JPS6227447B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6227447B2 JPS6227447B2 JP56204531A JP20453181A JPS6227447B2 JP S6227447 B2 JPS6227447 B2 JP S6227447B2 JP 56204531 A JP56204531 A JP 56204531A JP 20453181 A JP20453181 A JP 20453181A JP S6227447 B2 JPS6227447 B2 JP S6227447B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- gap
- hall element
- magnetic field
- hall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/475—Capacitors in combination with leadframes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/37—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect
- G11B5/372—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect in magnetic thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホール効果型再生用磁気ヘツドに係
り、複数個構成したリアギヤツプの少なくとも１
個のリアギヤツプに垂直磁化膜よりなるホール素
子を設けておくことにより、フロントギヤツプに
バイアス磁場がかからなくなり、再生に際してバ
イアス磁場による記録磁界がほとんど発生せず、
再生が極めて良好で高感度なものとなるホール効
果型再生用磁気ヘツドを提供することを目的とす
る。
り、複数個構成したリアギヤツプの少なくとも１
個のリアギヤツプに垂直磁化膜よりなるホール素
子を設けておくことにより、フロントギヤツプに
バイアス磁場がかからなくなり、再生に際してバ
イアス磁場による記録磁界がほとんど発生せず、
再生が極めて良好で高感度なものとなるホール効
果型再生用磁気ヘツドを提供することを目的とす
る。
例えばNi−Fe合金薄膜等の磁気抵抗素子を用
いたデジタル再生用の磁気ヘツドは、巻線型の磁
気ヘツドに比べて従来の薄膜微細加工技術を用い
ることができるので、小型化及び集積化が比較的
容易であるが、感磁面が薄膜面内であるので、磁
気ヘツドとして磁路を構成した場合、磁気抵抗の
大きな面内方向が磁路となり、従つて磁気シール
ドを施さなければならない。しかし、この磁気シ
ールドは、磁気ヘツドの高域周波数再生特性を制
限する欠点を引き起こすのみでなく、製造上も面
倒で困難であり、再現性の良い磁気ヘツドが出来
にくい。
いたデジタル再生用の磁気ヘツドは、巻線型の磁
気ヘツドに比べて従来の薄膜微細加工技術を用い
ることができるので、小型化及び集積化が比較的
容易であるが、感磁面が薄膜面内であるので、磁
気ヘツドとして磁路を構成した場合、磁気抵抗の
大きな面内方向が磁路となり、従つて磁気シール
ドを施さなければならない。しかし、この磁気シ
ールドは、磁気ヘツドの高域周波数再生特性を制
限する欠点を引き起こすのみでなく、製造上も面
倒で困難であり、再現性の良い磁気ヘツドが出来
にくい。
又、InSb等の薄膜半導体ホール素子をリアギ
ヤツプに設けたホール効果型磁気ヘツドは、ホー
ル特性を得るには半導体ホール素子の膜厚が１〜
２μｍ以上必要であるので、フロントギヤツプに
比して大きな寸法のリアギヤツプとなり、このリ
アギヤツプの磁気抵抗は大きく、従つて大きなホ
ール出力を得ることができない欠点がある。
ヤツプに設けたホール効果型磁気ヘツドは、ホー
ル特性を得るには半導体ホール素子の膜厚が１〜
２μｍ以上必要であるので、フロントギヤツプに
比して大きな寸法のリアギヤツプとなり、このリ
アギヤツプの磁気抵抗は大きく、従つて大きなホ
ール出力を得ることができない欠点がある。
そこで、本発明者は、垂直磁化膜よりなるホー
ル素子を磁極間に設け、この垂直磁化膜にバイア
ス磁場を印加することにより、記録信号磁場のピ
ーク値がホール素子の抗磁場より小さい場合でも
再生が行なえるようにした磁気ヘツドを考え出し
たのであるが、このようにバイアス磁場が垂直磁
化膜に印加された場合再生時にバイアス磁場がも
れてフロントギヤツプに流れ込み、記録媒体に悪
影響を及ぼすようになる恐がある。
ル素子を磁極間に設け、この垂直磁化膜にバイア
ス磁場を印加することにより、記録信号磁場のピ
ーク値がホール素子の抗磁場より小さい場合でも
再生が行なえるようにした磁気ヘツドを考え出し
たのであるが、このようにバイアス磁場が垂直磁
化膜に印加された場合再生時にバイアス磁場がも
れてフロントギヤツプに流れ込み、記録媒体に悪
影響を及ぼすようになる恐がある。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下
その実施例について説明する。
その実施例について説明する。
第１図は、本発明に係るホール効果型再生用磁
気ヘツドの１実施例の説明図である。
気ヘツドの１実施例の説明図である。
同図中、１，１′は磁気コアであり、この磁気
コア１，１′によつて１個のフロントギヤツプ２
と複数個のリアギヤツプ、例えばプロントギヤツ
プよりギヤツプ寸法の小さな第１のリアギヤツプ
３及びフロントギヤツプよりギヤツプ寸法の大き
な第２のリアギヤツプ４とが構成されている。
コア１，１′によつて１個のフロントギヤツプ２
と複数個のリアギヤツプ、例えばプロントギヤツ
プよりギヤツプ寸法の小さな第１のリアギヤツプ
３及びフロントギヤツプよりギヤツプ寸法の大き
な第２のリアギヤツプ４とが構成されている。
この第１のリアギヤツプ３には、例えば
GdFe、GdCo等を厚さ約0.01〜0.1μｍ蒸着又は
スパツタ法等によつて作つた垂直磁化膜よりなる
ホール素子５が設けられている。
GdFe、GdCo等を厚さ約0.01〜0.1μｍ蒸着又は
スパツタ法等によつて作つた垂直磁化膜よりなる
ホール素子５が設けられている。
６は、第１のリアギヤツプ３と第２のリアギヤ
ツプ４との間のコア１と１′間に設けられた導体
であり、この導体６に電流を流すことによつて、
例えば信号磁場ＨSに比べて高い周波数で、かつ
バイアス磁場ＨBのピーク値ＨBPとホール素子５
の抗磁場ＨCとの差、すなわち｜ＨBP−ＨC｜が信
号磁場のピーク値ＨSPより小さくなるようなバイ
アス磁場ＨBが矢印方向にホール素子５に印加さ
れるよう構成されている。
ツプ４との間のコア１と１′間に設けられた導体
であり、この導体６に電流を流すことによつて、
例えば信号磁場ＨSに比べて高い周波数で、かつ
バイアス磁場ＨBのピーク値ＨBPとホール素子５
の抗磁場ＨCとの差、すなわち｜ＨBP−ＨC｜が信
号磁場のピーク値ＨSPより小さくなるようなバイ
アス磁場ＨBが矢印方向にホール素子５に印加さ
れるよう構成されている。
第２図は上記のように構成されたホール効果型
再生用磁気ヘツドの磁気回路説明図であり、磁気
テープ等の記録媒体の記録磁化による起磁力ｅか
ら磁気ヘツドにはφの磁束が流れ込むようにな
る。そこで、フロントギヤツプ２の磁気抵抗を
Rg、第１のリアギヤツプ３の磁気抵抗をＲH、第
２のリアギヤツプ４の磁気抵抗をＲB、磁気コア
１，１′の磁気抵抗をＲC1，ＲC2とすると、ホー
ル素子５に流れる信号磁束φHは、 となるが、磁気コアの磁気抵抗はギヤツプの磁気
抵抗に比べて極めて小さいので、信号磁束φHは となる。
再生用磁気ヘツドの磁気回路説明図であり、磁気
テープ等の記録媒体の記録磁化による起磁力ｅか
ら磁気ヘツドにはφの磁束が流れ込むようにな
る。そこで、フロントギヤツプ２の磁気抵抗を
Rg、第１のリアギヤツプ３の磁気抵抗をＲH、第
２のリアギヤツプ４の磁気抵抗をＲB、磁気コア
１，１′の磁気抵抗をＲC1，ＲC2とすると、ホー
ル素子５に流れる信号磁束φHは、 となるが、磁気コアの磁気抵抗はギヤツプの磁気
抵抗に比べて極めて小さいので、信号磁束φHは となる。
ここでφＨ／φを縦軸に、ＲＢ／Ｒｇを横軸にとり、
そして ＲＨ／Ｒｇをパラメータとしてグラフを描くと、第３図 に示すようになる。従つて、第１のリアギヤツプ
の磁気抵抗ＲHがフロントギヤツプの磁気抵抗Rg
に比べて小さい程φＨ／φは大きくなり、磁気ヘツド の感度は向上したものとなる。すなわち、第１の
リアギヤツプに半導体磁気抵抗素子等に比べて極
めて薄い膜でホール素子を構成できる垂直磁化膜
を設けておくことにより、第１のリアギヤツプの
磁気抵抗はフロントギヤツプの磁気抵抗より著し
く小さくでき、ホール素子に記録磁化からの磁束
がほとんど流れるようになり、磁気ヘツドの感度
向上を実現できる。
そして ＲＨ／Ｒｇをパラメータとしてグラフを描くと、第３図 に示すようになる。従つて、第１のリアギヤツプ
の磁気抵抗ＲHがフロントギヤツプの磁気抵抗Rg
に比べて小さい程φＨ／φは大きくなり、磁気ヘツド の感度は向上したものとなる。すなわち、第１の
リアギヤツプに半導体磁気抵抗素子等に比べて極
めて薄い膜でホール素子を構成できる垂直磁化膜
を設けておくことにより、第１のリアギヤツプの
磁気抵抗はフロントギヤツプの磁気抵抗より著し
く小さくでき、ホール素子に記録磁化からの磁束
がほとんど流れるようになり、磁気ヘツドの感度
向上を実現できる。
又、導体６によるバイアス磁場は、第１のリア
ギヤツプの磁路を流れ、フロントギヤツプの磁路
にはほとんど流れないので、再生時にフロントギ
ヤツプに記録磁界が生ずるようなこともない。
ギヤツプの磁路を流れ、フロントギヤツプの磁路
にはほとんど流れないので、再生時にフロントギ
ヤツプに記録磁界が生ずるようなこともない。
又、第２のリアギヤツプの磁気抵抗をフロント
ギヤツプの磁気抵抗の約1/2倍以上、望ましくは
約１〜２倍以上とすることによつても磁気ヘツド
の感度が向上したものとなる。特に、第２のリア
ギヤツプの磁気抵抗ＲBをフロントギヤツプの磁
気抵抗Rgの数倍以上としておくと、磁気ヘツド
の感度が向上するのみでなく、第２のリアギヤツ
プ及びロントギヤツプの寸法精度にバラツキがあ
つてもほぼ一定の感度のものとなり、磁気ヘツド
の感度にバラツキのないものとなり、再現性に富
んだものとなる。
ギヤツプの磁気抵抗の約1/2倍以上、望ましくは
約１〜２倍以上とすることによつても磁気ヘツド
の感度が向上したものとなる。特に、第２のリア
ギヤツプの磁気抵抗ＲBをフロントギヤツプの磁
気抵抗Rgの数倍以上としておくと、磁気ヘツド
の感度が向上するのみでなく、第２のリアギヤツ
プ及びロントギヤツプの寸法精度にバラツキがあ
つてもほぼ一定の感度のものとなり、磁気ヘツド
の感度にバラツキのないものとなり、再現性に富
んだものとなる。
第４図は、本発明に係るホール効果型再生用磁
気ヘツドの他の実施例の説明図である。
気ヘツドの他の実施例の説明図である。
同図中、１０，１０′は磁気コアであり、この
磁気コア１０，１０′によつて前記実施例のフロ
ントギヤツプ２と同様なフロントギヤツプ１１
と、前記実施例の第１のリアギヤツプ３と同様な
第１のリアギヤツプ１２及び第２のリアギヤツプ
１３とが構成されている。
磁気コア１０，１０′によつて前記実施例のフロ
ントギヤツプ２と同様なフロントギヤツプ１１
と、前記実施例の第１のリアギヤツプ３と同様な
第１のリアギヤツプ１２及び第２のリアギヤツプ
１３とが構成されている。
これらのリアギヤツプ１２，１３には、前記実
施例のホール素子５と同様な垂直磁化膜よりなる
ホール素子１４，１５が設けられている。
施例のホール素子５と同様な垂直磁化膜よりなる
ホール素子１４，１５が設けられている。
又、前記実施例と同様にバイアス磁場印加用の
導体１６が、第１のリアギヤツプと第２のリアギ
ヤツプとの間の磁気コア間に設けられている。
導体１６が、第１のリアギヤツプと第２のリアギ
ヤツプとの間の磁気コア間に設けられている。
すなわち、本実施例においては、複数個のリア
ギヤツプそれぞれに垂直磁化膜よりなるホール素
子を設けたものであり、このように構成すること
によつてリアギヤツプの磁気抵抗をさらに小さく
でき、バイアス電流が小さくてもバイアス磁界を
有効に印加できるようになる。尚、信号出力は各
ホール素子１４，１５の信号出力を差動的に取り
出せば良い。
ギヤツプそれぞれに垂直磁化膜よりなるホール素
子を設けたものであり、このように構成すること
によつてリアギヤツプの磁気抵抗をさらに小さく
でき、バイアス電流が小さくてもバイアス磁界を
有効に印加できるようになる。尚、信号出力は各
ホール素子１４，１５の信号出力を差動的に取り
出せば良い。
尚、リアギヤツプを２個でなく、３個以上設け
て上記各実施例の場合と同じように構成しても同
じ効果が得られる。
て上記各実施例の場合と同じように構成しても同
じ効果が得られる。
上述の如く、本発明に係るホール効果型再生用
磁気ヘツドは、フロントギヤツプと複数個のリア
ギヤツプを構成し、このリアギヤツプのうちギヤ
ツプ寸法の小さなリアギヤツプの少なくとも１個
に垂直磁化膜よりなるホール素子を設け、このホ
ール素子にバイアス磁界を加える手段を複数のリ
アギヤツプ間に備えてなるので、バイアス磁場は
ほとんどフロントギヤツプに流れ込まず、再生時
においてバイアス磁場による記録磁界がほとんど
発生せず、再生が良好に行なわれ、又ホール素子
は極めて薄い、例えば膜厚が約0.01〜0.1μｍの
磁性膜で動作するので、リアギヤツプにおける信
号磁束の損失は少なく、高感度なものであり、又
ヘツド面積を小さくできるので多チヤンネルに対
応した集積度に高い磁気ヘツドを簡単に作れる等
の特長を有する。
磁気ヘツドは、フロントギヤツプと複数個のリア
ギヤツプを構成し、このリアギヤツプのうちギヤ
ツプ寸法の小さなリアギヤツプの少なくとも１個
に垂直磁化膜よりなるホール素子を設け、このホ
ール素子にバイアス磁界を加える手段を複数のリ
アギヤツプ間に備えてなるので、バイアス磁場は
ほとんどフロントギヤツプに流れ込まず、再生時
においてバイアス磁場による記録磁界がほとんど
発生せず、再生が良好に行なわれ、又ホール素子
は極めて薄い、例えば膜厚が約0.01〜0.1μｍの
磁性膜で動作するので、リアギヤツプにおける信
号磁束の損失は少なく、高感度なものであり、又
ヘツド面積を小さくできるので多チヤンネルに対
応した集積度に高い磁気ヘツドを簡単に作れる等
の特長を有する。
第１図及び第４図は本発明に係るホール効果型
再生用磁気ヘツドの実施例の説明図、第２図は磁
気回路説明図、第３図は再生感度を示すグラフで
ある。 １，１′，１０，１０′……磁気コア、２，１１
……フロントギヤツプ、３，４，１２，１３……
リアギヤツプ、５，１４，１５……ホール素子、
６，１６……導体。
再生用磁気ヘツドの実施例の説明図、第２図は磁
気回路説明図、第３図は再生感度を示すグラフで
ある。 １，１′，１０，１０′……磁気コア、２，１１
……フロントギヤツプ、３，４，１２，１３……
リアギヤツプ、５，１４，１５……ホール素子、
６，１６……導体。
Claims (1)
- １ フロントギヤツプと複数個のリアギヤツプを
構成し、このリアギヤツプのうちギヤツプ寸法の
小さなリアギヤツプの少なくとも１個に垂直磁化
膜よりなるホール素子を設け、このホール素子に
バイアス磁界を加える手段を複数のリアギヤツプ
間に備えたことを特徴とするホール効果型再生用
磁気ヘツド。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204531A JPS58108028A (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | ホ−ル効果型再生用磁気ヘツド |
| US06/448,564 US4577250A (en) | 1981-12-18 | 1982-12-10 | Hall effect magnetic head |
| DE19823246282 DE3246282A1 (de) | 1981-12-18 | 1982-12-14 | Halleffekt-magnetkopf |
| FR8221236A FR2518792B1 (fr) | 1981-12-18 | 1982-12-17 | Tete magnetique a effet hall |
| GB08235922A GB2115204B (en) | 1981-12-18 | 1982-12-17 | Hall effect magnetic head |
| FR868601114A FR2578343B1 (fr) | 1981-12-18 | 1986-01-27 | Tete magnetique a effet hall |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204531A JPS58108028A (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | ホ−ル効果型再生用磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108028A JPS58108028A (ja) | 1983-06-28 |
| JPS6227447B2 true JPS6227447B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=16492076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56204531A Granted JPS58108028A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-19 | ホ−ル効果型再生用磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108028A (ja) |
-
1981
- 1981-12-19 JP JP56204531A patent/JPS58108028A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58108028A (ja) | 1983-06-28 |
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