JPS6229923B2 - - Google Patents
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- JPS6229923B2 JPS6229923B2 JP53151339A JP15133978A JPS6229923B2 JP S6229923 B2 JPS6229923 B2 JP S6229923B2 JP 53151339 A JP53151339 A JP 53151339A JP 15133978 A JP15133978 A JP 15133978A JP S6229923 B2 JPS6229923 B2 JP S6229923B2
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/191—Tuned amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、帯域通過特性を持ち、その帯域内の
利得が略一定であり、且つ帯域内全域で良好な
Ｓ／Ｎ比（信号対雑音比）を持つ選択性増幅器に
関する。
利得が略一定であり、且つ帯域内全域で良好な
Ｓ／Ｎ比（信号対雑音比）を持つ選択性増幅器に
関する。
受信機の高周波段等で使用される、帯域通過特
性を有した選択性増幅器は、第１図に示すように
帯域通過フイルタBPFと増幅器AMPとを縦続接
続して構成される。この場合BPFは受信帯域外の
大入力の電波によつて影響を受けないように一般
にAMPの前段に設置される。BPFとしては、第
２図に示すようにＬ，Ｃを組合せた回路が考えら
れるが、目的とする通過周波数範囲がその中心周
波数に対して比較的広い場合（すなわち比帯域が
広い場合）には、第３図のごとく周波数に対する
伝送特性に大きなリツプルを生じ、このままでは
好ましくない。つまり、第３図の例では両肩部に
おいて伝送量が増加し、極端な場合にはこれが20
〜30dBにも達するので、帯域内の利得が一様で
なくなる。
性を有した選択性増幅器は、第１図に示すように
帯域通過フイルタBPFと増幅器AMPとを縦続接
続して構成される。この場合BPFは受信帯域外の
大入力の電波によつて影響を受けないように一般
にAMPの前段に設置される。BPFとしては、第
２図に示すようにＬ，Ｃを組合せた回路が考えら
れるが、目的とする通過周波数範囲がその中心周
波数に対して比較的広い場合（すなわち比帯域が
広い場合）には、第３図のごとく周波数に対する
伝送特性に大きなリツプルを生じ、このままでは
好ましくない。つまり、第３図の例では両肩部に
おいて伝送量が増加し、極端な場合にはこれが20
〜30dBにも達するので、帯域内の利得が一様で
なくなる。
そこで、従来は第４図に示すようにＰ点とアー
ス間につまりバイパス側のフイルタ素子ＣB，ＬB
と並列に負荷抵抗ＲLを設けて、その伝送特性が
第５図のように帯域内で略一様になるようにして
いた。しかしながら、この構成では比帯域が１に
近いような場合（たとえば中心周波数が1000KHz
でその±500KHzつまり500KHzから1500KHzを通
過帯域とするような場合）には、抵抗ＲLはかな
り小さな値となつて、ＲLによる抵抗熱雑音がこ
の回路のＳ／Ｎを低下させるという欠点がある。
ス間につまりバイパス側のフイルタ素子ＣB，ＬB
と並列に負荷抵抗ＲLを設けて、その伝送特性が
第５図のように帯域内で略一様になるようにして
いた。しかしながら、この構成では比帯域が１に
近いような場合（たとえば中心周波数が1000KHz
でその±500KHzつまり500KHzから1500KHzを通
過帯域とするような場合）には、抵抗ＲLはかな
り小さな値となつて、ＲLによる抵抗熱雑音がこ
の回路のＳ／Ｎを低下させるという欠点がある。
第４図の回路において、コイルＬA，ＬBやコン
デンサＣA，ＣBの損失がないものとし、かつ増幅
器AMPも雑音を生じないものとして、抵抗ＲLに
よりＳ／Ｎがどうなるかを考えてみる。先ず第４
図のＣAおよびＬAの直列インピーダンスをＺA，
ＣBおよびＬBの並列インピーダンスをＺBとし、
また抵抗ＲLの熱雑音電圧をＶNとして、第４図の
Ｐ点までの等価回路を示すと第６図のようにな
る。ここでＥSは第４図の入力端子INに加わる無
損失の信号源による信号電圧であり、E0はＰ点
の出力電圧である。熱雑音電圧ＶNはボルツマン
定数ｋ、絶対温度Ｔ（〓）、帯域幅ＢによりＶN＝
√4Lとして表わされる。
デンサＣA，ＣBの損失がないものとし、かつ増幅
器AMPも雑音を生じないものとして、抵抗ＲLに
よりＳ／Ｎがどうなるかを考えてみる。先ず第４
図のＣAおよびＬAの直列インピーダンスをＺA，
ＣBおよびＬBの並列インピーダンスをＺBとし、
また抵抗ＲLの熱雑音電圧をＶNとして、第４図の
Ｐ点までの等価回路を示すと第６図のようにな
る。ここでＥSは第４図の入力端子INに加わる無
損失の信号源による信号電圧であり、E0はＰ点
の出力電圧である。熱雑音電圧ＶNはボルツマン
定数ｋ、絶対温度Ｔ（〓）、帯域幅ＢによりＶN＝
√4Lとして表わされる。
信号電圧ＥSはＺBとＲLの合成インピーダンス
とＺAにより分割されるので、Ｐ点に生じる信号
電圧Ｅ0Sは Ｅ0S＝ＺＢＲＬ／ＲＬ（ＺＡ＋ＺＢ）＋ＺＡＺＢＥS
…… となる。これに対しＰ点に生じる雑音電圧Ｅ0Nは Ｅ0N＝ＺＡＺＢ／ＲＬ（ＺＡ＋ＺＢ）＋ＺＡＺＢ・√4
L…… であるから、Ｓ／Ｎは となる。選択性増幅器全体としてのＳ／Ｎには、
BPFの後段に接続する増幅器AMPの発する雑音
も影響するが、第４図の構成では式でＺA＝０
以外の場合にはＳ／ＮがＲLに依存し、抵抗ＲLを
小さく選ぶほどＳ／Ｎの低下が大きいことがわか
る。この抵抗ＲLは小さい程前記リツプルを小さ
くする効果があり、比帯域が１に近くなるような
場合にはかなり小さな値に選ばれるので、第４図
の回路では帯域内の利得を略一定にすることはで
きても、このためにＳ／Ｎを劣化させる欠点があ
る。つまり、インピーダンスＺAは ＺA＝１−ω２ＬＡＣＡ／ｊωＣＡ …… であるから、式は と表わされる。式から明らかなように、第４図
の選択性増幅器では１−ω2LACA＝０となる特定
周波数のみＳ／Ｎが最良で、ＺA≠０ではＳ／Ｎ
が低下するため、そのＳ／Ｎ特性は第９図の曲線
イのように特定周波数でのみ良く、それを外れる
に従つて悪化する。また負荷抵抗ＲLの平方根に
比例するので、ＲLが小になればその平方根に比
例して悪化する。
とＺAにより分割されるので、Ｐ点に生じる信号
電圧Ｅ0Sは Ｅ0S＝ＺＢＲＬ／ＲＬ（ＺＡ＋ＺＢ）＋ＺＡＺＢＥS
…… となる。これに対しＰ点に生じる雑音電圧Ｅ0Nは Ｅ0N＝ＺＡＺＢ／ＲＬ（ＺＡ＋ＺＢ）＋ＺＡＺＢ・√4
L…… であるから、Ｓ／Ｎは となる。選択性増幅器全体としてのＳ／Ｎには、
BPFの後段に接続する増幅器AMPの発する雑音
も影響するが、第４図の構成では式でＺA＝０
以外の場合にはＳ／ＮがＲLに依存し、抵抗ＲLを
小さく選ぶほどＳ／Ｎの低下が大きいことがわか
る。この抵抗ＲLは小さい程前記リツプルを小さ
くする効果があり、比帯域が１に近くなるような
場合にはかなり小さな値に選ばれるので、第４図
の回路では帯域内の利得を略一定にすることはで
きても、このためにＳ／Ｎを劣化させる欠点があ
る。つまり、インピーダンスＺAは ＺA＝１−ω２ＬＡＣＡ／ｊωＣＡ …… であるから、式は と表わされる。式から明らかなように、第４図
の選択性増幅器では１−ω2LACA＝０となる特定
周波数のみＳ／Ｎが最良で、ＺA≠０ではＳ／Ｎ
が低下するため、そのＳ／Ｎ特性は第９図の曲線
イのように特定周波数でのみ良く、それを外れる
に従つて悪化する。また負荷抵抗ＲLの平方根に
比例するので、ＲLが小になればその平方根に比
例して悪化する。
本発明は上述した負荷抵抗ＲLによるＳ／Ｎの
低下を防止するため、負荷抵抗ＲLに相当するも
のを増幅器の帰還抵抗Rfによつて得ることによ
り、帯域内の利得を略一定に保ちしかもＳ／Ｎ低
下のない選択性増幅器を提供することを目的とし
ている。
低下を防止するため、負荷抵抗ＲLに相当するも
のを増幅器の帰還抵抗Rfによつて得ることによ
り、帯域内の利得を略一定に保ちしかもＳ／Ｎ低
下のない選択性増幅器を提供することを目的とし
ている。
以下、図面について詳細に説明する。第７図は
本発明の一実施例であり、フイルタBPFは第２図
の構成と変らない。つまり、Ｌ，Ｃのみを組合せ
てなり、負荷抵抗は備えない無損失の回路であ
る。これに対し、BPFの後段に接続されるAMP
は、入力インピーダンスがほぼ無限大で且つ出力
インピーダンスが零に近いのが良い反転増幅器で
あり、その利得（−Ａ）は｜Ａ｜≫１である。こ
のような反転増幅器は例えばFETで構成され
る。AMPの出力端OUTから入力端Ｐ点にかけて
帰還抵抗Rfが接続してある。
本発明の一実施例であり、フイルタBPFは第２図
の構成と変らない。つまり、Ｌ，Ｃのみを組合せ
てなり、負荷抵抗は備えない無損失の回路であ
る。これに対し、BPFの後段に接続されるAMP
は、入力インピーダンスがほぼ無限大で且つ出力
インピーダンスが零に近いのが良い反転増幅器で
あり、その利得（−Ａ）は｜Ａ｜≫１である。こ
のような反転増幅器は例えばFETで構成され
る。AMPの出力端OUTから入力端Ｐ点にかけて
帰還抵抗Rfが接続してある。
上記構成において、Ｐ点より反転増幅器AMP
側を見たインピーダンスはRf／Ａとなるので、
Rf＝ARLとなるようにRfを選べば、第５図の伝
送特性が得られることは明らかである。このとき
抵抗Rfの熱雑音によつてＳ／Ｎがどうなるかを
考えてみる。先ず、第７図の回路を、Rfの熱雑
音電圧ＶN＝√4を考慮して等価的に表わ
すと第８図のようになる。従つて、Ｐ点における
信号成分Ｅ0Sは Ｅ0N＝ＥSＺＢ（Ｒｆ／Ａ）／（ＺＡ＋ＺＢ）（Ｒｆ
／Ａ）＋ＺＡ＋ＺＢ…… となり、またＰ点における雑音成分Ｅ0Nは Ｅ0N＝ＺＡＺＢ／Ａ／（ＺＡ＋ＺＢ）（Ｒｆ／Ａ）＋
ＺＡＺＢ ・√4 …… となるので、Ｓ／Ｎは となる。
側を見たインピーダンスはRf／Ａとなるので、
Rf＝ARLとなるようにRfを選べば、第５図の伝
送特性が得られることは明らかである。このとき
抵抗Rfの熱雑音によつてＳ／Ｎがどうなるかを
考えてみる。先ず、第７図の回路を、Rfの熱雑
音電圧ＶN＝√4を考慮して等価的に表わ
すと第８図のようになる。従つて、Ｐ点における
信号成分Ｅ0Sは Ｅ0N＝ＥSＺＢ（Ｒｆ／Ａ）／（ＺＡ＋ＺＢ）（Ｒｆ
／Ａ）＋ＺＡ＋ＺＢ…… となり、またＰ点における雑音成分Ｅ0Nは Ｅ0N＝ＺＡＺＢ／Ａ／（ＺＡ＋ＺＢ）（Ｒｆ／Ａ）＋
ＺＡＺＢ ・√4 …… となるので、Ｓ／Ｎは となる。
式で、Rf＝ARLであるため、第７図の選択
性増幅器は式に較べて√倍ほどＳ／Ｎが良い
ことになり、これを周波数特性で示すと第９図の
曲線ロのようになる。実際には抵抗Rfによる
Ｓ／Ｎ低下がこのように小さくなると、増幅器
AMPの持つ雑音でＳ／Ｎがきまるので、全体と
してのＳ／Ｎは第９図の直線ハのように（Ｓ／
Ｎ）Ａに抑えられるが、従来のＳ／Ｎ曲線イより
は著しく改善されている。
性増幅器は式に較べて√倍ほどＳ／Ｎが良い
ことになり、これを周波数特性で示すと第９図の
曲線ロのようになる。実際には抵抗Rfによる
Ｓ／Ｎ低下がこのように小さくなると、増幅器
AMPの持つ雑音でＳ／Ｎがきまるので、全体と
してのＳ／Ｎは第９図の直線ハのように（Ｓ／
Ｎ）Ａに抑えられるが、従来のＳ／Ｎ曲線イより
は著しく改善されている。
以上述べた本発明の選択性増幅器であれば、比
較的比帯域の広い場合にも帯域内の利得を略一定
に保ち、しかもＳ／Ｎを低下させることがない利
点がある。
較的比帯域の広い場合にも帯域内の利得を略一定
に保ち、しかもＳ／Ｎを低下させることがない利
点がある。
第１図は従来の選択性増幅器の一例を示すブロ
ツク図、第２図は第１図のBPFを具体的に示す回
路図、第３図は第１図に示した選択性増幅器の伝
送特性図、第４図は伝送特性を改良した従来の選
択性増幅器を示す構成図、第５図はその伝送特性
図、第６図は第４図の等価回路図、第７図は本発
明の一実施例を示す回路図、第８図はその等価回
路図、第９図は本発明で改善されたＳ／Ｎを従来
のものと対比して示す周波数特性図である。 BPF……帯域通過フイルタ、AMP……反転増
幅器、Rf……帰還抵抗、ＣA，ＣB……コンデン
サ、ＬA，ＬB……コイル。
ツク図、第２図は第１図のBPFを具体的に示す回
路図、第３図は第１図に示した選択性増幅器の伝
送特性図、第４図は伝送特性を改良した従来の選
択性増幅器を示す構成図、第５図はその伝送特性
図、第６図は第４図の等価回路図、第７図は本発
明の一実施例を示す回路図、第８図はその等価回
路図、第９図は本発明で改善されたＳ／Ｎを従来
のものと対比して示す周波数特性図である。 BPF……帯域通過フイルタ、AMP……反転増
幅器、Rf……帰還抵抗、ＣA，ＣB……コンデン
サ、ＬA，ＬB……コイル。
Claims (1)
- １ 無損失の信号源に接続され増幅器の増幅対象
周波数範囲の信号を通すコンデンサおよびコイル
により構成された無損失の帯域通過フイルタと、
このフイルタの後段に設けられた入力インピダン
スが無限大に近く、且つ出力インピダンスが零に
近い高利得の反転増幅器と、該フイルタの伝送特
性のリツプルを平坦化するに必要な抵抗値の前記
利得倍の値を持ち該増幅器の出力端から入力端に
かけて接続された帰還抵抗とを具備してなる選択
性増幅器。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15133978A JPS5577213A (en) | 1978-12-06 | 1978-12-06 | Selective amplifier |
| JP15134078A JPS5577214A (en) | 1978-12-06 | 1978-12-06 | Selective amplifier |
| US06/096,068 US4306200A (en) | 1978-12-06 | 1979-11-20 | Selective amplifier |
| CA000340197A CA1141442A (en) | 1978-12-06 | 1979-11-20 | Selective amplifier |
| AU53357/79A AU5335779A (en) | 1978-12-06 | 1979-11-30 | Amplifier with band-pass filter input |
| DE2953382A DE2953382C1 (de) | 1978-12-06 | 1979-11-30 | Selektiver Verstaerker |
| PCT/JP1979/000308 WO1980001227A1 (fr) | 1978-12-06 | 1979-11-30 | Amplificateur selectif |
| NLAANVRAGE7908680,A NL190301C (nl) | 1978-12-06 | 1979-11-30 | Selectieve versterker. |
| GB8039481A GB2060304B (en) | 1978-12-06 | 1979-11-30 | Selective amplifier |
| AU53357/79A AU513840B2 (en) | 1978-12-06 | 1979-11-30 | Amplifier with band-pass filter input |
| CH5978/80A CH647902A5 (de) | 1978-12-06 | 1979-11-30 | Selektiver verstaerker. |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15133978A JPS5577213A (en) | 1978-12-06 | 1978-12-06 | Selective amplifier |
| JP15134078A JPS5577214A (en) | 1978-12-06 | 1978-12-06 | Selective amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5577213A JPS5577213A (en) | 1980-06-10 |
| JPS6229923B2 true JPS6229923B2 (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=26480625
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15133978A Granted JPS5577213A (en) | 1978-12-06 | 1978-12-06 | Selective amplifier |
| JP15134078A Granted JPS5577214A (en) | 1978-12-06 | 1978-12-06 | Selective amplifier |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15134078A Granted JPS5577214A (en) | 1978-12-06 | 1978-12-06 | Selective amplifier |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4306200A (ja) |
| JP (2) | JPS5577213A (ja) |
| AU (2) | AU5335779A (ja) |
| CA (1) | CA1141442A (ja) |
| CH (1) | CH647902A5 (ja) |
| DE (1) | DE2953382C1 (ja) |
| GB (1) | GB2060304B (ja) |
| NL (1) | NL190301C (ja) |
| WO (1) | WO1980001227A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5577213A (en) | 1978-12-06 | 1980-06-10 | Fujitsu Ten Ltd | Selective amplifier |
| DE3411712A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltung zur erzeugung von sehr kurzen leistungsimpulsen |
| US4600903A (en) * | 1984-08-27 | 1986-07-15 | Vladan Temer | Gain control compensation for bandpass filter with variable bandwidth |
| JPH0232626A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Pioneer Electron Corp | 高周波増幅回路 |
| US5229732A (en) * | 1990-01-16 | 1993-07-20 | Fujitsu Limited | High frequency amplifier having stable amplification operation |
| JPH041322U (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | ||
| US5172415A (en) * | 1990-06-08 | 1992-12-15 | Fosgate James W | Surround processor |
| DE19611879A1 (de) * | 1995-05-15 | 1996-11-21 | Charles Machine Works | Bandpaßfilter für Vorverstärker |
| JP3380371B2 (ja) * | 1995-06-22 | 2003-02-24 | 三菱電機株式会社 | 広帯域増幅器 |
| ES2308938B1 (es) * | 2007-06-20 | 2010-01-08 | Indiba, S.A. | "circuito para dispositivos de radiofrecuencia aplicables a los tejidos vivos y dispositivo que lo contiene". |
| DE102008039884A1 (de) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Erbe Elektromedizin Gmbh | Elektrochirurgischer HF-Generator |
| US9589916B2 (en) * | 2015-02-10 | 2017-03-07 | Infineon Technologies Ag | Inductively coupled transformer with tunable impedance match network |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE707652C (de) * | 1938-07-01 | 1941-06-28 | Lorenz Akt Ges C | Schaltungsanordnung, insbesondere fuer ultrakurze Wellen, zur Kopplung zweier Verstaerkerroehren |
| CH261229A (de) * | 1939-03-22 | 1949-04-30 | Emi Ltd | Schaltungsanordnung zur Erzielung einer Dämpfung in einem im Eingang einer Verstärkerröhre liegenden Schwingkreis. |
| US3164780A (en) * | 1961-01-10 | 1965-01-05 | Singer Mfg Co | Variable band width constant amplitude filter |
| DE2515698B2 (de) * | 1975-04-10 | 1977-11-17 | Bergwerksverband Gmbh, 4300 Essen | Selektiver verstaerker mit aktiven filtern |
| JPS5577213A (en) | 1978-12-06 | 1980-06-10 | Fujitsu Ten Ltd | Selective amplifier |
-
1978
- 1978-12-06 JP JP15133978A patent/JPS5577213A/ja active Granted
- 1978-12-06 JP JP15134078A patent/JPS5577214A/ja active Granted
-
1979
- 1979-11-20 US US06/096,068 patent/US4306200A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-11-20 CA CA000340197A patent/CA1141442A/en not_active Expired
- 1979-11-30 NL NLAANVRAGE7908680,A patent/NL190301C/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-11-30 WO PCT/JP1979/000308 patent/WO1980001227A1/ja not_active Ceased
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