JPS62282980A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS62282980A JPS62282980A JP61128463A JP12846386A JPS62282980A JP S62282980 A JPS62282980 A JP S62282980A JP 61128463 A JP61128463 A JP 61128463A JP 12846386 A JP12846386 A JP 12846386A JP S62282980 A JPS62282980 A JP S62282980A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 abstract description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記゛録密度が高いことから大容量記
録装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体
材料としては、テルル（Ｔｅ）等のカルコゲン元素又は
これらの化合物が使用されている（特公昭４７−２６８
９７号公報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用
されている（特公昭５４−４１９０２号公報、特公昭５
７−７９１９号公報、特公昭５７−５６０５８号公報）
。
デイスクメモリは、記゛録密度が高いことから大容量記
録装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体
材料としては、テルル（Ｔｅ）等のカルコゲン元素又は
これらの化合物が使用されている（特公昭４７−２６８
９７号公報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用
されている（特公昭５４−４１９０２号公報、特公昭５
７−７９１９号公報、特公昭５７−５６０５８号公報）
。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長がａｏｏｏ入前後入力後が、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、 ７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａｔ
、 ｓｏｌ、 ７．１８９．１９６４） ）。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長がａｏｏｏ入前後入力後が、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、 ７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａｔ
、 ｓｏｌ、 ７．１８９．１９６４） ）。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられている。
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら前記したような従来の光記録媒体において
、記録層として用いられているテルル−セレン系合金は
その組成を制御することが容易ではなく、そのため量産
性に問題がめった。又、ピットをトラック１周にわたっ
て均一に形成することは困難であるため、充分に良好な
記録再生特性は得られなかった。
、記録層として用いられているテルル−セレン系合金は
その組成を制御することが容易ではなく、そのため量産
性に問題がめった。又、ピットをトラック１周にわたっ
て均一に形成することは困難であるため、充分に良好な
記録再生特性は得られなかった。
一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テルル層、
セレン層を順次積層して記録層とすることにより、量産
性および耐候性に優れ、かつ、トラック１周にわたって
ピットを均一に形成でき、良好な記録再生特性を有する
光記録媒体となることを見出し、すでに提案している。
セレン層を順次積層して記録層とすることにより、量産
性および耐候性に優れ、かつ、トラック１周にわたって
ピットを均一に形成でき、良好な記録再生特性を有する
光記録媒体となることを見出し、すでに提案している。
本発明はこれをざらに改善したもので、量産性および耐
候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することを目的とする。
候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、
パラジウム層、テルル層、セレン層を順次基板上に積層
したものでおることを特徴とする光記録媒体である。
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、
パラジウム層、テルル層、セレン層を順次基板上に積層
したものでおることを特徴とする光記録媒体である。
本発明においては第１図に示すよ、うに基板１上にセレ
ン層２、パラジウム層３、テルル層４、セレン層５が順
次積層されて記録層を形成する。パラジウム層３を形成
することにより、記録により形成されるピットが大きく
拡がらないようになる。
ン層２、パラジウム層３、テルル層４、セレン層５が順
次積層されて記録層を形成する。パラジウム層３を形成
することにより、記録により形成されるピットが大きく
拡がらないようになる。
上下のセレン層の膜厚はともにそれぞれ５〜１００人の
範囲、テルル層の膜厚は１００〜５００ 、Ａの範囲、
パラジウム層の膜厚は０．５〜５０人の範囲が記録再生
特性、耐候性の観点から望ましい。なお、ここでいう０
．５〜５０人のパラジウム層というのは重量平均に相当
する膜厚でおり、実際には不連続膜となっている。
範囲、テルル層の膜厚は１００〜５００ 、Ａの範囲、
パラジウム層の膜厚は０．５〜５０人の範囲が記録再生
特性、耐候性の観点から望ましい。なお、ここでいう０
．５〜５０人のパラジウム層というのは重量平均に相当
する膜厚でおり、実際には不連続膜となっている。
基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものが用いられる。
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものが用いられる。
本発明の光記録媒体は、基板上にセレン、パラジウム、
テルルおよびセレンを順に真空蒸着ざぜることによって
製造することができる。
テルルおよびセレンを順に真空蒸着ざぜることによって
製造することができる。
［作 用］
テルル層とセレン層の間にパラジウム層を介在させるこ
とによってピットが大きく拡がらなくなり、優れた光記
録媒体を得ることができる。これはピット形成による反
射率変化の主要因であるテルル層の有無による表面エネ
ルギーの差がパラジウム層の形成により変化することに
よってピットが拡がりにくくなるためであると思われる
。
とによってピットが大きく拡がらなくなり、優れた光記
録媒体を得ることができる。これはピット形成による反
射率変化の主要因であるテルル層の有無による表面エネ
ルギーの差がパラジウム層の形成により変化することに
よってピットが拡がりにくくなるためであると思われる
。
ピットが大きく拡がらないのでピットをつめて記録でき
、高密度記録が可能となるとともに記録パワー変動に対
する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる
。
、高密度記録が可能となるとともに記録パワー変動に対
する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる
。
［実施例］
以下本発明の実施例について説明する。
実施例
内径１５ｍ、外径１３０Ｍ、厚さ１．２ｍのポリカーボ
ネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、６
Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては
、第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Ｔｅ）を入れ、第
２の抵抗加熱用ボートにセレン（Ｓｅ）を入れ；電子ビ
ーム加熱用るつぼにパラジウム（Ｐｄ）を入れた。まず
Ｓｅを８０人厚蒸看し、次にＰｄを水晶撮動子の周波数
変化からの換算で１Ａ厚蒸着し、次に丁ｅを２２５人厚
蒸着し、最後にＳｅを８０人厚蒸着した。この光ディス
クを９５℃で１時間アニールしたのち、波長８３００．
Ａにおける基板入射反射率を測定したところ３４％であ
った。波長８３００人の半導体レーザ光を基板を通して
入射して１．５１ｍφ程度に絞り、媒体線速度５．６ｍ
／ｓｅｃ 、記録周波数３．７７）ＩＨ２、記録パルス
幅７０ｎｓｅｃの条件で記録し、０．７ｍＷで再生した
。記録パワー６、０ｍＷにおいて、バンド幅３０ｋＨ２
のキャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ ）は４９ｄＢと
良好であった。又、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上得られる記録
パワー領域は５．５ｍＷから８．０ｍＷと広範囲でめっ
た。比較のための８０人厚のＳｅ、２２５人厚のＴｅ、
８０人厚のＳｅの光ディスクでは、記録パワー５．０
ｍＷにおいてＣ／Ｎは４８ｄＢであり、Ｃ／Ｎが４５ｄ
Ｂ以上得られる記録パワー領域は５．Ｏｍ−から６、５
ｍＷと狭い範囲であった。
ネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、６
Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては
、第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Ｔｅ）を入れ、第
２の抵抗加熱用ボートにセレン（Ｓｅ）を入れ；電子ビ
ーム加熱用るつぼにパラジウム（Ｐｄ）を入れた。まず
Ｓｅを８０人厚蒸看し、次にＰｄを水晶撮動子の周波数
変化からの換算で１Ａ厚蒸着し、次に丁ｅを２２５人厚
蒸着し、最後にＳｅを８０人厚蒸着した。この光ディス
クを９５℃で１時間アニールしたのち、波長８３００．
Ａにおける基板入射反射率を測定したところ３４％であ
った。波長８３００人の半導体レーザ光を基板を通して
入射して１．５１ｍφ程度に絞り、媒体線速度５．６ｍ
／ｓｅｃ 、記録周波数３．７７）ＩＨ２、記録パルス
幅７０ｎｓｅｃの条件で記録し、０．７ｍＷで再生した
。記録パワー６、０ｍＷにおいて、バンド幅３０ｋＨ２
のキャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ ）は４９ｄＢと
良好であった。又、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上得られる記録
パワー領域は５．５ｍＷから８．０ｍＷと広範囲でめっ
た。比較のための８０人厚のＳｅ、２２５人厚のＴｅ、
８０人厚のＳｅの光ディスクでは、記録パワー５．０
ｍＷにおいてＣ／Ｎは４８ｄＢであり、Ｃ／Ｎが４５ｄ
Ｂ以上得られる記録パワー領域は５．Ｏｍ−から６、５
ｍＷと狭い範囲であった。
次に、本実施例のディスクを６０℃、８０％の高温高湿
度の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが変
化はなく、耐候性に優れた光記録媒体でおることが確認
された。
度の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが変
化はなく、耐候性に優れた光記録媒体でおることが確認
された。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の光記録媒体は量産性および
耐候性に優れているばかりでなく、高感度で信号品質の
良好なものである。
耐候性に優れているばかりでなく、高感度で信号品質の
良好なものである。
第１図は本発明の光記録媒体の一実施例を示す部分断面
図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図である
。 １・・・基板 ２．５・・・セレン層 ３・・−パラジウム層 ４・・・テルル層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピット
図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図である
。 １・・・基板 ２．５・・・セレン層 ３・・−パラジウム層 ４・・・テルル層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピット
Claims (1)
- （１）基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去さ
れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
らなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、パ
ラジウム層、テルル層、セレン層を順次基板上に積層し
たものであることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128463A JPS62282980A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128463A JPS62282980A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282980A true JPS62282980A (ja) | 1987-12-08 |
| JPH051754B2 JPH051754B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14985337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61128463A Granted JPS62282980A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62282980A (ja) |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP61128463A patent/JPS62282980A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051754B2 (ja) | 1993-01-08 |
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