JPS62281422A - 露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （ｊ帝業上の利用分野） 本発明は観察装置に関し、例えば半導体製造装置におい
て、レチクル面上に形成されているＩＣ，ＬＳＩ等の微
細な電子回路パターンを投影光学系によりウェハ面上に
投影し露光する際に投影光学系を介してウェハ面上の状
態を露光波長と異った波長を用いて観察する場合に好適
な観察装置に関するものである。

（従来の技術） 従来より投影光学系によって投影された投影面上の状態
を観察光学系を用いて観察する観察装置は各種の光学機
器で用いられている。

例えば半導体製造における露光装置では第１物体として
のレチクル而を投影光学系により第２物体としてのウェ
ハ面上に投影し、観察光学系によりウェハ面上の状態を
観察している。そしてこのｉＩｌ！察装置全装置てレチ
クル面とウェハ面との位置整合、所謂アライメントを行
っている。

このときのアライメント精度は観察装置の光学性能に大
きく依存している。この為観察装置の性能は露光装置に
おいて重要な要素となっている。

このような観察装置を利用してアライメントを行ったも
のは従来より種々提案されている。

例えば本出願人も特開昭５８−２５６３８号公報で観察
装置を利用したアライメント系を提案している。

同公報ではウェハ面に投影露光する為の投影光学系にｇ
線（４３６ｒ＋＋ｎ　）の光を用い、アライメント系に
Ｈｅ−Ｃｄレーザーから放射される波長（４４２ｎｍ　
）の光を用いている。このとき使用する２つの波長は略
等しい為、主に投影光学系を対象に構成することにより
、両波長の光で略等しい光学性能を得ている。そして投
影光学系をレチクル側とウェハ側の双方でテレセントリ
ックとなるように所謂両テレセントリックな光学系を構
成することにより、レチクル側よりウェハ面上を観察す
る際、観察光の主光線か常にレチクル面に垂直となると
いう特徴を利用している。これにより製造するＩＣの種
類か変わってレチクル面上でのパターン中’ｔｌが変化
してアライメント系の観察位置を変化させてもレチクル
面に入射或いは反射する光の角度を不変とすることが出
来、この性質を利用することにより高精度なＴＴＬｏｎ
Ａｘｉｓシステムを構成している。

尚ＴＴＬｏｎＡｘｉｓシステムというのは露光する投影
光学系を介して、露光する状態のままでレチクルとウェ
ハとのアライメントを行うことである。

一般に露光波長或いはそれと等価な波長を用いてアライ
メントを行うにはＴＴＬｏｎＡｘｉｓシステムは精度上
最も好ましい方式である。

しかしながら投影露光とアライメントでの波長を略同一
にするとウェハ面上に塗布するレジストに多層レジスト
を用いたとき多層レジストがアライメント光を吸収して
ウェハ面上のアライメントマークからの反射光を減少さ
せ、Ｓ／Ｎ比を低下させアライメント精度を低下させる
原因となってくる。この為アライメント波長と露光波長
を異ならしめてＳ／Ｎ比の向上を図りアライメント精度
を高めることが必要となってくる。

アライメント波長と露光波長を異ならしめてＴＴＬ方式
でアライメントを行うと、投影光学系は露光波長に対し
てのみ諸収差が良好に補正されているので露光波長以外
の光では色の諸収差、具体的には軸上色収差、倍率色収
差、この他色のコマ収差、非点収差、球面収差等が発生
し良好なる観察か出来ずにアライメント精度が低下する
原因となってくる。

この為従来より露光波長以外の光で投影光学系を介して
ウェハ面を良好に観察する方法か種々と提案されている
。例えばレチクルを介してウェハ面を観察する際、観察
波長の色収差によるピントのずれ量だけウェハ面の位置
を投影光学系の光軸方向にずらしてレチクル面とウェハ
面との共軛関に補助光学手段を設けたりする方法が採ら
れている。

しかしながら、これらの方法はいずれも投影光学系の色
収差の補正が不十分であった為、非対称性の収差、例え
ばコマ収差、倍率色収差等が発生しない放射状パターン
の結像、即ちサジタル方向の結像のみを用いていた。

しかしながらサジタル方向の結像だけを用いていたので
はサブミクロンの時代における高解像力に伴う高精度の
アライメントか難しくなってくる。例えば気圧の変化に
伴う投影倍率の変化といった投影光学系自体の結像状態
の変化、又ウニへの部分的な歪は倍率の変化と等価なも
のとして見なす事ができる。この様な倍率の変化として
見做せる変化は放射状パターンを用いたのでは全く検知
する事ができない。

又サジタル方向の結像のみては一点の観察で基本的に一
情報しか得られなく、２点を観測するたけて２次元的な
アライメントを達成するには情報このように従来は投影
光学系の色収差の補正が不十分であった為に５サジタル
方向の結像だけを利用していたが、今後サブミクロンの
時代における高解像力化に対してはサジタル方向の結像
だけではどうしても不十分となってくる。

この為、観察波長における投影光学系の色収差を良好に
補正した高精度のアライメントが可能の観察装置が半導
体製造用の露光装置に強く要求されてきている。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は投影光学系でｔ５２ｊｋに用いる波長と異った
波長で投影面の状態をｉ寮光学系により投影光学系を介
して観察する際に投影光学系より生ずる色の諸収差を補
正し、良好なる観察を可能とした観察装置の提供を特徴
とする 特に半導体製造における露光装置で露光波長と異った波
長でＴＴＬ方式のアライメントを行う際、投影光学系よ
り生ずる色の諸収差を良好に補正した観察光学系を用い
ることにより高精度のアライメントを可能とした観察装
置の提供を目的とする。

（問題点を解決する島の手段） 第１物体を投影光学系により７ｆＪ２物体面に投影し、
該第２物体面上を前記投影光学系を介して前記第２物体
面への投影波長と異った波長で観察する観察光学系の光
路中の一部に複数の平行平面板を前記観察光学系の光軸
に対して互いに傾けて配置したことでる。

この他本発明の特徴は実施例のおいて記載されている。

（実施例） 第１図は本発明を半導体製造用の露光装置ηに適用した
ときの一実施例の光学系の概略図である。

同図において１は第１物体としてのレチクルでレチクル
ステージ２８に載置されている。２は第２物体としての
ウェハ、３は投影光学系でレチクル１面上の回路パター
ン等をウェハ２面上に￥２影している。

２工はθ、Ｚステージでウェハ２を載置しており、ウェ
ハ２のθ回転及びフォーカス調整即ちＺ方向の調整を行
っている。θ、Ｚステージ２１はステップ動作を高精度
に行う為のＸＹステージ２２上に載置されている。ＸＹ
ステージ２２にはステージ位置計測の基準となる光学ス
フウェア−２３が置かれており、この光学スフウェア−
２３をレーザー干渉計２４でモニターしている。２５は
レーザーであり、レーザー２５からの光束をミラー２６
と投光レンズ２７を介してウェハ面２上のアライメント
マーク１５を照射している。

４はミラー、１００は観察光学系であり投影光学系３の
メリディオナル断面に対して傾けて配置した１枚の平行
平面板６と平行平面板６の傾けた面と直交する面内で互
いに傾けて配置した、即ち平行平面板６を観察光学系１
００の光軸を回転軸として９０度回転した状態で配置し
た２つの平行平面板７．７°を有している。

１０．１１．１２はミラー、８は補正レンズ部である。

１６は投影光学系３と観察光学系１００によってアライ
メントマーク１５の像が形成されトマークが設けられて
いる。１７はミラー、１８はアライメントスコープ、１
９はＣＣＤでありレチクル面１とウェハ２而上の状態を
観察している。

本実施例ではレチクル面１上の回路パターンをｇ線（４
３６ｎｍ　）の光で投影光学系３によりウェハ面２上に
Ｊ２　Ｆしている。一方つエへ面２上のアライメントマ
ーク１５はＨｅ−Ｎｅレーザー２５からの波長６３３ｎ
ｍの光で照射され投影光学系３と観察光学系１００によ
りレチクル面１上のレチクル側のアライメントマークが
設けられている近傍にアライメントマーク像を形成して
いる。そしてアライメントスコープ１８により双方のア
ライメントマークの関係を同時に観察している。本実施
例においては′ｍ察光学、ｆ−１００をアライメント像
高の移動と共に移動させ固定させる必要はないが以下、
簡単の為アライメント像高を固定したものとして説明す
る。

一般に投影光学系３はｇ線の投影波長では良好にｔ＋ｖ
−ｚｍ正されい乙がアライメントシ店格で乙士口Ｖ茎補
正が充分になされていない。特に色による諸収差、例え
ば軸上色収差、倍率色収差、色の球面収差、色のコマ収
差、色の非点収差等が多く残存している。

この為、ウェハ面２を物体面として考えたときウェハ面
２上のアライメントマーク１５は多くの場合、諸収差の
為レチクル面１よりも上方に結像する。

例えば投影光学系３の１５２彫倍率が１１５倍のときウ
ェハ側での軸上色収差が３００μｍであったとするとレ
チクル側でウェハの像は０．３ｘ　５２・７．５（ｍｍ
）だけレチクルの上方に結像する。

この為レチクル面上のパターンとウェハ面上のパターン
を同時に観察するのが困難となり、従来よりレチクルと
投影光学系との間に双方のパターン像を合致させる為の
種々の補正光学系を配置して補正している。しかしなが
らこの補正光学系で完全なる収差補正を行うのは難しく
、一般に良好に観察するのは困難であった。

本実施例ではレチクル１と投影光学系３との間にサジタ
ル方向だけではなくメリディオナル方向も含めたあらゆ
る方向にわたって良好に収差補正を行った、特に色によ
る諸収差を良好に補正したｌ＆寮先光学系１００配置す
ることによってレチクル面１上のパターンとウェハ面２
上のパターンを合致させて、双方のパターンの観察を良
好にし、高精度なアライメントを可能としている。

本実施例にあける観察光学系では投影光学系３による観
察波長、即ちアライメント波長で生ずる色の諸収差を補
正する為に前述の如く配置した３枚の平行平面板を用い
て、特にコマ収差と非点収差を補正することを特徴とし
ている。

このうち投影光学系のメリディオナル断面に対して傾け
た、即ちメリディオナル断面の結像光束に対して非対称
に斜めに配置した平行平面板６により投影光学系の観察
波長に対するコマ収差を補正している。このとき傾ける
角度は投影光学系からの収差発生量と平行平面板６の厚
さに応じて定まる。この１枚の平行平面板６はコマ収差
に対しては効果的であるが、その一方で非点収差を発生
させる原因となってくる。このときの非点収差と投影光
学系のｗＡ察波長での非点収差とを合わしたものが全系
の非点収差となる。そこで本実施例では２つの平行平面
板７，７°を平行平面板６の傾けた平面と直交する面内
で互いに傾けて配置することにより、全系の非点収差を
補正している。即ち平行平面板６を観察光学系の光軸を
回転軸として９０度回転した状態の平面内で２つの平行
Ｖ面板７．７゛を配置している。

平行平面板７，７”は同じ厚さのときは線対称的な関係
で配置すれば良く、文具った厚さのときは異った角度で
傾けて配置すれば良い。そして２つの平行平面板７．７
′の全体の組合せとしてコマ収差を発生させないように
している。但し平行平面板７，７°の非点収差は相乗効
果として発揮されるので非点収差は発生するか、その発
生が平行平面板６と９０度捩った平面内に配置すること
により互いに打ち消し合うように調整している。

例えば投影光学系の観察波長での収差発生がコマ面板７
，７′の厚さを平行平面板６の略騒とし、しかも捩れて
はいてもｗＡ寮先光学系光軸に対してなす角度を３つの
平行平面板６．７．７’を全て等しくすれば投影光学系
のコマ収差と非点収差を補正した観察が可能となる。

又投影光学系に観察波長で非点収差がある場合には平行
平面板６と２つの平行平面板７．７゛がなす角度をその
非点収差量に応じて異ならしめれば、その収差を補正し
た観察が可能となる。即ち本実ｈ’ｔｒ例では平行゛平
面板の傾きを調整することによって補正量を任意に制御
することを可能としている。

本実施例では以上のような構成によりコマ収差と非点収
差を良好に補正することによってサジタル方向だけでな
くメリディオナル方向を含めたああらる方向にわたって
良好なる収差補正を行い、レチクル面上とウェハ面上の
双方のアライメントマークを同時に良好なる像として観
察するのを可能としている。そしてこれにより高精度の
アライメント３ｉｒ白１伺、てＩ／ＸＡ− 尚本実施例において球面収差が多少残存している場合に
は補正レンズ部８で補正しておくのが良い。この場合投
影光学系の観察波長での球面収差の発生が小さい場合に
は、補正レンズ部８で逆の球面収差を発生させて補正す
るのが良い。

又補正レンズ部８がレチクル側に配置されていて、しか
も比較的小さな例えば０．１以下のＮ、Ａで使われる場
合に、例えば数λという大きな収差があったときには、
補正レンズ部８の一部であって投影光学系３の瞳位置と
略共軛の位置に非球面部材９を配置して補正するのが良
い。例えば長波長側で補正不足となる球面収差の発生が
あった場合には周辺部にいくに従い負の屈折力が増大す
る形状の非球面部材を用いれば良い。

尚本実施例における観察光学系の挿入はＴＴＬｏｎＡｘ
ｉｓの条件を満足していない為、ある程度の補正を行う
必要があり、それは光学系の調整、又はオフセットとし
て処理される。光学系の調整で処理し得る収差としては
観察光学系の光路長の調節によりピント調整が可能とい
う点から色によるピントずれ（軸上色収差）、像面弯曲
が挙げられる。文法の位置についても予めずれ量がわか
っていれば補正が可能であり、それより色による像ずれ
（倍率色収差）、歪曲収差等はオフセットとして処理す
ることができる。

要するに本実施例ではピントを取り直したり、像の位置
が単純にずれるだけのことであれば簡単にオフセット処
理し得る。

従って実際に像を検知する場合に問題となるのは像のコ
ントラストを損う球面収差、コマ収差そして非点収差等
である。しかしながらこれらの諸収差は、露光波長では
良好に補正されているものの、観察波長では必ずしも良
好に補正されていない。しかしながらこれらの諸収差の
観察波長での発生の仕方は露光波長での良好な収差補正
からの草純なズレとして基本的な３次収差の領域で扱え
るということが解析の結果判明した。

この為本実施例では前述の構成の３つの平行平面板を用
いることにより、良好なる収差補正を行い、鮮明なる観
察が可能の観察装置の達成を可能としている。

以上のような構成により本実施例では投影光学系を介し
てウニ八面上の状態を良好に観察している。このとき本
実施例では観察光学系１００と３つのミラーｔｏ、１１
．１２を用いている為ウェハ面上のパターンを反転した
状態で観察することになるが、それはオフセット共々信
号処理で符号反転することにより何ら問題なく観察する
ことができる。

又、本実施例の補正レンズ部８はウニへ面上のパターン
をレチクル面上に結像させる機能の他にウェハ而を所定
の倍率でレチクル面上に投影させる調整機能を有するよ
うにしている。例えば投影倍率５倍の投影光学系を使用
するときは正確に５倍となるようにし、これにより（こ
の場合、補正レンズ部８自体の結像倍率は一１倍）後の
処理装置に対する負荷を少なくさせている。

補正レンズ部８は一１倍の結像としたが、逆に１倍の結
像にする変形例も当然、本実施例には適用可能である。

尚本実施例では主に投影光学系によって発生した色によ
る諸収差のうちコマ収差、非点収差そして球面収差を観
察光学系で補正し、ピント、像面のずれは光路長を：Ａ
整し、倍率、ディストーションはオフセット処理により
、全体的に補正している。これによりレチクルとウェハ
の双方のｔｍ寮を良好にし、高精度のアライメントを可
能としている。

本実施例では従来のようにサジタル方向だけではなく、
あらゆる方向にわたって良好に収差補正されているので
ウニへ面２上の一点のアライメントマークの観察を行う
ことにより、Ｘとｙ方向の２つの信号を検知することが
できる。２次元的なアライメントを行うには、少なくと
も、もう一点の観察を行い、これによりθ方向を合わせ
る必要が生ずる。これは１つの観察系のみを用いて行う
事も可能であるが、第２図に示すように第１図で示した
観察光学系を２つ配置し、第１図と同様のアライメント
スコープ１８で観察すれば、スループットを保ち乍らｘ
、ｙ、θの補正されたアライメントを行う事か可能とな
る。尚第２図において第１図で示した要素と同一の要素
には同一の符番を付しである。

本実施例では計測を行う相手のウニへ面上のアライメン
トマークを常にアライメントマーク１５の位置に持って
きて測定を行う必要がある。この為レチクル１とウェハ
２のアライメントを計測した後はその値に基づいてレー
ザー干渉計２４でモニターしながら露光位置までウェハ
をＸＹステージ２２によって移動させている。

２次元アライメントを完全に行うには２点で計測を行う
ことが必要となり、これよりアライメント位置で２回停
止して計測をし、その後計測量に基づいて露光位置まで
送り込みがなされる。このときの２回の計測は第２図に
示す２つのアライメントスコープを用いても良く、又１
方のアライメントスコープで２点をステージ送りによっ
て計測しても良い。

２点の計測の結果により倍率の変化も検知できるので、
公知の手段により、投影光学系の倍率変化を補正する事
もできる。

又必ずしもステージを停止させずに移動させながら計測
する手法を用いても良い。

第３．第５．第６図は各々本発明を第１図と同様に半導
体製造用の露光装置に適用したときの他の一実施例の光
学系の概略図である。

第３．第５．第６図において第１図で示した要素と同一
の要素には同符番を付しである。

第３図の実施例はレチクル面１より下方の構成は第１図
の実施例と同一である。

本実施例ではレチクル面１上のアライメントマーク１６
の観察に第１図で用いたＣＣＤの代わりにガルバノミラ
−３３を用いてアライメント像を走査し光電子増倍管３
５にスリット３４を介して導光させていることを特徴と
している。即ちアライメントスコープ１８により形成さ
れたアライメントマーク１６の結像面近傍に配置したフ
ィールドレンズ３１を介し、ニレフタ−３２によりアラ
イメントマーク像をガルバノミラ−３３で走査しスリッ
ト３４上に導光し、スリット３４を通過した光を光電子
増倍管３５で受光している。

尚ガルバノミラ−３３の反射点を投影光学系３の瞳位置
と略合致するように配置している。

本実施例における走査手段はガルバノミラ−の代わりに
ポリゴンミラー等を用いても良いが、走査が一次元であ
る為、第４図に示すようにスリット開口を例えば±４５
度方向に設け、アライメントマークも同様に±４５度方
向に設ければ一次元の走査でｘ、ｙ方向の情報を得るこ
とができる。

第５図に示す実施例は投影光学系３の色収差を補正して
いる観察光学系をアライメントスコープ１８（ｌｌＩに
配置した場合である。このときアライメントスコープ１
８でレチクル面１上のアライメントマーク１６を観察す
る場合、ウニへ面２上のアライメントマーク１５は色収
差の為にレチクル而ｌ上のアライメントマーク１６の位
置よりもアライメントスコープ１８側に結像する。この
量は例えば館述の様に７　、５ｍｍといった大きな値と
なる為、最早アライメントスコープ１８内の対物レンズ
の焦点深度から外れてしまう。その為、本実施例ではア
ライメントスコープ系にビームスプリッタ−４１を設は
光束を２つに分は再びビームスプリッタ−４３で合成す
る２重焦点系を構成している。そしてビームスプリッタ
−４１で分割した２つの光路のうちビームスプリッタ−
４１を通過した光路中にリレーレンズ４２を配置してレ
チクル面１上のアライメントマーク１６をＣＣＤ　１９
に結像させている。

一方ビームスブリッター４１で反射した光束の光路中に
第１図で示した観察光学系に相当する３つのｉＦ行を面
板６，７．７′と補正レンズ部８を配置し、ウニへ面２
上のアライメントマーク１５をこれらの要素を介してＣ
ＣＤ　１９面上に結像させている。

これにより第１図の実施例と同様にコマ収差と非点収差
そして球面収差を補正している。

尚本実施例においてＣＣＤ１９以後の処理を効率的に行
う為に、分割した２つの光路における結像倍率を同一に
しておくのが好ましい。

第６図の実施例は本出願人の先の提案、例えば特開昭５
３−１３５［ｉ５４号公報や特開昭５５−：１４４９０
号公報等で開示しているレーザービーム走査を利用した
アライメント系に本発明を適用した場合である。

本実施例の投影光学系３はレチクル側及びウニ八個の双
方でテレセントリック系となっている。

レーザー２５からの光束をレンズ５５を介し、ポリゴン
ミラー５４とｆ−θレンズ５３によって走査し、アライ
メントスコープ１８と第１図に示す光学系と同様の光学
系を介した後、ウニへ面２上に導光している。そしてウ
ニへ面２上のアライメントマーク１５からの故乱売を逆
光させてアライメントスコープ１８に戻し、ビームスプ
リッタ−５２で反射させた後、瞳結像レンズ５６、空間
周波数フィルター５７そしてコンデンサーレンズ５８を
介し光電素子５９に導光させている。

このときのアライメント方法は先の公開公報で詳述さｊ
、ているので、ここでは省略する。

尚以上の各実施例においてアライメントマーク１６の位
置をチップサイズに応じて変更させるときは観察光学系
の一部を微調整して行っても良い。

又３つの平行平面板を複数に分割して３枚以上の平行平
面板より構成して各々傾けても本発明の目的を同様に達
成することができる。

この様に投影レンズによって発生した色による諸収差の
うち補正光学系で非点、コマ、球面収差を除去し、ピン
ト、像面のずれは光路長、倍率、ディストーションはオ
フセット処理という事ですべて解決する事により、レチ
クルとウェハを双方共良好なる像とし゛て観察する事が
可能となった。

この結果レチクルとウェハの２次元的な位置合せ、即ち
ｘ、ｙ、θのアライメントが可能となった。更に２点の
計測により、そのスパンを測長すれば、倍率の変化も計
測できる為、気圧や温度の変化に伴うレンズ系の倍率変
化やウェハの局所的な変形にも対処する事が可能となっ
た。倍率の変化を検知した場合には既知の方法でレンズ
系の倍率を変更し、容易にアライメントの精度の向上を
図る事ができる。

又本発明の説明では、補正光学系は１６について固定−
として考えた。しかし、１６の位置をチップサイズに応
じて変更した時はこの補正光学系の微調でその変化に容
易に対処し得る。例えばアライメント波長での非点収差
とコマを補正する平行平面板は傾き角を変えれば補正量
が自由にコントロールできる。又、球面収差は像高変化
による変化は無視し得るので、特に補正の必要はない。

又ＴＴＬｏｎＡｘｉｓ的なシステムを第１図の様な系で
実現する際には露光時、アライメントスコープの一部（
例えばミラー１７）と補正光学系が露光エリアの外側に
退避できる様にしてやれば良い。

（発明の効果） 本発明によれば以上のような構成を採ることにより投影
光学系で用いた波長と異った波長で投影面の状態を投影
光学系を介して観察する際、投影光学系の色による諸収
差を良好に補正した、鮮明なる観察を可能とした観察装
置を達成することか出来る。

枯ｒ＊墾日Ｏか土道イ人キＩ；告　１月ｎ　＝　、＊　
彷苫ｒ　；＆　田すればレチクル面とウニへ尚の双方を
共に鮮明なる像として観察することが出来、レチクルと
ウェハのｘ、ｙ、θの２次元的なアライメントを高蹟度
に行うことが出来るアライメント系を達成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を半導体製造用の露光装置に適用したと
きの一実施例の光学系の概略図、第２図は第１図の一部
分の他の実施例の説明図、第３゜′ｆＪＳ、第６図は各
々本発明を第１図と同様に半導体製造用の露光装置に適
用したときの他の一実施例の光学系の概略図、第４図は
第３図の一部分の他の実施例の説明図である。図中１は
レチクル、２はウェハ、３は投影光学系、１００は観察
光学系、６，７．７’は各々゛ト行平面板、８は補正レ
ンズ部、９は非球面部材、１５．１６は各々アライメン
トマーク、１８はアライメントスコープ、１９はＣＣＤ
、２５はレーザーである。 特許出願人　　キャノン株式会社 代　　理　　人　　　　　高　　梨　　幸　　雄第　　
　３　　　図 ＄　　　　Ｓ　　　図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１物体を投影光学系により第２物体面に投影し
   、該第２物体面上を前記投影光学系を介して前記第２物
   体面への投影波長と異った波長で観察する観察光学系の
   光路中の一部に複数の平行平面板を前記観察光学系の光
   軸に対して互いに傾けて配置したことを特徴とする観察
   装置。
2. （２）前記複数の平行平面板を３枚の平行平面板より構
   成し、該３枚の平行平面板のうち１枚は前記投影光学系
   のメリディオナル光束に対して斜めに配置し、残りの２
   枚は該１枚の平行平面板を傾けた面と直交する面内で互
   いに傾けて配置したことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の観察装置。
3. （３）前記残りの２枚の平行平面板を略同一の厚さとし
   、かつ線対称となるように配置したことを特徴とする特
   許請求の範囲第２項記載の観察装置。
4. （４）前記観察光学系の一部であって前記投影光学系の
   瞳位置と共役の位置に非球面部材を設けたことを特徴と
   する特許請求の範囲第２項記載の観察装置。