JPS62298080A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS62298080A JPS62298080A JP61139223A JP13922386A JPS62298080A JP S62298080 A JPS62298080 A JP S62298080A JP 61139223 A JP61139223 A JP 61139223A JP 13922386 A JP13922386 A JP 13922386A JP S62298080 A JPS62298080 A JP S62298080A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- permalloy
- conductor pattern
- bubble
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔４既 要〕
磁気バブルメモリ素子であって、その導体パターンとパ
ーマロイパターンとの交差部において、導体パターンと
重なるパーマロイパターンの一部に穴を設けることによ
り、交差部におけるバブル転送マージンの劣化を防止可
能とする。
ーマロイパターンとの交差部において、導体パターンと
重なるパーマロイパターンの一部に穴を設けることによ
り、交差部におけるバブル転送マージンの劣化を防止可
能とする。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子に関するもので、さらに詳しく言えばそ
の導体パターンとパーマロイパターンの交差部における
バブル転送マージンを改良した磁気バブルメモリ素子に
関するものである。
ブルメモリ素子に関するもので、さらに詳しく言えばそ
の導体パターンとパーマロイパターンの交差部における
バブル転送マージンを改良した磁気バブルメモリ素子に
関するものである。
従来より、磁気バブルメモリ素子では、第３図ａに示す
ように導体パターン３とパーマロイパターン５を交差さ
せ、導体パターン３にパルス電流を流しバブルのスイッ
チ等の制御を行なっている。
ように導体パターン３とパーマロイパターン５を交差さ
せ、導体パターン３にパルス電流を流しバブルのスイッ
チ等の制御を行なっている。
この導体パターン交差部ではパーマロイパターン５に段
差ができバブルの消滅等の誤動作が生じるため低駆動磁
界、高バイアス磁界側でマージンが劣化する場合がある
。このため第３図ｂ（第３図ａのｂ−ｂ線における断面
図）に示すように交差部のＡ点及びＢ点の段差をできる
だけ小さく、なだらかになるように中間絶縁Ｎ４に樹脂
を用いた平坦化法を採用し改善を計っている。
差ができバブルの消滅等の誤動作が生じるため低駆動磁
界、高バイアス磁界側でマージンが劣化する場合がある
。このため第３図ｂ（第３図ａのｂ−ｂ線における断面
図）に示すように交差部のＡ点及びＢ点の段差をできる
だけ小さく、なだらかになるように中間絶縁Ｎ４に樹脂
を用いた平坦化法を採用し改善を計っている。
上記樹脂を用いた平坦化法を採用しても完全な平坦化は
望めず、特にバブルメモリの高密度化に伴い、バブル径
が小さくなると前述のような誤動作を生じマージンの劣
化を生ずるという問題があった。
望めず、特にバブルメモリの高密度化に伴い、バブル径
が小さくなると前述のような誤動作を生じマージンの劣
化を生ずるという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、節易
な構成で導体パターンとパーマロイパターンとの交差部
におけるマージン劣化を防止した磁気バブルメモリ素子
を提供することを目的としている。
な構成で導体パターンとパーマロイパターンとの交差部
におけるマージン劣化を防止した磁気バブルメモリ素子
を提供することを目的としている。
このため本発明においては、磁気バブルメｂす素子の導
体パターンとパーマロイパターンとの交差部において、
上記導体パターン１０と重なる上記パーマロイパターン
１１に、その縁部のバブル転送領域を残して穴１２を設
けたことを特徴としている。
体パターンとパーマロイパターンとの交差部において、
上記導体パターン１０と重なる上記パーマロイパターン
１１に、その縁部のバブル転送領域を残して穴１２を設
けたことを特徴としている。
導体パターンと重なるパーマロイパターンの一部に穴を
設けることにより、パーマロイパターンの段差部におけ
る反発磁極の影響を弱め、それによりバブルの転送を容
易とすることによりマージンの劣化防止が可能となる。
設けることにより、パーマロイパターンの段差部におけ
る反発磁極の影響を弱め、それによりバブルの転送を容
易とすることによりマージンの劣化防止が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図である。同図において
、１０は導体パターン、１１はパーマロイパターンであ
る。
、１０は導体パターン、１１はパーマロイパターンであ
る。
本実施例は第１図に示すように導体パターン１０と交差
するパーマロイパターン１１に対し、バブルの進行方向
の導体パターンｌＯの縁部と交差する部分に、バブル伝
播領域（幅Ｗ）を残して穴１２を設けたものである。
するパーマロイパターン１１に対し、バブルの進行方向
の導体パターンｌＯの縁部と交差する部分に、バブル伝
播領域（幅Ｗ）を残して穴１２を設けたものである。
このように構成された本実施例は導体パターン１０とパ
ーマロイパターン１１との交差部においてパーマロイパ
ターン１０の段差に生じる反発磁極を穴１２によって弱
めることができ、従来の低駆動磁界、高バイアス磁界で
のマージン劣化を改善することができる。
ーマロイパターン１１との交差部においてパーマロイパ
ターン１０の段差に生じる反発磁極を穴１２によって弱
めることができ、従来の低駆動磁界、高バイアス磁界で
のマージン劣化を改善することができる。
第２図は本発明の実施例のバブル転送マージンを従来例
と比較して示した図であり、曲線Ａにより本実施例を、
曲線Ｂにより従来例を示した。図より本実施例（曲線Ａ
）は従来例（曲線Ｂ）に比して低駆動高バイアスで改善
されていることがわかる。
と比較して示した図であり、曲線Ａにより本実施例を、
曲線Ｂにより従来例を示した。図より本実施例（曲線Ａ
）は従来例（曲線Ｂ）に比して低駆動高バイアスで改善
されていることがわかる。
以上述べてきたように本発明によれば、極めて簡易な構
成で導体パターンとパーマロイパターンとの交差部にお
けるバブル転送マージンを改善した磁気バブルメモリ素
子を提供することができ、実用的には極めて有用である
。
成で導体パターンとパーマロイパターンとの交差部にお
けるバブル転送マージンを改善した磁気バブルメモリ素
子を提供することができ、実用的には極めて有用である
。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明の実施例のバブル転送マージンを従来例
と比較して示した図、 第３図は従来の磁気バブルメモリ素子における４体パタ
ーンとパーマロイパターンとの交差部を示す図である。 第１図において、 １０は導体パターン、 １１はパーマロイパターン、 １２は穴である。
と比較して示した図、 第３図は従来の磁気バブルメモリ素子における４体パタ
ーンとパーマロイパターンとの交差部を示す図である。 第１図において、 １０は導体パターン、 １１はパーマロイパターン、 １２は穴である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気バブルメモリ素子の導体パターンとパーマロイ
パターンとの交差部において、 上記導体パターン（１０）と重なる上記パーマロイパタ
ーン（１１）に、その縁部のバブル転送領域を残して穴
（１２）を設けたことを特徴とする磁気バブルメモリ素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61139223A JPS62298080A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61139223A JPS62298080A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298080A true JPS62298080A (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=15240366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61139223A Pending JPS62298080A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62298080A (ja) |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP61139223A patent/JPS62298080A/ja active Pending
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