JPS6230484B2 - - Google Patents
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- JPS6230484B2 JPS6230484B2 JP55054927A JP5492780A JPS6230484B2 JP S6230484 B2 JPS6230484 B2 JP S6230484B2 JP 55054927 A JP55054927 A JP 55054927A JP 5492780 A JP5492780 A JP 5492780A JP S6230484 B2 JPS6230484 B2 JP S6230484B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- humidity
- sensing element
- humidity sensing
- manufacturing
- oxide film
- Prior art date
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- Expired
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
本発明は湿度検知素子の製造方法に関するもの
であり、さらに詳細には減圧下に保持して湿度検
知素子の特性の安定化、信頼性の向上を図るもの
である。 最近、空調、電子部品の製造、農林、食品等の
工業において、特に湿度の制御と容易な計測が望
まれ始めた。特に、制御という点からは電気信号
により湿度を検知する方法が必要であり、その検
知方式として現在あるものは、塩化リチウムのよ
うな潮解性塩のイオン伝導の変化によるもの、マ
グネタイト、シリコン半導体の水分吸脱着による
抵抗変化式のもの、毛髪、ナイロン、スチレンの
ような繊維の水分吸脱着に伴なう変化を応力素
子、マイクロスイツチなどと組み合せたもの、カ
ーボン、金属粉末等の導電性微粒子を含んだ有機
樹脂の膨潤性を利用したもの、α線吸収透過を利
用したものなどがある。 ところが、これらの中でイオン伝導を利用した
ものは経時変化が大きく、メンテナンスに手間ど
り、樹脂型のものは応答速度が遅く、α線利用の
ものは高価であり、またその他のものについても
いずれも精度、応答性、環境ガスの影響、測定可
能な湿度範囲、感度、耐熱性、ヒステリシス、経
時変化、価格等の点で一長一短である。 これに対し、本発明で言及する湿度検出素子は
誘電体酸化膜の吸脱着による静電容量変化を検知
するものであり、その構成および原理は特開昭54
−1897号公報に詳細に述べられている。この内容
について若干の説明を行なう。 第１図に本発明に関する湿度検知素子の構成図
を示しておりタンタル、アルミニウムのような弁
金属基体１の上に陽極酸化により誘電体性陽極酸
化皮膜２を形成し、さらにこの誘電体性陽極酸化
皮膜２上の全面または一部に、例えば硝酸マンガ
ンのような熱分解性金属塩の熱分解によつて二酸
化マンガンのような半導体性金属酸化物層３を形
成し、そしてその上にカーボン、銀ペイントを用
いて水蒸気透過性の導電性電極４を形成した構造
である。 第２図にその具体的な構造の一例を示してお
り、５はタンタル線、６は酸化タンタル皮膜、７
は二酸化マンガン層、８は導電性電極、９は半
田、１０は透孔１１を有する有底筒状の金属ケー
ス、１２はこの金属ケース１１に接続固定した外
部リード線、１３はハーメチツクシール部であ
る。 このようにして形成された湿度検知素子は相対
湿度に応じた空気中の水分を吸着し、この水分が
誘電体性陽極酸化皮膜２の対向電極として作用
し、高湿の場合には、この電極面積が増加するの
で、高静電容量が得られ、低湿の場合には逆に低
静電容量が信号として検出され、最終的に空気中
の相対湿度変化を静電容量変化として検知する湿
度検知素子になる。この方式の湿度検知素子は第
３図に示すように、０〜100％RHにわたつて測定
精度、感度も高く、第４図に示すように吸脱湿の
応答性も非常に優れている。このため、信号検出
のための周辺電気回路も簡単なものとなり、価格
も安価である。 このように本発明の言及する湿度検知素子は、
前述した従来のいかなる湿度検知素子よりも性
能、取扱い容易さの点で優れている。 ところで、検知素子の評価項目にあげられるも
のとして、その周期にわたる特性の安定性があげ
られる。すなわち、種々の環境下に置かれた時、
湿度検知素子の特性の変動が少ないことが不可欠
である。 本発明は既述の容量変化型の湿度検知素子の長
期にわたる安定性のための処理に関するものであ
り、具体的にはこのような湿度検知素子の減圧下
における処理に関するものであり、以下に本発明
の内容を詳細に説明する。 本発明の特徴は、タンタル、アルミニウム、チ
タンのような弁金属基体上に陽極酸化によつて誘
電体性陽極酸化皮膜を形成し、この皮膜上の一部
または全部に、例えば硝酸マンガンの塗布、熱分
解によつて二酸化マンガン層を形成し、この二酸
化マンガン上の一部または全部に、カーボン、銀
ペイントにより導電性電極を形成し、さらにこの
素子を高温高湿の雰囲気下でエージングした後減
圧下において200℃以下の温度で熱処理をする方
法である。 すなわち、本発明は前述した高温高湿雰囲気下
でエージングをして特性の安定化を図り、信頼度
の向上を得た後、さらに短時間にて不可逆変化を
させるものである。 ところで、上記高温高湿中で長時間保持された
湿度検知素子は、一度空気中（常温常湿中）に出
されると、常温常湿中において導電性電極が乾燥
し、その常温常湿中において平衡に達するまで待
たなければならなかつた。また、平衡に達した後
に空気中の相対湿度以下の水分が除去されなかつ
た。これは次のような理由によるものである。 第５図Ａ，Ｂに高温高湿雰囲気下でのエージン
グ処理前と処理後の検知素子の変化の状態を模式
的に示しており、第５図Ａ，Ｂにおいて、１′は
タンタル基体、２′は酸化タンタル皮膜、３′は二
酸化マンガンである。また、ｂは二酸化マンガン
３′によつて覆われている酸化タンタル部分であ
り、ａは二酸化マンガン３′によつて覆われてい
ない酸化タンタル部分である。 この第５図Ａ，Ｂに示されるように高温高湿中
でのエージング処理により、二酸化マンガン３′
の一部が徐々に剥離し、ａ部の面積が増加し、ｂ
部の面積が減少する。すなわち、低温における容
量値が減少することになり、これらを予め第５図
Ｂに示さるａ：ｂの割合にして安定化しておくも
のである。ここで安定化したａ：ｂの割合の素子
を空気中（常温常湿中）に出すと、長時間放置
後、室内の相対湿度が低湿であば低湿で飽和し、
高湿であれば高湿で飽和してしまい、室内の水分
量より以下の水分が検知素子から抜けきれないた
め、第６図のＣで示される部分に若干の水分が残
り、そのまま検知素子の初期測定を実施すると、
実際の静電容量に吸着水分の静電容量を持つた
め、実際より大きな静電容量を持つこととなり、
第７図に示すように湿度検知素子の初期特性と以
後の信頼性データとの変化として現れてくる。 本発明はこのような高温高湿中エージング処理
後の湿度検知素子を短時間にて空気中雰囲気と平
衡状態に達しさせるとともに、その湿度検知素子
の信頼性を向上させるために、高温高湿中に長時
間保持された湿度検知素子を減圧した雰囲気中に
保持し、信頼度を上げることを特徴とするもので
あり、具体的には第６図のＣ部分の残有水分を短
時間で除去し、第７図に示す数ケ月後の特性と初
期特性の変化をできるだけ少なくする方法であ
る。 第６図ｃに示す残留水分は、以下に述べるよう
に40℃90％RHのような絶対水分量の多い雰囲気
で処理した時にMnO2、Ta2O5膜の界面に残留す
るものであり、これを処理後一般空気中雰囲気
（例えば20℃50％RH）に放置しても、この残留水
分は除去されず、測定誤差の原因になる。 本発明の減圧処理法は例えば１mmHg100℃のよ
うな高真空度、高温雰囲気でこの残留水分を一旦
気化除去しようとするものであり、MnO2などの
金属酸化物への付着水は、高温加熱よりも本発明
のような、加熱減圧処理が有効である。すなわ
ち、短時間に比較的低温で、強力に吸着した水分
を除去できる。 次に、本発明の具体的な実施例を説明する。 １mm〓、20mmのタンタル線上に液温25℃〜
150℃の蓚酸水溶液中で20V〜200Vの陽極酸化皮
膜を形成し、比重が1.5の硝酸マンガン水溶液の
塗布、熱分解により陽極酸化皮膜上に二酸化マン
ガンの金属酸化物層を形成し、さらにコロイダル
カーボンを含浸し乾燥することにより二酸化マン
ガンの上にカーボン層を形成し、このカーボン層
上に銀ペイント層を形成する。 このようにして構成した素子を40℃、90％RH
条件下で50時間保持した後、減圧下で熱処理し
た。このようにして得られた検知素子を本発明の
処理を行なわない場合と比較してみると表１のよ
うになる。この表１は150℃、真空度１mmHgの処
理を行つた素子と、100℃、真空度１mmHgの処理
を行つた素子と無処理の素子を、それぞれ常温常
湿中に１カ月放置した場合70℃、90〜98％RH中
で1000時間20Vのパルス電圧を印加した場合（常
温常湿）―（70℃、90〜98％RH中で20Vパルス
印加）―（−20℃〜＋70℃、90〜98％RH）を１
サイクルとして10サイクルの温湿度サイクルをか
けた場合における初期特性の変化を調べた結果で
ある。また、表１において、〇はあまり変化がな
いことを示し、△は低湿側で変化することを示
し、×は全体的に変化することを示している。
であり、さらに詳細には減圧下に保持して湿度検
知素子の特性の安定化、信頼性の向上を図るもの
である。 最近、空調、電子部品の製造、農林、食品等の
工業において、特に湿度の制御と容易な計測が望
まれ始めた。特に、制御という点からは電気信号
により湿度を検知する方法が必要であり、その検
知方式として現在あるものは、塩化リチウムのよ
うな潮解性塩のイオン伝導の変化によるもの、マ
グネタイト、シリコン半導体の水分吸脱着による
抵抗変化式のもの、毛髪、ナイロン、スチレンの
ような繊維の水分吸脱着に伴なう変化を応力素
子、マイクロスイツチなどと組み合せたもの、カ
ーボン、金属粉末等の導電性微粒子を含んだ有機
樹脂の膨潤性を利用したもの、α線吸収透過を利
用したものなどがある。 ところが、これらの中でイオン伝導を利用した
ものは経時変化が大きく、メンテナンスに手間ど
り、樹脂型のものは応答速度が遅く、α線利用の
ものは高価であり、またその他のものについても
いずれも精度、応答性、環境ガスの影響、測定可
能な湿度範囲、感度、耐熱性、ヒステリシス、経
時変化、価格等の点で一長一短である。 これに対し、本発明で言及する湿度検出素子は
誘電体酸化膜の吸脱着による静電容量変化を検知
するものであり、その構成および原理は特開昭54
−1897号公報に詳細に述べられている。この内容
について若干の説明を行なう。 第１図に本発明に関する湿度検知素子の構成図
を示しておりタンタル、アルミニウムのような弁
金属基体１の上に陽極酸化により誘電体性陽極酸
化皮膜２を形成し、さらにこの誘電体性陽極酸化
皮膜２上の全面または一部に、例えば硝酸マンガ
ンのような熱分解性金属塩の熱分解によつて二酸
化マンガンのような半導体性金属酸化物層３を形
成し、そしてその上にカーボン、銀ペイントを用
いて水蒸気透過性の導電性電極４を形成した構造
である。 第２図にその具体的な構造の一例を示してお
り、５はタンタル線、６は酸化タンタル皮膜、７
は二酸化マンガン層、８は導電性電極、９は半
田、１０は透孔１１を有する有底筒状の金属ケー
ス、１２はこの金属ケース１１に接続固定した外
部リード線、１３はハーメチツクシール部であ
る。 このようにして形成された湿度検知素子は相対
湿度に応じた空気中の水分を吸着し、この水分が
誘電体性陽極酸化皮膜２の対向電極として作用
し、高湿の場合には、この電極面積が増加するの
で、高静電容量が得られ、低湿の場合には逆に低
静電容量が信号として検出され、最終的に空気中
の相対湿度変化を静電容量変化として検知する湿
度検知素子になる。この方式の湿度検知素子は第
３図に示すように、０〜100％RHにわたつて測定
精度、感度も高く、第４図に示すように吸脱湿の
応答性も非常に優れている。このため、信号検出
のための周辺電気回路も簡単なものとなり、価格
も安価である。 このように本発明の言及する湿度検知素子は、
前述した従来のいかなる湿度検知素子よりも性
能、取扱い容易さの点で優れている。 ところで、検知素子の評価項目にあげられるも
のとして、その周期にわたる特性の安定性があげ
られる。すなわち、種々の環境下に置かれた時、
湿度検知素子の特性の変動が少ないことが不可欠
である。 本発明は既述の容量変化型の湿度検知素子の長
期にわたる安定性のための処理に関するものであ
り、具体的にはこのような湿度検知素子の減圧下
における処理に関するものであり、以下に本発明
の内容を詳細に説明する。 本発明の特徴は、タンタル、アルミニウム、チ
タンのような弁金属基体上に陽極酸化によつて誘
電体性陽極酸化皮膜を形成し、この皮膜上の一部
または全部に、例えば硝酸マンガンの塗布、熱分
解によつて二酸化マンガン層を形成し、この二酸
化マンガン上の一部または全部に、カーボン、銀
ペイントにより導電性電極を形成し、さらにこの
素子を高温高湿の雰囲気下でエージングした後減
圧下において200℃以下の温度で熱処理をする方
法である。 すなわち、本発明は前述した高温高湿雰囲気下
でエージングをして特性の安定化を図り、信頼度
の向上を得た後、さらに短時間にて不可逆変化を
させるものである。 ところで、上記高温高湿中で長時間保持された
湿度検知素子は、一度空気中（常温常湿中）に出
されると、常温常湿中において導電性電極が乾燥
し、その常温常湿中において平衡に達するまで待
たなければならなかつた。また、平衡に達した後
に空気中の相対湿度以下の水分が除去されなかつ
た。これは次のような理由によるものである。 第５図Ａ，Ｂに高温高湿雰囲気下でのエージン
グ処理前と処理後の検知素子の変化の状態を模式
的に示しており、第５図Ａ，Ｂにおいて、１′は
タンタル基体、２′は酸化タンタル皮膜、３′は二
酸化マンガンである。また、ｂは二酸化マンガン
３′によつて覆われている酸化タンタル部分であ
り、ａは二酸化マンガン３′によつて覆われてい
ない酸化タンタル部分である。 この第５図Ａ，Ｂに示されるように高温高湿中
でのエージング処理により、二酸化マンガン３′
の一部が徐々に剥離し、ａ部の面積が増加し、ｂ
部の面積が減少する。すなわち、低温における容
量値が減少することになり、これらを予め第５図
Ｂに示さるａ：ｂの割合にして安定化しておくも
のである。ここで安定化したａ：ｂの割合の素子
を空気中（常温常湿中）に出すと、長時間放置
後、室内の相対湿度が低湿であば低湿で飽和し、
高湿であれば高湿で飽和してしまい、室内の水分
量より以下の水分が検知素子から抜けきれないた
め、第６図のＣで示される部分に若干の水分が残
り、そのまま検知素子の初期測定を実施すると、
実際の静電容量に吸着水分の静電容量を持つた
め、実際より大きな静電容量を持つこととなり、
第７図に示すように湿度検知素子の初期特性と以
後の信頼性データとの変化として現れてくる。 本発明はこのような高温高湿中エージング処理
後の湿度検知素子を短時間にて空気中雰囲気と平
衡状態に達しさせるとともに、その湿度検知素子
の信頼性を向上させるために、高温高湿中に長時
間保持された湿度検知素子を減圧した雰囲気中に
保持し、信頼度を上げることを特徴とするもので
あり、具体的には第６図のＣ部分の残有水分を短
時間で除去し、第７図に示す数ケ月後の特性と初
期特性の変化をできるだけ少なくする方法であ
る。 第６図ｃに示す残留水分は、以下に述べるよう
に40℃90％RHのような絶対水分量の多い雰囲気
で処理した時にMnO2、Ta2O5膜の界面に残留す
るものであり、これを処理後一般空気中雰囲気
（例えば20℃50％RH）に放置しても、この残留水
分は除去されず、測定誤差の原因になる。 本発明の減圧処理法は例えば１mmHg100℃のよ
うな高真空度、高温雰囲気でこの残留水分を一旦
気化除去しようとするものであり、MnO2などの
金属酸化物への付着水は、高温加熱よりも本発明
のような、加熱減圧処理が有効である。すなわ
ち、短時間に比較的低温で、強力に吸着した水分
を除去できる。 次に、本発明の具体的な実施例を説明する。 １mm〓、20mmのタンタル線上に液温25℃〜
150℃の蓚酸水溶液中で20V〜200Vの陽極酸化皮
膜を形成し、比重が1.5の硝酸マンガン水溶液の
塗布、熱分解により陽極酸化皮膜上に二酸化マン
ガンの金属酸化物層を形成し、さらにコロイダル
カーボンを含浸し乾燥することにより二酸化マン
ガンの上にカーボン層を形成し、このカーボン層
上に銀ペイント層を形成する。 このようにして構成した素子を40℃、90％RH
条件下で50時間保持した後、減圧下で熱処理し
た。このようにして得られた検知素子を本発明の
処理を行なわない場合と比較してみると表１のよ
うになる。この表１は150℃、真空度１mmHgの処
理を行つた素子と、100℃、真空度１mmHgの処理
を行つた素子と無処理の素子を、それぞれ常温常
湿中に１カ月放置した場合70℃、90〜98％RH中
で1000時間20Vのパルス電圧を印加した場合（常
温常湿）―（70℃、90〜98％RH中で20Vパルス
印加）―（−20℃〜＋70℃、90〜98％RH）を１
サイクルとして10サイクルの温湿度サイクルをか
けた場合における初期特性の変化を調べた結果で
ある。また、表１において、〇はあまり変化がな
いことを示し、△は低湿側で変化することを示
し、×は全体的に変化することを示している。
【表】
以上の結果を湿度検知素子の相対湿度―静電容
量特性として示したのが第８図〜第１０図であ
る。なお、第８図Ａ，Ｂは70℃、90〜98％RH中
で20Vのパルス電圧を印加した場合、第９図Ａ，
Ｂは常温常湿中に放置した場合、第１０図Ａ，Ｂ
は（常温常湿）―（70℃、90〜98％RH中で20V
パルス印加）―（−20℃〜70℃、90〜98％RH）
を１サイクルとして10サイクルの温湿度サイクル
をかけた場合のものであり、Ａは本発明の処理を
行つたもの、Ｂは処理を行つていないものであ
る。 以上の結果からわかるように、本発明の処理を
施した湿度検知素子は、第８図〜第１０図に示す
環境における特性の経時変化も少なく、また常温
常湿においても短時間に不可逆変化し、信頼度も
向上する。すなわち、湿度センサを初めとする各
種センサにおいては初期の特性をいかに安定に維
持するかが最大のポイントであり、これらを満足
する本発明は、安定的高信頼度センサを造るため
に不可欠な条件であり、その工業的価値は非常に
大きい。 なお、本発明における処理の温度は200℃以下
とする必要がある。これは、200℃以上になる
と、第６図におけるａ部が温度によつて加速され
て密着強度が弱くなり、劣化方向に進むためであ
る。
量特性として示したのが第８図〜第１０図であ
る。なお、第８図Ａ，Ｂは70℃、90〜98％RH中
で20Vのパルス電圧を印加した場合、第９図Ａ，
Ｂは常温常湿中に放置した場合、第１０図Ａ，Ｂ
は（常温常湿）―（70℃、90〜98％RH中で20V
パルス印加）―（−20℃〜70℃、90〜98％RH）
を１サイクルとして10サイクルの温湿度サイクル
をかけた場合のものであり、Ａは本発明の処理を
行つたもの、Ｂは処理を行つていないものであ
る。 以上の結果からわかるように、本発明の処理を
施した湿度検知素子は、第８図〜第１０図に示す
環境における特性の経時変化も少なく、また常温
常湿においても短時間に不可逆変化し、信頼度も
向上する。すなわち、湿度センサを初めとする各
種センサにおいては初期の特性をいかに安定に維
持するかが最大のポイントであり、これらを満足
する本発明は、安定的高信頼度センサを造るため
に不可欠な条件であり、その工業的価値は非常に
大きい。 なお、本発明における処理の温度は200℃以下
とする必要がある。これは、200℃以上になる
と、第６図におけるａ部が温度によつて加速され
て密着強度が弱くなり、劣化方向に進むためであ
る。
第１図は本発明による湿度検知素子の基本構成
を示す断面図、第２図は同素子の具体的構成の一
例を示す断面図、第３図は同素子の容量―相対湿
度特性を示す図、第４図は同素子の吸脱湿応答速
度を示す図、第５図Ａ，Ｂは同素子の高温高湿エ
ージング処理前後の要部の表面状態を示す模式
図、第６図は同素子の高温高湿エージング処理後
における要部の表面状態を示す模式図、第７図は
本発明の製造方法による処理前の室温での経時変
化を示す図、第８図Ａ，Ｂ〜第１０図Ａ，Ｂは本
発明の製造方法による処理を施した素子と施して
ない素子の各種信頼性試験の結果を示す図であ
る。 １……弁金属基体、２……誘電体性陽極酸化皮
膜、３……半導体性金属酸化物層、４……導電性
電極。
を示す断面図、第２図は同素子の具体的構成の一
例を示す断面図、第３図は同素子の容量―相対湿
度特性を示す図、第４図は同素子の吸脱湿応答速
度を示す図、第５図Ａ，Ｂは同素子の高温高湿エ
ージング処理前後の要部の表面状態を示す模式
図、第６図は同素子の高温高湿エージング処理後
における要部の表面状態を示す模式図、第７図は
本発明の製造方法による処理前の室温での経時変
化を示す図、第８図Ａ，Ｂ〜第１０図Ａ，Ｂは本
発明の製造方法による処理を施した素子と施して
ない素子の各種信頼性試験の結果を示す図であ
る。 １……弁金属基体、２……誘電体性陽極酸化皮
膜、３……半導体性金属酸化物層、４……導電性
電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 弁金属基体上に陽極酸化により誘電体性陽極
酸化皮膜を形成させ、この誘電体性陽極酸化皮膜
上に半導体性金属酸化物層を形成させ、この半導
体性金属酸化物層上に水蒸気透過性の導電性電極
を形成させた素子を高湿中に保持し、その後その
素子を減圧した雰囲気に保持することを特徴とす
る湿度検知素子の製造方法。 ２ 弁金属基体をタンタル、チタン、ニオブ、ア
ルミニウム、ハフニウムのうちの少なくとも１つ
により構成したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の湿度検知素子の製造方法。 ３ 半導体性金属酸化物としてマンガン、鉛、ニ
ツケル、ルテニウムの酸化物のうちの少なくとも
１つを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の湿度検知素子の製造方法。 ４ 蒸気透過性の導電性電極をカーボン、銀ペイ
ント、半田、金属溶射膜、金属蒸着膜のうちの少
なくとも１つにより構成したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の湿度検知素子の製造
方法。 ５ 減圧した雰囲気の温度を200℃以下としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の湿
度検知素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5492780A JPS56150816A (en) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | Method of manufacturing moisture detecting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5492780A JPS56150816A (en) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | Method of manufacturing moisture detecting element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56150816A JPS56150816A (en) | 1981-11-21 |
| JPS6230484B2 true JPS6230484B2 (ja) | 1987-07-02 |
Family
ID=12984243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5492780A Granted JPS56150816A (en) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | Method of manufacturing moisture detecting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56150816A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0346954U (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-30 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843894B2 (ja) * | 1978-03-15 | 1983-09-29 | 松下電器産業株式会社 | 湿度検知素子の製造方法 |
-
1980
- 1980-04-24 JP JP5492780A patent/JPS56150816A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0346954U (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56150816A (en) | 1981-11-21 |
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| JPH0324619B2 (ja) | ||
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