JPH0646503B2 - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPH0646503B2 JPH0646503B2 JP59060709A JP6070984A JPH0646503B2 JP H0646503 B2 JPH0646503 B2 JP H0646503B2 JP 59060709 A JP59060709 A JP 59060709A JP 6070984 A JP6070984 A JP 6070984A JP H0646503 B2 JPH0646503 B2 JP H0646503B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic bubble
- minor loop
- transfer
- chevron pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子に係わり、特にマイナル
ープとメジヤラインとの間で磁気バブルを入出力させる
磁気バブル入出力ゲート回路に関するものである。
ープとメジヤラインとの間で磁気バブルを入出力させる
磁気バブル入出力ゲート回路に関するものである。
〔発明の背景〕 第１図は磁気バブル入力ゲート回路として例えばライト
メジヤライン上の磁気バブル情報をマイナループ中の磁
気バブル情報とを入れ換えるスワツプゲート回路の一例
を示す要部拡大平面図である。同図において、１１，１
２，１３，１４はマイナループ１を形成する転送回路パ
ターンであり、特に転送回路パターン１２はコーナパタ
ーンと称する。２１，２２，２３，２４はライトメイジ
ヤライン２を形成する転送回路パターンであり、これら
の転送回路パターンのうち、転送回路パターン２２，２
４はシエブロン形転送パターンで形成され、他の転送回
路パターン２１，２３はシエプロン形転送回路パターン
２２，２４にそれぞれ近接配置されてシエプロン形転送
回路パターン２２，２４の磁気バブル転送補助の機能を
有している。３１，３２，３３はマイナループ１とライ
トメイジヤライン２とを結合する磁気バブル転送補助用
バーパターン、４はマイナループ１とライトメイジヤラ
イン２とに結合されかつスワツプ動作電流を流すスワツ
プゲート用コンダクターパターンであり、このコンダク
タパターン４およびそのヘアピン部４ａはマイナループ
１，ライトメイジヤライン２の各パターン１１〜１４，
２１〜２４および磁気バブル転送補助用バーパターン３
１〜３３の形成面よりも図示しない絶縁層を介して下の
層に形成されている。なお、矢印Ｐ方向が磁気バブル転
送方向である。
メジヤライン上の磁気バブル情報をマイナループ中の磁
気バブル情報とを入れ換えるスワツプゲート回路の一例
を示す要部拡大平面図である。同図において、１１，１
２，１３，１４はマイナループ１を形成する転送回路パ
ターンであり、特に転送回路パターン１２はコーナパタ
ーンと称する。２１，２２，２３，２４はライトメイジ
ヤライン２を形成する転送回路パターンであり、これら
の転送回路パターンのうち、転送回路パターン２２，２
４はシエブロン形転送パターンで形成され、他の転送回
路パターン２１，２３はシエプロン形転送回路パターン
２２，２４にそれぞれ近接配置されてシエプロン形転送
回路パターン２２，２４の磁気バブル転送補助の機能を
有している。３１，３２，３３はマイナループ１とライ
トメイジヤライン２とを結合する磁気バブル転送補助用
バーパターン、４はマイナループ１とライトメイジヤラ
イン２とに結合されかつスワツプ動作電流を流すスワツ
プゲート用コンダクターパターンであり、このコンダク
タパターン４およびそのヘアピン部４ａはマイナループ
１，ライトメイジヤライン２の各パターン１１〜１４，
２１〜２４および磁気バブル転送補助用バーパターン３
１〜３３の形成面よりも図示しない絶縁層を介して下の
層に形成されている。なお、矢印Ｐ方向が磁気バブル転
送方向である。
このように構成されたスワツプゲート回路において、ラ
イトメイジヤライン２上４倍長周期ゲートを構成するシ
エプロン形転送パターン２２，２４上に磁気バブルが転
送されると、スワツプ動作時にはコンダクタパターン４
に所定のスワツプ電流を流すことにより、該磁気バブル
はバーパターン３２，３３をそれぞれ介してシエプロン
形転送回路パターン１３にトランスフアインされ、マイ
ナループ１に転送される。一方、マイナループ１のコー
ナパターン１２上に転送された磁気バブルはバーパター
ン３１，３２をそれぞれ介して転送パターン２１，２３
にそれぞれトランスフアアウトされてマイナループ１内
の磁気バブル情報と入れ換えされる。
イトメイジヤライン２上４倍長周期ゲートを構成するシ
エプロン形転送パターン２２，２４上に磁気バブルが転
送されると、スワツプ動作時にはコンダクタパターン４
に所定のスワツプ電流を流すことにより、該磁気バブル
はバーパターン３２，３３をそれぞれ介してシエプロン
形転送回路パターン１３にトランスフアインされ、マイ
ナループ１に転送される。一方、マイナループ１のコー
ナパターン１２上に転送された磁気バブルはバーパター
ン３１，３２をそれぞれ介して転送パターン２１，２３
にそれぞれトランスフアアウトされてマイナループ１内
の磁気バブル情報と入れ換えされる。
また、このように構成されるスワツプゲート回路におい
て、コンダクタパターン４のヘアピン外周部４ｂは、シ
エプロン形転送回路パターン２２，２４の外側に位置
し、このヘアピン外周部４ｂにより転送回路パターン２
２，２４に断面構造において段差構造を形成しない配置
構成とすることによつてこの段差構造による転送マージ
ンの損失を除去させている。
て、コンダクタパターン４のヘアピン外周部４ｂは、シ
エプロン形転送回路パターン２２，２４の外側に位置
し、このヘアピン外周部４ｂにより転送回路パターン２
２，２４に断面構造において段差構造を形成しない配置
構成とすることによつてこの段差構造による転送マージ
ンの損失を除去させている。
しかしながら、このように構成されるスワツプゲート回
路においては、そのスワツプ電流振幅特性を第２図に実
線Ｉａ，Ｉｂでそれぞれ示すようにスワツプ電流Ｉｓの
最大電流値Ｉｓmaxが小さいので、電流マージンである
Ｉｓmax−Ｉｓminも小さくなつている。これは、トラン
スフアイン動作を行なう場合スワツプ電流Ｉｓによりコ
ンダクタパターン４のヘアピン外周部４ｂが磁気バブル
にとつて安定した位置となるため、本来、転送回路パタ
ーン２２，２４の頂部２２a，２４aからバーパターン３
２，３３の端部３２a，３３aへそれぞれ転送されるべき
磁気バブルがコンダクタパターン４のヘアピン外周部４
ｂに伸びてしまうという誤動作を発生させていた。
路においては、そのスワツプ電流振幅特性を第２図に実
線Ｉａ，Ｉｂでそれぞれ示すようにスワツプ電流Ｉｓの
最大電流値Ｉｓmaxが小さいので、電流マージンである
Ｉｓmax−Ｉｓminも小さくなつている。これは、トラン
スフアイン動作を行なう場合スワツプ電流Ｉｓによりコ
ンダクタパターン４のヘアピン外周部４ｂが磁気バブル
にとつて安定した位置となるため、本来、転送回路パタ
ーン２２，２４の頂部２２a，２４aからバーパターン３
２，３３の端部３２a，３３aへそれぞれ転送されるべき
磁気バブルがコンダクタパターン４のヘアピン外周部４
ｂに伸びてしまうという誤動作を発生させていた。
したがつて本発明は前述した従来の問題に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、磁気バブル入
出力ゲート回路で発生する誤動作の発生を除去し、転送
特性の優れた磁気バブル入出力ゲート回路を備えた磁気
バブルメモリ素子を提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、磁気バブル入
出力ゲート回路で発生する誤動作の発生を除去し、転送
特性の優れた磁気バブル入出力ゲート回路を備えた磁気
バブルメモリ素子を提供することにある。
本発明はスワップゲート・コンダクタのパターンを、そ
のヘアピンの往路と復路が交差するシェブロンパターン
の一方の縁まで、しかもその縁に沿ってヘアピンパター
ンを突出させることによって、幅広部との間で入り江を
形成したもので、コンダクタによる段差をなくして転送
マージンを上げつつ、スワップ電流による誤動作を防い
だものである。本発明によれば下記の磁気バブルメモリ
素子が提供される。
のヘアピンの往路と復路が交差するシェブロンパターン
の一方の縁まで、しかもその縁に沿ってヘアピンパター
ンを突出させることによって、幅広部との間で入り江を
形成したもので、コンダクタによる段差をなくして転送
マージンを上げつつ、スワップ電流による誤動作を防い
だものである。本発明によれば下記の磁気バブルメモリ
素子が提供される。
複数のパターン（１２、１３、１４）をループ状に配列
したマイナーループ（１）を横方向に複数配置したマイ
ナーループ群と、 大きなシェブロンパターン（２２、２４）と小さな棒状
の補助転送パターン（２１、２３）とを交互に横方向に
配列したメジャーライン（２）と、 上記メジャーラインを基準に上記マイナーループ群と反
対側で横方向に延びる幅広部と、上記幅広部と連続し、
往路と復路が共に同じ上記シェブロンパターンと交差
し、先端が上記マイナーループのパターンと重なるよう
に形成された幅の狭いヘアピン部とを有するコンダクタ
ー（４）と、 上記コンダクタに電流を流すことによって上記マイナー
ループと上記メジャーライン間で磁気バブルの交換をす
るスワップゲートとを具備して成り、 上記コンダクタは上記シェブロンパターンの下層レベル
にあり、 上記往路部は上記シェブロンパターンの一方端の外側に
まで延び、かつ該一方端に隣接する上記補助転送パター
ンとそのまた隣の他のシェブロンパターンに重なること
無く、上記一方端に沿って形成された突出部を有し、上
記突出部と上記幅広部との間に入り江が形成されている
磁気バブルメモリ素子。
したマイナーループ（１）を横方向に複数配置したマイ
ナーループ群と、 大きなシェブロンパターン（２２、２４）と小さな棒状
の補助転送パターン（２１、２３）とを交互に横方向に
配列したメジャーライン（２）と、 上記メジャーラインを基準に上記マイナーループ群と反
対側で横方向に延びる幅広部と、上記幅広部と連続し、
往路と復路が共に同じ上記シェブロンパターンと交差
し、先端が上記マイナーループのパターンと重なるよう
に形成された幅の狭いヘアピン部とを有するコンダクタ
ー（４）と、 上記コンダクタに電流を流すことによって上記マイナー
ループと上記メジャーライン間で磁気バブルの交換をす
るスワップゲートとを具備して成り、 上記コンダクタは上記シェブロンパターンの下層レベル
にあり、 上記往路部は上記シェブロンパターンの一方端の外側に
まで延び、かつ該一方端に隣接する上記補助転送パター
ンとそのまた隣の他のシェブロンパターンに重なること
無く、上記一方端に沿って形成された突出部を有し、上
記突出部と上記幅広部との間に入り江が形成されている
磁気バブルメモリ素子。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子に係わる磁
気バブル入出力ゲート回路として例えばスワツプゲート
回路の一例を示す要部拡大平面図であり、第１図と同一
記号は同一要素となるので、その説明は省略する。同図
において、コンダクタパターンヘアピン部４ａの転送回
路パターン２２，２４と交差する部分４ｃのヘアピン外
周部４ｂは、転送回路パターン２２，２４の外周辺部に
形成配置されており、また、このコンダクタパターン４
のヘアピン部４ａとの接続部４ｄの最小パターン幅Ｗは
ヘアピン部４ａの転送パターン２２，２４との交差部分
４ｃの最大パターン幅Ｗ′に対してＷ＜Ｗ′なる関係を
有して形成されている。
気バブル入出力ゲート回路として例えばスワツプゲート
回路の一例を示す要部拡大平面図であり、第１図と同一
記号は同一要素となるので、その説明は省略する。同図
において、コンダクタパターンヘアピン部４ａの転送回
路パターン２２，２４と交差する部分４ｃのヘアピン外
周部４ｂは、転送回路パターン２２，２４の外周辺部に
形成配置されており、また、このコンダクタパターン４
のヘアピン部４ａとの接続部４ｄの最小パターン幅Ｗは
ヘアピン部４ａの転送パターン２２，２４との交差部分
４ｃの最大パターン幅Ｗ′に対してＷ＜Ｗ′なる関係を
有して形成されている。
このような構成によれば、接続部４ｄのパターン幅Ｗを
交差部分４ｃのパターン幅Ｗ′よりも小さくしたことに
よつて、ヘアピン外周部４ｂに沿つて流れるスワツプ電
流Ｉｓが減り、このヘアピン外周部４ｂが磁気バブルの
安定位置ではなくなるので、トランスフアイン動作時の
磁気バブルの転送エラーが起りにくくなる。したがつて
第２図に破線Ｉａ′で示すようにスワツプ電流Ｉｓの最
大電流値Ｉｓmaxが改善され電流マージンが拡大され
る。また、接続部４ｄのパターン幅Ｗをヘアピン部４ａ
の最小パターン幅Ｗ″とＷＷ″なる関係をもたせて構
成することにより、極めて良好な電流振幅マージンが得
られる。
交差部分４ｃのパターン幅Ｗ′よりも小さくしたことに
よつて、ヘアピン外周部４ｂに沿つて流れるスワツプ電
流Ｉｓが減り、このヘアピン外周部４ｂが磁気バブルの
安定位置ではなくなるので、トランスフアイン動作時の
磁気バブルの転送エラーが起りにくくなる。したがつて
第２図に破線Ｉａ′で示すようにスワツプ電流Ｉｓの最
大電流値Ｉｓmaxが改善され電流マージンが拡大され
る。また、接続部４ｄのパターン幅Ｗをヘアピン部４ａ
の最小パターン幅Ｗ″とＷＷ″なる関係をもたせて構
成することにより、極めて良好な電流振幅マージンが得
られる。
なお、前述した実施例においては、磁気バブル入出力ゲ
ート回路としてスワツプゲート回路について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、レプリケ
ートゲート回路，トランスフアインゲート回路、トラン
スフアアウトゲート回路、ジエネレータゲート回路等に
適用しても前述と同様の効果が得られることは勿論であ
る。
ート回路としてスワツプゲート回路について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、レプリケ
ートゲート回路，トランスフアインゲート回路、トラン
スフアアウトゲート回路、ジエネレータゲート回路等に
適用しても前述と同様の効果が得られることは勿論であ
る。
以上説明したように本発明によれば、磁気バブル入出力
ゲート回路で発生する誤動作の発生を除去できるので、
品質、信頼性の高い磁気バブルメモリ素子が得られると
いう極めて優れた効果を有する。
ゲート回路で発生する誤動作の発生を除去できるので、
品質、信頼性の高い磁気バブルメモリ素子が得られると
いう極めて優れた効果を有する。
第１図は磁気バブルメモリ素子のスワツプゲート回路の
一例を示す要部拡大平面図、第２図はスワツプゲート回
路のスワツプ電流振幅特性を示す図、第３図は本発明に
よる磁気バブルメモリ素子の一実施例を示すスワツプゲ
ート回路の要部拡大平面図である。 １……マイナループ、２……ライトメジヤライン、４…
…コンダクタパターン、４ａ……ヘアピン部、４ｂ……
ヘアピン外周部、４ｃ……交差部分、４ｄ……接続部、
１１，１２，１３，１４，２１，２２,23,２４……転送
回路パターン、22a,24a……頂部、３１，３２，３３…
…転送補助用バーパターン、32a,33a……端部。
一例を示す要部拡大平面図、第２図はスワツプゲート回
路のスワツプ電流振幅特性を示す図、第３図は本発明に
よる磁気バブルメモリ素子の一実施例を示すスワツプゲ
ート回路の要部拡大平面図である。 １……マイナループ、２……ライトメジヤライン、４…
…コンダクタパターン、４ａ……ヘアピン部、４ｂ……
ヘアピン外周部、４ｃ……交差部分、４ｄ……接続部、
１１，１２，１３，１４，２１，２２,23,２４……転送
回路パターン、22a,24a……頂部、３１，３２，３３…
…転送補助用バーパターン、32a,33a……端部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮本 直樹 千葉県茂原市早野3350番地の２ 日立デバ イスエンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−11678（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】複数のパターン（１２、１３、１４）をル
ープ状に配列したマイナーループ（１）を横方向に複数
配置したマイナーループ群と、 大きなシェブロンパターン（２２、２４）と小さな棒状
の補助転送パターン（２１、２３）とを交互に横方向に
配列したメジャーライン（２）と、 上記メジャーラインを基準に上記マイナーループ群と反
対側で横方向に延びる幅広部と、上記幅広部と連続し、
往路と復路が共に同じ上記シェブロンパターンと交差
し、先端が上記マイナーループのパターンと重なるよう
に形成された幅の狭いヘアピン部とを有するコンダクタ
ー（４）と、 上記コンダクタに電流を流すことによって上記マイナー
ループと上記メジャーライン間で磁気バブルの交換をす
るスワップゲートとを具備して成り、 上記コンダクタは上記シェブロンパターンの下層レベル
にあり、 上記往路部は上記シェブロンパターンの一方端の外側に
まで延び、かつ該一方端に隣接する上記補助転送パター
ンとそのまた隣の他のシェブロンパターンに重なること
無く、上記一方端に沿って形成された突出部を有し、上
記突出部と上記幅広部との間に入り江が形成されている
ことを特徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060709A JPH0646503B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060709A JPH0646503B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60205893A JPS60205893A (ja) | 1985-10-17 |
| JPH0646503B2 true JPH0646503B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=13150082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59060709A Expired - Lifetime JPH0646503B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646503B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855590B2 (ja) * | 1979-07-09 | 1983-12-10 | 日本電信電話株式会社 | バブル磁区転送路切換装置 |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP59060709A patent/JPH0646503B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60205893A (ja) | 1985-10-17 |
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