JPS62282230A - 焦電型赤外線検知器 - Google Patents
焦電型赤外線検知器Info
- Publication number
- JPS62282230A JPS62282230A JP61125332A JP12533286A JPS62282230A JP S62282230 A JPS62282230 A JP S62282230A JP 61125332 A JP61125332 A JP 61125332A JP 12533286 A JP12533286 A JP 12533286A JP S62282230 A JPS62282230 A JP S62282230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- noise
- pyroelectric
- detector
- sensitivity
- fet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
- G01J5/35—Electrical features thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分’Ｉ！Ｐ］
本発明は、浸入警報器、自動）・ア用人体検知２ｇ。
来客報知器、放射温度計などに用いるれる焦電型赤夕）
線検知器に関する。
線検知器に関する。
イへ電型赤外線検知器（以下用型検知器という）は、（
ζ型素子から出力を取り出す方式により電圧モード２電
流モードと呼ばれる二つの回路形式を持つものに分けら
れる。しかし大半の用途では電圧モートで（重用されて
いる。本発明はこの電圧モード回路の改良に関している
。電圧モードタイプの内部回路としては、第４図に示す
三種類のものが基本形としである。第４図（ａ）は単一
の偵電素子１の一組の電極のうち一方をＦＥＴ３のゲー
トに結合して成るシングルタイプと呼ばれるもので、電
圧モード型用型検知器の基本形である。２はｌ×１０９
〜ｌＸｌ０”Ωの高抵抗であり、過大入力があった場合
ＦＥＴ３のゲートが飽和する事を防ぐためのリーク抵抗
である。イＱ電素子１の抵抗値が１０９〜１０“２Ωの
範囲にあれば、電電素子１自体がリーク１氏抗となるの
で省略される事もある。第４図（ｂ）はデュアルタイプ
或はツインタイプと一般に呼ばれているもので、分翫方
向が相反する二つの焦電素子１．１”を直列に、結合し
てなる複合型焦電素子４を用いると共−こ、その一方の
焦電素子１のみに赤外線が当たるようにしたものである
。これは侵入警報器、など箭信イ・ａ性を必要とする用
途向けに、振・肋や周囲の温度ゆらぎによる誤信号を相
殺して外部に出さないようにしたちのである。
ζ型素子から出力を取り出す方式により電圧モード２電
流モードと呼ばれる二つの回路形式を持つものに分けら
れる。しかし大半の用途では電圧モートで（重用されて
いる。本発明はこの電圧モード回路の改良に関している
。電圧モードタイプの内部回路としては、第４図に示す
三種類のものが基本形としである。第４図（ａ）は単一
の偵電素子１の一組の電極のうち一方をＦＥＴ３のゲー
トに結合して成るシングルタイプと呼ばれるもので、電
圧モード型用型検知器の基本形である。２はｌ×１０９
〜ｌＸｌ０”Ωの高抵抗であり、過大入力があった場合
ＦＥＴ３のゲートが飽和する事を防ぐためのリーク抵抗
である。イＱ電素子１の抵抗値が１０９〜１０“２Ωの
範囲にあれば、電電素子１自体がリーク１氏抗となるの
で省略される事もある。第４図（ｂ）はデュアルタイプ
或はツインタイプと一般に呼ばれているもので、分翫方
向が相反する二つの焦電素子１．１”を直列に、結合し
てなる複合型焦電素子４を用いると共−こ、その一方の
焦電素子１のみに赤外線が当たるようにしたものである
。これは侵入警報器、など箭信イ・ａ性を必要とする用
途向けに、振・肋や周囲の温度ゆらぎによる誤信号を相
殺して外部に出さないようにしたちのである。
又、第４図（ｃ）に示すような検知器もある（破線内が
検知器を示す）。これはＦＥＴ３のソース端子が電圧基
準点に結合されており、信号出力はドレイン端子から得
られる。この回路はリーク１氏抗２がなくてもトレイン
抵抗５を適当に選ぶことにより出力端子のバイアス点を
任意に設定する事ができるために、過大な信号入力があ
った時でもＦＥＴ３の飽和による検知器の殿能停止を防
止する事ができる。
検知器を示す）。これはＦＥＴ３のソース端子が電圧基
準点に結合されており、信号出力はドレイン端子から得
られる。この回路はリーク１氏抗２がなくてもトレイン
抵抗５を適当に選ぶことにより出力端子のバイアス点を
任意に設定する事ができるために、過大な信号入力があ
った時でもＦＥＴ３の飽和による検知器の殿能停止を防
止する事ができる。
ＦＥＴ３はイへ電素子１のインピーダンスが１０１１〜
１０１３Ωと高いため、発生した信号を低インピーダン
スに変換するためのインピーダンス変換の役割を果たす
。
１０１３Ωと高いため、発生した信号を低インピーダン
スに変換するためのインピーダンス変換の役割を果たす
。
電圧モード型の焦電検知器の性能は電圧感度とノイズで
示される。以下各々を構成する要因について説明する。
示される。以下各々を構成する要因について説明する。
電圧感度Ｒ９の大きさは次式で示される（文南大：Ｅ、
１１．Ｐｕｔｌｅｙ、Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓａ
ｎｄＳｅｍｉｍｅＬａｌｓ（ｅｄｉＬｅｄｂｙＷｉｌｌ
ａｒｄｓｏｎ）５．ｐ２５９゜Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒ
ｅｓｓ （１９７０） ） ｅη ・ ω ・ Ａ−Ｒ
ｄＰ。
１１．Ｐｕｔｌｅｙ、Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓａ
ｎｄＳｅｍｉｍｅＬａｌｓ（ｅｄｉＬｅｄｂｙＷｉｌｌ
ａｒｄｓｏｎ）５．ｐ２５９゜Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒ
ｅｓｓ （１９７０） ） ｅη ・ ω ・ Ａ−Ｒ
ｄＰ。
Ｇ ｄＴ
・ ・ □−−−（１
＋上記Ｃ及びＲは、焦電素子１，４．リーク１氏抗２、
ＦＥＴ３の容量及び抵抗成分の各合成値と考えられるが
、実ｎ的にはＣ＝素子容ｆｆ１． Ｒ＝リーク抵抗で
ある。
＋上記Ｃ及びＲは、焦電素子１，４．リーク１氏抗２、
ＦＥＴ３の容量及び抵抗成分の各合成値と考えられるが
、実ｎ的にはＣ＝素子容ｆｆ１． Ｒ＝リーク抵抗で
ある。
一方、焦電検知器のノイズは複数のノイズ要因で構成さ
れている。例えば周囲温度のゆらぎによる温度ノイズ、
焦電素子の誘電（員に起因するも□］ｎδノイズ、入力
砥石Ｒによる入力抵抗ノイズ（Ｊｏｈｎｓｏｎ ノイズ
ともいう）、ＦＥＴのゲートリーク電流によるＦＥＴ電
流ノイズ及びＦＥＴ電圧ノイズがある。焦電検知器のノ
イズの大きさは、これら各要因の二乗平均で求まる。し
かし、実際の検知器について各要因の寄与を細かく検討
した結果、最も支配的なものは入力砥石ノイズであり、
次いでＦＥＴ電流ノイズであった。この結果実際の電電
検出器のノイズは、この二つの要因のみを考ＩＣシて論
して大過ないということが・判った。この大きさ■８を
式で表わすと、次式のようになる。
れている。例えば周囲温度のゆらぎによる温度ノイズ、
焦電素子の誘電（員に起因するも□］ｎδノイズ、入力
砥石Ｒによる入力抵抗ノイズ（Ｊｏｈｎｓｏｎ ノイズ
ともいう）、ＦＥＴのゲートリーク電流によるＦＥＴ電
流ノイズ及びＦＥＴ電圧ノイズがある。焦電検知器のノ
イズの大きさは、これら各要因の二乗平均で求まる。し
かし、実際の検知器について各要因の寄与を細かく検討
した結果、最も支配的なものは入力砥石ノイズであり、
次いでＦＥＴ電流ノイズであった。この結果実際の電電
検出器のノイズは、この二つの要因のみを考ＩＣシて論
して大過ないということが・判った。この大きさ■８を
式で表わすと、次式のようになる。
＜ｐｆｉ険知器の機能として、感度は出来るだけ高く、
ノイズは出来るだけ低いことが好ましい。しかし、一般
に両とを共に満足させるような設計は実際に４゛＝なか
なか困維で、どちらかが優先されて一方がある点に妥協
されるという事が現実には行われて来た。具体的には、
これまで感度を高める事が急務で、ノイズは処理できる
限度内であれば強いて最適化という事はなされていなか
った。しかし、最近応用ａ器の高度化に伴い、どうして
もノイズをある一定しヘル以下に押さえ込むという必要
性が生してきた。
ノイズは出来るだけ低いことが好ましい。しかし、一般
に両とを共に満足させるような設計は実際に４゛＝なか
なか困維で、どちらかが優先されて一方がある点に妥協
されるという事が現実には行われて来た。具体的には、
これまで感度を高める事が急務で、ノイズは処理できる
限度内であれば強いて最適化という事はなされていなか
った。しかし、最近応用ａ器の高度化に伴い、どうして
もノイズをある一定しヘル以下に押さえ込むという必要
性が生してきた。
ノイズの低減方法として、（２）弐から考えられる事は
、Ｃ，Ｒを大きくして、ｉ、、の小さなＦ Ｂ ］’を
選定して（重用する事である。仮に適当なＦＥＴを採用
したとすれば、それ以外にｊ択できるものはＣ，Ｒのみ
である。Ｃ，ＲはイＩＸ、電素子１．４゜リーク抵抗２
．ＦＥＴ３からなるイ戟電Ｉ支知：慢の出力端子側から
見た等価容量及び抵抗であるが、実の 質的にＣは電電素子１．尚量（侑電素子＋オｔ、１の比
誘電率ε、と素子）反厚、電極面積で央まる）の大きさ
、Ｒはリーク抵抗２の大きさでは（χ決まる。
、Ｃ，Ｒを大きくして、ｉ、、の小さなＦ Ｂ ］’を
選定して（重用する事である。仮に適当なＦＥＴを採用
したとすれば、それ以外にｊ択できるものはＣ，Ｒのみ
である。Ｃ，ＲはイＩＸ、電素子１．４゜リーク抵抗２
．ＦＥＴ３からなるイ戟電Ｉ支知：慢の出力端子側から
見た等価容量及び抵抗であるが、実の 質的にＣは電電素子１．尚量（侑電素子＋オｔ、１の比
誘電率ε、と素子）反厚、電極面積で央まる）の大きさ
、Ｒはリーク抵抗２の大きさでは（χ決まる。
ノイズ低減という観点からＲはなるべく太き（するに越
したことはないが、過大人力があった時ＦＥＴのゲート
が飽和しないよう電荷をリークさせる必要があるのでお
およその上限がある。実際にはＲ＝５ＸＩＯ”Ωまでが
使用される。一方Ｃについては、これまでこれを制御し
てノイズを低下させるという事はなされて来なかった。
したことはないが、過大人力があった時ＦＥＴのゲート
が飽和しないよう電荷をリークさせる必要があるのでお
およその上限がある。実際にはＲ＝５ＸＩＯ”Ωまでが
使用される。一方Ｃについては、これまでこれを制御し
てノイズを低下させるという事はなされて来なかった。
その第一の理由は感度の低下である。（１）式に示す電
圧感度ＲｖはほぼＣに反比例して低下して行く。逆に言
えば、焦電検知器の感度を高からしめるためには、出来
る限り焦電検知器の容量成分を小さくする事が必要であ
る。従来はこの考え方に沿って、焦電素子自体の持つ容
量成分以外には極力電気容量を持たせないように設計さ
れるのが常であった。これがために、焦電検知器のノイ
ズは容量成分の面からの改善は顧みられず、専らリーク
抵抗２の操１乍だけに重置っていた。従って、ノイズの
低減には当然一定の限界があった。
圧感度ＲｖはほぼＣに反比例して低下して行く。逆に言
えば、焦電検知器の感度を高からしめるためには、出来
る限り焦電検知器の容量成分を小さくする事が必要であ
る。従来はこの考え方に沿って、焦電素子自体の持つ容
量成分以外には極力電気容量を持たせないように設計さ
れるのが常であった。これがために、焦電検知器のノイ
ズは容量成分の面からの改善は顧みられず、専らリーク
抵抗２の操１乍だけに重置っていた。従って、ノイズの
低減には当然一定の限界があった。
また、他のノイズ低減方法として、皇。の小ざい低ノイ
ズ仕（１のＦＥＴを使用する方法がある。
ズ仕（１のＦＥＴを使用する方法がある。
これシま、（２）式の電流雑音の項を小さくできる特長
がある。しかし、この１重のＦＥＴは高１面というだけ
でなく、信号伝達効率が悪い（ｉｉｌｌ常仕様品の約５
０〜６０％）ために、焦電検知器に使用した場合、感度
が著しく低下する！！トちＳ／Ｎ比（信号／ノイズ比）
が悪化するという問題があった。又、ノイズレヘルを所
望の値に調節するという事は殆ど不可能であった。
がある。しかし、この１重のＦＥＴは高１面というだけ
でなく、信号伝達効率が悪い（ｉｉｌｌ常仕様品の約５
０〜６０％）ために、焦電検知器に使用した場合、感度
が著しく低下する！！トちＳ／Ｎ比（信号／ノイズ比）
が悪化するという問題があった。又、ノイズレヘルを所
望の値に調節するという事は殆ど不可能であった。
本発明者等は前記の従来概念を根本から見直し、感度を
悪化させずに低ノイズ化を実現し得る焦電検知器を提供
すべく、検討を加えた。
悪化させずに低ノイズ化を実現し得る焦電検知器を提供
すべく、検討を加えた。
ｃ問題点を解決するための手段及び作用〕その結果、検
知器内部回路の容量成分Ｃを意図的に高くして感度を低
下させても、感度自体よりむしろ重要な要素である焦電
検知器の持つＳ ／ Ｎ比は殆ど変化しないという驚く
べき事実を見出した。即ち、本発明は、感度には悪い影
古しか与えないと考えられていた容量成分Ｃの増加を敢
えて行う事により、上記本発明の目的を達成した。
知器内部回路の容量成分Ｃを意図的に高くして感度を低
下させても、感度自体よりむしろ重要な要素である焦電
検知器の持つＳ ／ Ｎ比は殆ど変化しないという驚く
べき事実を見出した。即ち、本発明は、感度には悪い影
古しか与えないと考えられていた容量成分Ｃの増加を敢
えて行う事により、上記本発明の目的を達成した。
本発明による焦電検知器は、焦電素子と並列にコンデン
サーを結合し、これらを他の回銘部品例えばリーク抵抗
やＦＥＴと共にＴＯ−５金属パツケージやプラスチック
パッケージなどに一体に収納する事を特徴としている。
サーを結合し、これらを他の回銘部品例えばリーク抵抗
やＦＥＴと共にＴＯ−５金属パツケージやプラスチック
パッケージなどに一体に収納する事を特徴としている。
以下、図示した各実施例に基づき本発明の詳細な説明す
る。
る。
第１図（ａ）乃至（Ｃ）は夫々第１乃至第３実晦例を示
しており、各実施例において、６は焦電素子１又はｍ金
型焦電素子４と並列に接続されたコンデンサーであって
、これらは他の回路部品即ちリーク抵抗２及びＦＥＴ３
と共にＴＯ−５金属パツケージやプラスチックパッケー
ジなどに一体に収納されている。尚、コンデンサー６は
その静電容量値は問わないが、誘電損が０．０１以下（
１００Ｈｚ、室温で測定）のものが望ましい。これは、
例えばリーク抵抗のような砥石体でもアルミナ基板上に
厚膜印す１１シて形成されるような場合二つのＴＬ掻間
隔が扶ければ多少の寄生容五が発生し、外見上誘Ｎ を
員の大きな倣少容匿コンデンサーが形成されるが、こｒ
、では正確な制御が困デ「であるからである。
しており、各実施例において、６は焦電素子１又はｍ金
型焦電素子４と並列に接続されたコンデンサーであって
、これらは他の回路部品即ちリーク抵抗２及びＦＥＴ３
と共にＴＯ−５金属パツケージやプラスチックパッケー
ジなどに一体に収納されている。尚、コンデンサー６は
その静電容量値は問わないが、誘電損が０．０１以下（
１００Ｈｚ、室温で測定）のものが望ましい。これは、
例えばリーク抵抗のような砥石体でもアルミナ基板上に
厚膜印す１１シて形成されるような場合二つのＴＬ掻間
隔が扶ければ多少の寄生容五が発生し、外見上誘Ｎ を
員の大きな倣少容匿コンデンサーが形成されるが、こｒ
、では正確な制御が困デ「であるからである。
第２図に示゛ノーグラフは、（１）式に示す電圧感度Ｒ
ｖ（２）式に示すノイズ■。をチョッピング周波数ｆを
０．３Ｈｚ として理論計算し、更に両者をＣについて
プロットして得たものである。ｆ ＝ ０．３１−１
ｚ という低周波域の感度は侵入警報器などにおいて侵
入者の非常にゆっくりとした動きを検知するために重要
である。電圧感度Ｒｖの試算のため、（１）弐における
定数として、η＝ ０．９５ 、 Ａ ＝ ０．０２
ｃｒＡ 。
ｖ（２）式に示すノイズ■。をチョッピング周波数ｆを
０．３Ｈｚ として理論計算し、更に両者をＣについて
プロットして得たものである。ｆ ＝ ０．３１−１
ｚ という低周波域の感度は侵入警報器などにおいて侵
入者の非常にゆっくりとした動きを検知するために重要
である。電圧感度Ｒｖの試算のため、（１）弐における
定数として、η＝ ０．９５ 、 Ａ ＝ ０．０２
ｃｒＡ 。
Ｇ＝２．５ ＬＸ Ｉ Ｏ−″（Ｊ／Ｋ −５ｅｃ ）
、 ｒＴ＝Ｔ Ｒ＝３ＸＩＯ”Ωを用い、ノイズのδ式算のため、（２
）式における定数として、ｉ、、＝３．６ Ｘ Ｉ Ｏ
”’Ａｍｐ／閣、Ｔ＝２９８Ｋを用いた。これはチタン
酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を惟電材ギｌとして第１図（
ｂ）に示す所謂デュアルタイプ侑電検知器を構成した場
合の状況にＡい。コンデ／サ−６り結合しない状態で検
知器出力・端から見た容量：よ肖３５１）Ｆである。従
って、上記条件の検知器−二ついては、第２図における
Ｃ＞３５１）Ｆの領域か一ヒ記状況下で実現可能である
。第２図から容量Ｊに分かるようにＲＶ、ＶＮは共にＣ
の増加と共に減少する。しかしながら焦電検知器のＳ／
Ｎ比に着目して見ると、これはＣの変化に対して一定の
値（１，３０ｘ Ｉ Ｏ”）となった。この理論計算の
事実は、実験でも確認された。即ち、ノイズを低減させ
るために容量成分Ｃを増加させる事は焦’ｒｌ検知２１
の最終性能Ｓ／Ｎ比を何らｔＭなうものではない。従っ
て、焦電検知器に続く増幅回路の部合で、人力する供電
検知器からのノイズを低いレベルに保持する必要がある
用途では、焦電素子に並列に適当な容■のコンデンサー
を結合付加する事で自由にそのレベルを調節する事が可
能である。
、 ｒＴ＝Ｔ Ｒ＝３ＸＩＯ”Ωを用い、ノイズのδ式算のため、（２
）式における定数として、ｉ、、＝３．６ Ｘ Ｉ Ｏ
”’Ａｍｐ／閣、Ｔ＝２９８Ｋを用いた。これはチタン
酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を惟電材ギｌとして第１図（
ｂ）に示す所謂デュアルタイプ侑電検知器を構成した場
合の状況にＡい。コンデ／サ−６り結合しない状態で検
知器出力・端から見た容量：よ肖３５１）Ｆである。従
って、上記条件の検知器−二ついては、第２図における
Ｃ＞３５１）Ｆの領域か一ヒ記状況下で実現可能である
。第２図から容量Ｊに分かるようにＲＶ、ＶＮは共にＣ
の増加と共に減少する。しかしながら焦電検知器のＳ／
Ｎ比に着目して見ると、これはＣの変化に対して一定の
値（１，３０ｘ Ｉ Ｏ”）となった。この理論計算の
事実は、実験でも確認された。即ち、ノイズを低減させ
るために容量成分Ｃを増加させる事は焦’ｒｌ検知２１
の最終性能Ｓ／Ｎ比を何らｔＭなうものではない。従っ
て、焦電検知器に続く増幅回路の部合で、人力する供電
検知器からのノイズを低いレベルに保持する必要がある
用途では、焦電素子に並列に適当な容■のコンデンサー
を結合付加する事で自由にそのレベルを調節する事が可
能である。
結合すべきコンデンサ−６の容Ｎｃｚ は、イＬ電素子
ｌ又は・１の容■（デュアルタイプの場合は二つの素子
を直列結合した状態の合成容量）をＣ。
ｌ又は・１の容■（デュアルタイプの場合は二つの素子
を直列結合した状態の合成容量）をＣ。
とすれば、Ｃ２＝ ＣＣ１として求まる。例えば亀電素
子容１ｃ、がＣ１＝３５ ｐ Ｆの場合ノイズ値は灼６
．６μ■であるが、これを約２にするためには、３３ｐ
Ｆのコンデンサー６を焦電素子ｌ又は４と並列に結合し
てＣ＝６８ｐＦとすれば良い。
子容１ｃ、がＣ１＝３５ ｐ Ｆの場合ノイズ値は灼６
．６μ■であるが、これを約２にするためには、３３ｐ
Ｆのコンデンサー６を焦電素子ｌ又は４と並列に結合し
てＣ＝６８ｐＦとすれば良い。
コンデンサー６は特にその種類を問わないができる限り
小型で焦電素子ｌ又は４の近傍に取付けられるものが好
ましい。具体的にはマイカ、セラミックなどを誘電材料
とするチップ型コンデンサーが好適である。コンデンサ
ー結合の効果は、第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す
何れの実施例の場合にも同様に得られる。
小型で焦電素子ｌ又は４の近傍に取付けられるものが好
ましい。具体的にはマイカ、セラミックなどを誘電材料
とするチップ型コンデンサーが好適である。コンデンサ
ー結合の効果は、第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す
何れの実施例の場合にも同様に得られる。
第３図は第４実施例を示しており、これはデュアルタイ
プの焦電検知器を二Ｍｉ接続して成る回路を一つのパッ
ケージに内蔵したものであって、この実施例も上記各実
施例と同様の効果が得られ、これも又本発明の範囲に含
まれる。
プの焦電検知器を二Ｍｉ接続して成る回路を一つのパッ
ケージに内蔵したものであって、この実施例も上記各実
施例と同様の効果が得られ、これも又本発明の範囲に含
まれる。
上述の如く、本発明による焦電型赤外線検知器は、Ｓ／
Ｎ比を悪化させずに低ノイズ化を実現し得、任官のノイ
ズレベルを実現し得るという実用上極めて重要な利点を
存している。
Ｎ比を悪化させずに低ノイズ化を実現し得、任官のノイ
ズレベルを実現し得るという実用上極めて重要な利点を
存している。
第１図（ａ）、（ｂ）、’ （ｃ）は夫々本発明によ
る焦電型赤外線検知器の第１乃至第３実１仏例の回路を
示す図、第２図は焦電型赤外線検知器における人力容量
Ｃの変化に対する電圧感度Ｒｖ１ノイズ■イの変化を示
すグラフ、第３図は第４実施例の回路を示す図、第４図
（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は夫々各従来例の回路を示す図
である。 １．１′・・・・焦電素子、２・・・・リーク抵抗、３
、・・、ＦＥＴ、４・・・複合型供電素子、５・・・・
トライン１氏抗、６・・、、コンデンサー。 第１図 第２図 ρＦ 入力″ｇ−ｔ−Ｃ 第３図
る焦電型赤外線検知器の第１乃至第３実１仏例の回路を
示す図、第２図は焦電型赤外線検知器における人力容量
Ｃの変化に対する電圧感度Ｒｖ１ノイズ■イの変化を示
すグラフ、第３図は第４実施例の回路を示す図、第４図
（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は夫々各従来例の回路を示す図
である。 １．１′・・・・焦電素子、２・・・・リーク抵抗、３
、・・、ＦＥＴ、４・・・複合型供電素子、５・・・・
トライン１氏抗、６・・、、コンデンサー。 第１図 第２図 ρＦ 入力″ｇ−ｔ−Ｃ 第３図
Claims (1)
- 焦電素子の出力をＦＥＴで取り出す焦電型赤外線検知器
において、焦電素子と並列にコンデンサーを結合し、こ
れらを他の回路部品と共に同一パッケージに一体に収納
した事を特徴とする焦電型赤外線検知器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61125332A JPS62282230A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 焦電型赤外線検知器 |
| US07/055,122 US4825079A (en) | 1986-05-30 | 1987-05-28 | Pyroelectric infrared detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61125332A JPS62282230A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 焦電型赤外線検知器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282230A true JPS62282230A (ja) | 1987-12-08 |
Family
ID=14907486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61125332A Pending JPS62282230A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 焦電型赤外線検知器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4825079A (ja) |
| JP (1) | JPS62282230A (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NZ220217A (en) * | 1987-05-06 | 1991-03-26 | Graydon Aubrey Shepherd | Pyro-electric sensor circuit |
| CH675921A5 (ja) * | 1988-11-25 | 1990-11-15 | Cerberus Ag | |
| US5323025A (en) * | 1989-05-18 | 1994-06-21 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Pyroelectric IR-sensor having a low thermal conductive ceramic substrate |
| DE69011199T2 (de) * | 1989-05-18 | 1995-03-02 | Murata Manufacturing Co | Pyroelektrischer IR-Sensor. |
| US5414263A (en) * | 1994-02-24 | 1995-05-09 | Regent Lighting Corporation | Infrared detection switching circuit |
| KR0131569Y1 (ko) * | 1995-12-30 | 1998-12-01 | 김광호 | 초전형 적외선 센서 |
| US5701117A (en) * | 1996-01-18 | 1997-12-23 | Brian Page Platner | Occupancy detector |
| US6166625A (en) | 1996-09-26 | 2000-12-26 | Donnelly Corporation | Pyroelectric intrusion detection in motor vehicles |
| US6215398B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-04-10 | Brian P. Platner | Occupancy sensors for long-range sensing within a narrow field of view |
| US6304180B1 (en) | 1998-04-15 | 2001-10-16 | Brian P. Platner | Highly versatile occupancy sensor |
| US6485081B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-11-26 | Donnelly Corporation | Safety system for a closed compartment of a vehicle |
| US6390529B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-05-21 | Donnelly Corporation | Safety release for a trunk of a vehicle |
| US6086131A (en) | 1999-03-24 | 2000-07-11 | Donnelly Corporation | Safety handle for trunk of vehicle |
| US6783167B2 (en) * | 1999-03-24 | 2004-08-31 | Donnelly Corporation | Safety system for a closed compartment of a vehicle |
| WO2002047942A2 (en) | 2000-11-16 | 2002-06-20 | Donnelly Corporation | Vehicle compartment occupancy detection system |
| US6791088B1 (en) * | 2001-05-04 | 2004-09-14 | Twin Rivers Engineering, Inc. | Infrared leak detector |
| US6850159B1 (en) | 2001-05-15 | 2005-02-01 | Brian P. Platner | Self-powered long-life occupancy sensors and sensor circuits |
| US8258932B2 (en) | 2004-11-22 | 2012-09-04 | Donnelly Corporation | Occupant detection system for vehicle |
| US7732770B2 (en) * | 2007-06-19 | 2010-06-08 | The Board Of Trustees Of The University Of Alabama | Thin film multi-layered pyroelectric capacitor |
| JP2011058861A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Panasonic Corp | 焦電型赤外線検出器 |
| JP5857343B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2016-02-10 | オプテックス株式会社 | 受動型赤外線検知センサ |
| DE102013014810B4 (de) | 2013-09-05 | 2019-03-14 | Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Betreiben passiver Infrarotsensoren |
| DE102013022763B4 (de) * | 2013-09-05 | 2025-07-17 | Elmos Semiconductor Se | Vorrichtung zum Betreiben passiver Infrarotsensoren |
| DE102013022547B4 (de) * | 2013-09-05 | 2025-07-10 | Elmos Semiconductor Se | Vorrichtung zum Betreiben passiver Infrarotsensoren |
| CN104627030A (zh) | 2013-11-13 | 2015-05-20 | 光宝科技股份有限公司 | 载具安全系统及应用于其上的安全侦测与处理方法 |
| US9405120B2 (en) | 2014-11-19 | 2016-08-02 | Magna Electronics Solutions Gmbh | Head-up display and vehicle using the same |
| CN105910719B (zh) * | 2016-04-08 | 2018-08-10 | 电子科技大学 | 一种应用于热释电探测器的测试电路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586428A (ja) * | 1981-07-04 | 1983-01-14 | Nippon Ceramic Kk | パイロ検出器 |
| JPS6022632A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線検出器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4214165A (en) * | 1979-02-21 | 1980-07-22 | Hughes Aircraft Company | Pyroelectric IR detector with signal capacitively coupled to an output circuit |
| JPS5928629A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 焦電型赤外線検出器の製造方法 |
| JPS60125530A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 赤外線センサ |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61125332A patent/JPS62282230A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-28 US US07/055,122 patent/US4825079A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586428A (ja) * | 1981-07-04 | 1983-01-14 | Nippon Ceramic Kk | パイロ検出器 |
| JPS6022632A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4825079A (en) | 1989-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW580568B (en) | An infrared detecting circuit and an infrared detector | |
| JPH1183624A (ja) | 赤外線検出装置 | |
| US9008332B2 (en) | Processing chip for a digital microphone and related input circuit and a digital microphone | |
| JP6662469B2 (ja) | 赤外線検出回路及び赤外線センサ | |
| JPS63219214A (ja) | 増幅器 | |
| JPS61175583A (ja) | 焦電型移動物体検出素子 | |
| CN205484447U (zh) | 一种微波高功率功分放大组件 | |
| CN219608234U (zh) | 抗射频干扰数字式热释电红外传感器 | |
| CN110850146A (zh) | 一种变压整流器输出脉动电压采集电路 | |
| JPS6221085Y2 (ja) | ||
| JPS586428A (ja) | パイロ検出器 | |
| CN103207029A (zh) | 一种热电堆读出电路 | |
| JPH0422581Y2 (ja) | ||
| RU95109240A (ru) | Емкостный датчик давления и способ его изготовления | |
| JPH02130431A (ja) | 焦電型赤外線センサ | |
| JPS6350000Y2 (ja) | ||
| JP3206446B2 (ja) | 焦電型赤外線検出器 | |
| JP2569503Y2 (ja) | 焦電素子 | |
| JPS6338608Y2 (ja) | ||
| JPH0552090B2 (ja) | ||
| JPS60158294U (ja) | ガス漏れ検知システムの中継器 | |
| CN116545391A (zh) | 一种自适应温度补偿的真对数放大器 | |
| JPS5833701Y2 (ja) | 低インピ−ダンス電解コンデンサ | |
| Swinnen | An inexpensive level detector | |
| JPS6218837A (ja) | 架空共同地線を用いた通信方式 |