JPS62298078A - 磁気バブルメモリ素子作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔１既　　要〕 磁気バブルメモリ素子の作製方法であって、導体パター
ン埋め込み溝を有する絶縁膜上に導体金属膜を形成し、
その上に樹脂を塗布して平坦化し、次いでドライエツチ
ングを施して平坦化度の高い導体パターンを形成する工
程において、導体パターン埋め込み溝の深さを導体金属
膜厚より葆＜シ、且つ樹脂に、導体金属と絶縁膜のエツ
チング速度の中間の速度を有するものを使用することに
より平坦化度のさらに高い導体パターンの形成を可能と
する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は電子計算装置等の記ｔａ装置に用いられる磁気
バブルメモリ素子に関するもので、さらに詳しく言えば
、その導体パターンの高い平坦化度が得られる磁気バブ
ルメモリ素子の作製方法に関するものである。

従来、バブルの転送用にパーマロイ等の軟磁性薄膜パタ
ーンを用いた磁気バブルメモリ素子においては、そのパ
ーマロイパターンがゲート駆動用の導体パターンと交差
する部分があるが、その部分ではパーマロイパターンに
段差ができ磁気的不連続部が形成され、バブルの転送が
阻害される現象がある。このため導体パターンとパーマ
ロイパターンとの間の中間絶縁層に平坦化度の良い樹脂
を用いているが、この場合も十分な平坦化は望めない。

これに対し最近、次の如き平坦化法が開発されている。

〔従来の技術〕

第３図は従来の導体パターン平坦化を行なう６ｎ気バブ
ルメモリ素子の作製方法を示す図である。

この方法は先ずａ図の如＜　４ｆｆ性ガーネツト１の上
に後で形成する４体パターン２と同じ厚さの第１のＳｉ
Ｏ□ｉＯ□１！ｆｆ３を形成し、次にｂ図の如く絶縁膜
３に導体パターン２を形成するための溝４をバターニン
グする。次にＣ図の如（薄く第２のＳｉＯ□絶８ｍ絶膜
ｍ１漠５する。これは溝４の深さをコントロールし易く
するための前工程でガーネット結晶の面までエツチング
するためである。次にｄ図の如（第１の絶縁膜３と同じ
厚さに導体金属６を形成し、次いでｅ図の如（Ｓｉ系樹
脂７を、その表面が平坦となるようにスピンコートする
。これをドライエツチングして溝４以外の導体金属６及
び樹脂７を除去して１図の如く導体パターン２を形成す
ると同時に平坦化するのである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来方法でも、樹脂と導体金属とのドライエツチン
グ速度が異なるため（通常導体金属として用いるＡｕの
エツチング速度はＳｉ系樹脂より速い）第１図ｆに示す
ように導体パターン２の上に樹脂７ａが残り完全な平坦
化ができないという欠点があった。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、簡易
な方法で導体パターンの平坦化ができる磁気バブルメモ
リ素子の作製方法を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

このため本発明においては、るｎ性ガーネット１０上に
第１のＳｉＯ□ｉＯ□１１を形成する工程と、上記絶縁
膜１１にフォトリソグラフィドライエツチングで導体パ
ターン埋め込み溝１２を形成する工程と、磁性ガーネッ
ト１０、導体パターン間の第２のＳｉＯ□ｉＯ□１３を
形成する工程と、全面に導体金属１４を蒸着する工程と
、全面に樹脂１５をスピンコートして平坦化する工程と
、イオンビームエツチングにより非導体パターン部の導
体金属が消失するまで削る工程とよりなり、前記導体パ
ターン埋め込み溝１２の深さはパターン形成後の導体金
属の膜厚より深くし、更に前記樹脂１５にはそのエツチ
ング速度が前記導体金属１４とＳｉＯ□ｉＯ□１１．１
３との中間にある樹脂を用いることを特徴としている。

〔作　用〕

導体パターン埋め込み溝の深さをパターン形成後の導体
金属膜厚より深くし、且つドライエツチングにおいて樹
脂のエツチング速度が導体金属と絶縁膜との中間にある
ことで、導体金属と樹脂間のエツチング速度差に起因す
る段差を、樹脂と絶縁膜間のエツチング速度差により相
殺することができ、導体パターンの平坦化が可能となる
。

〔実施例〕

第１図は本発明の詳細な説明するための図であり、ａ　
％　ｆはその工程を示す図である。

図により本実施例を説明すると、先ずａ図の如く磁性ガ
ーネット１０上に第１のＳｉＯ□ｉＯ□１１をパターン
形成後の導体パターン１６の厚さより厚＜　　（１￥さ
約４４００人）形成する。次にｂ図の如くフォトリソグ
ラフィ・ドライエツチングで導体パターン埋め込み溝１
２をガーネット表面に達する深さに形成する。次にＣ図
の如く磁性ガーネットと導体パターン間の第２のＳｉＯ
□ｉＯ□１３を薄く（厚さ１０００人）形成する。次に
ｄ図の如く全面に導体金属１４　（例えばＡｕを厚さ３
３００人）を蒸着する。次にｅ図の如く全面に樹脂１５
　（厚さ７０００人程度）をスピンコート法で表面が平
坦となるように塗布する。次にこれをＡｒ”イオンビー
ムエツチングにより非導体パターン部の導体金属が消失
するまで削り、ｆ図の状態を得るのである。なお前記樹
脂１５にはエツチング速度が導体金属１４と５ｉＯｚ絶
縁膜１１．１３との中間にあるものを選ぶ、第１表は導
体金属にＡｕを、樹脂にＳｉ系樹脂を選んだときのエツ
チング速度である。

第　　１　　表 なお、第２のＳｉＯ□絶縁膜１３の厚さり、と、導体金
属１４の厚さｈ２が与えられたとき、第１の５ｉＯｚ絶
縁膜１１の厚さり、は第２図から次の様にして求められ
る。

第２図において完全な平坦化を行なうには、導体金属１
４の段差ｈ４に相当する厚さの樹脂をエツチングする所
要時間と、導体金属１４及び厚さくｈａ　　　ｈｚ）の
５ｉＯｚをエツチングする時間とが等しくなれば良い。

即ち ｖ、　　　　　　Ｖ２　　　　　　　　　　Ｖ。

導体金属の段差ｈ４は第１のＳｉｎ、絶縁膜の厚さｈ３
に等しいから、（１）式は、 Ｖ、　　　　　　Ｖ２　　　　　　　　　　Ｖ。

となり、　（２）弐より となる。（３）弐に第１表の値を代入すると、ｈｉ＝１
．３３６ｈｚ となる。前記の如く導体金属１４を／ｌ、ｕとしその厚
さｈ２を３３００人とし、樹脂１５にＳｉ系樹脂を用い
たときは、第１のＳｉＯ□絶縁膜１１の厚さｈｌは、３
３００人Ｘ　１．３３６　＝４４０９人となる。

以上の如く本実施例によれば、第１のＳｉＯ□絶縁膜の
厚さを導体金属の厚さより大とすると共に平坦化用樹脂
にそのエツチング速度がＳｉＯ□と導体金属との中間に
ある樹脂を用いることにより完全な平坦化が得られる。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように本発明によれば、掻めて簡易な方
法で、導体パターンを平坦化した磁気バブルメモリ素子
を提供することができ、実用的には極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の詳細な説明するための図、 第３図は従来の磁気バブルメモリ素子の作製方法を説明
するための図である。 第１図、第２図において、 １０は磁性ガーネット、 １１　は第肴Ｏｚ＆色別ゑ月々、 １２は導体パターン埋め込み溝、 １３は第２の５ｉｆｔ絶縁膜 １４は導体金属、 １５は樹脂、 １６は導体パターンである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁性ガーネット（１０）上に第１のＳｉＯ＿２絶縁
   膜（１１）を形成する工程と、 上記絶縁膜（１１）にフォトリソグラフィドライエッチ
   ングで導体パターン埋め込み溝（１２）を形成する工程
   と、 磁性ガーネット（１０）、導体パターン間の第２のＳｉ
   Ｏ＿２絶縁膜（１３）を形成する工程と、全面に導体金
   属（１４）を蒸着する工程と、全面に樹脂（１５）をス
   ピンコートして平坦化する工程と、 イオンビームエッチングにより非導体パターン部の導体
   金属が消失するまで削る工程とよりなり、前記導体パタ
   ーン埋め込み溝（１２）の深さはパターン形成後の導体
   金属の膜厚より深くし、更に前記樹脂（１５）にはその
   エッチング速度が前記導体金属（１４）とＳｉＯ＿２絶
   縁膜（１１、１３）との中間にある樹脂を用いることを
   特徴とする磁気バブルメモリ素子作製方法。