JPS6229123A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6229123A JPS6229123A JP16668285A JP16668285A JPS6229123A JP S6229123 A JPS6229123 A JP S6229123A JP 16668285 A JP16668285 A JP 16668285A JP 16668285 A JP16668285 A JP 16668285A JP S6229123 A JPS6229123 A JP S6229123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic capacitor
- chloranil
- solid electrolytic
- complex
- tetrathiofulvalene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、有機錯体を固体電解質として用いた性能の良
好な固体電解コンデンサに関する。
好な固体電解コンデンサに関する。
従来の技術
従来の固体電解コンデンサ、例えばアルミニウム電解コ
ンデンサは、エツチング処理した皮表面積の大きい多孔
質アルミ箔の上に誘電体である酸化アルミニウム層を設
け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸させた
構造からなっていることはよく知られている通りである
が、電解液が液状であることば液漏れ等の問題を惹起し
好ましいものではなく、従って、この電導層を固体電解
質で代替する試みがなされている。かかる固体電解コン
デンサは、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム、タンタ
ルなどの被膜形成金属に固体電解質を付着せしめた構造
を有するものであり、この種の固体コンデンサの固体電
解質としては、主に硝酸マンガンの熱分解によって形成
される二酸化マンガンが用いられている。しかし、この
熱分解の際に要する高熱と発生するＮＯガスの酸化作用
などによって、誘電体であるアルミニウム、タンタルな
どの金属酸化皮膜の損傷があり、そのため耐電圧が低下
し、漏れ電流が大きくなり、誘電特性を劣化させるなど
の極めて大きな欠点がある。また、このような固体電解
コンデンサでは、再化成という工程も必要となるという
欠点もある。
ンデンサは、エツチング処理した皮表面積の大きい多孔
質アルミ箔の上に誘電体である酸化アルミニウム層を設
け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸させた
構造からなっていることはよく知られている通りである
が、電解液が液状であることば液漏れ等の問題を惹起し
好ましいものではなく、従って、この電導層を固体電解
質で代替する試みがなされている。かかる固体電解コン
デンサは、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム、タンタ
ルなどの被膜形成金属に固体電解質を付着せしめた構造
を有するものであり、この種の固体コンデンサの固体電
解質としては、主に硝酸マンガンの熱分解によって形成
される二酸化マンガンが用いられている。しかし、この
熱分解の際に要する高熱と発生するＮＯガスの酸化作用
などによって、誘電体であるアルミニウム、タンタルな
どの金属酸化皮膜の損傷があり、そのため耐電圧が低下
し、漏れ電流が大きくなり、誘電特性を劣化させるなど
の極めて大きな欠点がある。また、このような固体電解
コンデンサでは、再化成という工程も必要となるという
欠点もある。
これらの欠点を補うため、高熱を付加せずに固体電解質
層を形成する方法、つまり高電導性の有機半導体材料を
固体電解質とする方法が提案されている。例えば特開昭
５２−７９２５５号公報、特開昭５８−１７６０９号公
報に、７．７，８．８−テトラシアノキノジメタン（以
下、ＴＣＮＱと略す）を主成分とする固体電解コンデン
サが記載されている。
層を形成する方法、つまり高電導性の有機半導体材料を
固体電解質とする方法が提案されている。例えば特開昭
５２−７９２５５号公報、特開昭５８−１７６０９号公
報に、７．７，８．８−テトラシアノキノジメタン（以
下、ＴＣＮＱと略す）を主成分とする固体電解コンデン
サが記載されている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、これらの固体電解コンデンサは、ＴＣＮ
Ｑ塩の熱安定性が悪いために、固体電解コンデンサを高
温で長時間保持することは困難であった。従って、本発
明の目的は、かかる従来技術の問題点に鑑み、高温でも
安定な固体電解コンデンサを開発することにある。
Ｑ塩の熱安定性が悪いために、固体電解コンデンサを高
温で長時間保持することは困難であった。従って、本発
明の目的は、かかる従来技術の問題点に鑑み、高温でも
安定な固体電解コンデンサを開発することにある。
問題点を解決するための手段
即ち、本発明に従えば、テトラチオテトラセン又はテト
ラチオフルバレンとクロラニルとの錯体を固体電解質と
して成る前記問題を解決した固体電解コンデンサが提供
される。
ラチオフルバレンとクロラニルとの錯体を固体電解質と
して成る前記問題を解決した固体電解コンデンサが提供
される。
発明の作用及び効果
本発明の固体電解コンデンサは、たとえば第１図に示す
ような構造をもつ。即ち、アルミニウム、タンタル、ニ
オブ等の弁金属表面（陽極）２に電解酸化された多孔質
誘電体酸化被膜３を設け、これにテトラチオテトラセン
又はテトラチオフルバレンとクロラニルとのｉｌ）体の
被膜６が接触していて錯体の一部が細孔内に入っている
。さらにアルミ等の金属層の陰極４を設けた後樹脂７で
封口されている。なお第１図において、１は陽極リード
線、５は陰極リード線を示す。
ような構造をもつ。即ち、アルミニウム、タンタル、ニ
オブ等の弁金属表面（陽極）２に電解酸化された多孔質
誘電体酸化被膜３を設け、これにテトラチオテトラセン
又はテトラチオフルバレンとクロラニルとのｉｌ）体の
被膜６が接触していて錯体の一部が細孔内に入っている
。さらにアルミ等の金属層の陰極４を設けた後樹脂７で
封口されている。なお第１図において、１は陽極リード
線、５は陰極リード線を示す。
本発明において固体電解質として使用されるテトラチオ
テトラセンとクロラニルとの錯体は、例えばテトラセン
とイオウとの反応で得たテトラチオテトラセンを適当な
溶媒中でクロラニルと接触せしめることによって製造す
ることができ、このようにして得られたテトラチオテト
ラセンとクロラニルとの錯体は、３００℃でも安定でＴ
ＣＮＱ塩の安定域をはるかに凌駕し、電導度も１０ 〜
１０Ｓ−ロ と高い。
テトラセンとクロラニルとの錯体は、例えばテトラセン
とイオウとの反応で得たテトラチオテトラセンを適当な
溶媒中でクロラニルと接触せしめることによって製造す
ることができ、このようにして得られたテトラチオテト
ラセンとクロラニルとの錯体は、３００℃でも安定でＴ
ＣＮＱ塩の安定域をはるかに凌駕し、電導度も１０ 〜
１０Ｓ−ロ と高い。
一方、本発明において固体電解質として使用されるテト
ラチオフルバレンとクロラニルとの錯体も、例えばテト
ラチオフルバレンを適当な溶媒中でクロラニルと接触せ
しめることによって製造することができ、このようにし
て得られたテトラチオフルバレンとクロラニルとの錯体
は、２８０℃でも安定でＴＣＮＱ塩の安定域を凌駕し、
電導度も１０ 〜１０Ｓ−ｃｏ＋ と高いものである
。
ラチオフルバレンとクロラニルとの錯体も、例えばテト
ラチオフルバレンを適当な溶媒中でクロラニルと接触せ
しめることによって製造することができ、このようにし
て得られたテトラチオフルバレンとクロラニルとの錯体
は、２８０℃でも安定でＴＣＮＱ塩の安定域を凌駕し、
電導度も１０ 〜１０Ｓ−ｃｏ＋ と高いものである
。
本発明においてテトラチオテトラセン又はテトラチオフ
ルバレンとクロラニルとの錯体を誘電体薄層の細孔内に
導入するには、例えば前記錯体を１．３−プロパンジオ
ール又はアセトニトリル等の溶媒に溶解して入れたり、
テトラチオテトラセン又はテトラチオフルバレンをアセ
トン又はトリクロロベンゼンなどの適当な溶媒に熔かし
て細孔内に導入した後、クロラニルの溶液を加えたり、
或いはテトラチオテトラセン又はテトラチオフルバレン
を細孔内に導入した後、クロラニルガスを導入して細孔
内で錯体を形成せしめたりする方法を用いることができ
る。
ルバレンとクロラニルとの錯体を誘電体薄層の細孔内に
導入するには、例えば前記錯体を１．３−プロパンジオ
ール又はアセトニトリル等の溶媒に溶解して入れたり、
テトラチオテトラセン又はテトラチオフルバレンをアセ
トン又はトリクロロベンゼンなどの適当な溶媒に熔かし
て細孔内に導入した後、クロラニルの溶液を加えたり、
或いはテトラチオテトラセン又はテトラチオフルバレン
を細孔内に導入した後、クロラニルガスを導入して細孔
内で錯体を形成せしめたりする方法を用いることができ
る。
発明の効果
本発明の固体電解コンデンサは、従来公知の固体電解コ
ンデンサに比較して下記の利点を有する極めて実用性の
高いものである。
ンデンサに比較して下記の利点を有する極めて実用性の
高いものである。
■ 高温加熱することなしに電解質層を形成できるので
陽極の酸化皮膜の損傷がなく、補修のための陽極酸化（
再化成）を行なう必要がな（、そのため、定格電圧を従
来の数倍にでき、同容量、同定格電圧のコンデンサを得
るのに、形状を小型化することができる。
陽極の酸化皮膜の損傷がなく、補修のための陽極酸化（
再化成）を行なう必要がな（、そのため、定格電圧を従
来の数倍にでき、同容量、同定格電圧のコンデンサを得
るのに、形状を小型化することができる。
■ 錯体が微粉であるので誘電体皮膜との付着性が良い
ため、（ｉ）漏れ電流が小さい、（ｉｉ ）高耐圧のコ
ンデンサを製作できる。
ため、（ｉ）漏れ電流が小さい、（ｉｉ ）高耐圧のコ
ンデンサを製作できる。
■ 電解質の電導度が１０−１〜１０°５−ｃｍ と
十分に高いため、グラファイトなどの導電層を設ける必
要がなく、そのため工程が簡略化され、コスト的にも有
利となる。
十分に高いため、グラファイトなどの導電層を設ける必
要がなく、そのため工程が簡略化され、コスト的にも有
利となる。
■ 高周波数特性が良い。
実施例
以下実施例を示し、本発明の詳細な説明するが、本発明
の技術的範囲をこれらの実施例に限定するもの゛でない
ことはいうまでもない。又各別の固体電解コンデンサの
特性値を第１表に示した。
の技術的範囲をこれらの実施例に限定するもの゛でない
ことはいうまでもない。又各別の固体電解コンデンサの
特性値を第１表に示した。
実施例１
厚さ１００μｍのアルミニウム′７ｆ３（純度９９．９
９％）を陽極とし、これに直流及び交流を交互に使用し
て箔の表面を電気化学的にエツチングし、平均細孔径が
２μｍで、比表面積が１２ｒ＋（／ｇの多孔質アルミニ
ウム箔を得た。次いでこのエツチング処理したアルミニ
ウム箔をホウ酸アンモニウムの液中に浸漬し、液中で電
気化学的にアルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成し
た。
９％）を陽極とし、これに直流及び交流を交互に使用し
て箔の表面を電気化学的にエツチングし、平均細孔径が
２μｍで、比表面積が１２ｒ＋（／ｇの多孔質アルミニ
ウム箔を得た。次いでこのエツチング処理したアルミニ
ウム箔をホウ酸アンモニウムの液中に浸漬し、液中で電
気化学的にアルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成し
た。
一方、テトラチオテトラセンのクロラニル錯体の赤紫色
微粉を１，３−プロパンジオールに溶解して前記誘電体
層に塗布し、減圧脱気をくり返し充分細孔まで溶液を満
たした後、溶媒を除去した。
微粉を１，３−プロパンジオールに溶解して前記誘電体
層に塗布し、減圧脱気をくり返し充分細孔まで溶液を満
たした後、溶媒を除去した。
陰極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口して固体電解
コンデンサを作成した。
コンデンサを作成した。
実施例２
テトラチオテトラセンのトリクロロベンゼン溶液を実施
例１と同様にして得た誘電体層に塗布し、減圧脱気をく
り返し充分細孔まで溶液を満たした後、溶媒を除去した
。さらに、クロラニルの蒸気を窒素ガスとともに導入し
、誘電体層上でテトラチオテトラセンとクロラニルの錯
体を形成せしめた。その後実施例３と同様にして固体電
解コンデンサを作成した。
例１と同様にして得た誘電体層に塗布し、減圧脱気をく
り返し充分細孔まで溶液を満たした後、溶媒を除去した
。さらに、クロラニルの蒸気を窒素ガスとともに導入し
、誘電体層上でテトラチオテトラセンとクロラニルの錯
体を形成せしめた。その後実施例３と同様にして固体電
解コンデンサを作成した。
実施例３
厚さ１００μｍのアルミニウム箔（純度９９．９９％）
を陽極とし、これに直流及び交流を交互に使用して箔の
表面を電気化学的にエツチングし、平均細孔径が２μｍ
で、比表面積が１２ｍ／ｇの多孔質アルミニウム箔を得
た。次いでこのエツチング処理したアルミニウム箔をホ
ウ酸アンモニウムの液中に浸漬し、液中で電気化学的に
アルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成した。
を陽極とし、これに直流及び交流を交互に使用して箔の
表面を電気化学的にエツチングし、平均細孔径が２μｍ
で、比表面積が１２ｍ／ｇの多孔質アルミニウム箔を得
た。次いでこのエツチング処理したアルミニウム箔をホ
ウ酸アンモニウムの液中に浸漬し、液中で電気化学的に
アルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成した。
一方、テトラチオフルバレンのクロラニル錯体の微粉を
アセトニトリルに溶解して前記誘電体層に塗布し、減圧
脱気をくり返し充分細孔まで溶液を満たした後、溶媒を
除去した。陰極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口し
て固体電解コンデンサを作成した。
アセトニトリルに溶解して前記誘電体層に塗布し、減圧
脱気をくり返し充分細孔まで溶液を満たした後、溶媒を
除去した。陰極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口し
て固体電解コンデンサを作成した。
実施例４
テトラチオフルバレンのトリクロロベンゼン溶液を実施
例３と同様にして得た誘電体層に塗布し、減圧脱気をく
り返し充分細孔まで溶液を満たした後、溶媒を除去した
。さらに、クロラニルの蒸気を窒素ガスとともに導入し
、誘電体層上でテトラチオフルバレンとクロラニルの錯
体を形成せしめた。その後実施例３と同様にして固体電
解コンデンサを作成した。
例３と同様にして得た誘電体層に塗布し、減圧脱気をく
り返し充分細孔まで溶液を満たした後、溶媒を除去した
。さらに、クロラニルの蒸気を窒素ガスとともに導入し
、誘電体層上でテトラチオフルバレンとクロラニルの錯
体を形成せしめた。その後実施例３と同様にして固体電
解コンデンサを作成した。
以上の実施例の固体電解コンデンサの特性を比較したも
のを以下の第１表に示した。
のを以下の第１表に示した。
（以下余白）
第 １ 表
実施例 容量 ｔａｎδ＊ もれ電流＊＊ 逆耐
電圧阻 （μＦ） （％） （μＡ＞
（Ｖ）実施例１ １．９ １．０
０．４８ １００以上＃２ ２．１
０．９ ０．５２ １００以上−３２
，３０，９０，３７１００以上 −４２，１０，９０，４２１００以上 ＊ １００ Ｋ１１ｚでの測定値 ＊＊５０Ｖでの値
電圧阻 （μＦ） （％） （μＡ＞
（Ｖ）実施例１ １．９ １．０
０．４８ １００以上＃２ ２．１
０．９ ０．５２ １００以上−３２
，３０，９０，３７１００以上 −４２，１０，９０，４２１００以上 ＊ １００ Ｋ１１ｚでの測定値 ＊＊５０Ｖでの値
第１図は、本発明による固体電解コンデンサの一具体例
を示す断面図である。 １・・・陽極リード線、２・・・陽極、３・・・酸化皮
膜、４・・・陰極、５・・・陰極リード線、６・・・錯
体、７・・・樹脂。 第１図 手続補正書（自発） 昭和６０年１２月斗日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１６６６８２号 ２、発明の名称 固体電解コンデンサ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２００）昭和電工株式会社 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号静光
虎ノ門ビル 電話５０４−０７２１ 、っ（外４名）
− ５、補正の対象 図面（第１図） ６、補正の内容 図面（第１図）を別紙の通り補正する。 ７、添付書類の目録
を示す断面図である。 １・・・陽極リード線、２・・・陽極、３・・・酸化皮
膜、４・・・陰極、５・・・陰極リード線、６・・・錯
体、７・・・樹脂。 第１図 手続補正書（自発） 昭和６０年１２月斗日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１６６６８２号 ２、発明の名称 固体電解コンデンサ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２００）昭和電工株式会社 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号静光
虎ノ門ビル 電話５０４−０７２１ 、っ（外４名）
− ５、補正の対象 図面（第１図） ６、補正の内容 図面（第１図）を別紙の通り補正する。 ７、添付書類の目録
Claims (1)
- １、テトラチオテトラセン又はテトラチオフルバレンと
クロラニルとの錯体を固体電解質として用いた固体電解
コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16668285A JPS6229123A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16668285A JPS6229123A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6229123A true JPS6229123A (ja) | 1987-02-07 |
| JPH0426534B2 JPH0426534B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=15835776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16668285A Granted JPS6229123A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6229123A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084751A (en) * | 1989-04-28 | 1992-01-28 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Bipolar transistor |
| WO2015029344A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP16668285A patent/JPS6229123A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084751A (en) * | 1989-04-28 | 1992-01-28 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Bipolar transistor |
| WO2015029344A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JPWO2015029344A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-03-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US9922771B2 (en) | 2013-08-30 | 2018-03-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426534B2 (ja) | 1992-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6154358A (en) | Solid electrolytic capacitor using a conducting polymer | |
| JPH0794368A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPS6037114A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS6247109A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| US5135618A (en) | Process for manufacturing a solid state electrolytic capacitor | |
| JPH1050558A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3030054B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3198518B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0267708A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0426534B2 (ja) | ||
| US4828738A (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| JPH0266923A (ja) | 巻回型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2001155965A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2716032B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| JPH0410204B2 (ja) | ||
| JPS6281707A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS6229124A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2969703B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS61218126A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH058565B2 (ja) | ||
| JPS60115215A (ja) | アルミニウム電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0582726B2 (ja) | ||
| JPS60245209A (ja) | コンデンサ | |
| JPH0520887B2 (ja) | ||
| JPS61271814A (ja) | 固体電解コンデンサ |