JPS62282979A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS62282979A JPS62282979A JP61128462A JP12846286A JPS62282979A JP S62282979 A JPS62282979 A JP S62282979A JP 61128462 A JP61128462 A JP 61128462A JP 12846286 A JP12846286 A JP 12846286A JP S62282979 A JPS62282979 A JP S62282979A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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-
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（丁ｅ）等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物が使用されている（特公昭４７−２６８９
７号公報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用さ
れている（特公昭５４−４１９０２号公報、特公昭５７
−７９１９号公報、特公昭５７−５６０５８号公報）。
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（丁ｅ）等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物が使用されている（特公昭４７−２６８９
７号公報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用さ
れている（特公昭５４−４１９０２号公報、特公昭５７
−７９１９号公報、特公昭５７−５６０５８号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
掘波長が８０００Ａ前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られるＣフィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、 ７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａｔ
、 ｓｏｌ、 ７．１８９．１９６４） ）。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
掘波長が８０００Ａ前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られるＣフィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、 ７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａｔ
、 ｓｏｌ、 ７．１８９．１９６４） ）。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第２図に示すような溝成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用される。基板には、ビットが同心
円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録さ
れるように案内溝が設けられている。レーザビーム径程
度の幅の溝に光が入射すると光は回折され、ビーム中心
が溝からずれるにつれて回折光強度の空間分布が変化す
るので、これを検出してレーザビームを溝の中心に入射
させるようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
０．３〜１．３塵であり、溝の深さは使用するレーザ波
長の１７１２から１７４の範囲に設定される。集光に関
しても同様にサーボ系が構成されている。情報の読み出
しは、記録のときよりも弱いパワーのレーザ光をビット
上を通過するように照射することにより、ピットの有無
に起因する反射率の変化を検出して行なう。この再生用
レーザ光のパワーは大きいほうが、再生信号やサーボ用
信号を大きくでき外界ノイズの影響をうけにくいので望
ましい。
録媒体は第２図に示すような溝成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用される。基板には、ビットが同心
円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録さ
れるように案内溝が設けられている。レーザビーム径程
度の幅の溝に光が入射すると光は回折され、ビーム中心
が溝からずれるにつれて回折光強度の空間分布が変化す
るので、これを検出してレーザビームを溝の中心に入射
させるようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
０．３〜１．３塵であり、溝の深さは使用するレーザ波
長の１７１２から１７４の範囲に設定される。集光に関
しても同様にサーボ系が構成されている。情報の読み出
しは、記録のときよりも弱いパワーのレーザ光をビット
上を通過するように照射することにより、ピットの有無
に起因する反射率の変化を検出して行なう。この再生用
レーザ光のパワーは大きいほうが、再生信号やサーボ用
信号を大きくでき外界ノイズの影響をうけにくいので望
ましい。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら前記したような従来の光記録媒体において
、記録層として用いられているテルル−セレン系合金は
その組成を制御することが容易ではなく、そのため量産
性に問題があった。又、ビットをトラック１周にわたっ
て均一に形成することは困難であるため、充分に良好な
記録再生特性は得られなかった。
、記録層として用いられているテルル−セレン系合金は
その組成を制御することが容易ではなく、そのため量産
性に問題があった。又、ビットをトラック１周にわたっ
て均一に形成することは困難であるため、充分に良好な
記録再生特性は得られなかった。
一方、本発明者らは基板の上にセレン層、テルル層、セ
レン層を順次積層することにより、量産性および耐候性
に優れ、かつトラック１周にわたってピットを均一に形
成でき、高感度で良好な記録再生特性を有する光記録媒
体となることを見出し、すでに提案している。しかしな
がらこの場合も、大きなレーザパワーで長時間再生した
時の再生特性の点でまだ改良の余地があった。
レン層を順次積層することにより、量産性および耐候性
に優れ、かつトラック１周にわたってピットを均一に形
成でき、高感度で良好な記録再生特性を有する光記録媒
体となることを見出し、すでに提案している。しかしな
がらこの場合も、大きなレーザパワーで長時間再生した
時の再生特性の点でまだ改良の余地があった。
本発明の目的は、量産性がよく、かつ耐候性がよく、か
つ高感度で信号品質が良好であり、かつ充分に大きなレ
ザーパワーで長時間再生しうる光記録媒体を提供するこ
とにおる。
つ高感度で信号品質が良好であり、かつ充分に大きなレ
ザーパワーで長時間再生しうる光記録媒体を提供するこ
とにおる。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が少なくとも
セレン層、テルル層およびセレン層を順に有し、かつ前
記セレン層の膜厚がそれぞれ５〜２０．Ａの範囲であり
、前記テルル層の膜厚が２７５〜４００への範囲である
ことを特徴とする光記録媒体で必る。
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が少なくとも
セレン層、テルル層およびセレン層を順に有し、かつ前
記セレン層の膜厚がそれぞれ５〜２０．Ａの範囲であり
、前記テルル層の膜厚が２７５〜４００への範囲である
ことを特徴とする光記録媒体で必る。
本発明においては例えば第１図に示すように基板１上に
膜厚が５〜２０へのセレンＭ２、膜厚が２７５〜４００
Ａのテルル層３および膜厚が５〜２０人のセレン層４を
順次積層することによって記録層が形成される。また各
層間には別の物質で形成された層、たとえば鉛層、パラ
ジウム層、マグネシウム図などが介挿されていてもよい
。
膜厚が５〜２０へのセレンＭ２、膜厚が２７５〜４００
Ａのテルル層３および膜厚が５〜２０人のセレン層４を
順次積層することによって記録層が形成される。また各
層間には別の物質で形成された層、たとえば鉛層、パラ
ジウム層、マグネシウム図などが介挿されていてもよい
。
基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものが用いられる。
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものが用いられる。
本発明の光記録媒体は、基板上にたとえばセレン、テル
ルおよびセレンを順に真空蒸着させることによって製造
することができる。
ルおよびセレンを順に真空蒸着させることによって製造
することができる。
［実施例］
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
１００″Ｃで２時間アニール処理した内径１５ｍ、外径
１３０ＩＮｒ１、厚ざ１．２＃のポリカーボネート樹脂
ディスク基板を真空装置内に入れ、５ Ｘ １Ｏ−６Ｔ
ｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては、第１の抵抗加
熱用ボートにテルル（Ｔｅ）を入れ、第２の抵抗加熱用
ボートにセレン（Ｓｅ）を入れた。まずＳｅを１３人厚
蒸着し、次にＴｅを３５０人厚蒸着し、最後にＳｅを１
３人厚蒸着した。この光ディスクを９５°Ｃの窒素雰囲
気中で１時間アニールしたのち、波長８３００人におけ
る基板入射反射率を測定したところ４１％であった。波
長８３００人の半導体レーザ光を基板を通して入射して
記録層上で１．５ＩＩＩｎφ程度に絞り、媒体線速度５
．６ｍ／ｓｅｃ 、記録周波数３．７７）ＩＨｚ、記録
パルス幅７ｏｎｓｅｃ 、記録パワー６．５ｍＷの条件
で記録し、０．７ｍＷで再生した。バンド幅３０ｋＨ２
のキャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は５１ｄＢと良
好であり、１．０ｍＷＦ １０６回再生しても同様に良
好であった。
１３０ＩＮｒ１、厚ざ１．２＃のポリカーボネート樹脂
ディスク基板を真空装置内に入れ、５ Ｘ １Ｏ−６Ｔ
ｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては、第１の抵抗加
熱用ボートにテルル（Ｔｅ）を入れ、第２の抵抗加熱用
ボートにセレン（Ｓｅ）を入れた。まずＳｅを１３人厚
蒸着し、次にＴｅを３５０人厚蒸着し、最後にＳｅを１
３人厚蒸着した。この光ディスクを９５°Ｃの窒素雰囲
気中で１時間アニールしたのち、波長８３００人におけ
る基板入射反射率を測定したところ４１％であった。波
長８３００人の半導体レーザ光を基板を通して入射して
記録層上で１．５ＩＩＩｎφ程度に絞り、媒体線速度５
．６ｍ／ｓｅｃ 、記録周波数３．７７）ＩＨｚ、記録
パルス幅７ｏｎｓｅｃ 、記録パワー６．５ｍＷの条件
で記録し、０．７ｍＷで再生した。バンド幅３０ｋＨ２
のキャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は５１ｄＢと良
好であり、１．０ｍＷＦ １０６回再生しても同様に良
好であった。
次に、本実施例のディスクを７０℃、８０％の高温高湿
度の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが変
化はなく、耐候性に優れた光記録媒体でおることが確認
された。
度の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが変
化はなく、耐候性に優れた光記録媒体でおることが確認
された。
実施例２〜２１
ｓｅ層およびＴｅ層の膜厚をそれぞれ第１表に示すよう
にしたほかは実施例１と同様にして光記録媒体を作製し
た。
にしたほかは実施例１と同様にして光記録媒体を作製し
た。
実施例１と同様にして再生パワーによる劣化試験および
耐候性試験を行なった結果を同表に示す。
耐候性試験を行なった結果を同表に示す。
比較例１〜４
Ｓｅ層およびＴｅ層の膜厚をそれぞれ第１表に示すよう
にしたほかは実施例１と同様にして光記録媒体を作製し
た。
にしたほかは実施例１と同様にして光記録媒体を作製し
た。
実施例１と同様にして再生パワーによる劣化試験および
耐候性試験を行なった結果を同表に示す。
耐候性試験を行なった結果を同表に示す。
第 １ 表
”）１．０ｍＷで１０”回再生したときのＣ／Ｈの低下
量を示す。
量を示す。
第１表かられかるように、テルル層の厚さは２乃入から
４０ＯＡの範囲で、セレン層の厚さは５Ａから２０人の
範囲で優れた効果を示す。
４０ＯＡの範囲で、セレン層の厚さは５Ａから２０人の
範囲で優れた効果を示す。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば量産性および耐候性
に優れ、かつ高感度で信号品質が良好であると共に充分
に大きなレーザパワーで長時間にわたって再生しうる光
記録媒体が得られる。
に優れ、かつ高感度で信号品質が良好であると共に充分
に大きなレーザパワーで長時間にわたって再生しうる光
記録媒体が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一実施例を示す部分断面
図でおり、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図
である。 １・・・基板 ２．４・・・セレン層 ３・・・テルル層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピット ２２ピット
図でおり、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図
である。 １・・・基板 ２．４・・・セレン層 ３・・・テルル層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピット ２２ピット
Claims (1)
- （１）基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去さ
れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
らなる光記録媒体において、前記記録層が少なくともセ
レン層、テルル層およびセレン層を順に有し、かつ前記
セレン層の膜厚がそれぞれ５〜２０Åの範囲であり、前
記テルル層の膜厚が２７５〜４００Åの範囲であること
を特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128462A JPS62282979A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128462A JPS62282979A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282979A true JPS62282979A (ja) | 1987-12-08 |
| JPH051753B2 JPH051753B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14985311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61128462A Granted JPS62282979A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62282979A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4385305A (en) * | 1980-08-20 | 1983-05-24 | Hitachi, Ltd. | Recording member |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP61128462A patent/JPS62282979A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4385305A (en) * | 1980-08-20 | 1983-05-24 | Hitachi, Ltd. | Recording member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051753B2 (ja) | 1993-01-08 |
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