JPS62276891A

JPS62276891A - 電子部品

Info

Publication number: JPS62276891A
Application number: JP61119230A
Authority: JP
Inventors: Kunio Aiki; 相木　国男; Atsushi Sasayama; 佐々山　厚; Tsutomu Kawasaki; 勉川崎
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1986-05-26
Filing date: 1986-05-26
Publication date: 1987-12-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】３、発明の詳細な説明〔産業上の利用分野〕本発明は電子部品、特に、組立時、超音波ワイヤボンデ
ィングが確実に行える構造を有する高周波特性が安定し
た光通信用の光電子装置等の電子部品に関する。

〔従来の技術〕

光通信用光源の一つとして、半導体レーザ装置が使用さ
れている。この光通信用レーザモジュール（半導体レー
ザ装置）については、たとえば、ｒＮＥＣ技Ｉ［ＩＪＶ
ｏｌ、３８、Ｎｏ、２／１９８５、Ｐ８４〜Ｐ８９に記
載されている。

この文献には、レーザ光を発光するレーザ素子、このレ
ーザ素子から発光される後方放射光をモニターするＧｅ
−ＰＤ（受光素子）、前記レーザ素子の温度をモニター
するサーミスタ、温度調整用のタープ（ベルチェ素子）
がそれぞれパッケージに内蔵されているとともに、レー
ザ光をパッケージ外に案内する光ファイバが配設されて
いる。前記ベルチェ素子の低温側はソルダーによって放
熱板に固定されている。また、外部端子となるリードは
デュアルインライン型となっている。前記デュアルイン
ライン型リードの構造の一つとして、リードが絶縁性の
ガラスを介してパッケージの底に貫通状態で取り付けら
れたものが記載されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記文献にも記載されているように、リードをデュアル
インライン型とする一つの構造としては、パッケージの
底にリードを配設する構造がある。

しかし、このような構造の半導体レーザ装置にあっては
、リードがパッケージ底を貫通するようにして取り付け
られているため、パッケージ底からリード上端迄のリー
ドの長さが長くなり、リード上端にワイヤを超音波ワイ
ヤボンディングによって接続する場合、リードが振動し
てワイヤボンディングが確実に行えないことが本発明者
によってあきらかにされた。

また、前述のようにリードが長くなることによってリー
ドの寄生インダクタン　スが大きくなり、高周波域での
特性が劣化することも本発明者によってあきらかにされ
た。

本発明の目的は超音波ワイヤボンディングが確実に行え
る構造の電子部品を提供することにある。

本発明の他の目的はリード等の寄生インダクタンスが低
減できる構造の電子部品を提供することにある。

本発明の他の目的は高周波域での使用が可能な電子部品
を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、本発明の光通信用光電子装置にあっては、パ
ッケージの内部に延在するリード、特に超音波ワイヤボ
ンディングによってワイヤが接続されるリードは、補強
板にそれぞれ固定されて超音波ワイヤボンディング時振
動し難いようになっている。また、前記補強板は絶縁体
からなるとともに、リードを固定する部分にはリード延
在方向全域に亘ってそれぞれ電気的に独立した所定幅の
導電層が設けられ、各リードは導電性の接合体を介して
所定の導電層に固定されている。また、パッケージの内
部に配設されるレーザダイオードチップは、パンケージ
の中心線から外れてレーザダイオードチップの電子部品
と電気的に接続されるリード側に近接するように偏って
配設されている。

〔作用〕

上記した手段によれば、光通信用光電子装置にあっては
、超音波ワイヤボンディングによってワイヤが接続され
るリードは補強板によって固定されているため、剛性が
大きくなることから、超音波ワイヤボンディング時振動
し難くなり、ワイヤボンディングが確実に行える。また
、前記リードは補強板の表面に設けられた所定幅を存す
る導電層に導電性の接合体を介して固定されているため
、実質的に電流の流れる面積が増大することとなり、リ
ード部分の寄生インダクタンスが小さくなって、たとえ
ば、５６５　Ｍ　ｂ　ｉ　ｔ　／　ｓ　ｅ　ｃ以上の高
周波域での特性が安定する。また、前記リードとレーザ
ダイオードチップとを接続するワイヤの長さは前記レー
ザダイオードチップがリード側に近接するように配設さ
れているため、短くなり寄生インダクタンスが小さくな
ることから高周波特性が安定する。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。

ここで、図面について簡単に説明する。第１図は本発明
の一実施例による光電子装置におけるリードとリードを
補強する補強板とを示す模式図、第２図は同じく光電子
装置の要部を示す斜視図、第３図は同じくパッケージ蓋
を取り除いた状態の平面図、第４図は同じく断面図、第
５図は同じ（パッケージ本体サブアセンブリ部品を示す
斜視図、第６図は同じくサブキャリアを示す斜視図、第
７図は同じくサブキャリアにおけるヒートシンクの平面
図、第８図は同じく位置決め固定体の内端の半田リング
を示す断面図、第９図は同じくサブキャリアにおけるレ
ーザダイオードチップの搭載状態を示す斜視図、第１０
図は同じく光ファイバの固定状態を示す模式図である。

この実施例では、波長が１，３μｍあるいは１゜５μｍ
となるレーザ光を発光するレーザダイオードチップを内
蔵した光通信における発信装置としての光電子装置に本
発明を適用した例について説明する。

ここで、本発明の光電子装置の構造の概要について説明
する。光電子装置は、第２図に示されるように、パッケ
ージ１は箱型となるとともに、このパッケージ１の一端
にパッケージ１を取り付けるための取付孔２を設けたフ
ランジ３を有し、かつ他端にファイバ支持体４を有して
光フアイバケーブル５を案内する構造となっている。こ
の光電子装置は、前記パッケージｌの底から２列に亘っ
てリード６を突出させ、デュアルインライン構造を構成
している。前記パッケージ１は、第４図に示されるよう
に、一端にフランジ３を存しかつ上部が開口した箱型の
パッケージ本体７と、このパンケージ本体７の開口部を
機密的に被うパッケージＭ８とからなっている。また、
前記パッケージ本体７の底上には台座９が固定されてい
るとともに、この台座９上にはベルチェ素子１０が固定
され、このペルチェ素子１０上にはサブキャリア１１が
固定されている。このサブキャリアＩｆは、搭載部１２
および支持部１３なる突部を主面に有するヒートシンク
１４を台座部材とし、このヒートシンク１４上に、レー
ザダイオードチップ１５゜このレーザダイオードチップ
１５から発光されるレーザ光を先端（内端）から取り込
む光ファイバ１６を案内する筒状の位置決め固定体１７
．前記レーザ光をモニターする受光素子１８．前記ヒー
トシンク１３の温度をモニターするサーミスタ１９が、
それぞれ固定されている。そして、前記光ファイバ゛ケ
ーブル５のパンケージ１内における部分は、ジャケット
が除去されてコアとこのコアを被うクランドからなる光
ファイバ１６となり、かつ前記位置決め固定体１７に案
内されてその先端を前記レーザダイオードチップ１５の
一方の出射面に対面させている。また、各素子の電極と
所定のリード６間は導電性のワイヤ２０によって電気的
に接続されている。なお、この光電子装置はそのパッケ
ージ内に樹脂や半田付は用のフラックスを内在させない
ものとし、これら樹脂等に起因する特性劣化を生じさせ
ないように配慮されている。

このような光電子装置は、前記レーザダイオードチップ
１５からレーザ光を発光させ、この発光させたレーザ光
を光フアイバケーブル５によって所望個所に伝送するこ
とによって光通信を行う。

この際、この光電子装置は、受光素子１８でレーザ光を
モニターし、この情報に基づいてレーザダイオードチッ
プ１５の出力を制御し、安定した光通信を行う。また、
この光電子装置は、前記サーミスタ１９でヒートシンク
１４の温度をモニターし、この情報に基づいてベルチェ
素子１０を制御して常時レーザダイオードチップ１５が
一定の温度域で駆動するようにし、光通信の安定を図る
ようになっている。

つぎに、このような光電子装置の各部について説明する
。

この光電子装置は、鉄−ニッケルーコバルト（Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ）合金からなるコバールによって形成された平
板なパッケージＭ８．光ファイバケーブル５．ベルチェ
素子１０のような個別部品といくつかのサブアセンブリ
部品を用いて組み立てられる。

パッケージ本体７を主要構成部品とするパンケージ本体
サブアセンブリ部品部品は、第５図に示されるように、
パッケージ本体７．フランジ３．ファイバ支持体４．リ
ード６、台座９からなっている。

パッケージ本体７は、その一端に取付孔２を有するフラ
ンジ３を張り付けた構造となっている。また、パッケー
ジ本体７の底には２列に亘ってそれぞれ７本のり−ド６
が配設されている。各リード６はパッケージ本体７の底
板を貫通するとともに、底板を構成するコバールと熱膨
張係数が略等しいコバールガラスからなる絶縁性支持体
２１によってパッケージ本体７に絶縁的に固定されてい
る。

これらのり一ド６は、これが本発明の特徴的な構造の一
つであるが、第１図および第５図等に示されるように、
その一部は補強板２２に固定されている。

前記リード６にあって、前記ベルチェ素子１０と接続さ
れるワイヤ２０は溶接等によってリード６に接続される
が、それ以外のワイヤ２０は、リード６に超音波ワイヤ
ボンディングによって接続される。超音波ワイヤボンデ
ィングは超音波振動を利用してワイヤボンディングを行
うため、細く長いリード６はワイヤボンディング時振動
して、ワイヤボンディングが確実に行えなくなる。そこ
で、この実施例では、超音波ワイヤボンディングによっ
てワイヤ２０が接続されるリード６は、第１図〜第３図
、第５図に示されるように、補強板２２に固定されて補
強されている。前記補強板２２は絶縁性のセラミック板
からなるとともに、第１図に示されるように、リード６
との接続面は、それぞれ部分的にメタライズが施されて
いる。導電層となるメタライズ層は、たとえば、Ｎｉメ
ッキ膜２３からなっている。そして、リード６は前記各
Ｎｉメ７キｌ１１２３に導電性の接合体である銀源２４
によって強固に固定され金メッキが施されている。この
強固な固定によって、隣り合うり一ド６は一対的となり
、前述のように超音波ワイヤボンディングが確実に行え
るようになっている。

一方、前記Ｎ１メフキ膜２３はリード６に沿って一定の
幅を有するように設けられている。また、この金Ｎｉメ
フキ膜２３は、補強板２２のリード６が延在する方向に
そって全域に亘って設けられている。リード６は金Ｎｉ
メ７キ膜２３に導電性の銀源２４によって固定されてい
る。したがって、Ｎｉメッキ膜２３および銀源２４は、
リード６と一体的となって電流を流すこととなるため、
実質的にリード６における電流の流れる面積が増大する
ことから、寄生インダクタンスが低くなり、５６５Ｍｂ
ｉｔ以上にも及ぶ高周波域での光通信も安定して行える
ようになる。たとえば、リード６の直径がφ０．４５ｍ
ｍ、長さが７ｍｍとした場合、寄生インダクタンスが６
ｎＨ程度となるものが、所望幅の金メッキ膜２３を有す
る構造とすることによって、３ｎＨと軽減させることが
できる。

他方、前記リード６の接続形態は、第２図および第３図
に示されるように、手前および後側のリード列の左端の
リード６がそれぞれ受光素子１８の外部端子となるとと
もに、手前側のリード列の左から２木目および３木目の
り−ド６はレーザダイオードチップ１５の外部端子とな
り、かつ、手前側のリード列の左から４木目および５木
目のリード６はサーミスタ１９の外部端子となる。また
、手前および後側のリード列の右端のり−ド６は、それ
ぞれベルチェ素子１０の外部端子となる。そして、他の
り−ド６はこの実施例では使用しない空きリードとなる
。

このパッケージ本体サブアセンブリ部品は、パッケージ
本体７のフランジ３とは逆となる端面にファイバ支持体
４が取り付けられている。このファイバ支持体４は、第
４図に示されるように、それぞれ筒体からなるアウター
支持体２５と、このアウター支持体２５の内端に嵌合さ
れるインナー支持体２６とからなっている。アウター支
持体２５はその内端をパッケージ本体７の端に貫通状態
でかつ気密的に鑞接されている。また、このアウター支
持体２５の外端部は薄肉管構造となり、カシメによって
容易に潰れるようになっている。また、前記インナー支
持体２６は外端を前記アウター支持体２５の内端に嵌合
させる構造となるとともに、内端は細く延在しかつ先端
は傾斜面となっている。

このようなファイバ支持体４にあって、光ファイバケー
ブル５は、ファイバ支持体４に挿入されるに先立って、
その先端側は一定の長さに亘ってジャケットが除去され
るが、そのジャケットが除去された光フアイバ１６部分
が前記インナー支持体２６全域およびアウター支持体２
５の一部に亘って延在し、ジャケットが付いた部分がア
ウター支持体２５の外端部分に延在するようになる。光
ファイバ１６は、このファイバガイド４の外端のカシメ
によってジャケットのある部分が固定され、内端の半田
付けによって気密的に固定されている。

また、パッケージ本体サブアセンブリ部品は、その底上
に台座９が固定されている。この台座９はパッケージ本
体７のフランジ３側底面にフラックスを必要としない鑞
付けによって固定されている。この台座９は前記ベルチ
ェ素子１０の上下の電極板２７が熱膨張係数が６．７Ｘ
１０−’／’Ｃ程度となるアルミナセラミックによって
構成されていることからこの電極板２７と熱膨張係数が
６゜０〜７．０ＸＩＯ−”／”Ｃとなる銅タングステン
（ＣｕＷ）によって構成されている。また、このＣｕＷ
は熱伝導度が０．　５〜０．　６７　ｃ　ａ　１／ｃｍ
−ｓｅｅ−’ｃと高くなり、ベルチェ素子１０の熱放散
性を高めるようになっている。また、前記台座９の一端
はフランジ３側のパッケージ本体７の周壁に接触し、台
座９から周壁を介してフランジ３に熱が伝わるようにな
っている。

サブアセンブリ部品としてのサブキャリア１１は、第６
図に示されるような構造となっている。

このサブキャリア１１は、第７図に示されるように、矩
形板からなるヒートシンク１４を主構成部品としている
。このヒートシンク１４はその主面に搭載部１２および
支持部１３を有している。これら搭載部１２および支持
部１３は突状となっている。搭載部１２はヒートシンク
１４の主面の中央領域を横切るように配設されるととも
に、支持部１３は一端側にかつ前記搭載部１２に平行に
延在している。また、これら搭載部１２および支持部１
３は、第７図に示されるように、ヒートシンク１４の中
心線に対してθはど傾斜した傾斜軸に直交する方向に延
在している。また、前記支持部１３には筒状の位置決め
固定体１７が貫通固定されている。この位置決め固定体
１７は、光ファイバ１６を案内する支持体軸となるとと
もに、光ファイバ１６の先端位置を調整できる調整可能
な軸となっている。このため、位置決め固定体１７は塑
性変形し易い材料、たとえば、キュプロニッケルで形成
されるとともに、第７図に示されるように、支持部１３
に挿嵌される細い変形可能な調整軸２８と、支持部１３
の外側壁に段付面が当接する大径の支持体軸２９とから
なっている。光ファイバ１６は、この位置決め固定体１
７に案内され、その先端をレーザダイオードチップ１５
の一方の出射面に対面させている。また、光ファイバ１
６は、調整軸２８のはすに切られた内端に半田３０によ
って固定されている。

一方、前記位置決め固定体１７の先端、すなわち、調整
軸２８の先端延長線上の搭載部１２上には、サブマウン
ト３２がフラックスレスの低融点半田、たとえば、Ｐｂ
−３ｎ、−Ｉｎからなる半田で固定される。前記サブマ
ウント３２は、熱伝導度が高くかつ熱膨張係数αがＳｉ
や化合物半導体に近似した絶縁性の５ｉＣ（α：３．７
Ｘ１０−６１０Ｃ）で構成されている。また、第９図に
示されるように、前記サブマウント３２の主面には、通
電性のメタライズ層３３が設けられている。そして、こ
のメタライズ層３３上には、それぞれＡｕ−３ｎ共晶層
３４．３５を介してそれぞれ独立してレーザダイオード
チップ１５およびＡｕからなるペデスタル３６が固定さ
れている。したがって、前記レーザダイオードチップ１
５の下部電極はメタライズ層３３を介して前記ペデスタ
ル３６と電気的に接続されている。前記レーザダイオー
ドチップ１５は、第９図に示されるように、レーザ光３
７を出射する共振器３８がサブマウント３２から遠く離
れる、いわゆるｐ−ｕｐの状態でサブマウント３２に固
定されている。また、前記レーザダイオードチップ１５
の上面の電極は２本のワイヤ２０によって搭載部１２に
電気的に接続されるとともに、前記ペデスタル３６とリ
ード６とは、第２図および第３図に示されるように、２
本のワイヤ２０で電気的に接続される。これは、前記レ
ーザダイオードチップ１５の上部電極の搭載部１２との
接続、ペデスタル３６とリード６とのワイヤ２０による
接続は、この光電子装置にあっては、レーザダイオード
チップ１５をドライブする側を高速トランジスタの関係
からマイナスとして使用するための極性変更のためであ
る。なお、前記レーザダイオードチップ１５はサブマウ
ント３２に搭載された状態で搭載部１２上に固定される
。

また、この実施例の光電子装置では、レーザダイオード
チップ１５をヒートシンク１４の中心線から外して一方
に偏らせている。これは、前記ペデスタル３６とリード
６との間に張られるワイヤ２０の長さを短くするためで
あり、ワイヤ２０の長さを短くすることによって寄生イ
ンダクタンスの軽減を図り、光電子装置を高周波域でも
安定して駆動させるためである。

また、前記レーザダイオードチップ１５がヒートシンク
１４の中心線から外れ、かつ光ファイバ１６を案内する
位置決め固定体１７が中心線から外れていることから、
パンケージ本体サブアセンブリ部品のファイバ支持体４
の延長線上には位置決め固定体１７は位置しなくなる。

この結果、ファイバ支持体４から位置決め固定体１７に
亘って延在する光ファイバ１６を無理な力が加わらない
ように配設すると、第１０図に示されるように、光ファ
イバ１６は曲線を描いて延在することになる。このよう
に、光ファイバ１６が固定される２点間で曲線を描いて
延在することは、温度変動に伴って固定２点間距離が変
化しても、光ファイバ１６に無理な力が加わらなくなり
、通信に支障を来さなくなる。すなわち、固定２点間に
おいて光ファイバ１６が直線的にピンと張った状態とな
っていると、熱膨張・熱収縮によって、前記光ファイバ
１６の２個所の相対的位置関係が変化した場合、光ファ
イバ１６に力が加わり、あるいは光ファイバ１６が破断
したりするが、第１０図に示されるように、光ファイバ
１６が曲線を描いて延在していることから、光ファイバ
１６の２点間の間隔が常温状態のＡ点から高温状態のＢ
点に延びたりあるいはＡ点から低温状態の０点に縮んだ
りした場合、光ファイバ１６は一点鎖線あるいは二点鎖
線で示すように屈曲して変化対応するため、光ファイバ
１６に無理な応力が加わらなくなり、光ファイバ１６の
損傷は防止できるようになる。

また、前記ヒートシンク１４の主面には受光素子】８を
取り付けたチップキャリア３９がＡｕ−３ｎ共晶層を介
して固定されている。前記チップキャリア３９はセラミ
ックのブロックからなるとともに、その−側面（主面）
および上面に亘って素子固定用メタライズ層４０および
ワイヤ固定用メタライズ層４１がそれぞれ設けられてい
る。受光素子１８は前記素子固定用メタライズ層４０上
にＡｕ−５ｎ共品層を介して固定されている。また、こ
の受光素子１８の上面の電極と、前記ワイヤ固定用メタ
ライズ層４１とはワイヤ４２で電気的に接続されている
。なお、前記チップキャリア３９はチップキャリア３つ
の矩形の一辺がヒートシンク１４の一辺と一致するよう
にヒートシンク１４に固定されるため、受光素子１８の
受光面は、レーザ光３７に対して垂直とはならず傾斜す
る。

このため、受光素子】８の受光面での反射光がレーザダ
イオードチップ１５の出射面に戻らないことから、戻り
光による雑音の発生は防げる。

また、前記ヒートシンク１４の支持部１３の上面には、
ヒートシンク１４の温度をモニターするサーミスタ１９
がサーミスタ支持チップ４３を介して固定されている。

前記サーミスタ支持チップ４３はセラミックブロックか
らなるとともに、その表裏面に図示しないメタライズ層
を有している。

そして、サーミスタ１９はＡｕ−３ｎ共晶層によってサ
ーミスタ支持チップ４３の上面に固定される。この結果
、サーミスタ支持チップ４３の露出するメタライズ層部
分はサーミスタ１９の下部電極に導通状態となる。そこ
で、サーミスタ１９の電極とり−ド６との導通を図る場
合は、第２図および第３図に示されるように、所定のり
一ド６とサーミスタ１９の上部電極とが２本のワイヤ２
０で接続され、所定のり−ド６とサーミスタ支持チツブ
４３のメタライズ層とが２本のワイヤ２０で接続される
ことになる。また、前記ヒートシンク１４には、第６図
に示されるように、窪み４４あるいは孔４５が設けられ
ている。これらの窪み４４および孔４５には、レーザダ
イオードチップ１５と光ファイバ１６との光軸合わせ時
、同図の二点鎖線に示されるように、位置調整用レバー
４６等の先端が入れられ、窪み４４や孔４５の周壁の一
部を前記位置調整用レバー４６の支点として動かし、位
置調整用レバー４６の他端側で位置決め固定体１７の調
整軸２８を上下左右に塑性変形させることによって光軸
合わせが行われるようになっている。

このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。

（１）本発明の光電子装置にあっては、超音波ワイヤポ
ンディングによってワイヤが接続されるリードは、補強
板によって補強されているため、その組立においてワイ
ヤを確実に接続でき、ボンディングの信頼度が向上する
という効果が得られる。

（２）上記（１）により、本発明の光電子装置は、その
組立においてワイヤボンディングが確実に行えるため、
組立の歩留りが向上するという効果が得られる。

（３）本発明の光電子装置にあっては、リードが固定さ
れる補強板のリード固定部に、導電性の金メッキ膜が設
けられているため、実質的にリードの寄往インダクタン
スが小さくなり、光電子装置の高周波域での特性が安定
するという効果が得られる。

（４）本発明によれば、光電子装置にあって、レーザダ
イオードチップはレーザダイオードチップの電極と電気
的に接続されるリード側に偏って配設されているため、
レーザダイオードチップの電極とリードを電気的に接続
するワイヤの長さが短くなり、ワイヤの寄生インダクタ
ンスが小さくなるため、光電子装置の高周波域での特性
が安定するという効果が得られる。

（５）上記（３）および（４）により、本発明の光電子
装置は、高周波域での特性が安定するという効果が得ら
れる。

〈６）本発明によれば、レーザダイオードチップ。

受光素子、サーミスタ、光ファイバを案内する位置決め
固定体はヒートシンクに一体的に組み込まれてサブキャ
リアとなっている。また、パッケージ本体、フランジ、
リード、台座、ファイバガイドは一体となってパッケー
ジ本体サブアセンブリ部品となっている。したがって、
光電子装置の組立にあっては、このサブキャリアをパン
ケージ本体サブアセンブリ部品に固定されたペルチェ素
子上に固定すること、前記サブキャリアの位置決め固定
体に固定された光ファイバとレーザダイオードチップと
の光軸合わせを行うことによって、重要部分の組立が終
了するため、高精度の組立が可能となるという効果が得
られる。

（７）上記（６）により、本発明によれば、２つのサブ
アセンブリ部品と数個の個別部品による組立によるため
、生産性が高くなるという効果が得られる。

（８）本発明の光電子装置は、その組立において、レー
ザダイオードチップと光ファイバとの光軸合わせは、サ
ブキャリアの位置決め固定体の首振り状の位置調整で行
われるため高精度の光軸合わせが行えるため、品質が高
いという効果が得られる。

（９）本発明の光電子装置は、レーザダイオードチップ
と光ファイバとの光軸合わせ時、位置決め固定体を位置
変動させるが、この位置変動は位置決め固定体の塑性変
形によって行われるため、塑性変形させた後は、元に戻
ったりすることもないので、常に設定時の光結合状態を
維持できることになり信頼性が安定するという効果が得
られる。

（１０）本発明の光電子装置は、パッケージ内において
、光ファイバは固定２点間では曲線を描くように延在し
ていることから、温度変動があっても、光ファイバはそ
の曲率を変えて延在するだけであることから光ファイバ
に損傷が一切発生せず特性が安定する。

（１１）上記（１）〜（１０）により、本発明によれば
、ワイヤボンディングが確実に行えるとともに、高周波
域で特性が安定した光電子装置を安価に提供することが
できるという相乗効果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光通信用光電子装置
の製造技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではない。

本発明は少なくとも超音波によってワイヤボンディング
が行われる電子部品および高周波域で使用する電子部品
には適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を節単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明の光通信用光電子装置にあっては、超音波ワイヤ
ボンディングによってワイヤが接続されるリードは補強
板によって固定されているため、剛性が大きくなること
から、超音波ワイヤボンディング時振動し難くなり、ワ
イヤボンディングが確実に行える。また、前記リードは
補強板の表面に設けられた所定幅を有する導電層に導電
性の接合体を介して固定されているため、実質的に電流
の流れる面積が増大することとなり、リード部分の寄生
インダクタンスが小さくなって、たとえば、５６５Ｍｂ
　ｉ　ｔ／ｓ　ｅ　ｃ以上の高周波域での特性が安定す
る。また、前記リードとレーザダイオードチップとを接
続するワイヤの長さは前記レーザダイオードチップがリ
ード側に近接するように配設されているため、短くなり
寄生インダクタンスが小さくなることから高周波特性が
安定する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による光電子装置におけるリ
ードとリードを補強する補強板とを示す模式図、第２図は同じ（光電子装置の要部を示す斜視図、第３図
は同じ（パッケージ蓋を取り除いた状態の平面図、第４図は同じ（断面図、第５図は同じ（パッケージ本体サブアセンブリ部品を示
す斜視図、第６図は同じくサブキャリアを示す斜視図、第７図は同
じ（サブキャリアにおけるヒートシンクの平面図、第８図は同じく位置決め固定体の内端の半田リングを示
す断面図、第９図は同じくサブキャリアにおけるレーザダイオード
チップの搭載状態を示す斜視図、第１０図は同じく光フ
ァイバの固定状態を示す模式図である。１・・・パ・７ケージ、２・・・取付孔、３・・・フラ
ンジ、４・・・ファイバ支持体、５・・・光フアイバケ
ーブル、６・・・リード、７・・・パッケージ本体、８
・・・パンケージ蓋、９・・・台座、１０・・・ベルチ
ェ素子、１１・・・サブキャリア、１２・・・搭載部、
１３・・・支持部、１４・・・ヒートシンク、１５・・
・レーザダイオードチップ、１６・・・光ファイバ、１
７・・・位置決め固定体、１８・・・受光素子、１９・
・・サーミスタ、２０・・・ワイヤ、２１・・・絶縁性
支持体、２２・・・補強板、２３・・・Ｎｉメッキ膜、
２４・・・銀源、２５・・・７ウタ一支持体、２６・・
・インナー支持体、２７・・・電極板、２８・・・調整
軸、２９・・・支持体軸、３０・・・半田、３２・・・
サブマウント、３３・・・メタライズ層、３４．３５・
・　・Ａｕ−３ｎ共晶層、３６・・・ペデスタル、３７
・・・レーザ光、３８・・・共振器、３９・・・チップ
キャリア、４０・・・素子固定用メタライズ層、４１・
・・ワイヤ固定用メタライズ層、４２・・・ワイヤ、４
３・・・サーミスタ支持チップ、４４・・・窪み、４５
・・・孔、４６・・・位置調整用レバー。一１Ｓ′−さ（（ＪＬＡ″”１“ｘＪｓＪ＋Ｈ竺、１．・＼、−ン

Claims

【特許請求の範囲】１、パッケージと、このパッケージの内外に亘って延在
するリードとを有する電子部品であって、前記パッケー
ジ内に延在する所望リードは補強板に固定されているこ
とを特徴とする電子部品。２、前記補強板は絶縁体で構成されているとともに、前
記補強板にはリードの延在方向全域に亘ってそれぞれ電
気的に独立した所定幅の導電層が設けられ、かつ各リー
ドは対応する導電層に接触していることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電子部品。３、パッケージと、このパッケージの内外に亘って延在
するリードと、前記パッケージに内蔵されるチップとを
有する電子部品であって、前記パッケージ内に延在する
所望リードは補強板に固定され、さらに前記チップはチ
ップの電極とリードとを電気的に接続するワイヤの長さ
が短くなるようにパッケージの中心から外れてチップの
電極と電気的に接続されるリード側に偏って配設されて
いることを特徴とする電子部品。４、前記補強板は絶縁体で構成されているとともに、前
記補強板にはリードの延在方向全域に亘ってそれぞれ電
気的に独立した所定幅の導電層が設けられ、かつ各リー
ドは対応する導電層に接触していることを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載の電子部品。