JPS62291027A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS62291027A JPS62291027A JP61132721A JP13272186A JPS62291027A JP S62291027 A JPS62291027 A JP S62291027A JP 61132721 A JP61132721 A JP 61132721A JP 13272186 A JP13272186 A JP 13272186A JP S62291027 A JPS62291027 A JP S62291027A
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- JP
- Japan
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- ray
- mirror
- synchrotron radiation
- radiation light
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- Pending
Links
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線露光装置に係り、詳しくは大面積のＸ線マ
スクパターンを均一に転゛写できるＸ線露光装置に関す
る。
スクパターンを均一に転゛写できるＸ線露光装置に関す
る。
シンクロトロン放射光を使用するＸ線露光の原理は、蓄
積リングのシンクロトロン放射光源から放射されたシン
クロトロン放射光を、Ｘ線吸収材によりマスクパターン
の描かれたＸ線マスクを通して被加工物上のレジスト膜
にマスクパターンを転写するものである。
積リングのシンクロトロン放射光源から放射されたシン
クロトロン放射光を、Ｘ線吸収材によりマスクパターン
の描かれたＸ線マスクを通して被加工物上のレジスト膜
にマスクパターンを転写するものである。
シンクロトロン放射光は、電子軌道面に対して平行な方
向には均一であるが垂直な方向には鋭い強度分布を持つ
ため、放射光源から１０ｍ程度離れた位置でも、幅数ｍ
ｍの均一露光域しか得られない。
向には均一であるが垂直な方向には鋭い強度分布を持つ
ため、放射光源から１０ｍ程度離れた位置でも、幅数ｍ
ｍの均一露光域しか得られない。
従来、均一露光域を拡大する方法として、例えば１９８
３年に発行された刊行物ニュークリア・インストルメン
ツ・アンド・メソソズ（ＮｕｃｌｅａｒＩｎｓｔｒｕｍ
ｅｎｔｓ Ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ） ２０８巻、２
８１〜２８６頁に開示されているように、振動するＸ線
ミラーによる方法が広く用いられている。
３年に発行された刊行物ニュークリア・インストルメン
ツ・アンド・メソソズ（ＮｕｃｌｅａｒＩｎｓｔｒｕｍ
ｅｎｔｓ Ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ） ２０８巻、２
８１〜２８６頁に開示されているように、振動するＸ線
ミラーによる方法が広く用いられている。
第２図は、上記の振動するＸ線ミラーを用いたＸ線露光
装置を示す。このＸ線露光装置によれば、蓄積リング１
のシンクロトロン放射光源２から放射されたシンクロト
ロン放射光３は、振動するミラー８によって上下方向に
拡大されてＸ線マスク４を通して被加工物６上のＸ線レ
ジスト５に照射される。
装置を示す。このＸ線露光装置によれば、蓄積リング１
のシンクロトロン放射光源２から放射されたシンクロト
ロン放射光３は、振動するミラー８によって上下方向に
拡大されてＸ線マスク４を通して被加工物６上のＸ線レ
ジスト５に照射される。
一般にＸ線ミラーにおけるＸ線の反射率はミラーに対す
る入射角θとＸ線の波長に依存する。第３図に典型的な
Ｘ線ミラーの一つであるＳｉＣミラーの反射率曲線を示
す。このように入射角θが大きくなるほど短波長のＸ線
を反射しにくくなる。
る入射角θとＸ線の波長に依存する。第３図に典型的な
Ｘ線ミラーの一つであるＳｉＣミラーの反射率曲線を示
す。このように入射角θが大きくなるほど短波長のＸ線
を反射しにくくなる。
従って、従来の振動するＸ線ミラーを使用する露光装置
では、振動によってＸ線ミラーへの入射角が変化するた
め、Ｘ線レジストに照射されるＸ線量が露光域の上部と
下部で異なり、十分な露光均一性が得られず、また、露
光域の上部では波長の短いＸ線が照射されるため、露光
解像度に悪影響を与えるという欠点を有している。
では、振動によってＸ線ミラーへの入射角が変化するた
め、Ｘ線レジストに照射されるＸ線量が露光域の上部と
下部で異なり、十分な露光均一性が得られず、また、露
光域の上部では波長の短いＸ線が照射されるため、露光
解像度に悪影響を与えるという欠点を有している。
本発明の目的はこのような従来の問題点を除去し、大面
積の露光を均一に行うことのできるＸ線露光装置を櫂供
することにある。
積の露光を均一に行うことのできるＸ線露光装置を櫂供
することにある。
本発明は、シンクロトロン放射光源から放射されるシン
ク１−１１・１′１７ン放射光を反射させ、Ｘ線マスク
を通してＸ線レジストが塗布された被加工物上に照射す
る、振動するＸ線ミラーを備えるＸ線露光装置において
、上記シンクロトロン放射光源と上記Ｘ線ミラーとの間
に少なくとも１枚の固定されたＸ線ミラーをさらに設け
たことを特徴としている。
ク１−１１・１′１７ン放射光を反射させ、Ｘ線マスク
を通してＸ線レジストが塗布された被加工物上に照射す
る、振動するＸ線ミラーを備えるＸ線露光装置において
、上記シンクロトロン放射光源と上記Ｘ線ミラーとの間
に少なくとも１枚の固定されたＸ線ミラーをさらに設け
たことを特徴としている。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明に係るＸ線露光装置の一実施例を示す概
略図である。基本的構成は第２図のＸ線露光装置とほぼ
同しであるが、本実施例ではジンクロトｉコン放射光源
２とＳｉＣミラーよりなる振動するＸ線ミラー８との間
に固定されたＸ線ミラー７を設けている。なお、第２図
のＸ１ｌｉｔ露光装置と同一の構成部分には同一の番号
を付して示している。
略図である。基本的構成は第２図のＸ線露光装置とほぼ
同しであるが、本実施例ではジンクロトｉコン放射光源
２とＳｉＣミラーよりなる振動するＸ線ミラー８との間
に固定されたＸ線ミラー７を設けている。なお、第２図
のＸ１ｌｉｔ露光装置と同一の構成部分には同一の番号
を付して示している。
本実施例のＸ線露光装置では、蓄積リング１のシンクロ
トロン放射光源２からのシンクロトロン放射光３ば、固
定ミラー７と振動ミラー８の２枚のＸ線ミラーで反射さ
れる。このとき、固定ミラー７へのシンクロトロン放射
光３の入射角θ１ と、振動ミラーへの入射角θ２±α
が０１ 〉θ２＋αの関係となるようにθ１．θ２．α
を選べば固定ミラー７に反射されたシンクロトロン放射
光３のスペクトルは振動ミラー８で反射されてもほとん
ど変化しない。例えば、θ１を１度、θ２を０．３５度
、αを０．１５度とすれば振動ミラー８への入射角θ２
±αは０．２度から０．５度までとなるが、この入射角
の変化により反射率が大きく変わる４人より短波長の成
分ばあらかしめ固定ミラー７によって除かれているため
、振動ミラー８によるスペクトルの変化はほとんど起こ
らない。このため、Ｘ線レジスト５上のどの高さにおい
ても同一のスペクトル、同一の線量で露光が行われる。
トロン放射光源２からのシンクロトロン放射光３ば、固
定ミラー７と振動ミラー８の２枚のＸ線ミラーで反射さ
れる。このとき、固定ミラー７へのシンクロトロン放射
光３の入射角θ１ と、振動ミラーへの入射角θ２±α
が０１ 〉θ２＋αの関係となるようにθ１．θ２．α
を選べば固定ミラー７に反射されたシンクロトロン放射
光３のスペクトルは振動ミラー８で反射されてもほとん
ど変化しない。例えば、θ１を１度、θ２を０．３５度
、αを０．１５度とすれば振動ミラー８への入射角θ２
±αは０．２度から０．５度までとなるが、この入射角
の変化により反射率が大きく変わる４人より短波長の成
分ばあらかしめ固定ミラー７によって除かれているため
、振動ミラー８によるスペクトルの変化はほとんど起こ
らない。このため、Ｘ線レジスト５上のどの高さにおい
ても同一のスペクトル、同一の線量で露光が行われる。
以上の実施例では、シンクロトロン放射光源２と振動ミ
ラー８との間に１枚の固定ミラーを設けているが、固定
ミラーの数は１枚に限る必要はなく、２枚以上の固定ミ
ラーを設け、シンクロトロンをこれら固定ミラーにより
順次反射させて短波長の成分を除いてから振動ミラーに
入射させてもよい。
ラー８との間に１枚の固定ミラーを設けているが、固定
ミラーの数は１枚に限る必要はなく、２枚以上の固定ミ
ラーを設け、シンクロトロンをこれら固定ミラーにより
順次反射させて短波長の成分を除いてから振動ミラーに
入射させてもよい。
以上述べたように、少なくとも１枚の固定ミラーと１枚
の振動ミラーとを用いた露光装置により、均一露光が行
えることば明らかであり、これにより本発明の目的を達
成することができる。
の振動ミラーとを用いた露光装置により、均一露光が行
えることば明らかであり、これにより本発明の目的を達
成することができる。
以上説明したように本発明によれば、第１にシンクロト
ロン放射光によるＸ線露光で大面積のパターン転写を実
現でき、第２に有害な短波長のＸ線を除くことができる
。さらに第３に、シンクロトロン放射光が直接照射され
るミラーは炭化物による汚染が激しいことが知られるが
、本発明では、複雑な駆動部の無い固定ミラーにシンク
ロトロン放射光が直接照射されるので、従来のＸ線露光
装置に比べ、汚染されたミラーの交換、洗浄が容易とな
る。
ロン放射光によるＸ線露光で大面積のパターン転写を実
現でき、第２に有害な短波長のＸ線を除くことができる
。さらに第３に、シンクロトロン放射光が直接照射され
るミラーは炭化物による汚染が激しいことが知られるが
、本発明では、複雑な駆動部の無い固定ミラーにシンク
ロトロン放射光が直接照射されるので、従来のＸ線露光
装置に比べ、汚染されたミラーの交換、洗浄が容易とな
る。
第１図は本発明に係るＸ線露光装置の一実施例を示す概
略図、 第２図はシンクロトロン放射光を用いた従来のＸ１ｍ露
光装置の概略図、 第３図は典型的なＸ線ミラーの１つであるＳｉＣミラー
の反射率曲線を示す図である。 １・・・・・蓄積リング ２・・・・・シンクロトロン放射光源 ３・・・・・シンクロトロン放射光 ４・・・・・Ｘ線マスク ５・・・・・Ｘ線レジスト ６・・・・・被加工物
略図、 第２図はシンクロトロン放射光を用いた従来のＸ１ｍ露
光装置の概略図、 第３図は典型的なＸ線ミラーの１つであるＳｉＣミラー
の反射率曲線を示す図である。 １・・・・・蓄積リング ２・・・・・シンクロトロン放射光源 ３・・・・・シンクロトロン放射光 ４・・・・・Ｘ線マスク ５・・・・・Ｘ線レジスト ６・・・・・被加工物
Claims (1)
- （１）シンクロトロン放射光源から放射されるシンクロ
トロン放射光を反射させ、Ｘ線マスクを通してＸ線レジ
ストが塗布された被加工物上に照射する、振動するＸ線
ミラーを備えるＸ線露光装置において、上記シンクロト
ロン放射光源と上記Ｘ線ミラーとの間に少なくとも１枚
の固定されたＸ線ミラーをさらに設けたことを特徴とす
るＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132721A JPS62291027A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132721A JPS62291027A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291027A true JPS62291027A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15088025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61132721A Pending JPS62291027A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1189242A3 (en) * | 2000-09-18 | 2006-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus and method, semiconductor manufacturing apparatus and microstructure |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP61132721A patent/JPS62291027A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1189242A3 (en) * | 2000-09-18 | 2006-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus and method, semiconductor manufacturing apparatus and microstructure |
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