JPS6227156B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6227156B2 JPS6227156B2 JP54170993A JP17099379A JPS6227156B2 JP S6227156 B2 JPS6227156 B2 JP S6227156B2 JP 54170993 A JP54170993 A JP 54170993A JP 17099379 A JP17099379 A JP 17099379A JP S6227156 B2 JPS6227156 B2 JP S6227156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- metal
- mask member
- resist
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Magnetic Heads (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオンエツチング用金属のマスクの形
成方法に係り、とくに磁気デイスク装置の磁気ヘ
ツドブロツク等、フオトセラム、チタン酸バリウ
ム、フエライト等の金属酸化物に対するイオンエ
ツチングを行う場合に適用して好適なイオンエツ
チング用金属マスクの形成方法に係る。
成方法に係り、とくに磁気デイスク装置の磁気ヘ
ツドブロツク等、フオトセラム、チタン酸バリウ
ム、フエライト等の金属酸化物に対するイオンエ
ツチングを行う場合に適用して好適なイオンエツ
チング用金属マスクの形成方法に係る。
イオン・エツチングとはAr+等のイオンを電界
により加速し被加工材をターゲツトとして衝突さ
せ、これによつて被加工材をエツチングする加工
法であり、被加工材を所望の形状に加工するため
に、Ti等よりなるマスク部材を被加工上に形成
してイオン衝撃によるエツチングを防止するもの
である。
により加速し被加工材をターゲツトとして衝突さ
せ、これによつて被加工材をエツチングする加工
法であり、被加工材を所望の形状に加工するため
に、Ti等よりなるマスク部材を被加工上に形成
してイオン衝撃によるエツチングを防止するもの
である。
さて近年、磁気デイスク装置に対する記録密度
の向上が一層強く望まれ、これに応えるために磁
気ヘツドを狭トラツク化し、また磁気ヘツドが受
ける揚力の調整を行う磁気ヘツドのスライグの加
工を極めて精密に行う必要が生じている。
の向上が一層強く望まれ、これに応えるために磁
気ヘツドを狭トラツク化し、また磁気ヘツドが受
ける揚力の調整を行う磁気ヘツドのスライグの加
工を極めて精密に行う必要が生じている。
この加工は例えば深さが４μｍ〜８μｍ、幅が
数μｍ〜数百μｍの溝をを形成するものであり、
機械加工を行うには寸法が小さ過ぎると共に量産
性に欠け、またレーザー加工によつてもコスト等
の点から量産性に欠けると同時に精度が悪い。更
に、エツチング液を使用した化学的エツチングを
行うには深が大であるために所定のレジストパタ
ーンに正確に合致する加工を行うことが困難であ
る。
数μｍ〜数百μｍの溝をを形成するものであり、
機械加工を行うには寸法が小さ過ぎると共に量産
性に欠け、またレーザー加工によつてもコスト等
の点から量産性に欠けると同時に精度が悪い。更
に、エツチング液を使用した化学的エツチングを
行うには深が大であるために所定のレジストパタ
ーンに正確に合致する加工を行うことが困難であ
る。
これに対して、イオン・エツチングを行うなら
ば、エツチングがマスクに対し垂直な方向、すな
わち深さ方向に進み横方向には殆んど進行しない
ため、精密な加工が可能であり、量産性も良い。
ば、エツチングがマスクに対し垂直な方向、すな
わち深さ方向に進み横方向には殆んど進行しない
ため、精密な加工が可能であり、量産性も良い。
しかしながら、イオン・エツチングの際に被加
工材およびマスク部材がイオン衝撃を受けて加熱
され、熱膨張係数の違い等や温度分布の違い等か
ら被加工材とマスク部材との界面に歪応力が形成
され、マスク部材が剥離する問題がしばしば生じ
た。また、好適なマスク部材としてイオン衝撃に
耐え得る強さ、換言すればスパツタ率の小さな周
知部材である。Tiを使用する場合には、被加工
材であるフオトセラム，チタン酸バリウム，フエ
ライト等に対し選択エツチングを行い得るエツチ
ング液として適当なものがないという不便があ
る。
工材およびマスク部材がイオン衝撃を受けて加熱
され、熱膨張係数の違い等や温度分布の違い等か
ら被加工材とマスク部材との界面に歪応力が形成
され、マスク部材が剥離する問題がしばしば生じ
た。また、好適なマスク部材としてイオン衝撃に
耐え得る強さ、換言すればスパツタ率の小さな周
知部材である。Tiを使用する場合には、被加工
材であるフオトセラム，チタン酸バリウム，フエ
ライト等に対し選択エツチングを行い得るエツチ
ング液として適当なものがないという不便があ
る。
更に、選択エツチングを行わなくてもよいリフ
トオフ法を適用してマスク部材（Ti）を形成す
る場合には、MR―83（東京応化製）を使用す
ると、レジスト剥離液がアルカリ性であるために
磁気ヘツド・ブロツクの接着に使用されるガラス
を侵する不都合があるのみならず、レジストの下
地に相当するフオトセラム，チタン酸バリウム，
フエライト等の光反射率が小さいためにレジスト
の切れ（不要レジストを有機溶剤で溶解除去する
処理のこと）が悪く精密なパターンの形成が困難
である。
トオフ法を適用してマスク部材（Ti）を形成す
る場合には、MR―83（東京応化製）を使用す
ると、レジスト剥離液がアルカリ性であるために
磁気ヘツド・ブロツクの接着に使用されるガラス
を侵する不都合があるのみならず、レジストの下
地に相当するフオトセラム，チタン酸バリウム，
フエライト等の光反射率が小さいためにレジスト
の切れ（不要レジストを有機溶剤で溶解除去する
処理のこと）が悪く精密なパターンの形成が困難
である。
従つて、本発明は上記諸問題を解決することを
目的としており、この目的は本発明においては、
金属酸化物よりなる被加工材に対してイオン・エ
ツチングを行うにあたり被加工材上にイオン衝撃
を遮断する金属製のマスク部材を形成するイオ
ン・エツチング用金属マスクの形成方法におい
て、被加工材上にAl又はAl合金又はCr又は他の
酸素に対する親和性が大きな金属よりなる密着層
を成膜し、しかる後にリフトオフ法に従つて金属
製のマスク部材を形成することによつて達成され
るが、以下その一実施例を図面に従つて詳細に説
明する。
目的としており、この目的は本発明においては、
金属酸化物よりなる被加工材に対してイオン・エ
ツチングを行うにあたり被加工材上にイオン衝撃
を遮断する金属製のマスク部材を形成するイオ
ン・エツチング用金属マスクの形成方法におい
て、被加工材上にAl又はAl合金又はCr又は他の
酸素に対する親和性が大きな金属よりなる密着層
を成膜し、しかる後にリフトオフ法に従つて金属
製のマスク部材を形成することによつて達成され
るが、以下その一実施例を図面に従つて詳細に説
明する。
第１図〜第５図は本発明に係る金属マスクの形
成方法を工程順に示す工程図であり、１はフオト
セラム，チタン酸バリウム，フエライト等の金属
酸化物よりなる被加工材、２はAl，Al合金又は
Cr等よりなる密着層、４，４ａはTi等よりなる
マスク形成部材である。
成方法を工程順に示す工程図であり、１はフオト
セラム，チタン酸バリウム，フエライト等の金属
酸化物よりなる被加工材、２はAl，Al合金又は
Cr等よりなる密着層、４，４ａはTi等よりなる
マスク形成部材である。
本実施例においては、まず第１図に示す被加工
材上に第２図に示すように密着層２を500Å程度
の厚さに成膜する。次に、AZ1350J（シツプレー
社製）レジストをスピンコートし、プレベイク処
理を行い、所望パターンに従つて露光・現像を行
い、そしてポストベイク処理を行うことによつて
第３図に示すように所望パターンに従つたレジス
ト層３を形成する。上記露光においては、レジス
トの下地が金属製の密着層であり反射率が高いた
め精密な露光が行えると共に、現像に際しても不
要レジストの除去が容易に行われる。なお、第３
図に示すレジスト層３の厚さは次工程で形成する
金属マスク４，４ａの厚さより大である。
材上に第２図に示すように密着層２を500Å程度
の厚さに成膜する。次に、AZ1350J（シツプレー
社製）レジストをスピンコートし、プレベイク処
理を行い、所望パターンに従つて露光・現像を行
い、そしてポストベイク処理を行うことによつて
第３図に示すように所望パターンに従つたレジス
ト層３を形成する。上記露光においては、レジス
トの下地が金属製の密着層であり反射率が高いた
め精密な露光が行えると共に、現像に際しても不
要レジストの除去が容易に行われる。なお、第３
図に示すレジスト層３の厚さは次工程で形成する
金属マスク４，４ａの厚さより大である。
すなわち、次にTi等の金属よりなるマスク部
材４，４ａをレジスト層３の厚さより薄く第４図
に示すように形成する。
材４，４ａをレジスト層３の厚さより薄く第４図
に示すように形成する。
すると、レジスト層３の上に位置するマスク部
材４とレジスト層３と同一面に位置するマスク部
材４ａとは分離される。
材４とレジスト層３と同一面に位置するマスク部
材４ａとは分離される。
そこで、この状態で被加工材１ごとアセトン中
に浸漬し超音波振動を加えると、レジスト層３が
一部溶解され下地から剥離するので、このレジス
ト層３と一緒にマスク部材の一部４が除去され
る。こうして、第５図に示すように、被加工材１
上に密着層２を介し所望形状のマスク部材４ａを
形成し終える。
に浸漬し超音波振動を加えると、レジスト層３が
一部溶解され下地から剥離するので、このレジス
ト層３と一緒にマスク部材の一部４が除去され
る。こうして、第５図に示すように、被加工材１
上に密着層２を介し所望形状のマスク部材４ａを
形成し終える。
形成されたマスク部材４ａは金属同士である密
着層２に十分な強度で密着しており、更に密着層
２は被加工材１中に含まれるSiO2等の酸化物に
おける酸素と大きな親和性を有した元素、Al，
Cr等を含み、従つて密着層２と被加工材１との
密着力も大である。
着層２に十分な強度で密着しており、更に密着層
２は被加工材１中に含まれるSiO2等の酸化物に
おける酸素と大きな親和性を有した元素、Al，
Cr等を含み、従つて密着層２と被加工材１との
密着力も大である。
このため、イオン・エツチングに際し、イオン
衝撃による温度上昇等に十分に耐え得て、マスク
部材４ａが剥離することがなくなる。また、密着
層２自体は薄くかつマスク部材４ａに比較しスパ
ツタ率が大きいので、イオン・エツチングの進行
を阻害することは無視することができる。更にレ
ジスト剤としては、下地層がAl，Al合金，Cr等
の金属であり、種々の周知のレジスト剤を使用す
ることができる。
衝撃による温度上昇等に十分に耐え得て、マスク
部材４ａが剥離することがなくなる。また、密着
層２自体は薄くかつマスク部材４ａに比較しスパ
ツタ率が大きいので、イオン・エツチングの進行
を阻害することは無視することができる。更にレ
ジスト剤としては、下地層がAl，Al合金，Cr等
の金属であり、種々の周知のレジスト剤を使用す
ることができる。
以上説明したように本発明によれば、イオン・
エツチング中におけるマスク部材の剥離を防止
し、露光・現像に際してレジストの切れを良くし
て精密なパターン形成を可能とする等の効果が奏
せられる。
エツチング中におけるマスク部材の剥離を防止
し、露光・現像に際してレジストの切れを良くし
て精密なパターン形成を可能とする等の効果が奏
せられる。
第１図ないし第５図は本発明に基づくイオン・
エツチング用金属マスクの形成工程を示す図であ
る。 １……被加工材、２……密着層、３……レジス
ト層、４，４ａ……マスク部材。
エツチング用金属マスクの形成工程を示す図であ
る。 １……被加工材、２……密着層、３……レジス
ト層、４，４ａ……マスク部材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属酸化物よりなる被加工材に対してイオン
エツチングを行うにあたり、被加工材上にイオン
衝撃を遮断する金属製のマスク部材を形成するイ
オンエツチング用金属マスクの形成方法におい
て、 被加工材上にAl又はAl合金又はCr又は酸素に
対する親和性が大きな他の金属よりなる密着層を
成膜し、 しかる後、リフトオフ法に従つて金属製のマス
ク部材を形成することを特徴とするイオンエツチ
ング用金属マスクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17099379A JPS5696076A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Formation of metallic mask for ion etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17099379A JPS5696076A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Formation of metallic mask for ion etching |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5696076A JPS5696076A (en) | 1981-08-03 |
| JPS6227156B2 true JPS6227156B2 (ja) | 1987-06-12 |
Family
ID=15915122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17099379A Granted JPS5696076A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Formation of metallic mask for ion etching |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5696076A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812341B2 (ja) * | 1976-04-15 | 1983-03-08 | 富士通株式会社 | ドライエツチング法 |
| JPS6031909B2 (ja) * | 1977-08-17 | 1985-07-25 | 株式会社日立製作所 | エツチング加工法 |
-
1979
- 1979-12-28 JP JP17099379A patent/JPS5696076A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5696076A (en) | 1981-08-03 |
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