JPH02302919A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH02302919A JPH02302919A JP12337289A JP12337289A JPH02302919A JP H02302919 A JPH02302919 A JP H02302919A JP 12337289 A JP12337289 A JP 12337289A JP 12337289 A JP12337289 A JP 12337289A JP H02302919 A JPH02302919 A JP H02302919A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、面内記録再生用または垂直記録再生用の薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関し、ケミカルエツチングとイ
オンミーリングとの併用により、下地導体膜の不要部分
を除去して導体コイル膜を形成することにより、磁性膜
のボール部の側面及びその周辺に、下地導体膜を構成す
る金属成分が付着することがないようにし、金属酸化に
よる特性の劣化、品質及び信頼性の低下を防止できるよ
うにしたものである。
磁気ヘッドの製造方法に関し、ケミカルエツチングとイ
オンミーリングとの併用により、下地導体膜の不要部分
を除去して導体コイル膜を形成することにより、磁性膜
のボール部の側面及びその周辺に、下地導体膜を構成す
る金属成分が付着することがないようにし、金属酸化に
よる特性の劣化、品質及び信頼性の低下を防止できるよ
うにしたものである。
〈従来の技術〉
薄膜磁気ヘッドとしては、面内記録再生用と垂直記録再
生用の2種類の方式のものが知られている。第3図は従
来より知られた面内記録再生用薄膜磁気ヘッドの要部の
斜視図、第4図は同しく要部の断面図である。1はセラ
ミック構造体でなる基体で、一般には、Al2O,・T
iC等で構成された基体部分101の上にAl2O3等
でなる保護膜102を被着させである。2は下部の磁性
膜、3はアルミナ等でなるギャップ膜、4は上部の磁性
膜、5は導体コイル膜、6はノボラック樹脂等の有機絶
縁樹脂で構成された絶縁膜、7.8は引出リード部、9
は絶縁膜、10はアルミナ等の保護膜である。磁性膜2
及び磁性膜4の先端部はギャップ膜3を隔てて対向する
ボール部21.42となっており、このボール部21.
41において読み書きを行なう。
生用の2種類の方式のものが知られている。第3図は従
来より知られた面内記録再生用薄膜磁気ヘッドの要部の
斜視図、第4図は同しく要部の断面図である。1はセラ
ミック構造体でなる基体で、一般には、Al2O,・T
iC等で構成された基体部分101の上にAl2O3等
でなる保護膜102を被着させである。2は下部の磁性
膜、3はアルミナ等でなるギャップ膜、4は上部の磁性
膜、5は導体コイル膜、6はノボラック樹脂等の有機絶
縁樹脂で構成された絶縁膜、7.8は引出リード部、9
は絶縁膜、10はアルミナ等の保護膜である。磁性膜2
及び磁性膜4の先端部はギャップ膜3を隔てて対向する
ボール部21.42となっており、このボール部21.
41において読み書きを行なう。
上述の薄膜磁気ヘッドは、IC製造プロセスと同様のフ
ォトリソグラフィと称される高精度パターン形成技術に
よって製造される。次に、製造プロセスのうち、導体コ
イル膜の製造プロセスについて、その1例を第5図及び
第6図を参照して説明する。
ォトリソグラフィと称される高精度パターン形成技術に
よって製造される。次に、製造プロセスのうち、導体コ
イル膜の製造プロセスについて、その1例を第5図及び
第6図を参照して説明する。
まず、第5図(a)、第6図(a)に示すように、基体
1の上に形成された磁性膜2及びギャップ膜3の上に、
絶fti膜61を形成する。絶縁膜61は、−itには
、ノボラック系のポジタイプレジスト膜をコーティング
し、所定の温度及び時間的条件でソフトベークを行なっ
た後、露光、現像及び水洗の処理を施し、続いて、熱処
理をそれぞれ行なって形成する。
1の上に形成された磁性膜2及びギャップ膜3の上に、
絶fti膜61を形成する。絶縁膜61は、−itには
、ノボラック系のポジタイプレジスト膜をコーティング
し、所定の温度及び時間的条件でソフトベークを行なっ
た後、露光、現像及び水洗の処理を施し、続いて、熱処
理をそれぞれ行なって形成する。
この絶縁膜61は、磁性膜2のボール部21の周辺部を
除と、磁性膜2及びギャップ膜3の全体を覆うように形
成する。ボール部21には、第4図に示したように、磁
性膜4のボール部41がギャップ膜3を介して対向する
ように形成される。また、ボール部21は磁気記録媒体
と接触する読み書と部分となるから、磁性膜4を持たな
い垂直記録再生用薄膜磁気ヘッドにおいても、保護膜1
0で覆い、耐摩耗性を確保する必要がある。
除と、磁性膜2及びギャップ膜3の全体を覆うように形
成する。ボール部21には、第4図に示したように、磁
性膜4のボール部41がギャップ膜3を介して対向する
ように形成される。また、ボール部21は磁気記録媒体
と接触する読み書と部分となるから、磁性膜4を持たな
い垂直記録再生用薄膜磁気ヘッドにおいても、保護膜1
0で覆い、耐摩耗性を確保する必要がある。
これらの理由から、ボール部21は絶縁膜61によって
覆わない。
覆わない。
次に、第5図(b)、第6図(b)に示すように、絶縁
膜61の表面にスパッタリングにより下地導体膜501
.502を積層形成する。一般に、下地導体1lI50
1は、約100〜200オングストロームの膜厚を有す
るTi膜で構成され、下地導体膜502は約1500オ
ングストロームの膜厚を有するCu膜として形成される
。磁性膜2及びその上に被着されたギャップII!3は
、絶縁膜61によって覆われていないので、これらの上
にも、下地導体膜501及び502が付着する。
膜61の表面にスパッタリングにより下地導体膜501
.502を積層形成する。一般に、下地導体1lI50
1は、約100〜200オングストロームの膜厚を有す
るTi膜で構成され、下地導体膜502は約1500オ
ングストロームの膜厚を有するCu膜として形成される
。磁性膜2及びその上に被着されたギャップII!3は
、絶縁膜61によって覆われていないので、これらの上
にも、下地導体膜501及び502が付着する。
次に、第5図(C)、第6図(C)に示すように、下地
導体膜502の表面にポジレジスト膜62を塗布し、所
定の温度及び時間的条件でソフトベークを行なう。
導体膜502の表面にポジレジスト膜62を塗布し、所
定の温度及び時間的条件でソフトベークを行なう。
次に、第5図(d)に示すように、ポジレジスト膜62
の上にフォトマスク11を位置決めし、露光を行なう。
の上にフォトマスク11を位置決めし、露光を行なう。
これにより、第5図(e)に示すように、フォトマスク
11のパターンと一致した均一な露光パターンが得られ
る。フォトマスク11のパターンは渦巻状である。
11のパターンと一致した均一な露光パターンが得られ
る。フォトマスク11のパターンは渦巻状である。
次に、第5図(f) に示すように、Cuメッキ膜でな
る導体膜503をレジスト膜62の除去された部分62
1に付着させる。これにより、Cuメッキ膜によるコイ
ル状パターンの導体膜503が形成される。
る導体膜503をレジスト膜62の除去された部分62
1に付着させる。これにより、Cuメッキ膜によるコイ
ル状パターンの導体膜503が形成される。
次に、第5図(g)に示すように、レジスト膜62を除
去した後、下地導体1]1501.502を、導体膜5
03の下にある部分を残して、他をイオンミーリングで
除去し、導体膜503によるコイルパターンに従ってパ
ターン化する。これにより、第5図(h)、第6図(d
)に示すように、絶縁膜61の上に、下地導体膜501
.502及び導体膜503の積層でなる導体コイル膜5
が形成される。
去した後、下地導体1]1501.502を、導体膜5
03の下にある部分を残して、他をイオンミーリングで
除去し、導体膜503によるコイルパターンに従ってパ
ターン化する。これにより、第5図(h)、第6図(d
)に示すように、絶縁膜61の上に、下地導体膜501
.502及び導体膜503の積層でなる導体コイル膜5
が形成される。
この後、第5図(a)〜(g)の工程を繰返すことによ
り、第3図及び第4図に示した如く、絶縁膜62、導体
コイル膜5及び絶縁膜63を積層し、更に絶縁膜63の
表面に磁性膜4を形成し、その上から保護膜10をスパ
ッタリング等の手段によって付着させる。
り、第3図及び第4図に示した如く、絶縁膜62、導体
コイル膜5及び絶縁膜63を積層し、更に絶縁膜63の
表面に磁性膜4を形成し、その上から保護膜10をスパ
ッタリング等の手段によって付着させる。
上記実施例では、面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの製
造方法を示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドの
製造方法も同様の工程となる。
造方法を示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドの
製造方法も同様の工程となる。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上述した従来の薄膜磁気ヘッドでは、面
内記録再生用及び垂直記録再生用の別を問わず、第7図
に示す如く、磁性膜2のボール部21の側面211.2
12及びその周辺に、下地導体1lu501.502を
構成する金属成分(イ)が付着し、付着した金属が酸化
され、薄11i磁気ヘッドの特性を劣化させ、品質及び
信頼性を低下させるという問題点があった。金属付着は
、次の理由によって起きると推測される。
内記録再生用及び垂直記録再生用の別を問わず、第7図
に示す如く、磁性膜2のボール部21の側面211.2
12及びその周辺に、下地導体1lu501.502を
構成する金属成分(イ)が付着し、付着した金属が酸化
され、薄11i磁気ヘッドの特性を劣化させ、品質及び
信頼性を低下させるという問題点があった。金属付着は
、次の理由によって起きると推測される。
(a)磁性膜2のボール部21は、導体コイル膜形成工
程を通して、絶縁1lU61〜63によって覆われるこ
となく、外部に露出しているから、下地導体膜501.
502が付着する。磁性膜2のボール部21の表面に付
着した下地導体膜501.502は、イオンミーリング
でほぼ除去できるが、側面211.212に付着した下
地導体膜501.502は、イオンミーリングによるイ
オンの照射方向と略平行であり、ボール部21が影とな
り易いめに、イオンミーリングによって完全に除去する
ことが困難である。
程を通して、絶縁1lU61〜63によって覆われるこ
となく、外部に露出しているから、下地導体膜501.
502が付着する。磁性膜2のボール部21の表面に付
着した下地導体膜501.502は、イオンミーリング
でほぼ除去できるが、側面211.212に付着した下
地導体膜501.502は、イオンミーリングによるイ
オンの照射方向と略平行であり、ボール部21が影とな
り易いめに、イオンミーリングによって完全に除去する
ことが困難である。
しかも、通常、磁性膜2はフレーム、メッキ法によって
形成されるので、その側面211.212が上に向かっ
て角度θで開くオーバハング状の傾斜面となっており、
イオン、ミーリングに対するシャドウ作用が強く出る。
形成されるので、その側面211.212が上に向かっ
て角度θで開くオーバハング状の傾斜面となっており、
イオン、ミーリングに対するシャドウ作用が強く出る。
このため、側面211.212に付着した下地導体膜5
01.502の金属成分(イ)が完全に除去されずに残
る。
01.502の金属成分(イ)が完全に除去されずに残
る。
(b)イオンミーリングによって生じたCu及びTiの
飛沫がボール部21の周辺に付着することも考えられる
。下地導体膜502はCUスパッタ膜であるから、付着
した金属成分にも、CU酸成分多く含まれることは当然
である。
飛沫がボール部21の周辺に付着することも考えられる
。下地導体膜502はCUスパッタ膜であるから、付着
した金属成分にも、CU酸成分多く含まれることは当然
である。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、磁性膜のボール部周辺に対する金属付着をなくし、
安定した磁気特性を有する高品質及高信頼度の薄膜磁気
ヘッドを製造する方法を提供することである。
し、磁性膜のボール部周辺に対する金属付着をなくし、
安定した磁気特性を有する高品質及高信頼度の薄膜磁気
ヘッドを製造する方法を提供することである。
〈課題を解決するための手段〉
上述する課題を解決するため、本発明は、基体上に形成
された磁性膜の上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の上に
導体コイル膜を形成する工程を含む薄l1M磁気ヘッド
の製造方法であって、前記絶縁膜の上に下地導体膜を形
成した後、前記下地導体膜の上に導体膜をコイル状に形
成し、次に、ケミカルエツチングとイオンミーリングと
の併用により、前記下地導体膜の不要部分を除去して導
体コイル膜を形成すること を特徴とする。
された磁性膜の上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の上に
導体コイル膜を形成する工程を含む薄l1M磁気ヘッド
の製造方法であって、前記絶縁膜の上に下地導体膜を形
成した後、前記下地導体膜の上に導体膜をコイル状に形
成し、次に、ケミカルエツチングとイオンミーリングと
の併用により、前記下地導体膜の不要部分を除去して導
体コイル膜を形成すること を特徴とする。
く作用〉
ケミカルエツチングは、等方性エツチング作用を有する
。この等方性エツチング作用を利用して、ボール部の形
状による影響を除きながら、その側面及び付近に付着し
た下地導体膜の金属成分を、ある厚さだけエツチングす
る。
。この等方性エツチング作用を利用して、ボール部の形
状による影響を除きながら、その側面及び付近に付着し
た下地導体膜の金属成分を、ある厚さだけエツチングす
る。
ケミカルエツチングによって、下地導体膜の不要部分の
全体を除去しようとすると、表面膜を構成しているCU
メッキ膜もエツチングされ、導体コイル膜にダメージを
与える。従って、ケミカルエツチングは、下地導体膜の
全体を除去するので−はなく、表面の導体膜となるCU
メッキ膜に実質的なダメージを与えない時間及び液組成
で、下地導体膜が薄く残るように行なう。
全体を除去しようとすると、表面膜を構成しているCU
メッキ膜もエツチングされ、導体コイル膜にダメージを
与える。従って、ケミカルエツチングは、下地導体膜の
全体を除去するので−はなく、表面の導体膜となるCU
メッキ膜に実質的なダメージを与えない時間及び液組成
で、下地導体膜が薄く残るように行なう。
ケミカルエツチング処理後に残っている下地導体膜は、
イオンミーリングによって除去する。下地導体膜はケミ
カルエツチング処理により薄くなっているので、イオン
ミーリングによってほぼ完全に除去できる。
イオンミーリングによって除去する。下地導体膜はケミ
カルエツチング処理により薄くなっているので、イオン
ミーリングによってほぼ完全に除去できる。
〈実施例〉
第1図及び第2図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法における工程の要部を示す図である。まず、第5図
(a)〜(f)に示した従来工程を通すことにより、第
1図(a)及び第2図(a)に示すように、基体1上の
磁性膜2の上に絶縁膜61を有し、絶縁膜61の上に下
地導体膜501.502及び導体膜503を所定のパタ
ーンで付着させる。
方法における工程の要部を示す図である。まず、第5図
(a)〜(f)に示した従来工程を通すことにより、第
1図(a)及び第2図(a)に示すように、基体1上の
磁性膜2の上に絶縁膜61を有し、絶縁膜61の上に下
地導体膜501.502及び導体膜503を所定のパタ
ーンで付着させる。
次に、ケミカルエツチングを施す。使用できるエツチン
グ液組成の1例を下に示す。
グ液組成の1例を下に示す。
過硫酸アンモニウム;toog
ラウリル硫酸ナトリウム、0.2g
水:3℃
上記組成のエツチング液を用いて、10秒間のエツチン
グ処理を行なったところ、第1図(b)及び第2図(b
) に示すように、CUスパッタ膜でなる下地導体膜5
02の大部分が除去され、Tiスパッタ膜でなる下地導
体膜501だけが残った。
グ処理を行なったところ、第1図(b)及び第2図(b
) に示すように、CUスパッタ膜でなる下地導体膜5
02の大部分が除去され、Tiスパッタ膜でなる下地導
体膜501だけが残った。
導体膜503に対するダメージは、殆ど無視できた。
次に、通常の方法に従って、イオンミーリング処理を施
し、残っている下地導体膜501を除去した。これによ
り、第1図(C)及び第2図(C)に示すように、ボー
ル部21の側面211.212及びその周辺に下地導体
膜501.502の金属成分が付着していない薄膜磁気
ヘッドが得られた。
し、残っている下地導体膜501を除去した。これによ
り、第1図(C)及び第2図(C)に示すように、ボー
ル部21の側面211.212及びその周辺に下地導体
膜501.502の金属成分が付着していない薄膜磁気
ヘッドが得られた。
上述の第1図(a) 〜(c)及び第2図(a) 〜(
c)の工程は、絶縁膜62の上に導体コイルII! 5
を形成する際にも同様に行なう。
c)の工程は、絶縁膜62の上に導体コイルII! 5
を形成する際にも同様に行なう。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、絶縁膜の上に下地導体膜を形成した後、下地導
体膜の上に導体膜をコイル状に形成し、次に、ケミカル
エツチングとイオンミーリングとの併用により、下地導
体膜の不要部分を除去して導体コイル膜を形成するよう
にしたから、磁性膜のボール部周辺に対する金属付着を
なくし、安定した磁気特性を有する高品質及高信頼度の
薄膜磁気ヘッドを製造する方法を提供することができる
。
方法は、絶縁膜の上に下地導体膜を形成した後、下地導
体膜の上に導体膜をコイル状に形成し、次に、ケミカル
エツチングとイオンミーリングとの併用により、下地導
体膜の不要部分を除去して導体コイル膜を形成するよう
にしたから、磁性膜のボール部周辺に対する金属付着を
なくし、安定した磁気特性を有する高品質及高信頼度の
薄膜磁気ヘッドを製造する方法を提供することができる
。
第1図(a)〜(C)及び第2図(a)〜(C)は本発
明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における工程の要部
を示す図、第3図は薄膜磁気ヘットの要部の斜視図、第
4図は薄膜磁気ヘッドの要部の断面図、第5図(a)〜
(h)及び第6図(a)〜(d)は従来の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における工程の要部を示す図、第7図及び
第8図は同じくその問題点を説明する図である。 1・・・基体 2・・・磁性膜21・・・ボー
ル部 3・・・ギャップ膜5・・・導体コイル膜
明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における工程の要部
を示す図、第3図は薄膜磁気ヘットの要部の斜視図、第
4図は薄膜磁気ヘッドの要部の断面図、第5図(a)〜
(h)及び第6図(a)〜(d)は従来の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における工程の要部を示す図、第7図及び
第8図は同じくその問題点を説明する図である。 1・・・基体 2・・・磁性膜21・・・ボー
ル部 3・・・ギャップ膜5・・・導体コイル膜
Claims (1)
- (1)基体上に形成された磁性膜の上に絶縁膜を形成し
、前記絶縁膜の上に導体コイル膜を形成する工程を含む
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記絶縁膜の上に下地導体膜を形成した後、前記下地導
体膜の上に導体膜をコイル状に形成し、次に、ケミカル
エッチングとイオンミーリングとの併用により、前記下
地導体膜の不要部分を除去して導体コイル膜を形成する
こと を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12337289A JPH02302919A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12337289A JPH02302919A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302919A true JPH02302919A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14858954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12337289A Pending JPH02302919A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02302919A (ja) |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP12337289A patent/JPH02302919A/ja active Pending
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