JPS62299092A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
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- JPS62299092A JPS62299092A JP61142525A JP14252586A JPS62299092A JP S62299092 A JPS62299092 A JP S62299092A JP 61142525 A JP61142525 A JP 61142525A JP 14252586 A JP14252586 A JP 14252586A JP S62299092 A JPS62299092 A JP S62299092A
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- emitting diode
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- diode
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/40—Details of LED load circuits
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン等の化合物
半導体を使用する発光ダイオードの耐サージ特性を向上
する改良である。
半導体を使用する発光ダイオードの耐サージ特性を向上
する改良である。
シリコンダイオード、ゲルマニウムダイオード等の電流
・電圧特性は発光ダイオードの電流・電圧特性とお＼む
ね同一の傾向にあるが、同一電圧値に対する順方向電流
を発光ダイオードの順方向電流よりわづかに大きくする
ことができ、また、値は同一であるが符合が逆である電
圧に対する順方向電流を発光ダイオードの逆方向電流よ
りわづかに大きくすることができるという性質を利用し
、シリコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードを
発光ダイオードに順方向並列に接続して順方向サージ通
過手段とし、シリコンダイオードを発光ダイオードに逆
方向並列に接続して逆方向サージ通過手段としたもので
あり、特に、（イ）これら発光ダイオード、順方向サー
ジ通過手段たるシリコンダイオードまたはゲルマニウム
ダイオード、逆方向サージ通過手段たるシリコンダイオ
ードを同一のサブマウント上に接着し、（ロ）発光ダイ
オードは半導体サブマウント上に接着し、順方向サージ
通過手段たるシリコンダイオードまたはゲルマニウムダ
イオード。
・電圧特性は発光ダイオードの電流・電圧特性とお＼む
ね同一の傾向にあるが、同一電圧値に対する順方向電流
を発光ダイオードの順方向電流よりわづかに大きくする
ことができ、また、値は同一であるが符合が逆である電
圧に対する順方向電流を発光ダイオードの逆方向電流よ
りわづかに大きくすることができるという性質を利用し
、シリコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードを
発光ダイオードに順方向並列に接続して順方向サージ通
過手段とし、シリコンダイオードを発光ダイオードに逆
方向並列に接続して逆方向サージ通過手段としたもので
あり、特に、（イ）これら発光ダイオード、順方向サー
ジ通過手段たるシリコンダイオードまたはゲルマニウム
ダイオード、逆方向サージ通過手段たるシリコンダイオ
ードを同一のサブマウント上に接着し、（ロ）発光ダイ
オードは半導体サブマウント上に接着し、順方向サージ
通過手段たるシリコンダイオードまたはゲルマニウムダ
イオード。
逆方向サージ通過手段たるシリコンダイオードはこの半
導体サブマウント中に形成し、または。
導体サブマウント中に形成し、または。
（ハ）順方向サージ通過手段たるシリコンダイオードま
たはゲルマニウムダイオード、逆方向サージ通過手段た
るシリコンダイオードを発光ダイオードの上に形成した
ものである。
たはゲルマニウムダイオード、逆方向サージ通過手段た
るシリコンダイオードを発光ダイオードの上に形成した
ものである。
本発明は、ガリウムヒ素、インジ、ウムガリウムヒ素リ
ン等の化合物半導体を使用する発光ダイオードの改良に
関する。特に、耐サージ特性を向上する改良に関する。
ン等の化合物半導体を使用する発光ダイオードの改良に
関する。特に、耐サージ特性を向上する改良に関する。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕ガリウ
ムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン等の化合物半導体
を使用する発光ダイオードは。
ムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン等の化合物半導体
を使用する発光ダイオードは。
通常の半導体装置に比し耐サージ特性が劣り、これが実
用上の制約要因の一つとされており、耐サージ特性がよ
りすぐれた発光ダイオードの開発が望まれていた。
用上の制約要因の一つとされており、耐サージ特性がよ
りすぐれた発光ダイオードの開発が望まれていた。
本発明の目的は、この要請に応えることにあり、耐サー
ジ特性がよりすぐれた発光ダイオードを提供することに
ある。
ジ特性がよりすぐれた発光ダイオードを提供することに
ある。
上記の目的を達成するために本発明が採ったＦ段は、シ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードよりな
る順方向サージ通過手段５を発光ダイオード素子４に順
方向並列に接続し、シリコンダイオードよりなる逆方向
サージ通過り段６を発光ダイオード素子４に逆方向並列
に接続しておき、前記の順方向サージ通過手段５の順方
向電流を前記の発光ダイオード素子４の同一電圧におけ
る順方向電流より大きく、また、前記の逆方向サージ通
過手段６の前記の順方向電流を、イ１は同一であるが符
合が逆である電圧における前記の発光ダイオード素子４
の逆方向電流より大きくすることにある。
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードよりな
る順方向サージ通過手段５を発光ダイオード素子４に順
方向並列に接続し、シリコンダイオードよりなる逆方向
サージ通過り段６を発光ダイオード素子４に逆方向並列
に接続しておき、前記の順方向サージ通過手段５の順方
向電流を前記の発光ダイオード素子４の同一電圧におけ
る順方向電流より大きく、また、前記の逆方向サージ通
過手段６の前記の順方向電流を、イ１は同一であるが符
合が逆である電圧における前記の発光ダイオード素子４
の逆方向電流より大きくすることにある。
本発明に係る発光ダイオードには、下記の三つの実施態
様がある。
様がある。
（イ）発光ダイオード素子４、順方向サージ通過手段５
たるシリコンダイオードまたはゲルマニウムダイオード
、逆方向サージ通過手段６たるシリコンダイオードは単
一のサブマウント２上に接着された発光ダイオードであ
る。
たるシリコンダイオードまたはゲルマニウムダイオード
、逆方向サージ通過手段６たるシリコンダイオードは単
一のサブマウント２上に接着された発光ダイオードであ
る。
（ロ）発光ダイオード素子４は半導体サブマウントｚ上
に接着され、順方向サージ通過手段５たるシリコンダイ
オードまたはゲルマニウムダイオード、逆方向サージ通
過手段６たるシリコンダイオードはこの半導体サブマウ
ント２中に形成された発光ダイオードである。
に接着され、順方向サージ通過手段５たるシリコンダイ
オードまたはゲルマニウムダイオード、逆方向サージ通
過手段６たるシリコンダイオードはこの半導体サブマウ
ント２中に形成された発光ダイオードである。
（ハ）順方向サージ通過手段５たるシリコンダイオード
またはゲルマニウムダイオード、逆方向サージ通過手段
６たるシリコンダイオードは発光ダイオード素子４上に
形成された発光ダイオードである。
またはゲルマニウムダイオード、逆方向サージ通過手段
６たるシリコンダイオードは発光ダイオード素子４上に
形成された発光ダイオードである。
（作用）
本発明は、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン
等の化合物半導体を使用する発光グイ斉一ドの電流・電
圧特性とシリコンダイオード・ゲルマニウムダイオード
の電流・電圧特性との近似性を利用したものである。ガ
リウムヒ素。
等の化合物半導体を使用する発光グイ斉一ドの電流・電
圧特性とシリコンダイオード・ゲルマニウムダイオード
の電流・電圧特性との近似性を利用したものである。ガ
リウムヒ素。
インジウムガリウムヒ素リン等の化合物半導体を使用す
る発光ダイオードの順方向及び逆方向の電流・電圧特性
は、第４図に、それぞれ、 Ａ、 Ｂをもって示す如く
である。一方、シリコンダイオードまたはゲルマニウム
ダイオードの順方向電流・電圧特性は、第４図にＣをも
って示す如くである。また、シリコンダイオードの順方
向電流・電圧特性は、不純物濃度を調整して第４図にＤ
をもって示すようにもなしうる。
る発光ダイオードの順方向及び逆方向の電流・電圧特性
は、第４図に、それぞれ、 Ａ、 Ｂをもって示す如く
である。一方、シリコンダイオードまたはゲルマニウム
ダイオードの順方向電流・電圧特性は、第４図にＣをも
って示す如くである。また、シリコンダイオードの順方
向電流・電圧特性は、不純物濃度を調整して第４図にＤ
をもって示すようにもなしうる。
そこで、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン等
の化合物半導体を使用する発光ダイオード素子４と、シ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオード５と、
シリコンダイオード６とを、第５図に示すように接続す
れば、順方向サージはシリコンダイオードまたはゲルマ
ニウムダイオード５を通過して流れ、逆方向サージはシ
リコンダイオード６を通過して流れ１発光ダイオード素
子４はいづれの方向のサージからも有効に保護される。
の化合物半導体を使用する発光ダイオード素子４と、シ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオード５と、
シリコンダイオード６とを、第５図に示すように接続す
れば、順方向サージはシリコンダイオードまたはゲルマ
ニウムダイオード５を通過して流れ、逆方向サージはシ
リコンダイオード６を通過して流れ１発光ダイオード素
子４はいづれの方向のサージからも有効に保護される。
以下１図面を参照して本発明の三つの実施例について説
明する。
明する。
第」−よ１］例
第１図参照
図は第１の実施例の断面図を示す。
図において、ｌは銅よりなるステムであり、２はシリコ
ン、ゲルマニウム等よりなるサブマウントであり、金ス
ズソルダを使用してステムｌ上に接着される。３は金よ
りなるパッドであり、一方の電極（本例においては正電
極）を構成する。４は発光ダイオード素子であり、上下
のクラッド層４３．４］はそれぞれｎ型及びｐ型のアル
ミニウムガリウムヒ素であり、活性層４２はアルミニウ
ムガリウムヒ素であり、正’１］１ｔＪｉｉ ４４は下
部クラッド層４］の下面中央に、負電極４５は上部クラ
−２ド層４３の上面に発光領域を取巻いて設けられてお
り、光は矢印の方向に放出される。
ン、ゲルマニウム等よりなるサブマウントであり、金ス
ズソルダを使用してステムｌ上に接着される。３は金よ
りなるパッドであり、一方の電極（本例においては正電
極）を構成する。４は発光ダイオード素子であり、上下
のクラッド層４３．４］はそれぞれｎ型及びｐ型のアル
ミニウムガリウムヒ素であり、活性層４２はアルミニウ
ムガリウムヒ素であり、正’１］１ｔＪｉｉ ４４は下
部クラッド層４］の下面中央に、負電極４５は上部クラ
−２ド層４３の上面に発光領域を取巻いて設けられてお
り、光は矢印の方向に放出される。
５は本発明の要旨に係る順方向サージ通過手段であリシ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードよりな
る。これは、サブマウント２上に接着されており１本例
においては、２層５１が下層でありパッド３と接続され
ており、ｎＪ＃５２は上層であり発光ダイオード素子４
の負電極４５と接続されている。
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードよりな
る。これは、サブマウント２上に接着されており１本例
においては、２層５１が下層でありパッド３と接続され
ており、ｎＪ＃５２は上層であり発光ダイオード素子４
の負電極４５と接続されている。
６は本発明の要旨に係る逆方向サージ通過手段でありシ
リコンダイオードよりなる。これは、サブマウント２上
に接着されており、本例においては、９層６１が上層で
あり発光ダイオード素子４の負電極４５と接続されてお
り、ｎ層６２は下層でありパッド３と接続されている。
リコンダイオードよりなる。これは、サブマウント２上
に接着されており、本例においては、９層６１が上層で
あり発光ダイオード素子４の負電極４５と接続されてお
り、ｎ層６２は下層でありパッド３と接続されている。
発光ダイオード素子４、順方向サージ通過手段５たるシ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオード、逆方
向サージ通過手段６たるシリコンダイオードとも、独立
に１通常の手法をもって製造された後、上記のように組
み合わされる。
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオード、逆方
向サージ通過手段６たるシリコンダイオードとも、独立
に１通常の手法をもって製造された後、上記のように組
み合わされる。
上記のとうり、シリコンダイオードまたはゲルマニウム
ダイオード５の順方向電流は発光ダイオード素子４の同
一電圧における順方向電流より大きくされており、また
、シリコンダイオード６の順方向電流は、値は同一であ
るが符合が逆である電圧における発光ダイオード素子４
の逆方向電流より大さくされている。
ダイオード５の順方向電流は発光ダイオード素子４の同
一電圧における順方向電流より大きくされており、また
、シリコンダイオード６の順方向電流は、値は同一であ
るが符合が逆である電圧における発光ダイオード素子４
の逆方向電流より大さくされている。
以上の構成の発光ダイオードにおいては、順方向サージ
は順方向サージ通過手段５を通過して流れ、逆方向サー
ジは逆方向サージ通過手段６を通過して流れ１発光ダイ
オード素子４はいづれの方向のサージからも保護される
。
は順方向サージ通過手段５を通過して流れ、逆方向サー
ジは逆方向サージ通過手段６を通過して流れ１発光ダイ
オード素子４はいづれの方向のサージからも保護される
。
１］尖１」
第２図参照
図は第２の実施例の断面図を示す。
図において、ｌは銅よりなるステムであり、２はシリコ
ン、ゲルマニウム等よりなるサブマウントであり、金ス
ズソルダを使用してステム１上に接着される。３は金よ
りなるバットであり、一方の電極（本例においては正電
極）を構成する。４は発光ダイオード素子であり、上ド
のクラ−２ド層４３．４］はそれぞれｎ型及びｐ５のア
ルミニウムガリウムヒ素であり、活性層４２はアルミニ
ウムガリウムヒ素であり、正電極４４は下部クラフト層
４］の下面中央に、負電極４５は上部クラッド層４３の
上面に発光領域を取巻いて設けられており、光は矢印の
方向に放出される。
ン、ゲルマニウム等よりなるサブマウントであり、金ス
ズソルダを使用してステム１上に接着される。３は金よ
りなるバットであり、一方の電極（本例においては正電
極）を構成する。４は発光ダイオード素子であり、上ド
のクラ−２ド層４３．４］はそれぞれｎ型及びｐ５のア
ルミニウムガリウムヒ素であり、活性層４２はアルミニ
ウムガリウムヒ素であり、正電極４４は下部クラフト層
４］の下面中央に、負電極４５は上部クラッド層４３の
上面に発光領域を取巻いて設けられており、光は矢印の
方向に放出される。
５は本発明の要旨に係る順方向サージ通過手段でありシ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードよりな
り、ｎ型のシリコンよりなるサブマウント２内にｐ型の
不純物を導入して形成されている。正電極５３はパッド
３と接続されており、負電極５４は発光ダイオード素子
４の負電極４５と接続されている。
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードよりな
り、ｎ型のシリコンよりなるサブマウント２内にｐ型の
不純物を導入して形成されている。正電極５３はパッド
３と接続されており、負電極５４は発光ダイオード素子
４の負電極４５と接続されている。
６は本発明の要旨に係る逆方向サージ通過手段でありシ
リコンダイオードよりなり、ｎ型のシリコンよりなるサ
ブマウント２内にｐ型とｎ型の不純物を順次導入して形
成されている。正電極（Ｐ領域と接続）６３は順方向サ
ージ通過手段５の負を極５４と共通にされており、発光
ダイオード素７−４の負電極４５と接続されている。負
電極（ｎ領域と接続）６４は順方向サージ通過手段５の
圧電極５３とともにパット３と接続されている。
リコンダイオードよりなり、ｎ型のシリコンよりなるサ
ブマウント２内にｐ型とｎ型の不純物を順次導入して形
成されている。正電極（Ｐ領域と接続）６３は順方向サ
ージ通過手段５の負を極５４と共通にされており、発光
ダイオード素７−４の負電極４５と接続されている。負
電極（ｎ領域と接続）６４は順方向サージ通過手段５の
圧電極５３とともにパット３と接続されている。
第２￥施例の場合と同様に、シリコンダイオードまたは
ゲルマニウムダイオード５の順方向電流は発光ダイオー
ド素子４の同一電圧における順方向電波より大きくされ
ており、また、シリコンダイオード６の順方向電流は、
値は同一であるが符合が逆である電圧における発光ダイ
オード素子４の逆方向電流より大きくされている。
ゲルマニウムダイオード５の順方向電流は発光ダイオー
ド素子４の同一電圧における順方向電波より大きくされ
ており、また、シリコンダイオード６の順方向電流は、
値は同一であるが符合が逆である電圧における発光ダイ
オード素子４の逆方向電流より大きくされている。
以上の構成の発光ダイオードにおいては、順方向サージ
は順方向サージ通過手段５を通過して流れ、逆方向サー
ジは逆方向サージ通過手段６を通過して流れ、発光ダイ
オード素子４はいづれの方向のサージからも保護される
。
は順方向サージ通過手段５を通過して流れ、逆方向サー
ジは逆方向サージ通過手段６を通過して流れ、発光ダイ
オード素子４はいづれの方向のサージからも保護される
。
１］１］」
第３図参照
図は第３の実施例の断面図を示す。
図において、ｌは銅よりなるステムであり、２はシリコ
ン、ゲルマニウム等よりなるサブマウントであり、金ス
ズソルダを使用してステムｌ上に接着される。３は金よ
りなるパッドであり。
ン、ゲルマニウム等よりなるサブマウントであり、金ス
ズソルダを使用してステムｌ上に接着される。３は金よ
りなるパッドであり。
一方の電極（本例においては正電極）を構成する。４は
発光ダイオード素子であり、上下のクラフト層４３．４
］はそれぞれｎ型及びｐ型のアルミニウムガリウムヒ素
であり、活性層４２はアルミニウムガリウムヒ素であり
、正電極４４は下部クラッド層４］の下面中央に、負電
極４５は上部クラッド層４３の上面に発光領域を取巻い
て設けられており、光は矢印の方向に放出される。
発光ダイオード素子であり、上下のクラフト層４３．４
］はそれぞれｎ型及びｐ型のアルミニウムガリウムヒ素
であり、活性層４２はアルミニウムガリウムヒ素であり
、正電極４４は下部クラッド層４］の下面中央に、負電
極４５は上部クラッド層４３の上面に発光領域を取巻い
て設けられており、光は矢印の方向に放出される。
５は本発明の要旨に係る順方向サージ通過手段であり、
６は本発明の要旨に係る逆方向サージ通過１段である。
６は本発明の要旨に係る逆方向サージ通過１段である。
いづれも、発光ダイオード未了４の延長線上に形成され
ている。すなわち、発光ダイオード素子４の延長線上に
二酸化シリコン１］２４８を介して、ｐ型シリコン層と
ｎ型シリコン層とをそれぞれ分離して形成し、これらに
レーザ！−射をなして弔結品化し、それぞれ、ｎ型不純
物とｐ型不純物とを導入して順方向サージ通過手段５と
してのシリコンダイオードと逆方向サージ通過手段６と
してのシリコンダイオードを形成する。
ている。すなわち、発光ダイオード素子４の延長線上に
二酸化シリコン１］２４８を介して、ｐ型シリコン層と
ｎ型シリコン層とをそれぞれ分離して形成し、これらに
レーザ！−射をなして弔結品化し、それぞれ、ｎ型不純
物とｐ型不純物とを導入して順方向サージ通過手段５と
してのシリコンダイオードと逆方向サージ通過手段６と
してのシリコンダイオードを形成する。
順方向サージ通過手段５の正電極と逆方向サージ通過手
段６の負電極とが発光ダイオード素子４の正電極４４と
接続するパット３と接続され、順方向サージ通過手段５
の負電極と逆方向サージ通過手段６の正電極とが発光ダ
イオード素子４の負電極４５と接続され、シリコンダイ
オードまたはゲルマニウムダイオード５の順方向電流が
発光ダイオード素子４の同一電圧における順方向電流よ
り大きくされ、また、シリコンダイオード６の順方向’
ｉ４Ｈ＆が、値は同一であるが符合が逆である電圧にお
ける発光ダイオード素子４の逆方向電流より大きくされ
ていることは、上記二つの実施例の場合と同様である。
段６の負電極とが発光ダイオード素子４の正電極４４と
接続するパット３と接続され、順方向サージ通過手段５
の負電極と逆方向サージ通過手段６の正電極とが発光ダ
イオード素子４の負電極４５と接続され、シリコンダイ
オードまたはゲルマニウムダイオード５の順方向電流が
発光ダイオード素子４の同一電圧における順方向電流よ
り大きくされ、また、シリコンダイオード６の順方向’
ｉ４Ｈ＆が、値は同一であるが符合が逆である電圧にお
ける発光ダイオード素子４の逆方向電流より大きくされ
ていることは、上記二つの実施例の場合と同様である。
以上の構成の発光ダイオードにおいては、順方向サージ
は順方向サージ通過子役５を通過して流れ、逆方向サー
ジは逆方向サージ通過手段６を通過して魔れ、発光ダイ
オード素子４はいづれの方向のサージからも保護される
。
は順方向サージ通過子役５を通過して流れ、逆方向サー
ジは逆方向サージ通過手段６を通過して魔れ、発光ダイ
オード素子４はいづれの方向のサージからも保護される
。
以上説明せるとおり１本発明に係る発光ダイオードは、
シリコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードより
なる順方向サージ通過手段を発光ダイオード素子に順方
向並列に接続し、シリコンダイオードよりなる逆方向サ
ージ通過手段を発光ダイオード素子に逆方向並列に接続
し、前記の順方向サージ通過手段の順方向電流を前記の
発光ダイオード素子の同一電圧における順方向電流より
大きく、また、前記の逆方向サージ通過手段の前記の順
方向電流を、値は同一であるが符合が逆である電圧にお
ける前記の発光ダイオード素子の逆方向電流より大きく
しであるので。
シリコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードより
なる順方向サージ通過手段を発光ダイオード素子に順方
向並列に接続し、シリコンダイオードよりなる逆方向サ
ージ通過手段を発光ダイオード素子に逆方向並列に接続
し、前記の順方向サージ通過手段の順方向電流を前記の
発光ダイオード素子の同一電圧における順方向電流より
大きく、また、前記の逆方向サージ通過手段の前記の順
方向電流を、値は同一であるが符合が逆である電圧にお
ける前記の発光ダイオード素子の逆方向電流より大きく
しであるので。
順方向サージはシリコンダイオードまたはゲルマニウム
ダイオードよりなる順方向サージ通過手段を通過して流
れ、逆方向サージはシリコンダイオードよりなる逆方向
サージ通過手段を通過して流れ１発光ダイオード素子は
いづれの方向のサージからも保護される。
ダイオードよりなる順方向サージ通過手段を通過して流
れ、逆方向サージはシリコンダイオードよりなる逆方向
サージ通過手段を通過して流れ１発光ダイオード素子は
いづれの方向のサージからも保護される。
第１図は、本発明の第１の実施例に係る発光ダイオード
の構成図である。 第２図は、本発明の第２の実施例に係る発光ダイオード
の構成図である。 第３図は、本発明の第３の実施例に係る発光ダイオード
の構成図である。 第４図は、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン
等の化合物半導体を使用する発光ダイオードの順方向及
び逆方向の電流Φ電圧特性（Ａ、Ｂ）とシリコンダイオ
ードまたはゲルマニウムダイオードの順方向電流・電圧
特性（Ｃ１Ｄ）とを示すグラフである。 ０′Ｓ５図は、本発明の要旨に係る発光ダイオード素子
と順方向サージ通過手段と逆方向サージ通過手段との接
続を示すブロック図である。 ｌ＠・・ステム、 ２１・サブマウント。 ３・０・パッド、 ４・・・発光ダイオード素子、 ４］・・・下部クラッド層。 ４２・・・活性層、 ４３１・上部クラッド層、 ４４・畢・正電極、 ４５争・ｅ負電極。 ４６・・・二酸化シリコン膜。 ５・・・本発明の要旨に係る順方向サージ通過手段を構
成するシリコンダイオード、 ５１・・・下層（ｐ層）、 ５２・・・上層（ｎ層）、 ５３目＠正電極、 ５４中・会員電極、 ６・・・本発明の要旨に係る逆方向サージ通過手段を構
成するシリコンダイオード、 ６１・命・上層（ｐ層）。 ６２・・会下層（ｎ層）、 ６３・・・正電極。 ６４・・・負電極。 本発明−漕梗困 第 ５ 図 第１実ね例 第１図 第３実施例 第３図 ｊ≦支、７“イス−Ｌ−ヒ ミリフ〉／ ケ゛Ｓレマニ
＼ンム７”イイードと偽 慣乙ジ屹／’を反；午Δ・ニ
ー 第 ４ 図
の構成図である。 第２図は、本発明の第２の実施例に係る発光ダイオード
の構成図である。 第３図は、本発明の第３の実施例に係る発光ダイオード
の構成図である。 第４図は、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン
等の化合物半導体を使用する発光ダイオードの順方向及
び逆方向の電流Φ電圧特性（Ａ、Ｂ）とシリコンダイオ
ードまたはゲルマニウムダイオードの順方向電流・電圧
特性（Ｃ１Ｄ）とを示すグラフである。 ０′Ｓ５図は、本発明の要旨に係る発光ダイオード素子
と順方向サージ通過手段と逆方向サージ通過手段との接
続を示すブロック図である。 ｌ＠・・ステム、 ２１・サブマウント。 ３・０・パッド、 ４・・・発光ダイオード素子、 ４］・・・下部クラッド層。 ４２・・・活性層、 ４３１・上部クラッド層、 ４４・畢・正電極、 ４５争・ｅ負電極。 ４６・・・二酸化シリコン膜。 ５・・・本発明の要旨に係る順方向サージ通過手段を構
成するシリコンダイオード、 ５１・・・下層（ｐ層）、 ５２・・・上層（ｎ層）、 ５３目＠正電極、 ５４中・会員電極、 ６・・・本発明の要旨に係る逆方向サージ通過手段を構
成するシリコンダイオード、 ６１・命・上層（ｐ層）。 ６２・・会下層（ｎ層）、 ６３・・・正電極。 ６４・・・負電極。 本発明−漕梗困 第 ５ 図 第１実ね例 第１図 第３実施例 第３図 ｊ≦支、７“イス−Ｌ−ヒ ミリフ〉／ ケ゛Ｓレマニ
＼ンム７”イイードと偽 慣乙ジ屹／’を反；午Δ・ニ
ー 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］シリコンダイオードまたはゲルマニウムダイオー
ドよりなる順方向サージ通過手段（５）が発光ダイオー
ド素子（４）に順方向並列に接続され、シリコンダイオ
ードよりなる逆方向サージ通過手段（６）が発光ダイオ
ード素子（４）に逆方向並列に接続されており、前記順
方向サージ通過手段（５）の順方向電流は前記発光ダイ
オード素子（４）の同一電圧における順方向電流より大
きく、前記逆方向サージ通過手段（６）の順方向電流は
、値は同一であるが符合が逆である電圧における前記発
光ダイオード素子（４）の逆方向電流より大きくされて
いることを特徴とする発光ダイオード。 ［２］前記発光ダイオード素子（４）と前記順方向サー
ジ通過手段（５）と前記逆方向サージ通過手段（６）と
は単一のサブマウント（２）上に接着されてなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の発光ダイオード
。 ［３］前記発光ダイオード素子（４）は半導体サブマウ
ント（２）上に接着されてなり、前記順方向サージ通過
手段（５）と前記逆方向サージ通過手段（６）とは前記
半導体サブマウント（２）に形成されてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の発光ダイオード。 ［４］前記順方向サージ通過手段（５）と前記逆方向サ
ージ通過手段（６）とは前記発光ダイオード素子（４）
の一部領域上に形成されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61142525A JPS62299092A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61142525A JPS62299092A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62299092A true JPS62299092A (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=15317383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61142525A Pending JPS62299092A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62299092A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1986
- 1986-06-18 JP JP61142525A patent/JPS62299092A/ja active Pending
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| JP2016015356A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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