JPS62297457A - 蒸着用マスク - Google Patents
蒸着用マスクInfo
- Publication number
- JPS62297457A JPS62297457A JP13924286A JP13924286A JPS62297457A JP S62297457 A JPS62297457 A JP S62297457A JP 13924286 A JP13924286 A JP 13924286A JP 13924286 A JP13924286 A JP 13924286A JP S62297457 A JPS62297457 A JP S62297457A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- mask
- holes
- semiconductor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概 要〕
半導体（Ｓｔ）基板上に所定パターンの厚膜導体層（ボ
ンディングパット、バンプなど）を真空蒸着によって形
成する際に使用する蒸着用マスクが、半導体基板と同じ
材料（同じ熱膨張率）の半導体板を用いて所定パターン
の位置ずれおよびだれを防止する。
ンディングパット、バンプなど）を真空蒸着によって形
成する際に使用する蒸着用マスクが、半導体基板と同じ
材料（同じ熱膨張率）の半導体板を用いて所定パターン
の位置ずれおよびだれを防止する。
本発明は、半導体装置の製造、より詳しくは、半導体基
板上に所定パターンの導体層を真空蒸着によって形成す
るために使用する蒸着用マスクに関するものである。
板上に所定パターンの導体層を真空蒸着によって形成す
るために使用する蒸着用マスクに関するものである。
本発明は、半導体集積回路での接続用のバンプ。
ボンディングバットをはんだなどの導電材料を所定パタ
ーン透孔を有するマスクを介して真空蒸着して形成する
のに、特に、適している。
ーン透孔を有するマスクを介して真空蒸着して形成する
のに、特に、適している。
上述の蒸着用マスクとしてメタルマスクが使用されてい
た。このメタルマスクはモリブデン（Ｍｏ）。
た。このメタルマスクはモリブデン（Ｍｏ）。
ニッケル（Ｎ ｉ） 、ステンレスなどの薄い金属板を
用いて、所定パターン透孔をプレスなどの打抜またはエ
ツチングによって形成している（例えば、。
用いて、所定パターン透孔をプレスなどの打抜またはエ
ツチングによって形成している（例えば、。
特開昭５２−９９０７７号公報参照）。
メタルマスクを用いてシリコン（Ｓｉ）基板上にバンプ
、ボンディングバットを真空蒸着で形成するときに、メ
タルマスクは蒸着中に熱い蒸発金属の被着、蒸発源の加
熱器による輻射熱などによって加熱される。そして、メ
タルマスクの金属（Ｍｏ 、 Ｎｉ 、ステンレス）は
シリコンとは熱膨張率が異なるために、メタルマスクと
シリコン基板との間で位置ずれが生じたり、メタルマス
クにたるみが生じてメタルマスクとシリコン基板との間
に生じた隙間で蒸着金属がまわり込んで導体パターンの
だれとなっている。
、ボンディングバットを真空蒸着で形成するときに、メ
タルマスクは蒸着中に熱い蒸発金属の被着、蒸発源の加
熱器による輻射熱などによって加熱される。そして、メ
タルマスクの金属（Ｍｏ 、 Ｎｉ 、ステンレス）は
シリコンとは熱膨張率が異なるために、メタルマスクと
シリコン基板との間で位置ずれが生じたり、メタルマス
クにたるみが生じてメタルマスクとシリコン基板との間
に生じた隙間で蒸着金属がまわり込んで導体パターンの
だれとなっている。
半導体装置は高集積化が進み、微細加工が一層進められ
て、ダンプ、ボンディングバットの形状も小さくされ、
その位置精度を高め、かつ相互の接触を回避することが
課題になっており、従来のメタルマスクでは十分それに
答えられていない。
て、ダンプ、ボンディングバットの形状も小さくされ、
その位置精度を高め、かつ相互の接触を回避することが
課題になっており、従来のメタルマスクでは十分それに
答えられていない。
本発明の目的は、位置ずれ、だれのないシャープなパタ
ーンのバンプ、ポンディングパッドを真空蒸着形成でき
る蒸着用マスクを提供することである。
ーンのバンプ、ポンディングパッドを真空蒸着形成でき
る蒸着用マスクを提供することである。
上述の目的が、半導体基板上に所定パターンの導体層を
真空蒸着によって形成するための透孔を有する蒸着用マ
スクにおいて、蒸着用マスクが半導体基板と同じ材料の
半導体板であり、エツチングによって所定パターンの透
孔が形成されていることを特徴とする蒸着用マスクによ
って達成される。
真空蒸着によって形成するための透孔を有する蒸着用マ
スクにおいて、蒸着用マスクが半導体基板と同じ材料の
半導体板であり、エツチングによって所定パターンの透
孔が形成されていることを特徴とする蒸着用マスクによ
って達成される。
本発明によると、蒸着用マスクを半導体基板と同じ材料
（例えば、単結晶シリコン、 ＧａＡｓなど）で作るの
で、蒸着用マスクと基板とは同じ熱膨張率であり、熱膨
張率の差に起因した従来の欠点は生じない。
（例えば、単結晶シリコン、 ＧａＡｓなど）で作るの
で、蒸着用マスクと基板とは同じ熱膨張率であり、熱膨
張率の差に起因した従来の欠点は生じない。
以下、添付図面を参照して本発明の実施態様例によって
本発明の詳細な説明する。
本発明の詳細な説明する。
第１図は透孔を有する蒸着用マスクの平面図であり、単
結晶シリコン板（例えば、シリコンウェハ）１に所定パ
ターンの透孔２が形成されて、蒸着用マスクとなってい
る。このシリコン板１は、例えば、その厚さが５０〜４
００μｍのものであり、通常のリングラフィ法（ホトエ
ツチング法など）にしたがって異方性エツチング又は等
方性エツチングによって所定のポンディングパッド（又
はバンプ）に対応する透孔２があげられている。
結晶シリコン板（例えば、シリコンウェハ）１に所定パ
ターンの透孔２が形成されて、蒸着用マスクとなってい
る。このシリコン板１は、例えば、その厚さが５０〜４
００μｍのものであり、通常のリングラフィ法（ホトエ
ツチング法など）にしたがって異方性エツチング又は等
方性エツチングによって所定のポンディングパッド（又
はバンプ）に対応する透孔２があげられている。
このようにして作成したシリコン板（蒸着用マスク）１
を半導体装置となるシリコン基板３上に位置合せをして
重ねる。このシリコン基板３にポンディングパッド（又
はバンプ）を蒸着で形成するために、第２図に示すよう
にシリコン板１を下側にして真空蒸着装置（図示せず）
内にセットする。
を半導体装置となるシリコン基板３上に位置合せをして
重ねる。このシリコン基板３にポンディングパッド（又
はバンプ）を蒸着で形成するために、第２図に示すよう
にシリコン板１を下側にして真空蒸着装置（図示せず）
内にセットする。
真空蒸着装置内をまず１ ｘｌｏ−６Ｔｏｒｒまで減圧
し、蒸発源である蒸発物質４を有するボート５をヒータ
ー６によって加熱する。蒸発物質４としてハンダ（Ｓｎ
Ｐｂ、 ＩｎＰｂなど）を用いる。ハンダの代わりに、
金（Ａｕ）、アルミニウム（ＡＪ）、銀（Ａｇ）などの
金属でも使用できる。ヒーターによる抵抗加熱方式の代
わりに、電子ビーム加熱方式、高周波誘導加熱方式など
でもよい。温度上昇にともなってハンダが蒸着してシリ
コン板１上におよび透孔２を通ってシリコン基板３上に
ハンダが堆積する。このときの蒸着（堆積）速度は、５
０〜１００μｍ／時間であり、所定厚さく例えば、１０
〜１００μｍ）になったところでヒーター６の加熱を停
止して蒸着を終了する。冷却後に真空蒸着装置からシリ
コン板１付きのシリコン基板３を取り出し、シリコン板
１を外すことによって所定のポンディングパッド（又は
バンプ）を形成したシリコン基板３を得ることができる
。
し、蒸発源である蒸発物質４を有するボート５をヒータ
ー６によって加熱する。蒸発物質４としてハンダ（Ｓｎ
Ｐｂ、 ＩｎＰｂなど）を用いる。ハンダの代わりに、
金（Ａｕ）、アルミニウム（ＡＪ）、銀（Ａｇ）などの
金属でも使用できる。ヒーターによる抵抗加熱方式の代
わりに、電子ビーム加熱方式、高周波誘導加熱方式など
でもよい。温度上昇にともなってハンダが蒸着してシリ
コン板１上におよび透孔２を通ってシリコン基板３上に
ハンダが堆積する。このときの蒸着（堆積）速度は、５
０〜１００μｍ／時間であり、所定厚さく例えば、１０
〜１００μｍ）になったところでヒーター６の加熱を停
止して蒸着を終了する。冷却後に真空蒸着装置からシリ
コン板１付きのシリコン基板３を取り出し、シリコン板
１を外すことによって所定のポンディングパッド（又は
バンプ）を形成したシリコン基板３を得ることができる
。
蒸着中にシリコン板１およびシリコン基板３は蒸発源か
らの輻射熱および蒸着ハンダによって１００℃程度に加
熱されるが、シリコン板（マスク）１とシリコン基板３
とは同じ材料で熱膨張率が等しいので、位置ずれおよび
マスクのたるみに起因しただれは発生しない。
らの輻射熱および蒸着ハンダによって１００℃程度に加
熱されるが、シリコン板（マスク）１とシリコン基板３
とは同じ材料で熱膨張率が等しいので、位置ずれおよび
マスクのたるみに起因しただれは発生しない。
本発明に係る蒸着用マスクを用いることによって従来の
欠点である形成したポンディングパッド。
欠点である形成したポンディングパッド。
バンプの位置ずれ、だれを防止することができ、シャー
プなポンディングパッド、バンプなどの所定パターンの
導体層が得られる。半導体装置の微細加工にもこの蒸着
用マスクは寄与する。
プなポンディングパッド、バンプなどの所定パターンの
導体層が得られる。半導体装置の微細加工にもこの蒸着
用マスクは寄与する。
第１図は蒸着用マスクの平面図であり、第２図は蒸着用
マスクを用いて真空蒸着している状態を示す概略断面図
である。 １・・・シリコン板（蒸着用マスク）、２・・・透孔、 ３・・・シリコン基板、 ４・・・蒸発物質。 蒸着用マスクの平面図 第１図 第２図
マスクを用いて真空蒸着している状態を示す概略断面図
である。 １・・・シリコン板（蒸着用マスク）、２・・・透孔、 ３・・・シリコン基板、 ４・・・蒸発物質。 蒸着用マスクの平面図 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に所定パターン導体層を真空蒸着によ
って形成するための透孔を有する蒸着用マスクにおいて
、前記蒸着用マスクが前記半導体基板と同じ材料の半導
体板であり、エッチングによって前記所定パターンの透
孔が形成されていることを特徴とする蒸着用マスク。 ２、前記半導体基板および半導体板の材料が単結晶シリ
コンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の蒸着用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13924286A JPS62297457A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 蒸着用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13924286A JPS62297457A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 蒸着用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62297457A true JPS62297457A (ja) | 1987-12-24 |
Family
ID=15240769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13924286A Pending JPS62297457A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 蒸着用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62297457A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6459193B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-10-01 | Nec Corporation | Shadow mask, a method of forming the shadow mask, and a method of manufacturing a semiconductor device with using the shadow mask |
| US7285497B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-10-23 | Seiko Epson Corporation | Mask, method for manufacturing a mask, method for manufacturing an electro-optical device, and electronic equipment |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP13924286A patent/JPS62297457A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6459193B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-10-01 | Nec Corporation | Shadow mask, a method of forming the shadow mask, and a method of manufacturing a semiconductor device with using the shadow mask |
| US6627097B2 (en) | 1998-10-23 | 2003-09-30 | Nec Corporation | Shadow mask, a method of forming the shadow mask, and a method of manufacturing a semiconductor device with using the shadow mask |
| US6664183B2 (en) | 1998-10-23 | 2003-12-16 | Nec Corporation | Shadow mask a method of forming the shadow mask, and a method of manufacturing a semiconductor device with using the shadow mask |
| US7285497B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-10-23 | Seiko Epson Corporation | Mask, method for manufacturing a mask, method for manufacturing an electro-optical device, and electronic equipment |
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