JPS6363153A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPS6363153A JPS6363153A JP61208196A JP20819686A JPS6363153A JP S6363153 A JPS6363153 A JP S6363153A JP 61208196 A JP61208196 A JP 61208196A JP 20819686 A JP20819686 A JP 20819686A JP S6363153 A JPS6363153 A JP S6363153A
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Landscapes
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体の製造方法に関するものである。
きる光記録媒体の製造方法に関するものである。
[従来の技術]
レーザ光によって情報を媒体に記録しかつ再生する光デ
イスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録装
置として優れた特徴を有している。
イスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録装
置として優れた特徴を有している。
この光記録媒体材料としては、最初にタンタルと鉛が使
用された(サイエンス(Science)154.15
50゜19E)6) )。それ以来種々の材料が使用さ
れているが、テルル(Te)等のカルコゲン元素または
これらの化合物はよく使用されており(特公昭47−2
13897号公報)、とくにテルル−セレン系合金はよ
く使用されている(特公昭54−41902号公報、特
公昭57−7919号公報、特公昭57−56058号
公報)。
用された(サイエンス(Science)154.15
50゜19E)6) )。それ以来種々の材料が使用さ
れているが、テルル(Te)等のカルコゲン元素または
これらの化合物はよく使用されており(特公昭47−2
13897号公報)、とくにテルル−セレン系合金はよ
く使用されている(特公昭54−41902号公報、特
公昭57−7919号公報、特公昭57−56058号
公報)。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長がaooo八前後へおるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる(フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ(phys、 5tat。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長がaooo八前後へおるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる(フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ(phys、 5tat。
sol、 7.189.1964) )。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第1図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板1に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層21が設けられている。記録用レーザ光は基板1を通
して記録層21に集光照射され、ピット22が形成され
る。基板1としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられている。
録媒体は第1図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板1に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層21が設けられている。記録用レーザ光は基板1を通
して記録層21に集光照射され、ピット22が形成され
る。基板1としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられている。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1゜3層mであり、溝の深さ
は使用するレーザ波長の1712から174の範囲に設
定される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されて
いる。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワー
のレーザ光をピット上を通過するように照射することに
より、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して
行う。
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1゜3層mであり、溝の深さ
は使用するレーザ波長の1712から174の範囲に設
定される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されて
いる。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワー
のレーザ光をピット上を通過するように照射することに
より、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して
行う。
[発明が解決1ようとする問題点コ
しかしながら、テルル−セレン合金層を記録層として用
いた光記録媒体では耐候性と感度と信号品質のすべてを
満足するものではなかった。 4本発明は以上のような
問題点を解決するためになされたもので、耐候性がよく
、かつ高感度で信号品質が良好で安定な光記録媒体の製
造方法を提供することを目的とする。
いた光記録媒体では耐候性と感度と信号品質のすべてを
満足するものではなかった。 4本発明は以上のような
問題点を解決するためになされたもので、耐候性がよく
、かつ高感度で信号品質が良好で安定な光記録媒体の製
造方法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は基板上に、レーザ光によって一部が選択的に除
去されて情報を記録する記録層を形成することよりなる
光記録媒体の!!!造方決方法いて、前記記録層中に、
テルルとセレンを含む物質をターゲットとし、一酸化窒
素ガス、二酸化窒素ガスまたは二酸化窒素ガスを含むガ
ス中でスパッタリングすることによってテルルとセレン
と窒素とを主成分とする層を少なくとも設けることを特
徴とする光記録媒体の製造方法である。
去されて情報を記録する記録層を形成することよりなる
光記録媒体の!!!造方決方法いて、前記記録層中に、
テルルとセレンを含む物質をターゲットとし、一酸化窒
素ガス、二酸化窒素ガスまたは二酸化窒素ガスを含むガ
ス中でスパッタリングすることによってテルルとセレン
と窒素とを主成分とする層を少なくとも設けることを特
徴とする光記録媒体の製造方法である。
テルルとセレンと窒素とを主成分とする層(以下、テル
ル−セレン−窒素層と略す)の厚さは100人から10
00人の範囲が記録再生特性の観点から望ましく、セレ
ンの含有量は原子数パーセントで2パーセントから50
パーセントの範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望
ましく、窒素の含有量は原子数パーセントで2パ一セン
ト以上20パーセント未満が記録再生特性、耐候性の観
点から望ましい。また、テルル−セレン−窒素層中の元
素の組成比は、ターゲットの組成比や一酸化窒素(No
)ガス酸化二窒素(N20)ガスあるいは二酸化窒素(
NO2)ガスの分圧に依存するのは勿論であるが、スパ
ッタ装置の大きざ(スパッタ室の表面積等)やスパッタ
時間等にも依存するので、所望の記録膜組成を得るため
には各スパッタ装置ごとにN0分圧等を適宜設定するこ
とが望ましい。
ル−セレン−窒素層と略す)の厚さは100人から10
00人の範囲が記録再生特性の観点から望ましく、セレ
ンの含有量は原子数パーセントで2パーセントから50
パーセントの範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望
ましく、窒素の含有量は原子数パーセントで2パ一セン
ト以上20パーセント未満が記録再生特性、耐候性の観
点から望ましい。また、テルル−セレン−窒素層中の元
素の組成比は、ターゲットの組成比や一酸化窒素(No
)ガス酸化二窒素(N20)ガスあるいは二酸化窒素(
NO2)ガスの分圧に依存するのは勿論であるが、スパ
ッタ装置の大きざ(スパッタ室の表面積等)やスパッタ
時間等にも依存するので、所望の記録膜組成を得るため
には各スパッタ装置ごとにN0分圧等を適宜設定するこ
とが望ましい。
テルルとセレンと窒素とを主成分とする層には、鉛、ア
ンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲルマニウム、タリウ
ム、リン、カドミウム、インジウム、ガリウム、亜鉛、
くスマス、アルミニウム、銅、銀、マグネシウム、タン
タル、金、パラジウム、コバルトの群から選ばれた少な
くとも1種の元素が添加されていてもよいもこの場合、
ピットの形状を良好に整える場合がある。ただし、添加
量は原子数パーセントで20パ一セント未満が望ましい
。
ンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲルマニウム、タリウ
ム、リン、カドミウム、インジウム、ガリウム、亜鉛、
くスマス、アルミニウム、銅、銀、マグネシウム、タン
タル、金、パラジウム、コバルトの群から選ばれた少な
くとも1種の元素が添加されていてもよいもこの場合、
ピットの形状を良好に整える場合がある。ただし、添加
量は原子数パーセントで20パ一セント未満が望ましい
。
スパッタガスはNoガス、N20ガスおよびNO2ガス
のうち1種のみでもよいが、放電や成膜の安定性の観点
からは不活性ガスとの混合ガスが望ましい。また、さら
にその他のガスを混合してもよい。
のうち1種のみでもよいが、放電や成膜の安定性の観点
からは不活性ガスとの混合ガスが望ましい。また、さら
にその他のガスを混合してもよい。
テルル−セレン−窒素層と基板との間に、酸化物、窒化
物、フッ化物、炭化物、硫化物またはホウ化物で形成さ
れた層を少なくとも1層設けてもよい。この場合記録パ
ワー変動に対する余裕度が大きくなり、トラッキングや
フォーカスのサーボが安定になることがある。
物、フッ化物、炭化物、硫化物またはホウ化物で形成さ
れた層を少なくとも1層設けてもよい。この場合記録パ
ワー変動に対する余裕度が大きくなり、トラッキングや
フォーカスのサーボが安定になることがある。
また、基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスなど通常使用されているものが用いられ
る。
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスなど通常使用されているものが用いられ
る。
[実施例]
以下本発明の実施例について説明する。
100℃で2時間アニール処理した内径15繭、外径1
30#、厚さ1.2mの案内溝付きポリカーボネート樹
脂ディスク基板上に、テルル−セレン合金ターゲットを
アルゴン(Ar>とNOとの混合ガスでマグネトロンス
パッタして、テルル(Te)とセレン(Se)と窒素(
N>の比が原子数パーセントで85対8対7のテルル−
セレン−窒素層を約240人厚形成し、しかる後、温度
85℃、相対湿度90%の環境に12時間保存して光記
録媒体を作製した。この光ディスクの波長8300人に
おける基板入射の反射率を測定したところ、約24%で
あった。
30#、厚さ1.2mの案内溝付きポリカーボネート樹
脂ディスク基板上に、テルル−セレン合金ターゲットを
アルゴン(Ar>とNOとの混合ガスでマグネトロンス
パッタして、テルル(Te)とセレン(Se)と窒素(
N>の比が原子数パーセントで85対8対7のテルル−
セレン−窒素層を約240人厚形成し、しかる後、温度
85℃、相対湿度90%の環境に12時間保存して光記
録媒体を作製した。この光ディスクの波長8300人に
おける基板入射の反射率を測定したところ、約24%で
あった。
波長8300人の半導体レーザ光を基板を通して入射し
て記録層上で1.6庫φ程度に絞り、媒体線速度5、6
5m/SeC,記録周波数3.778H2,記録パルス
幅70nSeC、記録パワー6.0mWの条件で記録し
、0.7mWで再生した。バンド幅30kH2のキャリ
アーとノイズとの比(C/N)は48d8と良好でおっ
た。この光ディスクを70℃、80%の高温高湿度の環
境に60時間保存した後、上記特性を調ぺたが変化はな
く、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認された
。
て記録層上で1.6庫φ程度に絞り、媒体線速度5、6
5m/SeC,記録周波数3.778H2,記録パルス
幅70nSeC、記録パワー6.0mWの条件で記録し
、0.7mWで再生した。バンド幅30kH2のキャリ
アーとノイズとの比(C/N)は48d8と良好でおっ
た。この光ディスクを70℃、80%の高温高湿度の環
境に60時間保存した後、上記特性を調ぺたが変化はな
く、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認された
。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の方法によれば耐候性がよ
く、かつ高感度で信号品質が良好で安定な光記録媒体を
製造することができる。
く、かつ高感度で信号品質が良好で安定な光記録媒体を
製造することができる。
第1図は光記録媒体の1例を示す部分断面図である。
1・・・基板
21・・・記録層
22・・・ピット
Claims (1)
- (1)基板上に、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する記録層を形成することよりなる光
記録媒体の製造方法において、前記記録層中に、テルル
とセレンを含む物質をターゲットとし、一酸化窒素ガス
、酸化二窒素ガスまたは二酸化窒素ガスを含むガス中で
スパッタリングすることによってテルルとセレンと窒素
とを主成分とする層を少なくとも設けることを特徴とす
る光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208196A JPS6363153A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208196A JPS6363153A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6363153A true JPS6363153A (ja) | 1988-03-19 |
Family
ID=16552249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61208196A Pending JPS6363153A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6363153A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171446A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的記録用媒体の製造方法 |
| US6153063A (en) * | 1996-03-11 | 2000-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| WO2003101750A1 (fr) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Pioneer Corporation | Support d'enregistrement d'information et son procede de production |
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034897A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書替可能光記録媒体 |
| JPS6134741A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-02-19 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 情報蓄積用媒体 |
| JPS6211685A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61208196A patent/JPS6363153A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034897A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書替可能光記録媒体 |
| JPS6134741A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-02-19 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 情報蓄積用媒体 |
| JPS6211685A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171446A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的記録用媒体の製造方法 |
| US6153063A (en) * | 1996-03-11 | 2000-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US7037413B1 (en) | 1996-03-11 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| WO2003101750A1 (fr) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Pioneer Corporation | Support d'enregistrement d'information et son procede de production |
| US7524612B2 (en) | 2002-06-03 | 2009-04-28 | Pioneer Corporation | Information recording medium and process for producing the same |
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