JPS62271471A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
- Publication number
- JPS62271471A JPS62271471A JP61115066A JP11506686A JPS62271471A JP S62271471 A JPS62271471 A JP S62271471A JP 61115066 A JP61115066 A JP 61115066A JP 11506686 A JP11506686 A JP 11506686A JP S62271471 A JPS62271471 A JP S62271471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum
- electrode
- source electrode
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ビ）産業上の利用分野
本発明は薄膜トランジスタ（ＴＰＴと称す）に関し、特
にアクティブマトリックス型の液晶表示装置のＴ’ＦＴ
のドレイン電極とソース電極構造に関するものである。
にアクティブマトリックス型の液晶表示装置のＴ’ＦＴ
のドレイン電極とソース電極構造に関するものである。
１口）従来の技術
アクティブマトリックス型の液晶表示装置は三洋１！機
技報ＶｏＬ、１６１ Ｎ１１２１１９８４ Ｋ示されて
いる如く複数本のゲートラインとそれらと直交する複数
本のドレインライン及びそれらの交点にＴＰＴを形成し
て表示電離を結合した基板に対向電極が相対しその間に
液晶を挾持する形をとる。又その作製手Ｉ［け次のとお
りである。第２図（ａ）、［有］）Ｋ示す如く、例えば
ガラス基板（））上にクロム、金等からなるゲート電極
（３）を形成し、その上にナイトライド膜等の絶縁膜（
６）を堆積した後、例えばアモルファスシリコン膜（４
）を堆積しチャンネル部を形成し、その後さらにアルミ
ニウム等でドレイン、ソース電［ｆｘｌ、［２１を形成
し、続いて工’ｌ’Ｏ等で表示電極（６）を形成する。
技報ＶｏＬ、１６１ Ｎ１１２１１９８４ Ｋ示されて
いる如く複数本のゲートラインとそれらと直交する複数
本のドレインライン及びそれらの交点にＴＰＴを形成し
て表示電離を結合した基板に対向電極が相対しその間に
液晶を挾持する形をとる。又その作製手Ｉ［け次のとお
りである。第２図（ａ）、［有］）Ｋ示す如く、例えば
ガラス基板（））上にクロム、金等からなるゲート電極
（３）を形成し、その上にナイトライド膜等の絶縁膜（
６）を堆積した後、例えばアモルファスシリコン膜（４
）を堆積しチャンネル部を形成し、その後さらにアルミ
ニウム等でドレイン、ソース電［ｆｘｌ、［２１を形成
し、続いて工’ｌ’Ｏ等で表示電極（６）を形成する。
さらに図示しないが、その上に配向膜を付け、液晶、対
向電極、フィルター、偏光板を組み合わせる。このＴＰ
Ｔ部が正常に動作するためＫはこの図にあるようにドレ
イン電極ｆｉ＋とソース重要（２）が一定の間隙を持ち
、分離されている必要がある。この間隙はエツチング技
術等によってこの部分にあるアルミニウム等を取り除き
形成されるが、完全に取り除かないとドレイン電極（１
）とソース電極（２）の短絡が生じ画質の低下をもたら
す。
向電極、フィルター、偏光板を組み合わせる。このＴＰ
Ｔ部が正常に動作するためＫはこの図にあるようにドレ
イン電極ｆｉ＋とソース重要（２）が一定の間隙を持ち
、分離されている必要がある。この間隙はエツチング技
術等によってこの部分にあるアルミニウム等を取り除き
形成されるが、完全に取り除かないとドレイン電極（１
）とソース電極（２）の短絡が生じ画質の低下をもたら
す。
（ハ）発明が解決しようとする問題黒
光にも述べたように現在の技術ではドレイン電極ｆｉｌ
とソース電極（２１の間で短絡が生じる可能性がある。
とソース電極（２１の間で短絡が生じる可能性がある。
短絡が生じた場合このＴＰＴはスイッチング素子として
の機能を果す事ができない。したがってこのＴＰＴと接
続している表示電極部分の表示は透過光量の調整が行な
えなくなる。この不良は修正する事が現在の構造では不
可能である。例えば５インチサイズのパネルでは約３０
万個のＴＦＴがガラス基板上に形成されているが、表示
装置として使用する場合ショートは許されない。
の機能を果す事ができない。したがってこのＴＰＴと接
続している表示電極部分の表示は透過光量の調整が行な
えなくなる。この不良は修正する事が現在の構造では不
可能である。例えば５インチサイズのパネルでは約３０
万個のＴＦＴがガラス基板上に形成されているが、表示
装置として使用する場合ショートは許されない。
又、チャンネル部にアモルファスシリコン膜を用い九第
２図の構造のＴＰＴでは、ゲー）を他（３）の反対側、
つまりドレイン電極（１）、ソース電極（２）側てチャ
ンネル部に対する連光部分がない。従って、この露出し
たチャンネル部に光が当たると光導電性を呈し、チャン
ネル部が低抵抗化する事となる。例えばこのＴＦＴＶＣ
約１００００１ｕＸの光を照射したときけ０１Ｐ１Ｆ電
流がおよそ１桁上昇し、ＯＮ状態に近い状態となってＴ
ＰＴのスイッチング機能の低下を招く欠点があった。
２図の構造のＴＰＴでは、ゲー）を他（３）の反対側、
つまりドレイン電極（１）、ソース電極（２）側てチャ
ンネル部に対する連光部分がない。従って、この露出し
たチャンネル部に光が当たると光導電性を呈し、チャン
ネル部が低抵抗化する事となる。例えばこのＴＦＴＶＣ
約１００００１ｕＸの光を照射したときけ０１Ｐ１Ｆ電
流がおよそ１桁上昇し、ＯＮ状態に近い状態となってＴ
ＰＴのスイッチング機能の低下を招く欠点があった。
に）問題点を解決するための手段
本発明のＴＩＦＴｌｄドレイン電極とソース電極とをア
ルミニウム膜にて一体的て形成し、両電極の分離部分の
アルミニウム膜を酸化処理して絶縁せしめたものである
。
ルミニウム膜にて一体的て形成し、両電極の分離部分の
アルミニウム膜を酸化処理して絶縁せしめたものである
。
（ホ）作 用
本発明に依れば、ＴＦＴのドレイン電極とソース電極は
アルミニウム膜にて一体的に同時釦形成され、エツチン
グ技術等によるドレイン・ソース電極間の間隙のアルミ
ニウムの除去を必要としないで、この間隙部のアルミニ
ウムを酸化して絶縁性の酸化アルミニウムとする事によ
り、両電項間の短絡が防げる。しかも酸化アルミニウム
を黒色に染色する事によって遮光が行なわれるので、光
照射によるスイッチング機能の低下はない。
アルミニウム膜にて一体的に同時釦形成され、エツチン
グ技術等によるドレイン・ソース電極間の間隙のアルミ
ニウムの除去を必要としないで、この間隙部のアルミニ
ウムを酸化して絶縁性の酸化アルミニウムとする事によ
り、両電項間の短絡が防げる。しかも酸化アルミニウム
を黒色に染色する事によって遮光が行なわれるので、光
照射によるスイッチング機能の低下はない。
（へ）実施例
第１図に本発明の一実施例のＴＩＦＴを用いたアクティ
ブマトリックス型の液晶表示装置の要部平面図と断面図
を示す。同図忙於いて、（ｌ）〜（７）は第２図の液晶
表示装置と同様に１ ドレイン電柵〜ガラス基板を示し
ており、本発明のＴＰＴが従来のＴＰＴと異なる所はア
ルミニウムのドレイン電極（１）とソース電極（２）と
の間に酸化アルミニウムからなる絶縁部（８）を設けた
点だある。さらＫこの絶縁部（８）には多数の小孔が形
成されたＡｌ２Ｏ５からなり、この多数の小孔を利して
黒色の染料で染色されたΔ 遮光膜として働くのである。
ブマトリックス型の液晶表示装置の要部平面図と断面図
を示す。同図忙於いて、（ｌ）〜（７）は第２図の液晶
表示装置と同様に１ ドレイン電柵〜ガラス基板を示し
ており、本発明のＴＰＴが従来のＴＰＴと異なる所はア
ルミニウムのドレイン電極（１）とソース電極（２）と
の間に酸化アルミニウムからなる絶縁部（８）を設けた
点だある。さらＫこの絶縁部（８）には多数の小孔が形
成されたＡｌ２Ｏ５からなり、この多数の小孔を利して
黒色の染料で染色されたΔ 遮光膜として働くのである。
次に製造工程を示す。
まずガラス基板（７）上へ膜厚４０００Ａのクロム・金
からなるゲート電ｇ［３）、膜厚４０００Ａのナイトラ
イド膜の絶縁膜（６）、膜厚１０００Ａのアモルファス
シリコン膜（４）、膜、Ｉｊ！ １μのドレイン電極（
１）とソース電極（２）と絶縁部（８）とを得るアルミ
ニウム膜パターンを順次積層する。斯るアルミニウム膜
パターンは一連のドレイン電極ｆｉｌとソース電極（２
）との間の箇所を局部的に陽極酸化する事によって、こ
の箇所を＊ｒｚＣ＋３（多孔性アルミナ）なる絶縁部（
８）とし両電極ｆｌｌｆ２１を電気的に分離するのであ
る。このような局部的な陽極酸化の手法は、「電気科学
」４４．随８（１９７６年）の記事「電子材料における
陽極反応膜の応用Ｊ （Ｐ４９１〜Ｐ４９７ ）Ｉｃ詳
しく開示されているようド、選択的にアルミニウム膜上
のフォトレジストに開口をａけ、この開口部から露出し
たアルミニウム膜箇所のみを陽極酸化してＡｌｔｏｓ
（多孔性アルミナ）とするものです。
からなるゲート電ｇ［３）、膜厚４０００Ａのナイトラ
イド膜の絶縁膜（６）、膜厚１０００Ａのアモルファス
シリコン膜（４）、膜、Ｉｊ！ １μのドレイン電極（
１）とソース電極（２）と絶縁部（８）とを得るアルミ
ニウム膜パターンを順次積層する。斯るアルミニウム膜
パターンは一連のドレイン電極ｆｉｌとソース電極（２
）との間の箇所を局部的に陽極酸化する事によって、こ
の箇所を＊ｒｚＣ＋３（多孔性アルミナ）なる絶縁部（
８）とし両電極ｆｌｌｆ２１を電気的に分離するのであ
る。このような局部的な陽極酸化の手法は、「電気科学
」４４．随８（１９７６年）の記事「電子材料における
陽極反応膜の応用Ｊ （Ｐ４９１〜Ｐ４９７ ）Ｉｃ詳
しく開示されているようド、選択的にアルミニウム膜上
のフォトレジストに開口をａけ、この開口部から露出し
たアルミニウム膜箇所のみを陽極酸化してＡｌｔｏｓ
（多孔性アルミナ）とするものです。
斯して得られ九Ａｌ ２０ ｓからなる絶縁部（８）は
電極＋１１＋２１のアルミニウムとは異なり透明なもの
となるので、この絶縁部（８）下のアモルファスシリコ
ン膜（４）のチャンネル部でけ遮光ができない事になる
。
電極＋１１＋２１のアルミニウムとは異なり透明なもの
となるので、この絶縁部（８）下のアモルファスシリコ
ン膜（４）のチャンネル部でけ遮光ができない事になる
。
しかしながら、この絶縁部（８）は多孔性アルミナであ
り、多数の小孔の存在によって染料や顔料による色付け
が容易である事から、黒色の遮光膜として用いる事がで
きる。具体的には、黒色顔料をＴＰＴの電極ｆｌ）ｆ２
１間の絶縁部（８）位置知合わせて例えばスクリーン印
刷し、この顔料を絶縁部（８）の多数の小孔中に充填せ
しめ、これＫよってこの黒色顔料の定着がなされる。
り、多数の小孔の存在によって染料や顔料による色付け
が容易である事から、黒色の遮光膜として用いる事がで
きる。具体的には、黒色顔料をＴＰＴの電極ｆｌ）ｆ２
１間の絶縁部（８）位置知合わせて例えばスクリーン印
刷し、この顔料を絶縁部（８）の多数の小孔中に充填せ
しめ、これＫよってこの黒色顔料の定着がなされる。
このよう々遮光膜は、第２図の如き従来装置に於いては
、ドレイン重要ｆｔ）及びソース電極（２）の形成後、
この上にさらに絶峰膜を介して金属被膜を両電極＋１）
＋２１の夫々にオーバーラツプする如く形成しなければ
なら々いが、上述の如き本発明実施例装置に於いてはド
レイン電極（１）ソース電極ｆ２１として用いるアルミ
ニウム膜を用いて陽極酸化及び染色するだけでよ（、Ｔ
ＰＴの構造の多層複雑化を回避し得る。しかも本実施例
でけ遮光手段の為の製造工程も簡略化され為事になる。
、ドレイン重要ｆｔ）及びソース電極（２）の形成後、
この上にさらに絶峰膜を介して金属被膜を両電極＋１）
＋２１の夫々にオーバーラツプする如く形成しなければ
なら々いが、上述の如き本発明実施例装置に於いてはド
レイン電極（１）ソース電極ｆ２１として用いるアルミ
ニウム膜を用いて陽極酸化及び染色するだけでよ（、Ｔ
ＰＴの構造の多層複雑化を回避し得る。しかも本実施例
でけ遮光手段の為の製造工程も簡略化され為事になる。
（ト）発明の効果
本発明のＴＩＦ’ｌ’はドレイン電極とソース電極とを
アルミニウム膜にて一体的に形成し、両電極の分離部分
のアルミニウム膜を酸化処理して絶縁性の酸化アルミニ
ウムとしたものであるので、両電極間のアルミニウムを
エツチング等によって除去する事なく両電極間を電気的
に完全に分離する事ができる。
アルミニウム膜にて一体的に形成し、両電極の分離部分
のアルミニウム膜を酸化処理して絶縁性の酸化アルミニ
ウムとしたものであるので、両電極間のアルミニウムを
エツチング等によって除去する事なく両電極間を電気的
に完全に分離する事ができる。
従って、ドレイン電極とソース電標との短絡事故は解消
されるので、斯様なＴＩＦＴを用いれは液晶表示装置の
画質の低下を防止する事ができる。
されるので、斯様なＴＩＦＴを用いれは液晶表示装置の
画質の低下を防止する事ができる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明のＴＩＰ’ｌ’を用い
た液晶表示装置の要部の平面図及び断面図、第２図（、
！Ｌ）及び０）は従来のＴＮＴを用いた液晶表示装置の
平面図及び断面図である。 （１）・・・ドレイン電ｉ、［２１・・・ソース電極、
（３）・・・ゲート電極、（４）・・・アモルファスシ
リコン膜、（６）・・・絶縁膜、（６）・・・表示重重
、（１）・・・ガラス基板、（８）・・・絶縁部。
た液晶表示装置の要部の平面図及び断面図、第２図（、
！Ｌ）及び０）は従来のＴＮＴを用いた液晶表示装置の
平面図及び断面図である。 （１）・・・ドレイン電ｉ、［２１・・・ソース電極、
（３）・・・ゲート電極、（４）・・・アモルファスシ
リコン膜、（６）・・・絶縁膜、（６）・・・表示重重
、（１）・・・ガラス基板、（８）・・・絶縁部。
Claims (1)
- １）基板上にゲート電極、絶縁膜、半導体膜、及びドレ
イン電極並びにソース電極を順次積層してなる薄膜トラ
ンジスタに於いて、半導体膜上のドレイン電極とソース
電極とをアルミニウム膜にて一体成形し、該アルミニウ
ム膜を局部的に酸化した酸化アルミニウムからなる絶縁
部にて上記両電極間を分離した事を特徴とする薄膜トラ
ンジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61115066A JPS62271471A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61115066A JPS62271471A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 薄膜トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62271471A true JPS62271471A (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=14653330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61115066A Pending JPS62271471A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62271471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0506117A3 (en) * | 1991-03-29 | 1995-09-27 | Casio Computer Co Ltd | Thin-film transistor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5871661A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS59177967A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | Komatsu Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| JPS60224277A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPS6243177A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP61115066A patent/JPS62271471A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5871661A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS59177967A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | Komatsu Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| JPS60224277A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPS6243177A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0506117A3 (en) * | 1991-03-29 | 1995-09-27 | Casio Computer Co Ltd | Thin-film transistor |
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