) | 3-Level inverter apparatus | |
| CN100477474C (zh) | 三电平中性点箝位式反相电路 | |
| JPH05336732A (ja) | Ｉｇｂｔゲート回路 | |
| JP2957407B2 (ja) | ３レベルインバータ装置 | |
| JPS59117459A (ja) | スイツチング回路 | |
| JPH07312878A (ja) | ３レベルインバータのスナバ回路 | |
| US4922365A (en) | Overvoltage suppressing circuit for semiconductor device | |
| JP3569192B2 (ja) | 半導体電力変換装置 | |
| JPH0823682A (ja) | サージ電圧抑制装置 | |
| JPS62268355A (ja) | 電力変換装置のスナバ回路 | |
| JPH088394A (ja) | 高速スイッチングデバイスの主回路構成方法 | |
| JP2573229B2 (ja) | 可変電圧・可変周波数電源装置 | |
| JPS62290348A (ja) | 電力変換装置のスナバ回路 | |
| JPH0516874Y2 (ja) | ||
| JP2919033B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH08205560A (ja) | 電力変換装置 | |
| JPS61140174A (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
| JP3491654B2 (ja) | 電力変換装置のｐｗｍ制御方法 | |
| JPH08196083A (ja) | インバータ | |
| JPS60156220A (ja) | インバ−タ装置 | |
| JPS6116794Y2 (ja) | ||
| JP3028694B2 (ja) | 直流電源装置 | |
| JPS58218874A (ja) | Ｇｔｏを用いたコンバ−タ |