JPS62296477A - 受光装置 - Google Patents
受光装置Info
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- JPS62296477A JPS62296477A JP61139621A JP13962186A JPS62296477A JP S62296477 A JPS62296477 A JP S62296477A JP 61139621 A JP61139621 A JP 61139621A JP 13962186 A JP13962186 A JP 13962186A JP S62296477 A JPS62296477 A JP S62296477A
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- Japan
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- cut filter
- light
- optical
- region
- light receiving
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
(イ)産業上の利用分野
本発明は光照射を受けると光電動作する光センサを備え
た受光装置に関する。
た受光装置に関する。
(ロ)従来の技術
光照射を受けると光電動作する光センサの光入射面側に
特定領域の波長、例えば赤外線領域の波長を遮断する赤
外!1(IR)カットフィルタ等の光学的カットフィル
タを配!した受光装置は例えば特開昭58−19778
3号公報に開示された如く既に知られている。即ち、上
記先行技術に開示された受光装置は光センサの半導体光
活性磨として、分光感度領域が可視光領域及び赤外領域
に及ぶ車結晶シリコンを用いるために、可視光領域のみ
の光を溝光しようとすると、上記IRカットフィルタが
必要となる。
特定領域の波長、例えば赤外線領域の波長を遮断する赤
外!1(IR)カットフィルタ等の光学的カットフィル
タを配!した受光装置は例えば特開昭58−19778
3号公報に開示された如く既に知られている。即ち、上
記先行技術に開示された受光装置は光センサの半導体光
活性磨として、分光感度領域が可視光領域及び赤外領域
に及ぶ車結晶シリコンを用いるために、可視光領域のみ
の光を溝光しようとすると、上記IRカットフィルタが
必要となる。
一方、分光感度領域が第5図に示す如くほぼ可視光領域
と一致するアモルファスシリコンを半4体光活性着とす
る光センサも例えば特開昭58−31585号公報に開
示されている如く知られている。そして、更に斯るアモ
ルファスシリコンを半導体光活性層とする光センサの光
入射側に上記可視光領域の特定波長、例えば青色領域、
緑色領域、赤色領域の色フィルタを配置した受光装置も
特開昭59−148372号公報に開示されている。こ
のアモルファスシリコンを半導体光活性層とした場合、
斯る光活性層の分光感度領域は上述の如くほぼ可視光領
域と一致するために基本的にはIRカットフィルタの紫
外線領域の波長を遮断する紫外線(UV)カットフィル
タは本質的には不用であるものの、僅かにIR領領域U
V領域に上記分光感度領域の裾野が広がっており、正確
に可視光領域のみを測定する際には上記IRカットフィ
ルタやUVカットフィルタが不可欠な存在となる。
と一致するアモルファスシリコンを半4体光活性着とす
る光センサも例えば特開昭58−31585号公報に開
示されている如く知られている。そして、更に斯るアモ
ルファスシリコンを半導体光活性層とする光センサの光
入射側に上記可視光領域の特定波長、例えば青色領域、
緑色領域、赤色領域の色フィルタを配置した受光装置も
特開昭59−148372号公報に開示されている。こ
のアモルファスシリコンを半導体光活性層とした場合、
斯る光活性層の分光感度領域は上述の如くほぼ可視光領
域と一致するために基本的にはIRカットフィルタの紫
外線領域の波長を遮断する紫外線(UV)カットフィル
タは本質的には不用であるものの、僅かにIR領領域U
V領域に上記分光感度領域の裾野が広がっており、正確
に可視光領域のみを測定する際には上記IRカットフィ
ルタやUVカットフィルタが不可欠な存在となる。
この様なIR力ットフィルりやUVカットフィルタ等の
光学的カットフィルタをアモルファスシリコン等の半導
体光活性層を支持する支持基板の受光面側に直接或いは
色フィルタを挾んで接着固定したところ、冷熱サイクル
試験や耐湿試験に於いて当該カットフィルタが剥離した
り、割れたりしては頼性が乏しく実用的でないことが判
明した。
光学的カットフィルタをアモルファスシリコン等の半導
体光活性層を支持する支持基板の受光面側に直接或いは
色フィルタを挾んで接着固定したところ、冷熱サイクル
試験や耐湿試験に於いて当該カットフィルタが剥離した
り、割れたりしては頼性が乏しく実用的でないことが判
明した。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点本発明は上記I
RカットフィルタやUVカットフィルタ等の光学的カッ
トフィルタを光入射側に配置しても冷熱サイクル試験や
耐湿試験に於いて当該カットフィルタが剥離したり、害
Uれたりする事故を解決しようとするものである。
RカットフィルタやUVカットフィルタ等の光学的カッ
トフィルタを光入射側に配置しても冷熱サイクル試験や
耐湿試験に於いて当該カットフィルタが剥離したり、害
Uれたりする事故を解決しようとするものである。
(ニ)問題点を解決するだめの手段
本発明受光装置は上記問題点を解決するために、光入射
側に光入射窓が穿たれた熱可塑性樹脂からなる外囲器の
背面側開口部から、特定領域の波長を遮断する光学的カ
ットフィルタと、光照射を受けると光電動作する光セン
サと、を顕次挿通し、上記背面側開口部の周辺の少なく
とも一部分を熱変形せしめて上記光学的カットフィルタ
と光センサを密接状態で外囲器内に収納固定したことを
特徴とする。
側に光入射窓が穿たれた熱可塑性樹脂からなる外囲器の
背面側開口部から、特定領域の波長を遮断する光学的カ
ットフィルタと、光照射を受けると光電動作する光セン
サと、を顕次挿通し、上記背面側開口部の周辺の少なく
とも一部分を熱変形せしめて上記光学的カットフィルタ
と光センサを密接状態で外囲器内に収納固定したことを
特徴とする。
(ホ) 作用
上述の如く光学的カットフィルタは光センサと共に外囲
器の背面側開口部から挿通後、上記背面側開口部の周辺
が熱変形せしめられることによって、外囲器の光入射側
と背面側との間に上記光センサの光入射側と密接状態で
収納固定される。
器の背面側開口部から挿通後、上記背面側開口部の周辺
が熱変形せしめられることによって、外囲器の光入射側
と背面側との間に上記光センサの光入射側と密接状態で
収納固定される。
(へ)実施例
図は本発明受光装置の一実施例を示し、第1図は光入射
側から臨んだ正面図、第2図は光入射に対して背面側か
ら臨んだ背面図、第3図は第1図に於けるA−A’!!
縦断面図、第4図は第3図の縦断面に相当する部分の組
立て前の状態の分解斜視図を夫々示している。
側から臨んだ正面図、第2図は光入射に対して背面側か
ら臨んだ背面図、第3図は第1図に於けるA−A’!!
縦断面図、第4図は第3図の縦断面に相当する部分の組
立て前の状態の分解斜視図を夫々示している。
(1)はポリカーボネイト樹脂、ポリブチルテレフタレ
ート(PBT)等の熱可塑性樹脂からなる遮光性の外囲
器で、光入射側には光入射窓(2)が穿たれていると共
に、背面側には被収納部材を挿通すべく上記光入射窓(
2)より開口面積が大きい開口部(3〉が設けられてい
る。(4)はガラス等の透光性支持基板(5)の背面側
に複数個並置された膜状光i!換素子(6)を備えた光
センサで、例えば膜状光電変換素子(6)は分光感度領
域が第5図に示す如くほぼ可視光領域と一致するアモル
ファスシリコンを半導体光活性層とし、膜面に平行なp
in接合、pn−n”接合等の半導体接合を形成してい
る。
ート(PBT)等の熱可塑性樹脂からなる遮光性の外囲
器で、光入射側には光入射窓(2)が穿たれていると共
に、背面側には被収納部材を挿通すべく上記光入射窓(
2)より開口面積が大きい開口部(3〉が設けられてい
る。(4)はガラス等の透光性支持基板(5)の背面側
に複数個並置された膜状光i!換素子(6)を備えた光
センサで、例えば膜状光電変換素子(6)は分光感度領
域が第5図に示す如くほぼ可視光領域と一致するアモル
ファスシリコンを半導体光活性層とし、膜面に平行なp
in接合、pn−n”接合等の半導体接合を形成してい
る。
(7)は上記複数個並置された膜状光電変換素子(6)
の各々と対向して支持基板(5)の光入射側に接着固定
された赤色領域、緑色領域、青色領域の各特定波長を透
過せしめる光学的バンドパスフィルタ奢並置した色フィ
ルタ板で、該色フィルタ板(7)上での上記特定波長の
光学的バンドパスフィルタの配置パターンは第1図の正
面図に示す如く緑色領域のバンドパスフィルタを中央に
配置し、その両サイドに中心対称的に赤色領域のバンド
パスフィルタと青色領域のバンドパスフィルタが一対づ
つ設けられている。その結果入射窓(2)で区画された
受光領域は、中央に緑色受光領域(8G)を配置し、赤
色受光領域(8R1)(8R2)及び青色受光領域(8
B+)(8Bz)を左右中心対称に設けた5つの領域に
分訓されている。 (9R)(9G)(9B)は上記赤
色、緑色及び青色受光領域(8R1>(8Rt)、(8
G)、(8B電)(8Bz)の光電変換素子(6)・・
・の一方の電極と連なり光電変換出力を導出する各色毎
のリードビンで、上記赤色受光領域(8B+)(8R2
)と青色受光領域(8B+)(8B2)は中心対称に左
右に2分割されているためにそれら各受光領域の光電変
換素子(6)・・・も同様に2分割きれてはいるものの
、支持基板(5)の背面に於いて同色の受光領域の光電
変換素子(6)・・・はその一方の電極同士が結線され
ており、各色毎に一本のリードピン(9R)(9G)(
9B)となっている、(9C)は上記各受光領域の光電
変換素子(6)・・・の一方の電極とは異なり他方の電
極と共通に連なる共通リードビンで、該共通のリードピ
ン(9C)と各色毎のリードピン(9R)(9G)(9
B)は支持基板(5)の背面の延長方向に延びている。
の各々と対向して支持基板(5)の光入射側に接着固定
された赤色領域、緑色領域、青色領域の各特定波長を透
過せしめる光学的バンドパスフィルタ奢並置した色フィ
ルタ板で、該色フィルタ板(7)上での上記特定波長の
光学的バンドパスフィルタの配置パターンは第1図の正
面図に示す如く緑色領域のバンドパスフィルタを中央に
配置し、その両サイドに中心対称的に赤色領域のバンド
パスフィルタと青色領域のバンドパスフィルタが一対づ
つ設けられている。その結果入射窓(2)で区画された
受光領域は、中央に緑色受光領域(8G)を配置し、赤
色受光領域(8R1)(8R2)及び青色受光領域(8
B+)(8Bz)を左右中心対称に設けた5つの領域に
分訓されている。 (9R)(9G)(9B)は上記赤
色、緑色及び青色受光領域(8R1>(8Rt)、(8
G)、(8B電)(8Bz)の光電変換素子(6)・・
・の一方の電極と連なり光電変換出力を導出する各色毎
のリードビンで、上記赤色受光領域(8B+)(8R2
)と青色受光領域(8B+)(8B2)は中心対称に左
右に2分割されているためにそれら各受光領域の光電変
換素子(6)・・・も同様に2分割きれてはいるものの
、支持基板(5)の背面に於いて同色の受光領域の光電
変換素子(6)・・・はその一方の電極同士が結線され
ており、各色毎に一本のリードピン(9R)(9G)(
9B)となっている、(9C)は上記各受光領域の光電
変換素子(6)・・・の一方の電極とは異なり他方の電
極と共通に連なる共通リードビンで、該共通のリードピ
ン(9C)と各色毎のリードピン(9R)(9G)(9
B)は支持基板(5)の背面の延長方向に延びている。
(10)は支持基板(5)の背面側を一ヒ記リードピン
(9C)(9R)(9G>(9B)の結合後覆い光電変
換素子(6)・・・を保護するエポキシ樹脂等の保護膜
である。
(9C)(9R)(9G>(9B)の結合後覆い光電変
換素子(6)・・・を保護するエポキシ樹脂等の保護膜
である。
(11)は波長約700nm以上のIR領領域透過を遮
断するIRカットフィルタ、(12)は波長約400n
m以下のUV領域の透過を遮断するUVカットフィルタ
で、該UVカットフィルタ(12)及び!Rカットフィ
ルタ(11)の各々は光センサ(4)の光入射側に設け
られ、該光センサ(4)に入射せしめられる光を可視光
領域に限定する。
断するIRカットフィルタ、(12)は波長約400n
m以下のUV領域の透過を遮断するUVカットフィルタ
で、該UVカットフィルタ(12)及び!Rカットフィ
ルタ(11)の各々は光センサ(4)の光入射側に設け
られ、該光センサ(4)に入射せしめられる光を可視光
領域に限定する。
而して、本発明受光装置の組立てを説明する。
先ず、第4図に示す如く、外囲器(1)の背面側に被収
納部材であるUVカットフィルタ(12)、IRカント
フィルタ〈11)及び光センサく4)をこり層圧で配置
する。光センサ(4)に予めその支持基板(5)の光入
射側の面に赤色領域、緑色領域、青色領域の各特定波長
を透過せしめる光学的バンドパスフィルタを5分割パタ
ーンに配置した各フィルタ板(7)が接着により一体的
に固定きれていると共に、支持基板(5)の背面に上記
光学的バンドパスフィルタの5分割パターンに対応して
設けられた膜状光電変換素−F(6)・・・はリードピ
ン(9C)(9R)(9G)(9B)を結合後、保護膜
(10)により覆われている。斯るUVカットフィルタ
(12)、IRカットフィルタ(11)及び光センサ(
4)の3部材を、外囲器(1)の背面側開口部(3)か
ら順次各部材間に隙間が発生することなく密接関係に挿
通する。この状態では上記UVカットフィルタ(12)
乃至光センサ(4)は密接関係にあるものの、外囲器(
1)に対して機械的に固定きれていない、尚、上記外囲
器(1)の背面側開口部(3)には光センサ(4)のリ
ードピン(9Cバ9 R)(9G)(9B)が外囲器(
1)外に延在すべく切欠部(13C)(13R)(13
G )(13B )が設けられている。そして、斯る切
欠部(13C)(13R)(13G )(13B )の
背面から光入射窓(2)に向う挿入方向の深さは、IR
カットフィルタ(11)及びUVカットフィルタ(12
)を必要としない形態の受光装萱に対しても外囲器(1
)の共通利用を許容すべく十分に深く切り欠かれている
。
納部材であるUVカットフィルタ(12)、IRカント
フィルタ〈11)及び光センサく4)をこり層圧で配置
する。光センサ(4)に予めその支持基板(5)の光入
射側の面に赤色領域、緑色領域、青色領域の各特定波長
を透過せしめる光学的バンドパスフィルタを5分割パタ
ーンに配置した各フィルタ板(7)が接着により一体的
に固定きれていると共に、支持基板(5)の背面に上記
光学的バンドパスフィルタの5分割パターンに対応して
設けられた膜状光電変換素−F(6)・・・はリードピ
ン(9C)(9R)(9G)(9B)を結合後、保護膜
(10)により覆われている。斯るUVカットフィルタ
(12)、IRカットフィルタ(11)及び光センサ(
4)の3部材を、外囲器(1)の背面側開口部(3)か
ら順次各部材間に隙間が発生することなく密接関係に挿
通する。この状態では上記UVカットフィルタ(12)
乃至光センサ(4)は密接関係にあるものの、外囲器(
1)に対して機械的に固定きれていない、尚、上記外囲
器(1)の背面側開口部(3)には光センサ(4)のリ
ードピン(9Cバ9 R)(9G)(9B)が外囲器(
1)外に延在すべく切欠部(13C)(13R)(13
G )(13B )が設けられている。そして、斯る切
欠部(13C)(13R)(13G )(13B )の
背面から光入射窓(2)に向う挿入方向の深さは、IR
カットフィルタ(11)及びUVカットフィルタ(12
)を必要としない形態の受光装萱に対しても外囲器(1
)の共通利用を許容すべく十分に深く切り欠かれている
。
この様にして、外囲器(1)の背面側開口部(3)から
、UVカットフィルタ(12)、 I Rカットフィ
ルタ(11)及び光センサ(4)を互いに密接関係に神
道後、この状態を保持して第2図の背面図の如く、上記
外囲器(1)の背面側開口部(3)の周辺を3箇所半田
ごてのような加熱棒を利用して開口径を縮小する方向に
熱変形せしめる。すると、熱変形による熱変形部(14
)(14)(14)は光センサ(4)の保護膜(10)
と当接することとなり被収納部材の移動を阻止する。従
って、外囲器(1)の内部に互いに密接関係に挿通され
それらの側面が遮光された被収納部材であるUv′hy
トフィルタ(12)、IRカットフィルタ(11)及び
光センサ(4)は開口部(3)周辺の熱変形によりその
密接状態及び側面遮光状態をJ1読して収納固定される
ことによって組立て作業が終了する。
、UVカットフィルタ(12)、 I Rカットフィ
ルタ(11)及び光センサ(4)を互いに密接関係に神
道後、この状態を保持して第2図の背面図の如く、上記
外囲器(1)の背面側開口部(3)の周辺を3箇所半田
ごてのような加熱棒を利用して開口径を縮小する方向に
熱変形せしめる。すると、熱変形による熱変形部(14
)(14)(14)は光センサ(4)の保護膜(10)
と当接することとなり被収納部材の移動を阻止する。従
って、外囲器(1)の内部に互いに密接関係に挿通され
それらの側面が遮光された被収納部材であるUv′hy
トフィルタ(12)、IRカットフィルタ(11)及び
光センサ(4)は開口部(3)周辺の熱変形によりその
密接状態及び側面遮光状態をJ1読して収納固定される
ことによって組立て作業が終了する。
斯る収納構造の本発明受光装置とUVカットフィルタ(
12)とIR力ットフィルり(11)を光センサ(4)
の入射側に接着固定した従来構造の受光装置に対して冷
熱サイクル試験及び耐湿試験を施した。冷熱サイクル試
験は1サイクル4時間の間に=20℃−80”C−−2
0℃の温度変化を与え各温度状態で30分間保持する冷
熱サイクルを、5サイクル繰り返し行なうものであり、
また耐湿試験は温度40°C1湿度95%の恒温恒湿状
態に500時間放置する。
12)とIR力ットフィルり(11)を光センサ(4)
の入射側に接着固定した従来構造の受光装置に対して冷
熱サイクル試験及び耐湿試験を施した。冷熱サイクル試
験は1サイクル4時間の間に=20℃−80”C−−2
0℃の温度変化を与え各温度状態で30分間保持する冷
熱サイクルを、5サイクル繰り返し行なうものであり、
また耐湿試験は温度40°C1湿度95%の恒温恒湿状
態に500時間放置する。
斯る冷熱サイクル試験及び耐湿試験の結果、本発明受光
装置の受光領域(8R+)(8Ri)、(8G)、(8
B+)(8B2)を光入射窓(2)から臨んだところ、
Uv力ットフィルり(12)及びIRカットフィルタ(
11)の剥離、割れ等の外観異常の発生は認められなか
ったのに対し、従来構造の受光装置にあっては使用する
接着剤(エポキシ系、アクリル系、シリコーン系)にも
よるものの、両試験をクリアすることができなかった。
装置の受光領域(8R+)(8Ri)、(8G)、(8
B+)(8B2)を光入射窓(2)から臨んだところ、
Uv力ットフィルり(12)及びIRカットフィルタ(
11)の剥離、割れ等の外観異常の発生は認められなか
ったのに対し、従来構造の受光装置にあっては使用する
接着剤(エポキシ系、アクリル系、シリコーン系)にも
よるものの、両試験をクリアすることができなかった。
特に従来の受光装置にあってはIRカットフィルタク1
1)の異常が多く、また冷熱サイクル試験よりも耐湿試
験に於いてフィルタ間に気泡の混入が発生し、入射光に
対する反射率の位置的変動が認められた。
1)の異常が多く、また冷熱サイクル試験よりも耐湿試
験に於いてフィルタ間に気泡の混入が発生し、入射光に
対する反射率の位置的変動が認められた。
(ト) 発明の効果
本発明受光装置は以上の説明から明らかな如く、光学的
カットフィルタを光センサと共に外囲器の背面側開口部
から挿通後、上記背面側開口部の周辺の少なくとも一部
分を熱変形せしめたので、上記光学的カットフィルタを
接着剤を使用することなく外囲器の光入射側と背面側と
の間に上記光センサの光入射側と密接した状態で収納固
定することができる。従って、IRカットフィルタやU
Vカットフィルタ等の光学的カットフィルタを光入射側
に配置しても冷熱サイクル試験や耐湿試験に於いて当該
カットフィルタが剥離したり、割れたりすることはなく
温顔性が向上する。
カットフィルタを光センサと共に外囲器の背面側開口部
から挿通後、上記背面側開口部の周辺の少なくとも一部
分を熱変形せしめたので、上記光学的カットフィルタを
接着剤を使用することなく外囲器の光入射側と背面側と
の間に上記光センサの光入射側と密接した状態で収納固
定することができる。従って、IRカットフィルタやU
Vカットフィルタ等の光学的カットフィルタを光入射側
に配置しても冷熱サイクル試験や耐湿試験に於いて当該
カットフィルタが剥離したり、割れたりすることはなく
温顔性が向上する。
図は本発明受光装置の一実施例を示し、第1図は光入射
側から臨んだ正面図、第2図は光入射に対して背面側か
ら臨んだ背面図、第3区は第1rAに於けるA−A ’
線縦断面図、第4図は第3図の縦断面に相当する部分の
組立て前の状態の分解斜視図、第5図はアモルファスシ
リコンを半導体光活性層とする膜状光電変換素子の分光
感度特性図、を夫々示している。 (1)・・・外囲器、(4)・・・光センサ、(7)・
・・色フィルタ板、(11)・・・赤外線(I R)カ
ットフィルタ、(12)・・・紫外線(UV)カットフ
ィルタ、(14)・・・熱変形部。
側から臨んだ正面図、第2図は光入射に対して背面側か
ら臨んだ背面図、第3区は第1rAに於けるA−A ’
線縦断面図、第4図は第3図の縦断面に相当する部分の
組立て前の状態の分解斜視図、第5図はアモルファスシ
リコンを半導体光活性層とする膜状光電変換素子の分光
感度特性図、を夫々示している。 (1)・・・外囲器、(4)・・・光センサ、(7)・
・・色フィルタ板、(11)・・・赤外線(I R)カ
ットフィルタ、(12)・・・紫外線(UV)カットフ
ィルタ、(14)・・・熱変形部。
Claims (5)
- (1)光入射側に光入射窓が穿たれた熱可塑性樹脂から
なる外囲器の背面側開口部から、特定領域の波長を遮断
する光学的カットフィルタと、光照射を受けると光電動
作する光センサと、を順次挿通し、上記背面側開口部の
周辺の少なくとも一部分を熱変形せしめて上記光学的カ
ットフィルタと光センサを密接状態で外囲器内に収納固
定したことを特徴とする受光装置。 - (2)上記光学的カットフィルタは紫外線領域の波長を
遮断する紫外線カットフィルタであることを特徴とした
特許請求の範囲第1項記載の受光装置。 - (3)上記光学的カットフィルタは赤外線領域の波長を
遮断する赤外線カットフィルタであることを特徴とした
特許請求の範囲第1項記載の受光装置。 - (4)上記光学的カットフィルタは紫外線領域の波長を
遮断する紫外線カットフィルタと赤外線領域の波長を遮
断する赤外線カットフィルタとの複合フィルタであるこ
とを特徴とした特許請求の範囲第1項記載の受光装置。 - (5)上記光センサは可視光領域の特定波長を透過せし
める光学的バンドパスフィルタを備えていることを特徴
とした特許請求の範囲第1項乃至第4項何れか記載の受
光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61139621A JPS62296477A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 受光装置 |
| US07/063,241 US4755666A (en) | 1986-06-16 | 1987-06-15 | Photosensor frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61139621A JPS62296477A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62296477A true JPS62296477A (ja) | 1987-12-23 |
Family
ID=15249547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61139621A Pending JPS62296477A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62296477A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171051U (ja) * | 1988-05-20 | 1989-12-04 | ||
| JP2006093691A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 |
| JP2006100508A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子および撮像素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492056A (ja) * | 1972-04-25 | 1974-01-09 |
-
1986
- 1986-06-16 JP JP61139621A patent/JPS62296477A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492056A (ja) * | 1972-04-25 | 1974-01-09 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171051U (ja) * | 1988-05-20 | 1989-12-04 | ||
| JP2006093691A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 |
| JP2006100508A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子および撮像素子 |
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