JPS6230880A - プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、特に半
導体デバイス、電子写真用感光デバイス、画像入力用ラ
インセンサー、撮像デバイス、光起電力素子等に用いる
アモルファス半導体膜を形成する装置に関する。

〔従来技術の説明〕

従来、半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画
像入力用ラインセンサー、撮像ディバイス、光起電力素
子、その他各種のエレクトロニクス素子、光学素子等に
用いる素子部材として、アモルファス・シリコン例えば
水素又は／及びハロゲン（例えばフッ素、塩素等）で補
償されたアモルファスシリコン（以下ｒａ−３１（Ｈ，
Ｘ）Ｊと記す。）等のアモルファス半導体等の堆積膜が
提案され、その中のいくつかは実用に付されている。

そして、こうした堆積膜は、プラズマＣ７７Ｄ　法即ち
、原料ガスを直流又は高周波、マイクロ波グロー放電に
よって分解し、ガラス、石英、ステンレス、アルミニウ
ムなどの基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法により
形成されることが知られており、そのだめの装置も各種
提案されている。

そうした従来のプラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成装
置は、代表的には、第２図の断面略図で示される装置構
成のものである。第２図において、１は反応容器全体を
示し、２は側壁、２１は底壁を示す。３は多穿孔内壁、
４は誘電体窓、５は導波部、６はマイクロ波電源、６１
はマイクロ波、７は排気管、７１はバルブ、８は原料ガ
ス供給管、８１はバルブ、９は基体保持円筒、１０は円
筒状基体、１１はヒーター、１２は支持脚をそれぞれ示
す。またＡは反応室を示し、Ｂはガス室を示す。

こうした従来の、堆積膜形成装置による堆積膜形成は、
以下のようにして行われる。

即ち、反応容器１の反応室Ａ内のガスを、排気管７を介
して真空排気すると共に、円筒状基体１０をヒーター１
１により所定温度に加熱、保持する。次に、原料ガス供
給管８を介して、例えばａ、−Ｓ　ｉ堆積膜を形成する
場合であれば、シラン等の原料ガスをガス室Ｂに導入し
、該原料ガスは、ガス室Ｂの多穿孔内壁ろの多数の孔か
ら反応室Ａ内に放出される。これと同時併行的に、マイ
クロ波電源６からマイクロ波を発生し、該マイクロ波は
、導波部５を通り誘電体窓４を介して反応室Ａ内に導入
される。かくして反応室Ａ内の導入原料ガスは、マイク
ロ波のエネルギーにより励起されて解離（励起種化）し
、Ｓビ、ＳｉＨ”等（傘励起状態を表わす。）の、ラジ
カル粒子、電子、イオン粒子が生成され、それ等が相互
に反応し基体１０の表面に堆積膜が形成される。

上述の、従来のプラズマＣＶＤ法による堆積膜装置は、
至適なものとして一般に広く採用されているものではあ
るが、操作上いくつかの問題点が存在する。

即ち、膜堆積操作時、反応室Ａ内で生ずる前述の、ラジ
カル粒子、電子、イオン粒子等は反応室Ａの空間に拡散
し、多穿孔内壁６はもとより時には側壁２までも、そし
て誘電体窓４にも飛来し、それ等の壁面に堆積膜が形成
されてしまう。

そして、基体１ｏの表面に形成する堆積膜の成膜に主体
的に寄与するものが中性ラジカル粒子であるところ、そ
れ等の中性ラジカル粒子は、時として多量に、上述の壁
面上での堆積膜形成に消費されてしまい、その結果、肝
心の基体１０表面に飛来する量は、その分減少するとこ
ろとなり、同時にまた、原料ガスの利用効率の減少、マ
イクロ波の放射効率の低下をきたし、それによシ基体１
０表面上への膜堆積速度が低下するのはもとより、形成
される膜の品質低下をもたらしてしまう。

さらにまた、上述の壁面上に堆積形成される膜は、ある
程度の厚みになるとフレーク状になって剥離し、反応室
Ａ内に飛散して基体１ｏ表面上に付着してしまうことが
あり、その場合基体１０表面上に形成さ゛れる堆積膜は
製品として成立し得ないものになってしまう。これ等の
問題点を解決する手段として、多穿孔内壁３、そして誘
電体窓４の定期点検、交換等を行う他、装置に特定のパ
ラメーターを選択して工程操作する手段を取りつける等
の工夫がなされているものの、いづれも品質の安定した
堆積膜製品を定常的に且つ効率的に製造し、それを低コ
ス１−で安定供給するという要求を満たすものではない
。

一方、各種ディバイスが多様化して来ており、そのだめ
の素子部材即ち、各種特性等の要件を総じて満足すると
共に適用対象、用途に相応し、そして場合によってはそ
れが大面積化されたものである、安定な堆積膜製品を低
コストで定常的に供給されることが社会的要求としてあ
り、この要求を満たす方法、装置の開発が切望されてい
る状況がある。

〔発明の目的〕

本発明は、光起電力素子、半導体ディバイス、画像入力
用ラインセンサー、撮像ディバイス、電子写真用感光デ
ィバイス等に使用する堆積膜を形成する従来装置につい
て、上述の諸問題を解決し、上述の要求を満たすように
することを目的とするものである。

すなわち本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光導
電的特性が殆んどの使用環境に依存することなく実質的
に常時安定しており、優れた耐光疲労特性を有し、繰返
し使用にあっても劣化現象を起こさず、優れた耐久性、
耐湿性を有し、残留電位の問題を生じない均一にして均
質な、改善された堆積膜を形成するための堆積膜形成装
置を提供することにある。

本発明の他の目的は、形成される膜の緒特性。

成膜速度、再現性の向上及び膜品質の均一化、均質化を
はかりながら、膜の大面積化に適し、膜の生産性向上及
び量産化も容易に達成することのできる堆積膜形成装置
を提供することにある。

〔発明の構成、効果〕

本発明者は、従来装置における前述の諸問題を克服して
、上述の目的を達成すべく鋭意研究を続けたところ、プ
ラズマ界面と反応室周囲壁との距離が、膜形成に主体的
に寄与する中性ラジカル粒子の平均自由行程よりも大き
い場合、すなわち前記内壁の表面近傍に前記中性ラジカ
ル粒子にとってのデッド゛・スズースを形成した場合、
該表面に堆積膜が形成されることなく基体表面のみに堆
積膜形成がみられるという知見を得た。まだその際、プ
ラズマ界面を形成し、その位置を調整するについては、
磁界の力を利用することが有効であるという知見も得た
。そして、これらの知見から次のことを確認した。

即ち、プラズマ中で生成された電子やイオン種などの荷
電粒子が反応室周囲壁に対して平行に形成された磁力線
に対して垂直に入射した場合つまりそれ等が基体から反
応室周囲壁に向けて進行する場合、それ等は磁場の力に
よって軌道が強制的に曲げられるため反応室周囲壁に近
づくことが妨げられる。したがって反応室周囲壁に沿っ
て磁力線が荷電粒子に対するバリアーを形成するように
磁場を形成してやれば、荷電粒子は磁力線で囲まれた空
間でのみ運動し、磁力線の外には飛び出さなくなる。す
なわち、磁場によってその中心軸近傍空間にプラズマを
閉じ込めることが可能となる。

しかしその一方に、磁場によって閉じ込めることができ
るのは荷電粒子のみで、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）膜堆積に寄
与する中性ラジカル粒子の運動に関しては磁場の力は作
用しないという問題のあることを本発明者は発見した。

この問題を解決すべく本発明者は更なる研究を続けた結
果、中性ラジカル粒子の平均自由行程、すなわち他の粒
子に最初に衝突するまでの飛行距離は、反応室内の圧力
が１０−”　ｔｏｒｒ台であれば５闇程度であることが
判明し、このことがら以下の知見を得た。゛ すなわち、中性ラジカル粒子が一回の衝突で完全にその
運動エネルギーを失しなうと、平均自由行程以上の距離
はなれた場所での膜形成は起きない。また、プラズマ界
面から飛び出した中性ラジカル粒子が、この界面から５
ｗＲの場所で原料ガス粒子と衝突して新たな中性ラジカ
ル粒子を生成したとしても、他の中性粒子が解離する際
にエネルギーをうばわれるためａ−３ｉ膜堆積に寄与す
る励起状態の中性ラジカル粒子の生成量は徐々に少なく
なる。すなわち、プラズマ界面と反応室周囲壁との距離
が平均自由行程以上ある場合は反応室周囲壁にはほとん
ど膜堆積しない。一方、プラズマ界面の外で中性ラジカ
ル粒子が衝突することで発生した電子やイオン粒子など
の荷電粒子は磁場によってプラズマ中に引き戻され、原
料ガスを分解するのに役立つ。

本発明の装置は、上述の知見に基づいて完成せしめたも
のであり、反応室を備えた反応容器と前記反応室内壁側
に設けられ、成膜空間領域に向かうガス流が形成される
複数のガス吹き出し孔を有するガス導入手段と、前記反
応室内にプラズマを生成させる手段と、前記反応容器の
外周部に設けられ、前記反応室内に磁界を形成するため
の磁界発生手段とを備えたことを特徴とするものである
。

本発明において、磁界発生手段として好適に用いられる
ものとしては、同軸磁界発生用コイル等が挙げられる。

かくする本発明の装置は、反応室内に磁場を形成するよ
うにしていて、それにより、例えばマイクロ波による励
起プラズマは基体近傍にとじ込められ、同時に、そのプ
ラズマ界面が反応室周囲壁面から、膜堆積に寄与する中
性ラジカル粒子の平均自由行程以上の距離遠ざけられる
ので、すなわち、原料ガスを供給する多数の孔を有する
反応室周囲壁たる多穿孔内壁の反応室側壁面、誘電体窓
の反応室側壁面そして反応室下壁面のいずれにも膜形成
される機会はなくなり、したがって前記中性ラジカル粒
子はそのほとんどが強制的に基体表面近傍に集るところ
となり、それにより原料ガスの利用効率はおのずと高め
られ、基体表面への膜堆積は極めて効率よく行われ、常
時安定して均一にして均質であり且つ緒特性に富む高品
質の堆積膜製品を得ることを可能にする。

そしてまた本発明の装置は、反応室内に磁場を形成する
ようにしていて、それにより、マイクロ波励起プラズマ
は基体近傍にとじ込められ、同時にそのプラズマ界面が
反応室周囲壁面から膜堆積に寄与する中性ラジカル粒子
の平均自由行程以上の距離遠ざけられることにより前述
の効果を奏する他、前記プラズマ界面の外で中性ラジカ
ル粒子が衝突することで発生する電子やイオン粒子など
の荷電粒子は前記磁場により前記のプラズマ域中に入り
就中の原料ガスの励起（ラジカル化）に寄与するところ
となるので、従来のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
装置に比較して成膜速度を飛躍的に伸ばすことができる
。

更にまた本発明の装置は、排気管を反応容器中心の下側
に設け、基体支持部を回転するようにすることもできる
ので、堆積膜形成に係る物質の成膜空間内での分布が均
一化され、膜質および膜厚が均一な堆積膜を効率的に形
成することができる。

本発明の装置により堆積膜を形成するについて使用され
る原料ガスは、マイクロ波のエネルギーにより励起種化
し、化学的相互作用して基体表面上に所期の堆積膜を形
成する類のものであれば何れのものであっても採用する
ことができるが、例えばａ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）膜を形成
する場合であれば、具体的には、ケイ素に水素、ハロゲ
ン、あるいは炭化水素等が結合したシラン類及びハロケ
゛ン化シラン類等のガス状態のもの、または容易にガス
化しうるものをガス化したものを用いることができる。

これらの原料ガスは１種を使用してもよく、あるいは２
種以上を併用してもよい。また、これ等の原料ガスは、
Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガスにより稀釈して用いることも
ある。

さらに、ａ−３ｉ膜はｐ型′不純物元素又はｎ型不純物
元素をドーピングすることが可能であシ、これ等の不純
物元素を構成成分として含有する原料ガスを、単独で、
あるいは前述の原料ガスまたは／および稀釈用ガスと混
合して反応空間内に導入することができる。

なお、前記原料ガスは、それが二種またはそれ以上使用
される場合、その中の一種または場合によりそれ以上を
、事前に励起種化し、次いで反応室に導入するようにす
ることも可能である。

本発明の装置において、反応室内にプラズマを形成し、
それにより前述の原料ガスを励起種化せしめるについて
採用するマイクロ波は、マイクロ波電源からのマイクロ
波を三本性整合器、矩形導波管、アイソレーター等を介
して反応室内に放射導入されるものであり、その周波数
は、装置規模によりそしてまた原料ガスの種類により多
少のズレはあるが、好ましくは３００　ＭＩ（ｚ〜３０
０　Ｃ）Ｈｚより好ましくは９１５　ＭＨｚ　〜２４５
０　ＭＨ７゜程度にするのが望ましいものである。

基体については、導電性のものであっても、半導電性の
ものであっても、あるいは電気絶縁性のものであっても
よく、具体的には、例、えば金属、セラミックス、ガラ
ス等が挙げられる。

そして成膜操作時の基体の温度は、特に制限されるもの
ではないが、６０〜４５０℃の範囲とするのが一般的で
あり、好ましくは５０〜３５０℃である。

また、堆積膜を形成するにあたっては、原料ガスを導入
する前に反応室内の圧力を５Ｘ１０−６Ｔｏｒｒ以下、
好ましくはＩ　Ｘ　１０””　Ｔｏｒｒ以下とし、原料
ガスを導入した時には反応室内の圧力を１Ｘ　１０−２
Ｔｏｒｒ台にするのが望ましい。

本発明の装置において、反応室内に磁場を形成し、それ
によりマイクロ波励起プラズマを基体近傍にとじ込め、
且つそのプラズマ界面が反応室周囲壁から膜堆積に寄与
する活性種の平均自由行程以上遠ざけるようにするにつ
いては、同軸磁界発生コイルが用いられ、該コイルは、
反応室周囲壁即ち多穿孔内壁の壁面全体をくまなく覆っ
て該壁面と平行に磁力線が形成されるように、反応容器
の外周に取りつけられる。

したがって本発明の装置は、その反応容器についての材
質が重要であり、該容器は、その反応容器内での前述の
コイルによる磁場形成が［ｆｆ！害されない非磁性材料
、例えばアルミニウム、非磁性ステンレス・スチール、
誘電体等で作成される。もつとも、同軸磁界発生コイル
の反応容器外周への取りつけが設置設計上等の理由で十
分でなくなる場合、反応容器の構成材料の一部に鉄、磁
性ステンレス・スチールなどの磁性材料を使用してその
欠陥を補うようにすることは可能である。

以下、本発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
を図面の実施例により、更に詳しく説明するが、本発明
の堆積膜形成装置はこれによって限定されるものではな
い。

第１図は、本発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
装置の至適な１例の断面略図である。

図中、前述の従来装置（第２図に図示）と同一機能の装
置構成部分に、ついては、第２図におけると同様の記号
にて示した。

図中、１は本発明の装置の反応容器全体を示す。２は、
該反応容器の側壁、２１は該反応容器の底壁である。６
は、側壁２の内面との間に一定の間隙（ガス室）を形成
するように立設されていて、反応室Ａ内において、成膜
空間領域に向かうガス流が形成されるようなガス吹き出
し孔３１．６１・・・を有する多穿孔内壁である。該多
穿孔内壁は、反応室Ａ内の対向する位置に基体１０が存
在しない下端部３′と上端部６“に穿孔を有さないもの
にするのが通常である。そして、反応容器の側壁２と底
壁２１は、各別の部材とすることは勿論可能であるが、
通常は一体的に形成され、いずれの場合にあっても非磁
性材料、例えばアルミニウム、非磁性ステンレス・スチ
ール、誘電体等の材質のものにされる。しかし場合によ
っては、側壁２の部材の一部を、鉄、磁性ステンレス・
スチールなどの磁性材料のものにすることができる。４
は、マイクロ波電源６から導波部５を介して進行して来
るマイクロ波６１を反応容器１の反応室内に透過、放射
する例えばウンモ、酸化チタン、合成樹脂等の材質の誘
電体窓である。

反応室Ａは、前述の、側壁２、底壁２１および誘電体窓
４により密封形成されている。７ば、一端は反応容器１
の底壁２１から反応室Ａ内に開口し、他端はバルブ手段
７１を介して排気装置（図示せず）に連通している、排
気管であり。

通常は円周方向に４本取りつけられるが一本であっても
よい。８は、一端は反応容器１の側壁からガス室Ｂ内に
開口し、他端はバルブ手段８１を介して原料ガス供給源
（図示せず）に連通１〜でいる、原料ガス供給管である
。

９は、反応室Ａ内に支持脚１２により支持されて設置さ
れた、基体１０の保持部である。基体保持部９は、ヒー
ター１１を内蔵していて、通常円筒形状のものであり、
その表面に設置する基体１０は、長方形のものであるこ
とができ、その場合該基体は円筒形保持部の表面に並列
される。しかし通常には、基体１０は、一体円筒形状の
ものが使用される。基体保持部９は、反応室Ａの底壁の
適宜の位置に設置できるが、中心位置に設置するのが最
も効果的である。また、基体保持部９は、支持脚１２を
５駆動手段（図示せず）に機械的に連結しておき、該、
駆動手段を介して成膜操作時に回転するようにすること
ができる。別法として、基体保持部９を固定しておき、
支持脚１２を軸にして反応容器１を回転するようにする
ことも可能である。

また、基体保持部９は、基体１０が円筒形状の場合、１
筒だけを支持するタイプのものでおる必要は必ずしもな
く、場合により、円形ステージ上に同軸的に等間隔で数
本の基体保持部？、９・・・を立設してなるものである
ことができ、その場合複数本の円筒形基体を同時に反応
室Ａ内に設置して、それら基体のそれぞれの表面に一挙
に堆積膜を形成することができる。

１３は、反応容器１の側壁２の外周上に取りつけられた
同軸磁界発生コイルであり、該コイルは電気式のもので
あって出力調節できる形式のものであり、多穿孔内壁６
の、反応室Ａ側壁面全体をくまなく覆って、該壁面と平
行に磁力線りが形成され、系内圧力が例えば１Ｏ−２Ｔ
ｏご台である場合で、その磁界により反応室Ａ内Ｄマイ
クロ波励起プラズマを前記多穿孔内壁から５ｍ以上遠ざ
けて基体１０近傍にとじこめ、それと同時に漠堆積に寄
与する活性種をＣで示されるように基体１０近傍に寄せ
て多穿孔内壁６の壁面近傍そしてまた誘電体窓４の下面
近傍に存在しなくなるように、位置設定して取りつけら
れる。同軸磁界発生コイル１３は、必ずしも複数個にす
る必要はないが、磁力線が反応室Ａ内にあってＤで示さ
れるように、多穿孔内壁６の壁面と平行する状態を呈し
て形成されるようにする必要があり、そのためには複数
個使用することが所望の磁力線分布が得られて好ましい
。

以上の装置構成の本発明のプラズマＣ″−′Ｄ法による
堆積膜形成装置においては、反応室Ａ内に原料ガス供給
管８を介して導入された原料ガスは、そこに放射される
マイクロ波により分解、励起されて活性種即ち、電子、
イオン粒子、中性ラジカル等を生成し、それ等の中、多
穿孔内壁ろ方向に向って移動する荷電粒子は、磁力線り
によって入射方向に対して直角方向に磁場の力が作用す
るので、その軌溝は強制的にくずされてそれ以上多穿孔
内壁に近かづかなくなり、そして、磁力線りは基体１０
と同軸状に、しかもそれを囲んで形成されているため、
基体１０の周囲にＣで示される状態に閉じ込められるよ
うになる。即ち、マイクロ波励起プラズマは、Ｃで示さ
れる、基体１０の周囲の雰囲気中において発生するとこ
ろとなり、そして該プラズマの界面は、例えば系内圧力
を１Ｏ−２Ｔｏｒｒ台に調整しである場合で、同軸磁界
発生コイル１３からのコントロールされた磁界の作用に
より多穿孔内壁６から５間以上は離れたところに位置す
るようにされＳので、中性ラジカル粒子が仮りに前記プ
ラズマ界面を通りぬけて前記内壁に向けて進行すること
があったとしても、その平均自由行程が前記プラズマ界
面と前記内壁との間の距離に比べて短く、そしてまた多
穿孔内壁乙のガス流通孔３１を介して反応室Ａ内に導入
される原料ガスの粒子と衝突することもあってエネルギ
ーを失しない安定粒子となり、排気流によってプラズマ
中に引き戻され再び励起されて活性種化されるところと
なるので、原料ガスの利用効率は極めて高くなる。また
、本発明の装置においては、生成の中心となる活性種が
、高エネルギーの低次粒子（例えば、Ｓｉ”、Ｓ　ｉ　
Ｈ”等）であることから、エネルギーを失った中性粒子
が系中に存在してもそれが故にポリシリコン粉が生成す
る機会は極めて少く、そうした場合があったにしても、
原料ガスが基体に向けて圧力的に流動することもあって
、それ等が多穿孔内壁６に近づくことはほとんどなく、
したがって、該内壁の原料ガス放出機能そして反応室周
壁としての機能は常時安定して維持される。

更にまた、本発明の装置は、対向する位置に基体の存在
しない反応室Ａの上部空間に対応する多穿孔内壁３の上
部にガス流通孔を有さなく、且つそのところにあっても
磁力線が形成されるようにしていることから、マイクロ
波導入用誘電体窓の反応室Ａ側壁面に膜堆積することは
ほとんどないので、該窓の機能は常時安定して維持され
る。

次に、本発明の装置を操作して堆積膜を形成する例を記
載する。

本例においては、第１図に図示の、基体保持部９が１つ
で反応容器と同軸位置に設置され、１駆動装置（図示せ
ず）により回転できるようになっていて、基体１０がＡ
ｔ板円筒であり、複数個の同軸磁界発生コイル１ろ、１
５・・・の取りつけられた装置を使用した。また、原料
ガスとして５ｊ−Ｆ４ガス及びＳｉＨ４、Ｈ２ガスを用
いた。

バルブ８を閉じ、バルブ７１を開いて反応室Ａ内を脱気
し、系内圧力をＩ　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に調節し
た。次いでヒーター１１に通電して基体１０の温度を２
００℃にしだ。そこに、バルブ８１を開いて原料ガス供
給管８を介して原料ガスを系内圧力がＩ　Ｘ　１０”−
２Ｔｏｒｒになるまで導入し、それと同時にマイクロ波
電源６に通電して周波数が２４５０ＭＨ２であるマイク
ロ波を誘電体窓４を介して放射し、且つ同軸磁界発生コ
イル１ろに通電して０．２　Ｔ程度の磁束密度を有する
磁界が多穿孔内壁６から６ｒａｎＢ度内側のところに迄
及ぶようにした。かくしたところで原料ガスの供給と排
気とをバルブ８１、バルブ７１を調節して系内圧力を一
定に保つと共に基体１０を回転させながら所定時開成膜
操作した。その後、操作を止め、基体を放冷した後、該
基体を搬出した。同様の操作を他に新だな基体９本につ
いて繰返し行って、計１０本の成膜基体を得た。１０・
本の基体についてその表面に堆積された堆積膜をテスト
したところ、いずれのものも、極めて緻密組成の膜質で
膜全体が均質であり、そして均等な膜厚であり、電気的
、光学的、光導電的特性に極めて優れていた。

〔発明の効果の概略〕

本発明の装置は、反応容器とその内部に配設した基体の
間に、前記反応容器外周に設けた同軸磁界発生用コイル
等の磁界発生手段で発生した磁力線が多数のガス流通孔
を備えだ反応室周囲壁をおおうようにその中心軸に平行
に形成することにょ９、マイクロ波等により励起された
プラズマを基体周辺に閉じ込め、そのプラズマ界面が前
記壁から活性種の平均自由行程以上離れるようにしたこ
とで、前壁の壁面への膜堆積が防止される。

−また、本発明の装置は、原料ガスが基体への膜形成の
みに使用されるようにしたことから、原料ガスの利用効
率が極めて高い。

さらにまた、本発明の装置は、マイクロ波励起プラズマ
を使用することから、反応容器、基体形状の制約を受け
ることがなく、その構成上極めて自由度の高いものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
装置の至適な１例の断面略図である。 第２図は、従来のプラ・ズマＣＶＤ法による堆積膜形成
装置の断面略図である。 図において、 １・・・反応容器、２・・・側壁、２１・・・底壁、３
・・・多穿孔内壁、３１・・・ガス流通孔、３’、３″
・・・無孔部、４・・・誘電体窓、５・・・導波部、６
・・・マイクロ波電源、７・・・排気管、７１・・・バ
ルブ、８・・・原料ガス供給管、８１・・・バルブ、９
・・・基体保持部、１０・・・基体、１１・・・ヒータ
ー、１２・・・支持脚、１３・・・同軸磁界発生コイル
、Ａ・・・反応室、Ｂ・・・ガス室、Ｃ・・・マイクロ
波励起プラズマ域、Ｄ・・・磁力線域、６１・−マイク
ロ波。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）反応室を備えた反応容器と、 前記反応室内壁側に設けられ、成膜空間領域に向かうガ
   ス流が形成される複数のガス吹き出し孔を有するガス導
   入手段と、 前記反応室内にプラズマを生成させる手段と、 前記反応容器の外周部に設けられ、前記反応室内に磁界
   を形成するための磁界発生手段とを備えたことを特徴と
   するプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。
2. （２）前記プラズマを生成させる手段が、マイクロ波放
   電生成手段である特許請求の範囲第１項に記載のプラズ
   マＣＶＤ法による堆積膜形成装置。
3. （３）前記反応容器の少なくとも１部が非磁性材料で形
   成されている特許請求の範囲第１項に記載のプラズマＣ
   ＶＤ法による堆積膜形成装置。