JPS62296281A

JPS62296281A - イメ−ジの面部分に面パタ−ンを充填する方法及び該方法実施のための装置

Info

Publication number: JPS62296281A
Application number: JP62143951A
Authority: JP
Inventors: ロブ・ウイレム・ロベルト
Original assignee: Oce Nederland BV
Current assignee: Canon Production Printing Netherlands BV
Priority date: 1986-06-09
Filing date: 1987-06-09
Publication date: 1987-12-23
Also published as: US4887228A; EP0249285A1; NL8601488A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】３、発明の詳細な説明本発明は、ラスタイメージメモリにビット表示の形態で
記憶されたイメージの面部分に面パターンを充填する方
法並びに該方法実施のための装置に係わる。

上記のような方法は例えば、文章のページ、絵のページ
、あるいは文章と絵とを５４１み合わせて有するページ
を使用者の指示に従って構成及び印刷し得る電子印刷シ
ステムに用いられる。印刷されるべき情報は例えばデー
タ処理システムにより、関連する周辺装置と用いて入力
され、かつラスタイメージメモリを含むフロントエン１
；システムによってマスク出力プリンタへと転送される
。

印刷されるべき完全なページに関するデータはラスタイ
メージメモリに記憶され得る。印刷されるべきページは
マトリクスの形態で存在する多数のラスタ点もしくは画
素に分割され、その際ラスタ点とラスタイメージメモリ
の１ビツトの記憶場所との間に一対一の対応が成立する
。従って、ラスタイメージメモリはビットマツプとして
も知られている。ラスタイメージメモリの記憶場所はし
ばしば、例えば１６ビツトワードのような多ビットワー
ドと組み合わせられる。そのような場合、ラスタイメー
ジメモリはワード対応型ビットマツプメモリと呼称され
る。

例えばレーザプリンタのようなマスク出力プリンタは、
ラスタイメージメモリから直列に読み出されたデータを
線単位に印刷するのに用いられる。

本出願と同一の出願人により１９８５年１２月１７日付
で出願されたオランダ特許出願第８５０３４６１号には
上記のような印刷システムが開示されており、このシス
テムでは文章情報も図形情報も印刷され得る０文章ｖＩ
報に必要なキャラクタもしくはフォノ１へは小さいビッ
トマツプの形態で記憶され、かつ対応する命令によって
、印刷されるべきページのためのと７１−マツプメモリ
内の必要な記憶場所に必要な大きさで転送され得る６図
形情報の入力用には特別のプログラムが作成されており
、このプログラムによって直線、円弧等が発生され得る
。

ビットマツプメモリでの適当な論理演算により図形要素
のビット表示同士を組み合わせることによって、様々な
図形要素及び記号が使用者の遭択において様々に組み合
わせられ得る。ラスタイメージメモリの内容はスクリー
ン上に表示され、それによって使用者は、印刷されるべ
きページのレイアラＩ・を任意に変更し得る。

印刷されるべきイメージの成る一定の面部分を、該面部
分に適当な面パターンを充填することによって視覚的に
強調することがしばしば必要とされる。

上記のような面パターンは、例えば綾目陰影や、ドット
ラスタあるいはラインラスタから成り得る。

同一の面パターンを互いに隣接し、あるいは重なり合う
幾つかの面部分に充填することが必要な場合、パターン
が２ｆ！！Ｊの面部分の境界で変位しないこと、あるい
は面部分す重複頭載に二重に出現しないことが保証され
るよう注意しなければならない。

従って本発明は、イメージの面部分に面パターンを充填
する方法であって、互いに隣接する、あるいは重なり合
う面部分においてパターンが途切れないような方法と、
該方法実施のための装置とを提供することを目的とする
。

上記目的は本発明によって、特許請求の範囲第１項に記
載の方法により達成される。

特許請求の範囲第２項〜第７項には、使用者による本発
明の実施を非常に様々かつ容易なものにし得る具体例が
記載されており、これらの具体例では計算動作に必要な
時間が最短化され、かつメモリへのアクセス回数が最少
化される。

本発明を、添１寸図面を参照しつつ具体例によって以下
に詳述する。

１制御第１図は、レーザプリンタ用のフロントエンドシステム
の概略的な説明図である。フロントエンドコントローラ
（Ｆ　Ｅ　Ｃ）１０は制御パネル１９並びにレーザプリ
ンタの制御システ１１２０と接続されている。フロント
エンドコン１−ローラ１０は、Ｍｏｔｏｒｏｌａ６８０
００マイクロプロセッサを具備した１６ビツトマイクロ
プロセツサシステム並びに局所的ＲＯＭを含み、また自
在にプログラム可能なメモリ（［”（ＡＭ）１２の一部
がフロントエンド制御部を構成している。印刷フォント
のビット表示、並びに面パターン発生用の基本パターン
のピッＩ・表示は、バクーン読み出しメモリ１３に記憶
されている。やはりＭｏｔｏｒｏｌａ　６８０００マイ
クロプロセツサを具備した１６ビツトマイクロプロセツ
サシステムを含むＩ１０プロセッサ１１が、フロントエ
ンドシステムをディスケットメモリ、ワークステーショ
ン、コンピュータ等と接続するのに用いられている。フ
ロントエンドコントローラ１０、Ｉ１０プロセッサ１１
、ＲＡＭ１２及びパターンメモリ１３は、標準的なＶ　
Ｐ、’ｔ　ＩＥババス４によって相互接続されている。

パターンメモリ１３は、ＲＡＭとして形成されることも
、またＲＡ　Ｍ　１２の一部を構成することも可能であ
る。その場合、必要な文字フォントあるいは面パターン
のビット表示は、ハードディスクメモリあるいはフロッ
ピディスクメモリからパターンメモリ１：３内に読み込
まれる。

ラスタイメージプロセッサ（ＲＩ　Ｐ　）１５も、Ｖ　
ＭＥババス４と接続されている。ラスタイメージプロセ
ッサ１５はまた、ラスタイメージバス（Ｒ１バス）１７
を介してラスタイメージメモリ（ＲＩ　Ｍ）１６とも接
続されている。ラスタイメージプロセッサ１５は、パタ
ーンメモリ１３で探索されてラスタイメージメモリ１６
の必要な記憶場所に読み込まれる文字フォント及び基本
面パターンでラスタイメージメモリ１６を満たすのに用
いられる。更に、ラスタイメージプロセッサ１５によっ
て他の図形情報も、ＲＡＭ１２から読み出されてラスタ
イメージメモリ１６の必要な記憶場所に書き込まれ得る
。ラスタイメージメモリ１６は情報で満たされた後ラス
タイメージプロセッサ１５を介して読み出され得、読み
出された情報は直列画素ビットストリ−ム１８及び変調器を介してレーザプリンタに供給される。

上述のようにしてレーザプリンタの光導電体上に形成さ
れるイメージは約０．０５Ｘ　０．０５１Ｊ２の大きさ
の画素から成るので、Ａ４判の印刷には約４０００ｘ　
６０００個の画素が必要である．従って、ラスタイメー
ジメモリ１６は約２４メガビツトもしくは３メガバイト
の容量を有する。ビデオ情報をラスタイメージメモリ１
６からレーザプリンタ２０に転送するデータ転送速度は
、約２５メガビツト／Ｓである。

印刷に必要な全データがＲ　Ａ　Ｍ　１２に、フロンＩ
・エンドコンＩ・ローラ１０によって制御されるＩ１０
プロセッサ１１を介して供給される。その後ラスタイメ
ージメモリ１６がラスタイメージプロセッサ１５によっ
て、Ｒ　Ａ　Ｍ　１２に上記のようにして記憶されたデ
ータで満たされる。このような条件下では通常、ラスタ
イメージメモリ１６にはまず図形要素がＲＡＭ１２ある
いはパターンメモリ１３から供給され、次いで文字フォ
ントが供給される。

ラスタイメージメモリ１６はダイナミックメモリであり
、ラスタイメージバス１７を介してもたらされるデータ
が使用者の必要に応じて、ラスタイメージメモリ１６に
既に記憶されているデータと共に論理演算に付されるこ
とを可能にする論理ユニットを含む。論理演算はラスタ
イメージメモリ１６の記憶場所毎に実施され、結果は該
メモリ１６の対応する記憶場所に戻される。こうして、
既存のイメージ情報は新しいイメージ情報と様々に混合
され得る（オーバレイ）。

様々なオーバレイの例を次表に示す。この表で、ＮＤは
新しいデータを、ＯＤは古いデータを意味する。

艮−　Ｉオーバレイ　　　　　　　　論理関数ＷＲ　Ｉ　ＴＥ　　　　　　　　ＮＤＰＡＩＮＴ　　　　　　　　ＮＤ．ＯＲ．○ＤＭＡＳＩ
ぐ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　ＮＤ．ＡＮＤ．ＯＤＥＲＡＳＥ　　　　　　　　ＮＤ
．ＡＮＤ，○ＤＩ　ＮＶＥＲＴ　　　　　　　ＮＤＩＮＶ．ＰＡＩＮＴ　　　　　ＮＤ．ＥＸＯＲ．ＯＤＮ
ＯＰ　　　　　　　　　　ＯＤＣ　Ｌ　Ｅ　Ａ　Ｒ　　　　　　　　Ｚ　Ｅ　ＲＯ（論
理状態Ｏ）ＳＥＴ　　　　　　　　　　ＯＮＢ＜論理状
！Ｆ！Ａｌ）面パターンの発生において最も普通に行な
われる論理演算は、ＰＡＩ　ＮＴ．ＥＲＡＳＥ及びＩＮ
Ｖ．ＰＡ　Ｉ　ＮＴである。

第２Ａ図〜第２Ｅ図は、矩形の面部分に面パターンを充
填する本発明方法のフローヂャ−１−を示す７初めに本
発明方法の基本的な理念を一第３［２Ｉに示した具体例
を参照して説明する。第３図は印刷されるべきページ２
２を示し、このページ２２の判型は画素１２０×１９２
個に対応する。判り易いように、第３図には実際に用い
られるものより粗いドットラスタを示す。互いに隣接す
る２個の矩形面部分２４及び２６には第３図に既に示し
である面パターンが、面部分２４と２６との境界に跨る
ことなく充填されるべきである。

そのために、第２Ａ図〜第２Ｅ図に示した本発明方法を
用いて、面パターンの充填がまず面部分２４に対して行
なわれ、次いで面部分２６に対して行われる。単独の矩
形面部分に面パターンを充填する方法の基本理念は、初
めページ２２の面全体に面パターンを充填し、次に当該
面部分に屈しない領域をマスクで覆うことである。この
方法で同一の面パターンが多数の矩形面部分に連続的に
充填されれば、パターンが面部分同士の境界で途切れず
に続くことが保証される。面部分同士が重なり合う場合
は重複領域内の面パターンが厳密に重なり合い、その結
果印刷されたページ上には途切れないパターンが現出す
る。

第３図の左手下方の隅に、面部分２４及び２６に充填さ
れるべきパターンを含む基本パターンブロック２８を示
ず。ページ２２は全体を４×４のブロックマトリクスに
分割され、このマトリクスの各要素は基本パターンブロ
ック２日に対応する。いずれも基本パターンブロック２
８に対応する１６個の基本パターンブロックがブロック
マトリクスに従って結合されると、ページ２２全体を満
たす途切れない面パターンが形成される。面パターンに
関する図形情報をｔ、４）るには、比鮫的小型である基
本パターンブロック２８の基本パターンをビットマツプ
の形態でパターンメモリ１３あるいはＲＡ　Ｍ　１２（
第１図）に記憶させれば十分である。第３図に示した具
体例において、基本パターンブロック２８は画素３０ｘ
４８個の大きさを有する。パターンメモリ１３及びラス
タイメージメモリ１６が１６ビツトワード対応型メモリ
として形成されているので、画素マトリクスの１列の画
素の各１６個は組み合わせられて１ワードに対応し、第
３図では垂直方向寸法をワードでも示しである。即ち、
基本パターンブロック２８はＣｗ＝画素３０個、高さＨ
＝３ワードであり、ページ２２仝体は幅ＤｒＭＸ＝画素
１２０個、高さＤ　Ｉ　Ｍ　Ｙ’＝１２ワードである。

例えば線の太さが異なり、間隔が異なり、あるいは異な
る方向に沖長する綾目陰影、ドラ１−格子あるいは線格
子のような様々な基本バク−〉・が、パターンメモリ１
３あるいはｆｌ　Ａ　Ｍ　１２に記憶される。

原則として、あらゆる所望の周期的面パターンがこのよ
うにして記憶され得る。様々な基本パターンは異なる外
形寸法を有し得る。ここに述べた具体例における制約は
せいぜい、基本パターンの、画素の個数で表される高さ
が１６の１ａ数てなければならないことぐらいである。

ラスタイメージブロセッサ１５の、基本パターン２８に
よって面部分２４に面パターンを充填する動作を、第２
Ａ図〜第２Ｅ図を参照しつつ次に説明する。

第２Ａ図のステップ１００にお（つるサイクルの開始後
、使用者によって入力された幾つかのパラメータがＶＭ
Ｅバス１４を介して読み込まれる。変数゛オーバレイの
種類“が、ラスタイメージメモリ１６の論理ユニットに
よって行なわれるべき論理演算（例えばＰ　Ａ　Ｉ　Ｎ
　Ｔ　）を特定コードで指示する。

パターンメモリ１３内に存在する基本パターン（例えば
第３図に示した基本パターン２８）は、変数°゛パター
ン識別”によって選択される。面パターンを充填される
べき面部分２４は、一対角線上に対向して位置する２個
の頂点の座ａ（ｘ　１＋３’　＋）及び（Ｘ２゜３／２
）によって指示される。第３図に示した例の場合、上記
座標の値く画素の個数）はｘ、＝３６、ｘ２＝１１５、ｙ＋＝２６及び、ｙ２＝４
５である。

゛パターン識別゛によって選択された基本パターンブロ
ック２８の幅Ｗ及び高さＨは、第２Ａ図のステップ１０
４において読み取られる。画素の個数で指示される高さ
ｌ−１は１６で除算され、その結果該高さはワードの個
数で得られる。ここに述べる具体例では、Ｗ＝３０及び
１１＝３である。

指示された面部分の境界に関しｘｌがＸ２より大きい場
合は、ｘｌの値とｘ２の値とが交換される（ステップ１
０６及び１０８）。対応して、ｙ）がｙ２より大きい場
合はｙｌの値とｙ２の値とが交換される（ステップ１１
０及び１１２）。それによって、面部分２４が左上の頂
点並びに右下の頂点によって定義されることが保証され
る。次のステップ１１４〜１２４において、面部分の境
界がページ２２の判型Ｄ　Ｉ　ＭＸｘＤ１〜ＩＹ内に位
置するかどうかを調べる試験が実施される。面部分２４
の境界を構成する画素も面部分２４の一部と見做される
ので、ステップ１１４で面部分の高さ及び福を計算する
際には必ず、座標値の差に１が加えられなければならな
４ｔ。面部夕′ｒ２４の境界の一つがページの判型から
はみ出す場合（まステップ１２４においてエラー信号が
発生され、第２Ｂ図のステップ１２６において変数′ノ
マターンンｒフセットパが計算さバる。この変数；よ、
Ｘ方１ｉＵ］　において基本パターンの幅Ｗ（即ち画素
３０個）タデのジヘ・ノブが実施されるとタスクイメー
ジメモ１ノ１６のアドレス分増大する直を示す。ラスタ
イメージメモリ１６においてアドレスはマトリクスの列
状Ｇこ割り振られており、即ちＸ方向におり）で画素１
（固タンのジャンプが実施されるとマスクイメージメモ
１）１６のアドレスはＤＩＭＹ（ページ２２）’７−　
Ｆ　Ｔ／＋１４１　ノワードの個数）だけ増大される。

次（こステ・ンプ１２８において、変数Ｘ　ｍ　＝　Ｘ
　＋　　Ｘ　１　＋ｎｏｄ　Ｗ力（３を算される。変数
Ｘ、は、点（ｘ＋、ｙ＋）を含むプロ・ツクの左方の境
界を指示する。図示した例でＣよ、ｘ、〜３６３（ｉ　
ｍｏｄ　３０＝３６−６＝３０である。次ｂ）で、゛°
ベースアドレス′°の値が、゛ベースア１ｚレス”　＝
　Ｘ　ｓＤＩＭＹ＋ｙ、ＤＩＶ　１６によって計算さｈ
る。

記号ＤＩＶは、除算して商の少数点以下を切り（占てる
ことを表す、即ち、ｙ、Ｄ丁Ｖ　１６＝２６　Ｄ　ＩＶ
１６＝１である。パベースアドレス°′値＆よ、ラスタ
イメージメモリ１６内のアドレスの口定自りな値て′あ
る。ページ２２上の対応する点を、第３図Ｇこｔ３’ｖ
）てＰ、によって示す。

マスク関数ｍａｓｋｌ、ｍａｓｋ２及びｍａＳｌ（が、
ステップ１３０で計算される。上３己マスク関数は、面
部分２４外の面）くターンを覆ν）隠すべく機能する６
面部分が矩形であるｔ９合、マスク（周数（ま面部分の
上方境界及び下方境界それぞれをごむワードについてさ
え定義されれζｆよ６ｔ。図示したＢｌｌにおいて、ｙ
　１ｍｏｄ　１６＝　１０である。ｖｅ−）てＩｎ　ａ
　Ｓｋｌは、ビット位置の最初の１０個力；Ｏ１ｉ’力
）って、あとの６個が１ぽかりである１６ビ・ントワー
Ｆとなる。

ｍ　ａ　ｓ　ｋ　ｌが、倒えばタスクイメージメモ１ノ
１６のワード対応区分に従って該メモリ１６内の場所Ｍ
　４こ書き込まれると、総てのＯは面部分２４外に、ま
た関連の１は面部分Ｚ４内に位置する。ｍａｓｋ２は面
部分２４の下方境界に関するマスク関数で、上方境界に
関するｍ　ａ　ｓ　ｋ　１に対応する。図示した例にお
いて、ｙ２　ｍｏｄ　１Ｇ−１３であり、ｍ　ａ　ｓ　
ｋ　２はビット位置の最初の１３個が１で、残りの３個
が０である１６ビツトワードとなる。マスク関１ｍａｓ
ｋを形成するために、ｍａｓｋｌとｍａｓｋ２とは論理
Ａ　Ｎ　Ｄ演算によって要素毎に組み合わせられる。ｍ
　２１　Ｓ　ｋに対応する１６ビツＩ〜ワードはこの例
テハ、ビット位Ｚ　１〜１０が０、ヒツト位ｒｆｉ１１
〜１：１１が１で、かつと７１・位置１４〜１６か０で
あるワードである。マスク関数ｍ　ａ　ｓ　ｋは、面部
分の上方境界と下方境界とが同一ワード内に位置する場
合に必要である。ｙ座標の幾つかの変換がステップ１３
２において実施される。値ｙｌ＊及びｙ２＊はそれぞれ
面部分の上方及び下方境界をワードで表すものである。

第３図では、ｙ＋に＝１及びｙ２に＝２である。

値Ｙ１及びＹ２は、面部分の上方及び下方境界力；それ
ぞれブロックマ１リクスのいずれの行に位置するかを示
す。第３図では面部分２４の全体がプロ・ツクマトリク
スの最上行に位置瞑このことはＹｌ−ｙ２＝０であるこ
とを怠昧する。値ｙＩ３及び３／２１は、面部分２４の
上方及び下方境界それぞれを含むブロックマトリクス行
の上方境界のｙ座標をワードで表すものである。第３図
では、ｙ、、−ｙ２．−〇である。

第２Ｂ図のステップ１３４において、ラスタイメージメ
モリ１６のベースアドレス゛ビ・ントス７・ノブ−ベー
スアドレス′°が計算される。ページ２２上のｉｔ応点
を、第３図においてＰ２で示す。この点Ｐ２は、点（ｘ
＋、ｙ＋）を含むブロックの左上の頂点に位置する。ス
テップ１３６〜１５２は一部重なり合った２個、　のル
ープを構成し、これらのループにおりＡで、／＜ターン
メモリ１３に記憶された基本パターンプロ・ツク２８の
ワードはワードマトリクスの列毎及び行四に走査され、
テスクイメージメモリ１６内に読み込まれる。ステップ
１４０〜１４４によって構成される内側のループは、基
本パターンブロック２８のワード行の走査に対応する。

このループの重要なステップ１４０はサブプログラムを
含み、このサブプログラムによって、列指標Ｗ及び行指
標りを有する１６ビツトワードＰ　ｗ、ｈがパターンメ
モリ１３から読み出され、読み出されたワードｐ　ｗ、
ｈは場合によってはマスク関数との論理演算の後にブロ
ックマトリクスの、面部分２４内に該ワードｐ　ｗｌｈ
の少なくとも一部が位にする総てのブロックでイメージ
化される。上記サブプログラムの諸特徴を、第２Ｃ図〜
第２Ｅ図を参照して更に詳述する。

基本パターンブロック２８の１個のワード列が完全に走
査された後、ベースアドレス゛ビットマツプーベースア
ドレス°”はステップ１５０でＤＩＭＹたり増大される
。このことは、点Ｐ２をＸ方向へ画素１個分だけ変位さ
せることに相当する。その後ループ１３８〜１５２が繰
り返され、基本パターンブロック２８の次のワード列が
走査される。全列の走査が終了すると、面部分には基本
パターン２８により面パターンが完全に充填され、手続
きはステップ１５４で終了す°る。

ステップ１４０のサブプログラムは、第２Ｃ図のステッ
プ１５６において開始する。

基本パターンブロック２８のワードｐ　ｗ、ｈはＶＭＥ
バス１４を介して直列に読み出される。その際基本パタ
ーンブロックのワードマ１〜リクスは左端の列から順次
列毎に走査され、かつ各列は上から下へ連続的に走査さ
れる。従って、サブプログラム１４０のステップ１５８
において読み出されるワードは、先にステップ１４２及
び１４６で設定された列及び行指標Ｗ及びｈ３確実に有
する。第３図に示した具体例においては、基本パターン
２８の、今まさに読み出されるワードｐ　、、ｈはＰ２
゜、ｌであるとする。ステップ１６０において変数アド
レスパベースアドレス″が導入されて、゛ビットマツプ
ーベースアドレス°゛に等しくされる。ｗ＝２０の時パ
ビットマップーペースアドレス”は、ステップ１５０で
の一定数ずつの増大の結果第３図において点Ｐ、に対応
する。

ステップ１６２において、ページ２２のいずれのブロッ
ク列が処理中であるかを画素の個数で指示するパラメー
タＸが定義される。第３図の例では、パラメータＸの値
（ま坊めｘｓ＋ｗ＝３０−１−２０＝５０に等しい。Ｘ
が面部分２４の右方の境界Ｘ２以下であれば（ステップ
１６４）、上記とは別の変数アドレス゛アドレス″がス
テップ１６６で定義され、゛ベースアドレス”＋１に等
しくされる。１を加算することが必要なのは、アドレス
指定及びデータ転送が第３図には示さないラスタイメー
ジバス１７を介して逐次実施さｔしるためである。パラ
メータＸが面部分２４の左方境界Ｘ、未溝であれば（ス
テップ１６８）、対応するワードは面部分２４内に未だ
配置され得ない、このような車止は、第３図の例ではＷ
が１〜５の時に起こる。その場合、ステップ１７０でア
ドレス′″ベースアドレス′″が値“パターンオフセッ
ト５′ｌたけ増大され（第３図のＰ３からＰ、へのジャ
ンプ）、パラメータＸはステップ１７２で基本パターン
ブロック２８の幅Ｗだけ増大される（Ｘ＝８０となる）
。

その後、ステップ１６４に始まるループが再度実行され
る。

ｗ＝２０であれば、ステップ１６８ての比較によってＸ
がＸ１以上であることが示される。この場合ワードＰ２
Ｏ１１は、ワード列Ｘ−５０中のあらゆる受容可能位置
に導入される。そのたｙ）に、まずステップ１７４で、
面部分が第３図の面部分２４のようにブロックマトリク
スのただ１個の行内に位置する（Ｙ　１＝　Ｙ　２）の
か、それとも例えば第３図の面部分２６のようにブロッ
クマトリクスの複数個の行に跨って伸張する（Ｙ、がＹ
２より小）のかが決定される。

面部分２４の場合、Ｙ、＝Ｙ２＝Ｏである。従って、第
２Ｄ図のステップ１７６が次のステップとして実行され
る。このステップ１７６では、ベージ２２の３’＋ｓに
よって指示されるワード行を含むブロック中に位置する
ワードｐ　ｗ、ｈのイメージが完全に面部分２４内に位
置するかどうかが検査される。ワードＰ２゜、、の例で
は満足されないが上記条件が満たされると、ワードｐ　
ｖ、ｈは上記マスク関数のいずれによっても変更される
必要が無く、ラスタイメージメモリ１６に読み込まれる
べき充填パターンワードＦはワードＰ、、１に相当する
くステップ１７！３）　。

ステップ１７６での比較の結果上記条件が満足されない
場合はステップ１８０において、ワードｐ　ｗ、ｂのイ
メージが面部分２４の上方境界ｙ♂に位置するかどうか
をみるべく比較がなされる。図示した例のように上記の
とおりであれば、面部分２４の上方境界と下方境界とが
同一のワード行内に位置する（ｙ　ｌ＊＝　ｙ　２＊）
かどうかがステップ１８２で検査される。ステップ１８
２で検査される条件は、図示した例では満たされない。

ワードｐ　ｗｌ、のイメージＦ１は面部分２４の上方境
界とのみ交差し、従ってワードＰ　ｗ、ｈはステップ１
８４において、マスク関数ｎｌ　ａｓｋｉとのＡＮＤ演
算を施される。その結果、面部分２４外に位置する部分
はイメージ化されない。

ステップ１８０でワードｐ　ｗｌｈのイメージが面部分
Ｚ４の上方境界ｙ−に位置しないことが示された場合は
、上記イメージが面部分２４の下方境界ｙ２＊に位置す
るかどうかがステップ１８６で検査される。そのとおり
であれば、ワードＰ＠３、はステップ１８８においてｍ
　ａ　ｓ　ｋ　２により変更される。そうでない場合、
即ちワードＰ　ＩＴ　＋　ｈのイメージが面部分２４と
全く重ならない場合は、プログラムはステップ１７０７
（第２Ｃ図）において続行される。ステップ１８２での
比較によってワードｐ　ｗ、ｈのイメージが面部分２４
の上方境界ｙ、とも下方境界ｙ２とも交差することが示
された場合は、ステップ１９０において上記イメージの
、面部分２４の上方及び下方境界それぞれの外側に位置
する部分が除去されるようにワードｐ　、、ｈをマスク
関数ｍ　ａ　ｓ　ｋで変更することによって充填パター
ンワードＦが発生される。ステ・ンブ１７８．１８４．
１８８及び１９０のうらの一つにおいて当該ブロックに
関し充填パターンワードＦが定義された後、ラスタイメ
ージメモリ１６の目的アドレスａ＝゛アドレス”＋ｈが
ステップ１９２で決定される。このアドレスａは、第３
図の点Ｐ５に対応する。充填パターンワードＦはステッ
プ１９４において、ラスタイメージメモリ１６のアドレ
スａにラスタイメージバス１７を介して害き込まれる。

その後、ステップ１７０がブロックマトリクスの次の列
に関して実行される。ステップ１７４（第２Ｃ図）で面
パターンを充填されるべき面部分がプロ・ツクマＩ・リ
クスの幾つかの行に跨って伸張することが示されると、
第２Ｅ図に示した手続きが実行される。この手続きな、
ワードＰ２゜、１並びに第３図の面部分２６に関して説
明する。ステップ１６６で定義されるアドレス“°アド
レス°°は第３図の点Ｐ４に対応する値分有するものと
する。このことは、処理されるべき最初のブロックが面
部分２６の左上の頂点を３むブロックであることを意味
する。

ステップ１９６において、アドレスａは点Ｐ６に対応す
る値“アドレス゛’十りに等しくされる。ワードＰ−，
ｈ（ｙ座標はｙ＋−＋ｈ）のイメージが完全に面部分２
６内に位置する場合（ステップ１９８）、ワードｐ　ｗ
ｌｈは充填パターンワードＦと見做される（ステップ２
００）。ワードｐ　ｗ＋ｈのイメージが面部分２６の上
方境界と交差する場合（ステップ２０２）は、ワードＰ
　ｗ、ｈはｍａｓｋｌで変更される（ステップ２０４）
。ステップ２００あるいは２０４で決定された充填パタ
ーンワードＦは、ステップ２０６においてアドレＸａに
書き込まれる。ステップ２０２においてワードＰ　ｗ、
ｈのイメージが完全に面部分２６外（上方境界より上）
に位置すると考えられる場合は、ワー１’Ｐ、、ｈは当
該ブロック内に配置され得ない。ステップ２０６あるい
は２０２に続いて、ブロックマトリクスの当該列中の次
のブロックの処理が行なわれる。ステップ２０８におい
てアドレスａが、基本パターンブロック２８の高さト■
に対応する値だけ増大される（点Ｐ７＞。Ｙ、はページ
２２のブロックマトリクスの、面部分２６の上方境界を
含む行を指示し、図示した例の場合値Ｏを有する。Ｙ２
は面部分２６の下方境界を含むブロック行を指示し、そ
の値はここでは３である。ブロック行１及び２中のブロ
ックでは、ワードｐ　ｗ、ｈのイメージはいずれの場合
も面部分２６内に位置する。上記ブロックは、ステップ
２１２〜２２０によって構成されるループで連続的に処
理される。そのために、上記ループの実行が終了する度
にステップ２２０で１だけ増大される指標ｉがステップ
２１０で定義され、指標ｉの増大は該指標ｉが値Ｙ２−
１に達するまで続けられる（ステップ２１２）　、上記
ループ実行の度に、充填パターンワードＦ　＝　Ｐ　、
、、、がステップ２１４及び２１６で当該ブロック内に
配置され、またステップ２１８ではアドレスａが増大さ
れて、当該ブロック下方の次のブロックのアドレスとな
る。上記ループの実行の完了後、面部分２６の下方境界
な含むブロックがステップ２２２に始まる手続きで処理
される。ステップ２２２〜２３０は、面部分２６の上方
境界を含むブロックのためのステップ１９８〜２０６と
同様である。ブロックマトリクスの１列全部の処理が終
了すると、ステップ１７０（第２Ｃ図）において次のブ
ロック列に切り替えられる。ステップ１６４で、ワード
Ｐ１４．のイメージが配置されるべき列Ｘがｘ２より外
側に位置することが示された場合、それは、ワードｐ　
ｗ、ｈに対応する充填パターンワードＦが面部分２６内
の総ての受容可能位置に配置されたことを意味し、サブ
プログラムはステップ２３２で終了される。

面部分２４及び２６に面パターンが、上述の方法によっ
て連続的に充填された場合、第３図に示したような２個
の面部分２４及び２Ｃ全体にわたって伸張する一様な面
パターンが構成される。このことは、基本パターンブロ
ック２８を用いてページ２２全体において一律な面パタ
ーンな規定すること、並びにページ２２５：ブロックマ
トリクスに分割することによって達成され、る。

処理時間を短縮するために、面パターンは実際には、ペ
ージ２２の全体にわたっては発生されない。

面パターンはページ２２の、面パターンを充填されるべ
き面部分が位置するブロックでのみ発生される。面パタ
ーンの正確な位置は、面パターンを充填されるべき面部
分の境界によってではなく、ブロックの境界によって規
定される。

上述の方法で、パターンメモリ１３から読み出された各
ワードＰ１ｈに関しブロックマトリクスの、当該ワード
Ｐ　ｗ、ｈに関連する部分が、ワードＰ、、７が総ての
受容可能位置に配置され得るように走査される。このこ
とは、Ｖ　ＭＥババス４を介してのパターンメモリ１３
からの時間の掛かる読み出しか時々しか、即ち基本パタ
ーンブロック２８の各ワードに関してしか必要でないと
いう利点を有する。上記とは逆に、面パターンを充填さ
れるべき面部分内の各ワードに関して対応するワードが
パターンメモリ１３から読み出されるのであれば、ブロ
ックを溝たすのに必要とされる処理時間はＶＭＥバス１
４を介しての読み込みの時間Ｔ　（Ｖ　Ｍ　Ｅ　）によ
って決定さｈよう。即ち、幅Ｘ及び高さｙ（高さはワー
ドで表される）の面部分のための処理時間は、Ｔ１＝Ｔ
（ＶＭＥ）・Ｘ−３’　　　　　　　　（１）となろう
。本発明による方法では、必要な処理時間は次のように
計算され得る。

Ｔ２＝［Ｔ（ＶＭＥ）＋＝　Ｔ（ＳＣＡＮ）１９．Ｉ−
Ｉ　Ｔ（Ｒ丁バス）〕・Ｗ・Ｈ（２）式（２）中、Ｔ（
ＲＩババスはラスタイメージバス１７のサイクルタイム
を、またＴ（ＳＣＡＮ）はブロンクマＩ・リクスの一つ
の列から次の列への走査切り替えに必要な処理時間を表
す、ラスタイメージプロセッサ１５はアドレスシーケン
サ（＾ｃｌｖａｎｃｅｄ　Ｈｉ−ｃｒｏ　Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ社の２９１ＯＡ　’）を含み、このシーケンサによっ
て第２Ｅ図に示したステップ２１２〜２２０がら成る、
ブロックマトリクスの同一列中のブロックにワードを配
置するためのループの実行が非常に急速に完了され得る
。従って、同一列中のブロックはラスタイメージバス１
７のサイクルタイム内に処理され得、その結果上記処理
のための余分な計算時間は必要ない。ラスタイメージバ
ス１７のサイクルタイムＴ（Ｒ１バス）は普通ＶＭＥバ
スのサイクルタイムＴ（ＶＭＥ）よりはるかに短いので
、本発明による方法は時間の著しい節約を実現する。

実用的なフロントエンドシステムにおいて、Ｔ（ＶＭＥ
）は約１μｓｃｃ、であり、一方Ｔ（ＲＩババス及びＴ
（ＳＣＡＮ）は約４００ｎｓｅｃ　、である。従って、
となる、第４図のグラフに、ｘ／Ｗの様々な値に関する
比Ｔ２／Ｔｌを示す。面パターンを充填されるべき面部
分の高さｙが基本パターンブロックの高さＨの少なくと
も０．５〜２倍であると、Ｔ２はＴ１より小さい。通常
の基本パターンブロックは画素６個の幅と、約２．４Ｈ
に対応する画素４８個の高さとを有する。実用１殆どの
場合において、面パターンを充填されるべき面部分の高
さは基本パターンブロックの高さよりはるかに大きく、
従って本発明による方法は有利である。

本発明は、ここに述べた具体例に限定されるものではな
い。比較可能な一具体例によって、例えば矩形でない面
部分にパターンを充填することも可能である。ここに述
べた具体例を、本発明の特許請求の範囲から逸脱するこ
となく任意に変形することは当業者には可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図はレーザプリンタ用のフロントエンドシステムの
概略的説明図、第２Ａ図〜第２Ｅ図は本発明による方法
のフローチャート、第３図は本発明の方法によってペー
ジ上の２個の面部分に面パターンが充填されるところを
示す説明図、第４図は処理時間を比較したグラフである
。１０・・・・・・フロンＩ・エンドコントローラ、１１
・旧・・Ｉ１０プロセッサ、１２・・・・・・メモリ、
１３・・・・・・パターンメモリ、１４・・・・・・Ｖ
ＭＥバス、１５・・・・・・ラスタイメージプロセッサ
、１Ｇ・・・・・・ラスタイメージバスリ、１７・・・
・・・ラスタイメージバス、１８・・・・・・バス、１
９・・・・・・制ａｌｌハネル、２０・・・・・・制御
システム、２２・・・・・・ページ、２４゜２６・・・
・・面部分、２８・・・・・基本パネルブロック。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ラスタイメージメモリにビット表示の形態で記憶
されたイメージの面部分に面パターンを充填する方法で
あって、 −イメージ面全体にわたって一律に規定された面パター
ンのビット表示を発生すること、 −面部分の境界内に位置するラスタ点に第一の論理値を
与え、前記境界外に位置するラスタ点に第二の論理値を
与えるマスク関数を発生すること、 −面パターンのビット表示並びにマスク関数について論
理演算を行なうことによって充填パターンを発生するこ
と、及び −充填パターンをラスタイメージメモリに転送すること
を特徴とする方法。
（２）ラスタイメージメモリへの転送の際充填パターン
がラスタイメージメモリの既存内容と、使用者の選択す
る論理演算によって組み合わせられることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の方法。
（３）面パターンが少なくとも一つの次元において周期
性を有し、イメージ面全体の上に規定された面パターン
のビット表示は面パターンにおいて周期的に反復する基
本パターンブロックの、パターンメモリに永久に記憶さ
れたビット表示を用いて発生され、その際イメージ面全
体が、マトリクス要素が常に基本パターンブロックに対
応するブロックマトリクスに分割され、このブロックマ
トリクスは基本パターンブロックで行毎に、及び／また
は列毎に走査されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項に記載の方法。
（４）パターンメモリ及びラスタイメージメモリがワー
ド対応型メモリであり、パターンメモリに記憶された各
ワードは１回だけ前記パターンメモリから読み出され、
かつブロックマトリクスの様々なブロックにおいて行毎
に、及び／または列毎にイメージ化されることを特徴と
する特許請求の範囲第３項に記載の方法。
（５）基本パターンワードがブロックマトリクスの、少
なくとも１個のラスタ点を面パターンを充填されるべき
面部分と共有するブロックにおいてのみイメージ化され
ることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の方法
。
（６）各基本パターンワードのイメージのブロックマト
リクスの個々のブロックにおける位置が面パターンを充
填されるべき面部分との関連において決定され、基本パ
ターンワードは該ワードの一部が面パターンを充填され
るべき面部分内に位置し、かつ一部が該面部分外に位置
する場合にのみマスク関数と論理的に関連付けられ、そ
れによって対応する充填パターンワードが発生され、ま
た基本パターンワードは該ワードが完全に前記面部分内
に位置する場合にのみ不変のまま充填パターンワードと
してラスタイメージメモリ内に読み込まれることを特徴
とする特許請求の範囲第５項に記載の方法。
（７）面パターンが矩形の面部分に充填され、面部分及
び基本パターンブロックはｘｙ方向への広がりを有し、
その際ワード並びにブロックマトリクスの列はｙ方向に
伸長し、各基本パターンワード並びにブロックマトリク
スの個々の列に関して、当該列の複数個のブロックにお
いて基本パターンワードのイメージがｘ方向で面部分の
最小値より小さい値を有するかどうか、あるいは面部分
の最大値より大きい値を有するかどうかが検査され、も
し有するならブロックマトリクスの次の列、あるいは次
の基本パターンワードに関して検査が続行されることを
特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の方法。
（８）特許請求の範囲第１項から第７項のいずれかに記
載の方法を実施するための装置。