JPS6228840B2

JPS6228840B2 -

Info

Publication number: JPS6228840B2
Application number: JP54091067A
Authority: JP
Inventors: Aidenshinku Rudorufu; Hooru Ruutoitsuhi; Ueeberu Georugu; Deru Pino Fuerunando
Original assignee: Merck Patent GmbH
Current assignee: Merck Patent GmbH
Priority date: 1978-07-21
Filing date: 1979-07-19
Publication date: 1987-06-23
Also published as: HK685A; US4285829A; GB2047263A; GB2047263B; DE2832112C2; DE2832112A1; JPS5518482A; SG80284G

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、特に低電圧において電気光学表示の
作動を可能にする液晶組成物に関する。電気光学表示素子ではネマチツクまたはネマチ
ツク−コレステリツク液晶材料の性質がそれらの
光学的性質、例えば光吸収、複屈折、特に電場の
影響下における反射または色が変化するためにま
すます利用されている。この方式の表示素子の機
能はこの点でたとえば動的散乱現象、整列相の変
形、ねじれセルにおけるシヤツト−ヘルフリツヒ
（Schadt−Helfrich）効果またはコレステリツク
−ネマチツク相転移に基づいている。これらの効果をエレクトロニクス部品に工業用
に適用するには、多くの要件を満たさねばならな
い液晶誘電体が必要である。この点で特に重要な
要件は、水分や空気および物理的影響、たとえば
熱、赤外領域、可視領域および紫外線領域の照射
並びに直列および交代電場などに対する化学的抵
抗性である。さらに、工業的に使用しうる液晶誘
電体は＋10℃ないし＋50℃の温度以上、好ましく
は０℃ないし60℃の温度範囲で液晶メゾフエース
を有し且つまた室温でできるだけ低い粘度、好ま
しくは70.10^-3Pa秒を超えてはならない粘度を有
することが必要である。最後に、これらの材料は
可視光領域でいずれの特徴的吸収をも有してはな
らず、換言すればそれらは無色でなければならな
い。機能がねじれセルにおけるシヤツト−ヘルフリ
ツヒ効果に基づいている表示素子用の液晶誘電体
はさらにできるだけ高い誘電異方性（DKA）を
有し、最低作動可能電圧で作動できるものでなけ
ればならない。正のDKAを有し、エレクトロニクス部品用の
誘電体の安定性要件に適合し、しかも無色である
多くの液晶化合物がすでに知られている。たとえ
ば特に西独国特許出願公開第2356085号明細書に
記載のｐ・p′−ジ置換ビフエニル誘導体および西
独国特許出願公開第2636684号明細書に記載のフ
エニルシクロヘキサン誘導体が含まれる。これら
２つの群の液晶基材は電気光学素子、特に腕時計
および小型計算器の製造に非常に広く使用されて
いる。これらの用途では、作動電圧ができるだけ
低いことが望ましく、これはこの方式に必要なバ
ツテリーの数を減じることができ、または電力を
消費する電圧逓倍器を省略できるからである。液晶誘電体の変形は層の厚さと無関係にしきい
電圧以上になつた場合にだけ目で見ることができ
るようになる。この電圧の大きさは既知の方式で
液晶材料のDKAと弾性率とによつて決まる。本発明により、一般式（）（式中R₁は炭素原子１〜４個を有するアルキル基
または炭素原子１〜３個を有するアルコキシ基で
ある）のビフエニル誘導体および一般式（）（式中R₂は炭素原子１〜４個を有するアルキル基
である）のフエニルシクロヘキサン誘導体を３：
１ないし１：３の重量比で含有する組成物が驚く
ほど低いしきい電圧を示し、従つて都合の良い作
動電圧を有する液晶表示素子の製造を可能にする
ことが発見された。この理由はまだ明白ではないが多分、芳香環ま
たは飽和環に結合しているアルキル基とアルコキ
シ基との間の分散力が異なる方向に作用する変形
力に対する抵抗を低下させ、このため一方でシア
ノビフエニルに比較して、そして他方でシアノフ
エニルシクロヘキサンに比較して一層低い弾性率
をもたらす効果を有するものと考えられる。従つて、本発明の主題は正のDKAを持ち、ビ
フエニル誘導体とフエニルシクロヘキサン誘導体
との混合物を基材とし、しかも一般式（）のビ
フエニル誘導体の少なくとも１種と一般式（）
のフエニルシクロヘキサン誘導体の少なくとも１
種とを３：１ないし１：３の重量比で含有するこ
とを動徴とする液晶組成物にある。特開昭53−23957号公報がシアノビフエニル誘
導体30重量部および３種のフエニルシクロヘキサ
ン誘導体の混合物70重量部よりなる液晶誘電体を
すでに記載（例８）していることは認められる。
しかしながら、この公報の誘電体はその４種の成
分の１つだけが上記一般式（）に含まれるだけ
であつて、本発明による誘電体の有利な性質を示
さないことは驚くべきことである。本発明による組成物の構成部分、すなわち一般
式（）のビフエニル誘導体および一般式（）
のフエニルシクロヘキサン誘導体は西独国特許出
願公開第2356085号および同第2636684号の明細書
から既知である。しかしながら、単独の成分とし
てこれらの化合物は望ましくない融点および透明
点などを有し、主として一方向性ネマチツク相を
示すにすぎないので従来液晶誘電体の基礎成分と
して考慮されていなかつた。何故ならば、特に本
発明による組成物の極めて低いしきい電圧を有す
る誘電体は一層望ましい融点および透明点を有す
るその他の既知の液晶化合物と組合せても得られ
なかつたからである。一般式（）および同（）において、基R₁
およびR₂の定義に含まれるアルキル基は１〜４
個の炭素原子を有するものであり、またアルコキ
シ基は１〜３個の炭素原子を有するものである
が、このようなアルキル基またはアルコキシ基を
有する化合物の組合せはこれらの炭素原子数にお
いてより大きい炭素鎖長を有する化合物の組合せ
に比較してしきい電圧においてより有利に低い液
晶組成物をもたらす。この基R₁およびR₂の炭素
原子数の特定にもとづく効果は次表に示すような
比較実験の例により証明されている。すなわち、
ビフエニル化合物（式）およびフエニルシクロ
ヘキサン化合物（式）の側鎖基がそれぞれ
C₂H₅およびC₃H₇である本発明による混合物(B)お
よび混合物(D)はビフエニル化合物の側鎖基が
C₅H₁₁であることを除いて同一の組成および混合
比率（３：２および２：３）の従来技術による混
合物(A)および(C)に比較してそれぞれ確実に低いし
きい電圧を示し、さらにまたビフエニル化合物の
側鎖基がC₄H₉であつて、フエニルシクロヘキサ
ン化合物の側鎖基がC₃H₇およびC₄H₉である本発
明による化合物を含有する混合物(F)はこれら２種
の化合物の両方がC₅以上の炭素鎖の側鎖基を有
する化合物である以外は同一の組成および混合比
率の従来技術による混合物(E)に比較して低いしき
い電圧を示す。混合物中のフエニルシクロヘキサ
ン化合物の一部分がC₃H₇の短い炭素鎖の側鎖基
を有する化合物であつても、この混合物がC₅H₁₁
のような長鎖側鎖基を有するフエニルシクロヘキ
サン化合物を同等量で含有する従来技術による混
合物”が本発明による相当する混合物(H)に比較し
て高いしきい電圧を示すことは特に注目される。

【表】

【表】本発明における一般式（）の成分と一般式
（）の成分との前記の３：１ないし１：３の重
量比の範囲内の混合比率はまた基本的に重要な要
件であることが判つた。すなわち、次表に見られ
るように本発明における上記の重量比の範囲内に
おいては、液晶混合物に要求される(i)液晶メゾフ
エースの温度範囲、(ii)20℃における粘度および(iii)
低いしきい電圧のすべてを総合した観点において
優れた組成物が得られる。次表において、得点は
次の尺度に従つて算出されている： (i) 液晶メゾフエースの温度範囲：最低限界は０
゜〜60℃であり、これを０点とする。この限界
値から融点が低い場合および（または）透明点
が高い場合に、１℃の高低をそれぞれ１点とし
て加算する。 (ii) 20℃における粘度：最低限界は70センチスト
ークス（cSt）であり、これを０点とする。粘
度が2cSt低下するごとに１点を加算する。 (iii) しきい電圧：慣用の電気光学表示の動作電圧
は３ボルト（Ｖ）であるから、しきい電圧はそ
の1/2であることが望ましく、1.5Vを０点とす
る。しきい電圧がこの数値より低い場合には10
ｍＶの低下毎に１点を加え、他方高い場合には
10ｍＶの上昇毎に１点を減ずる。ねじれセルに
おけるSchadt−Helfrich効果を用いる電場作用
表示において種々の温度および時間条件下に充
分に動作するためには、少なくとも25得点を有
する液晶誘電体が要求される。

【表】

【表】各成分を３：１ないし１：３の指示限界外の比
率で混合した場合には、本発明による誘電体の有
利な性質はもはや得られない。このような場合に
は、混合物の性質がその中の主成分を構成する成
分の性質にはほとんど近くなる。本発明によるこのような液晶組成物は、各成分
の重量比が２：１ないし１：２の範囲内にあると
き特に好ましいことがまた証明されている。最良
の結果は一般式（）の単一または複数のフエニ
ルシクロヘキサン成分の量が優勢である混合物に
より得られる。本発明による液晶組成物では、そのネマチツク
相の温度範囲が一般にこれらの化合物の各単独ま
たは一般式（）または一般式（）のどちらか
の化合物が独占的である混合物の場合よりも実質
的に好ましい。しかしながら、本発明による生成
物のこの温度範囲が、特にその透明点が或る場合
には低すぎるために工業的に使用しうる液晶誘電
体の要件に適合しない場合に限つて、さらに高い
透明点を有する１種またはそれ以上の液晶化合物
をそれ自体既知のやり方で添加することにより、
望ましい温度範囲に上げることができる。この目
的には、西独国特許出願公開第2535046号明細書
に記載のビフエニルエステル、西独国特許出願公
開第2613293号明細書に記載された正のDKAを有
するシアノ置換ビフエニルエステル、西独国特許
出願公開第2701591号明細書に記載のヘキサヒド
ロターフエニル誘導体が好適である。さらにま
た、西独国特許出願公開第2800553号明細書に記
載されている一般式（）のシクロヘキサン誘導体が好適である。この式
（）において、環Ａは１・４−ジ置換されたフ
エニル環またはトランス−１・４−ジ置換シクロ
ヘキサン環のどちらかである。基R₃およびR₄は
一般に炭素原子１〜８個を有する直鎖アルキル基
であるが、環Ａがフエニル環である場合には、
R₄はまた８個までの炭素原子を有するアルコキ
シ基またはアルカノイルオキシ基あるいはまた
CN基であることができる。本発明による液晶組
成物の有利な性質が、最終誘電体の45重量％にも
相当する比較的に高いこの種の添加によつてさえ
も失われないことは驚くべきことである。従つて本発明による液晶組成物は一般に、一般
式（Ｉ）と（）との各化合物の少なくとも１種
の指示重量比の混合物を少なくとも55重量％、好
ましくは65重量％以上の量で含有する。その他の
構成成分の量および性質は個々の場合に、この組
成物を用いる液晶表示素子のスタテイツク駆動
（スタテイツク・トリガーリング）または時分割
駆動（マルチプレツクス・トリガーリング）のよ
うな作動方式および構造に依存する。すなわち、
DKAをさらに増加させるために西独国特許出願
公開第2321632号明細書に記載の４−アルキルシ
クロヘキシル安息香酸の４−シアノフエニルエス
テル化合物およびその類似化合物を加えることも
できるし（後記例３、５および６参照）、また表
示素子における液晶分子の配向のために西独国特
許出願公開第2209127号または同第2637430号の明
細書に記載の物質を加えることもできる。次例は本発明を説明するものであつて、本発明
を制限するものではない。各例において、Mp.お
よびCp.は液晶物質の融点および透明点をそれぞ
れ摂氏度で示す。別記しないかぎり、部は重量部
であり、そして％は重量％である。例１４−ｎ−ブチル−１−（４−シアノフエニル）−シ
クロヘキサン 38％４−エチル−4′−シアノビフエニル 20％４−エトキシ−4′−シアノビフエニル 17％および４−プロピルオキシ−4′−シアノビフエニル 25％よりなる組成物はMp.6゜、Cp.42゜および20゜で
42・10^-3Pa秒の粘度を有する。そのDKAは＋13
である。この組成物はスタテイツク駆動を用いる
ねじれセルで使用するのに非常に適している。例２４−エチル−１−（４−シアノフエニル）シクロ
ヘキサン 29％４−ｎ−ブチル−１−（４−シアノフエニル）−シ
クロヘキサン 31％４−エチル−4′−シアノビフエニル 19％４−メトキシ−4′−シアノビフエニル６％および４−プロピルオキシ−4′−シアノビフエニル 15％よりなる組成物はMp.1゜、Cp.26゜および20゜で
37−10³Pa秒の粘度を有する。そのDKAは＋12で
ある。４−ｎ−プロピルビフエニルイル−（4′）−
カルボン酸４−シアノフエニルエステルの15％の
添加は透明点を58゜に上昇させるので、この組成
物はスタテイツク駆動を用いるねじれセルで使用
できる。例３４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シクロ
ヘキサン 10％４−ｎ−ブチル−１−（４−シアノフエニル）−シ
クロヘキサン 37％４−エチル−4′−シアノビフエニル 19％４−プロピルオキシ−4′−シアノビフエニル 16％４−（４−エチルシクロヘキシル）−安息香酸4′−
シアノフエニルエステル８％および４−（２−ペンチルシクロヘキシル）−安息香酸
4′−シアノフエニルエステル 10％よりなる組成物はMp.0゜、Cp.60゜および20゜で
40・10^-3Pa秒の粘度を有する。そのDKAは＋
14.6であり、光学的異方度は0.17であり、そして
しきい電圧は1.18Vである。例４４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シクロ
ヘキサン 12％４−ｎ−ブチル−１−（４−シアノフエニル）−シ
クロヘキサン 23％４−エチル−4′−シアノビフエニル 14％４−プロピルオキシ−4′−シアノビフエニル 10％４−（４−エチルシクロヘキシル）−安息香酸4′−
プロピルシクロシクロヘキシルエステル 20％および４−（４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）−安息香酸
4′−プロピルシクロヘキシルエステル 21％よりなる組成物はMp.−３゜、Cp.67゜および25
゜で29・10^-3Pa秒の粘度を有する。そのDKAは
8.6であり、そして光学的異方度は0.13である。
この組成物は適用電圧に対するコントラスト曲線
が非常に急な勾配を有する点、しきい電圧の低い
温度依存性およびコントラストの多い観察角度依
存性等に特徴を有する。この組成物は時分割作動
に特に適しており、この目的では3Vの作動電圧
で十分である。例５４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シクロ
ヘキサン８％４−ｎ−ブチル−１−（４−シアノフエニル）−シ
クロヘキサン 31％４−エチル−4′−シアノビフエニル 16％４−プロピルオキシ−4′−シアノビフエニル 14％４−（４−エチルシクロヘキシル）−安息香酸4′−
シアノフエニルエステル７％４−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル−安息香
酸4′−シアノフエニルエステル８％４−（４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル）−安息香
酸4′−シアノフエニルエステル７％および４−Ｎ・Ｎ−ジメチルアミノ−ベンゾニトリル
９％よりなる組成物はMp.0゜、Cp.60゜および20゜で
45・10^-3Pa秒の粘度を有する。そのDKAは16.0
であり、そしてしきい電圧は0.96Vである。この
組成物はスタテイツク駆動および1.5Vの作動電
圧を用いる液晶セルに極めて適している。例６４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シクロ
ヘキサン 23.5％４−ｎ−ブチル−１−（４−シアノフエニル）−シ
クロヘキサン 25％４−エチル−4′−シアノビフエニル 15％４−ｎ−プロピルオキシ−4′−シアノビフエニル
12％４−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−4′−シ
アノビフエニル 17.5％および４−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−安息香
酸4′−シアノフエニルエステル７％よりなる組成物は融点−３゜、透明点＋68゜およ
び20゜で36・10^-3Pa秒の粘度を有する。その
DKAは13.8でありそしてしきい電圧は1.46Vであ
る。この組成物はスタテイツク駆動または時分割
駆動を用いる液晶セル同程度に好適である。例７４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シクロ
ヘキサン 21％４−ｎ−ブチル−１−（４−シアノフエニル）−シ
クロヘキサン 22％４−エチル−4′−シアノビフエニル 14％４−ｎ−ブチル−4′−シアノビフエニル 18％４−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−4′−シ
アノビフエニル 16％および４−ｎ−ペンチル−4″−シアノターフエニル９％よりなる組成物は−６゜の融点、64゜の透明点お
よび20゜で32・10^-3Pa秒の粘度を有する。その
DKAは13.2であり、そしてしきい電圧は1.42Vで
ある。この低粘性混合物はスタテイツク駆動を用
いる液晶セルに極めて適している。例８４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シクロ
ヘキサン 15％４−ｎ−ブチル−１−（４−シアノフエニル）−シ
クロヘキサン 25％４−エチル−4′−シアノビフエニル 15％４−ｎ−プロピルオキシ−4′−シアノビフエニル
11％４−（４−エチルシクロヘキシル）−安息香酸4′−
ｎ−プロピルシクロヘキシルエステル 14％および４−（４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）−安息香酸
4′−ｎ−プロピルシクロヘキシルエステル 20％よりなる組成物は−２゜の融点、60゜の透明点お
よび20゜で46・10^-3Pa秒の粘度を有する。その
DKAは8.3である。コントラストの観察角度依存
に対応する光学的異方度は0.14である。例９４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シク
ロヘキサン23.5％、４−ブチル−１−（４−シア
ノフエニル）−シクロヘキサン25.0％、４−エチ
ル−4′−シアノビフエニル15.0％、４−プロピル
オキシ−4′−シアノビフエニル12.0％、４−ペン
チル−１−（4′−シアノビフエニル−４−イル）−
シクロヘキサン17.5％およびｐ−トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル安息香酸（４−シアノフ
エニルエステル）7.0％よりなる組成物はMp：−
３゜、Cp：68゜および20゜で36・10^-3Pa秒の粘
度を有する。そのDKAは＋13.8、光学異方度は
＋0.18およびしきい電圧は1.31Vである。例 10 ４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シク
ロヘキサン21％、４−ブチル−１−（４−シアノ
フエニル）−シクロヘキサン22％、４−エチル−
4′−シアノビフエニル14％、４−ブチル−4′−シ
アノビフエニル18％、４−ペンチル−１−（4′−
シアノビフエニル−４−イル）−シクロヘキサン
16％および４−ｐ−シアノフエニル−4′−ペンチ
ルビフエニル９％よりなる組成物はMp：−６
゜、Cp：64゜および20゜で32・10^-3Pa秒の粘度
を有する。そのDKAは＋15.8、光学異方度は＋
0.19およびしきい電圧は1.33Vである。例 11 ４−プロピル−１−（４−シアノフエニル）−シ
クロヘキサン22％、４−ブチル−１−（４−シア
ノフエニル）−シクロヘキサン20％、４−エチル
−4′−シアノビフエニル13％、４−ブチル−4′−
シアノビフエニル22％、４−ペンチル−１−
（4′−シアノビフエニル−４−イル）−シクロヘキ
サン13％および４−ｐ−シアノフエニル−4′−ペ
ンチルビフエニル10％よりなる組成物はMp：−
６゜、Cp：70゜および20゜で80・10^-3Pa秒の粘
度を有する。そのDKAは＋13.3、光学異方度は
＋0.20およびしきい電圧は1.49Vである。例 12 ４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シク
ロヘキサン20％、４−ブチル−１−（４−シアノ
フエニル）−シクロヘキサン10％、４−エチル−
4′−シアノビフエニル13％、４−ブチル−4′−シ
アノビフエニル22％、トランス−４−ブチルシク
ロヘキサンカルボン酸−（ｐ−トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシルフエニルエステル）20％お
よびトランス−４−ペンチルシクロヘキサンカル
ボン酸−（ｐ−トランス−４−プロピルシクロヘ
キシルフエニルエステル）15％よりなる組成物は
Mp：−３゜、Cp：69゜および20゜で29・10^-3Pa
秒の粘度を有する。そのDKAは＋9.3、光学異方
度は＋0.15およびしきい電圧は1.42Vである。例 13 ４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シク
ロヘキサン12％、４−ブチル−１−（４−シアノ
フエニル）−シクロヘキサン23％、４−エチル−
4′−シアノビフエニル14％、４−プロピルオキシ
−4′−シアノビフエニル10％、ｐ−トランス−４
−エチルシクロヘキシル安息香酸−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシルエステル）20％およ
びｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル安息
香酸−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル
エステル）21％よりなる組成物はMp：−５゜、
Cp：67゜および20゜で53・10^-3Pa秒の粘度を有
する。そのDKAは＋8.6、光学異方度は＋0.13お
よびしきい電圧は1.46Vである。例 14 ４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シク
ロヘキサン15％、４−エチル−4′−シアノビフエ
ニル13％、４−ヘチル−4′−シアノビフエニル22
％、ｐ−エチル安息香酸−（ｐ−シアノフエニル
エステル）９％、ｐ−プロピル安息香酸−（ｐ−
シアノフエニルエステル）６％、トランス−４−
プロピルシクロヘキサンカルボン酸−（ｐ−エト
キシフエニルエステル）９％、トランス−４−ブ
チルシクロヘキサンカルボン酸−（ｐ−トランス
−４−プロピルシクロヘキシルフエニルエステ
ル）14％およびトランス−４−ペンチルシクロヘ
キサンカルボン酸−（ｐ−トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシルフエニルエステル）12％よりな
る組成物はMp：−３゜、Cp：63゜および20゜で
35・10^-3Pa秒の粘度を有する。そのDKAは＋
13.7、光学異方度は＋0.15およびしきい電圧は
1.30Vである。例 15 ４−エチル−１−（４−シアノフエニル）−シク
ロヘキサン10％、４−エチル−4′−シアノビフエ
ニル11％、４−ブチル−4′−シアノビフエニル20
％、トランス−４−ブチルシクロヘキサンカルボ
ン酸−（ｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキ
シルフエニルエステル）17％、トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキサンカルボン酸−（ｐ−トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシルフエニルエステ
ル）12％、トランス−４−プロピルシクロヘキサ
ンカルボン酸−（ｐ−エトキシフエニルエステ
ル）15％およびトランス−４−ペンチルシクロヘ
キサンカルボン酸−（ｐ−メトキシフエニルエス
テル）15％よりなる組成物はMp：−10゜、Cp：
75゜および20゜で29・10^-3Pa秒の粘度を有する。
そのDKAは＋8.2、光学異方度は＋0.13およびし
きい電圧は1.78Vである。例 16 ４−プロピル−１−（４−シアノフエニル）−シ
クロヘキサン23％、４−ブチル−4′−シアノビフ
エニル20％、４−ペンチル−１−（4′−シアノビ
フエニル−４−イル）−シクロヘキサン14％、ｐ
−トランス−４−プロピルシクロヘキシル安息香
酸−（ｐ−プロピルフエニルエステル）12％、ｐ
−トランス−４−プロピルシクロヘキシル安息香
酸−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルエ
ステル）15％およびｐ−エトキシ安息香酸−（ｐ
−プロピルフエニルエステル）16％よりなる組成
物はMp：３゜、Cp：85゜および20゜で44・
10^-3Pa秒の粘度を有する。そのDKAは＋9.8、光
学異方度は＋0.15およびしきい電圧は2.12Vであ
る。

Claims

【特許請求の範囲】１正の誘電異方性を有し、ビフエニル誘導体お
よびフエニルシクロヘキサン誘導体の混合物を基
材とする液晶組成物であつて、一般式（）（式中R₁は１〜４個の炭素原子を有するアルキル
基または１〜３個の炭素原子を有するアルコキシ
基である）のビフエニル誘導体の少なくとも１種
および一般式（）（式中R₂は１〜４個の炭素原子を有するアルキル
基である）のフエニルシクロヘキサン誘導体の少
なくとも１種と３：１ないし１：３の重量比で含
有することを特徴とする、液晶組成物。２ビフエニル誘導体とフエニルシクロヘキサン
誘導体とを少なくとも55重量％含有することを特
徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の液晶組
成物。３一般式（）（式中環Ａは１・４−ジ置換されたフエニル環ま
たはシクロヘキシル環であり、そしてR₃および
R₄は１〜８個の炭素原子を有する直鎖アルキル
基であるか、または環Ａがフエニル環である場合
に、R₄はまたそれぞれ８個までの炭素原子を有
するアルコキシ基またはアルカノイルオキシ基で
あるかまたはCN基を表わすこともできる）のシ
クロヘキサン誘導体の少なくとも１種をさらに含
有することを特徴とする、特許請求の範囲第２項
に記載の液晶組成物。４正の誘電異方性を有し、ビフエニル誘導体お
よびフエニルシクロヘキサン誘導体の混合物を基
材とする液晶組成物であつて、一般式（）（式中R₁は１〜４個の炭素原子を有するアルキル
基または１〜３個の炭素原子を有するアルコキシ
基である）のビフエニル誘導体の少なくとも１種
および一般式（）（式中R₂は１〜４個の炭素原子を有するアルキル
基である）のフエニルシクロヘキサン誘導体の少
なくとも１種を３：１ないし１：３の重量比で含
有する液晶組成物を含有することを特徴とするね
じれネマチツクセルを基材とする電気光学表示素
子。