JPS62274740A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62274740A JPS62274740A JP61119463A JP11946386A JPS62274740A JP S62274740 A JPS62274740 A JP S62274740A JP 61119463 A JP61119463 A JP 61119463A JP 11946386 A JP11946386 A JP 11946386A JP S62274740 A JPS62274740 A JP S62274740A
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- JP
- Japan
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- isolation
- groove
- semiconductor device
- semiconductor
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に絶縁された単結晶の素
子分離領域を有する半導体装置に関する。
子分離領域を有する半導体装置に関する。
従来の半導体装置の、素子領域の絶縁分離方法としては
ＰＮ接合による分離方法が一般的に良く使われているが
、しかし、近年の技術の進歩と素子の微細化に伴って、
素子と素子との間の分離領域をＬＯＣＯ３法による酸化
膜や絶縁物を充填した溝等によって構成するいわゆる誘
電体による分離方法等も一般化してきている。
ＰＮ接合による分離方法が一般的に良く使われているが
、しかし、近年の技術の進歩と素子の微細化に伴って、
素子と素子との間の分離領域をＬＯＣＯ３法による酸化
膜や絶縁物を充填した溝等によって構成するいわゆる誘
電体による分離方法等も一般化してきている。
その他に、従来からある素子領域の絶縁分離方法として
は、半導体基板表面にＶ溝を設けてこの表面に酸化膜を
形成し、その酸化膜の上に多結晶シリコン層を厚く堆積
し、更に半導体基板を、裏面からＶ溝の底部の酸化膜に
到達するまで、研磨等により除去して半導体基板の裏と
表を逆゛にし、素子領域を酸化膜によって完全に絶縁分
離するという方法もある。
は、半導体基板表面にＶ溝を設けてこの表面に酸化膜を
形成し、その酸化膜の上に多結晶シリコン層を厚く堆積
し、更に半導体基板を、裏面からＶ溝の底部の酸化膜に
到達するまで、研磨等により除去して半導体基板の裏と
表を逆゛にし、素子領域を酸化膜によって完全に絶縁分
離するという方法もある。
上述した従来の半導体装置は、ＰＮ接合及び誘電体によ
る分離方法のいずれの場合も、素子の底部は半導体基板
との藺でＰＮ接合が形成されており、必然的にその部°
分にＰＮ接合による寄生容量が出来てしまう欠点がある
。しかもＰＮ接合による分離方法よりも素子間の分離が
良く行える誘電体による分離方法といえども素子間のリ
ーク電流防止のためにいちいち反転防止層を設ける必要
がある。
る分離方法のいずれの場合も、素子の底部は半導体基板
との藺でＰＮ接合が形成されており、必然的にその部°
分にＰＮ接合による寄生容量が出来てしまう欠点がある
。しかもＰＮ接合による分離方法よりも素子間の分離が
良く行える誘電体による分離方法といえども素子間のリ
ーク電流防止のためにいちいち反転防止層を設ける必要
がある。
又、従来の完全な素子分離方法である絶縁物による分離
方法についても、その形成方法が半導体基板の表面の数
〜数１０μｍの素子領域を残して裏面から基板の大部分
を研磨等により取り除くという手間のかかる方法のため
、大量生産や素子の微細化に対しては適さないという欠
点がある。
方法についても、その形成方法が半導体基板の表面の数
〜数１０μｍの素子領域を残して裏面から基板の大部分
を研磨等により取り除くという手間のかかる方法のため
、大量生産や素子の微細化に対しては適さないという欠
点がある。
本発明の目的は、素子間を分離するためあるいは半導体
基板との間のＰＮ接合による寄生容量が無く、しかも素
子間の絶縁分離が完全になされた大量生産や素子の微細
化に向いた半導体装置を提供することにある。
基板との間のＰＮ接合による寄生容量が無く、しかも素
子間の絶縁分離が完全になされた大量生産や素子の微細
化に向いた半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、単結晶半導体基板上に設けられ
た絶縁層と、該絶縁層上に互いに所定の間隔をおいて設
けられた複数の単結晶の素子領域と、該単結晶の素子領
域の側面に設けられた絶縁膜とを有して成る。
た絶縁層と、該絶縁層上に互いに所定の間隔をおいて設
けられた複数の単結晶の素子領域と、該単結晶の素子領
域の側面に設けられた絶縁膜とを有して成る。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
この実施例は、先ず、第１図（ａ）に示すように、単結
晶シリコン基板１に素子分離用の溝を、リアクティブイ
オンエツチング法等の異方性エツチングによって形成す
る。
晶シリコン基板１に素子分離用の溝を、リアクティブイ
オンエツチング法等の異方性エツチングによって形成す
る。
次に、第１図（ｂ）に示すように、熱酸化等により酸化
膜２を薄く形成し、続いて気相成長等により窒化膜３を
成長して、ネガ型のホトレジスト４をその上に塗布する
。
膜２を薄く形成し、続いて気相成長等により窒化膜３を
成長して、ネガ型のホトレジスト４をその上に塗布する
。
この後、第１図（Ｃ）に示すように、単結晶シリコン基
板１の表面に対し例えば約４５°の角度から紫外線を照
射して現像する。即ち、この様に単結晶シリコン基板１
の表面に対し斜め上方より紫外線を照射すると、素子領
域表面と溝の上部側面のみのネガ型のホトレジスト４が
感光し、溝の下部側面の溝の底部とのネガ型のホトレジ
スト４は感光せずに現像によって除去されてしまい第１
図（Ｃ）に示すようなパターンが形成される。
板１の表面に対し例えば約４５°の角度から紫外線を照
射して現像する。即ち、この様に単結晶シリコン基板１
の表面に対し斜め上方より紫外線を照射すると、素子領
域表面と溝の上部側面のみのネガ型のホトレジスト４が
感光し、溝の下部側面の溝の底部とのネガ型のホトレジ
スト４は感光せずに現像によって除去されてしまい第１
図（Ｃ）に示すようなパターンが形成される。
そして、次に、第１図（ｄ）に示すように、プラズマエ
ツチング等により、ネガ型のホトレジストで覆われてな
い溝の下部側面と溝の底面との窒化［３をエツチング除
去して、更にネガ型のホトレジスト４も除去する。
ツチング等により、ネガ型のホトレジストで覆われてな
い溝の下部側面と溝の底面との窒化［３をエツチング除
去して、更にネガ型のホトレジスト４も除去する。
次に、第１図（ｅ）に示すように、窒化膜３をマスクに
溝の下部側面及び底面を加圧酸化法等を用いて、素子領
域１′の下部に、溝の下部側面の酸化膜が両側から互い
にぶつかるまで、選択酸化を行ない酸化膜２′を形成す
る。
溝の下部側面及び底面を加圧酸化法等を用いて、素子領
域１′の下部に、溝の下部側面の酸化膜が両側から互い
にぶつかるまで、選択酸化を行ない酸化膜２′を形成す
る。
更に、第１図＜ｒ＞に示すように、マスクとして用いた
窒化膜３を除去した後、気相成長により多結晶シリコン
を素子間の溝に充填し、その後エッチバック法等により
表面を平坦化すれば多結晶シリコン５を有する絶縁分離
領域ができる。
窒化膜３を除去した後、気相成長により多結晶シリコン
を素子間の溝に充填し、その後エッチバック法等により
表面を平坦化すれば多結晶シリコン５を有する絶縁分離
領域ができる。
ここで、この実施例では単結晶シリコン基板として、単
一導電型の単結晶シリコン基板を用いたが埋込層やエピ
タキシャル層３用いる単結晶シリコン基板を用いても良
い、ことは明白である。
一導電型の単結晶シリコン基板を用いたが埋込層やエピ
タキシャル層３用いる単結晶シリコン基板を用いても良
い、ことは明白である。
又、渦の底部も溝下部側面と同時に選択酸化しているが
、溝底部にマスクを形成して溝下部側面のみを選択酸化
しても良い。
、溝底部にマスクを形成して溝下部側面のみを選択酸化
しても良い。
更に又、渦に多結晶シリコンを充填して誘電絶縁分離を
したが、充填物はシリコンに限らず、シリコン酸化物で
も、シリコン窒化物でも、多結晶シリコンを酸化した酸
化物でも良い。
したが、充填物はシリコンに限らず、シリコン酸化物で
も、シリコン窒化物でも、多結晶シリコンを酸化した酸
化物でも良い。
又、ネガ型のホトレジストに斜めから紫外線を照射する
角度は特に４５°限る必要はなく、溝の側面のネガ型の
ホトレジストのパターン形成に最適な角度を選択すれば
良い。
角度は特に４５°限る必要はなく、溝の側面のネガ型の
ホトレジストのパターン形成に最適な角度を選択すれば
良い。
１発明の効果〕
以上説明したように本発明は、渦の側面を選択酸化する
ことにより、容易に素子の完全な絶縁分離を達成するこ
とができるので、素子間を分離するためのＰＮ接合によ
る寄生容量が無く大量生産に向いた半導体装置を提供で
きるという効果がある。
ことにより、容易に素子の完全な絶縁分離を達成するこ
とができるので、素子間を分離するためのＰＮ接合によ
る寄生容量が無く大量生産に向いた半導体装置を提供で
きるという効果がある。
更に、本発明は、溝の側面を選択酸化することからもわ
かるように、素子領域が小さいほど、つまり素子が微細
化されるほど製造が容易となるという効果もある。
かるように、素子領域が小さいほど、つまり素子が微細
化されるほど製造が容易となるという効果もある。
第１図（ａ）〜（「）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。 １・・・単結晶シリコン基板、１“・・・素子領域、２
．２′・・・酸化膜、３・・・窒化膜、４・・・ホトレ
ジスト、５・・・多結晶シリコン。 代理人 弁理士 内 原 井ニ （１２，ン （ｄ）
（ｂン （ｅン躬
１ 図
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。 １・・・単結晶シリコン基板、１“・・・素子領域、２
．２′・・・酸化膜、３・・・窒化膜、４・・・ホトレ
ジスト、５・・・多結晶シリコン。 代理人 弁理士 内 原 井ニ （１２，ン （ｄ）
（ｂン （ｅン躬
１ 図
Claims (1)
- 単結晶半導体基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上
に互いに所定の間隔をおいて設けられた複数の単結晶の
素子領域と、該単結晶の素子領域の側面に設けられた絶
縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119463A JPS62274740A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119463A JPS62274740A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274740A true JPS62274740A (ja) | 1987-11-28 |
Family
ID=14761970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61119463A Pending JPS62274740A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274740A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57154856A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-24 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS6068628A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP61119463A patent/JPS62274740A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57154856A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-24 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS6068628A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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