JPS6231922A - 螢光光源管 - Google Patents
螢光光源管Info
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- JPS6231922A JPS6231922A JP16989385A JP16989385A JPS6231922A JP S6231922 A JPS6231922 A JP S6231922A JP 16989385 A JP16989385 A JP 16989385A JP 16989385 A JP16989385 A JP 16989385A JP S6231922 A JPS6231922 A JP S6231922A
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- Japan
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- anode
- area
- fluorescent
- wiring
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
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Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は螢光光源管に関し、特にファクシミリ用光源や
複写機用の光源等として用いられる螢光光源管に関する
。
複写機用の光源等として用いられる螢光光源管に関する
。
従来この種の光源としては、一端が陽極として一直線上
に配置され他端が真空容器外に引き出された陽極兼リー
ドの上記陽極上に螢光体を塗布し、−直線上に配列した
発光点を形成したものが用いられている。陽極上に螢光
体層を形成する方法としては一般に露光法や電気泳動法
（電着）があるが、このうち露光法はフォトレジストや
現像液等の影響で螢光体が劣化し、輝度が低下したシ寿
命が短くなった夛する欠点があることから、電気泳動法
が望ましい。この電気泳動法で螢光体層を形成するには
、陽極兼リードを形成した絶縁基板上に細長いスリット
状の開口部を有する絶縁膜をスクリーン印刷法で形成し
、上記開口部に露出した陽極上に電気泳動法で螢光体を
付着する。すなわち、螢光体層は絶縁膜のスリット状開
口部によって外形を規制される。
に配置され他端が真空容器外に引き出された陽極兼リー
ドの上記陽極上に螢光体を塗布し、−直線上に配列した
発光点を形成したものが用いられている。陽極上に螢光
体層を形成する方法としては一般に露光法や電気泳動法
（電着）があるが、このうち露光法はフォトレジストや
現像液等の影響で螢光体が劣化し、輝度が低下したシ寿
命が短くなった夛する欠点があることから、電気泳動法
が望ましい。この電気泳動法で螢光体層を形成するには
、陽極兼リードを形成した絶縁基板上に細長いスリット
状の開口部を有する絶縁膜をスクリーン印刷法で形成し
、上記開口部に露出した陽極上に電気泳動法で螢光体を
付着する。すなわち、螢光体層は絶縁膜のスリット状開
口部によって外形を規制される。
ところが、この種の螢光光源管では１例えば３００關に
わたって８５μｍピッチで５０μｍ１］の螢光体層を±
１０％以下の面積精度で形成する必要があるが、スクリ
ーン印刷によってはもちろん、露光法で絶縁膜をパター
ニングした場合でもこの精度を得ることは困難である。
わたって８５μｍピッチで５０μｍ１］の螢光体層を±
１０％以下の面積精度で形成する必要があるが、スクリ
ーン印刷によってはもちろん、露光法で絶縁膜をパター
ニングした場合でもこの精度を得ることは困難である。
そのために従来は絶縁膜上に配置したグリッドのスリッ
ト状開口部により発光点の面積をそろえることが行なわ
れている。
ト状開口部により発光点の面積をそろえることが行なわ
れている。
しかし、このような方法では管球化工程中の加熱処理に
よってグリッドが変形した場合、結果的に発光面積が不
均一となってしまう問題があった。
よってグリッドが変形した場合、結果的に発光面積が不
均一となってしまう問題があった。
このような問題点を解決するために、本発明は、陽極リ
ードを予め陽極酸化することにより螢元体塗布部を除い
て絶縁被膜で覆い、その絶縁被膜で覆われない部分に電
気泳動法により螢九体層を形成したものである。
ードを予め陽極酸化することにより螢元体塗布部を除い
て絶縁被膜で覆い、その絶縁被膜で覆われない部分に電
気泳動法により螢九体層を形成したものである。
螢光体塗布部が陽極酸化により高精度に規定され、グリ
ッドの開口部で発光面積をコントロールすることが不要
となる。
ッドの開口部で発光面積をコントロールすることが不要
となる。
第１図は本発明の一実施例を示す要部断面図である。図
中１はガラス基板、２は陽極兼外部リードを構成するＡ
ｔ配線、３はＺ ｎ Ｏａ Ｚ ｎ螢光体からなる螢光
体層、４は螢光体層３塗布部以外のＡ７配線２の表面を
覆っているアルミナ層、５は厚膜絶縁層、６はグリッド
、１はカソードである。次にその製造方法を説明する。
中１はガラス基板、２は陽極兼外部リードを構成するＡ
ｔ配線、３はＺ ｎ Ｏａ Ｚ ｎ螢光体からなる螢光
体層、４は螢光体層３塗布部以外のＡ７配線２の表面を
覆っているアルミナ層、５は厚膜絶縁層、６はグリッド
、１はカソードである。次にその製造方法を説明する。
ガラス基板上に、露光法によ１）Ａｔ配線２を、第２図
に示すように線幅Ｗ１＝５０μｍ、１〜５Ｐ１−８５μ
ｍで多数形成する。次いで螢光体層を配列する部分に幅
Ｗ２＝５０μｍの帯状のレジスト膜１１を、ボジレジス
） ０ＦＰＲ−８ｏＯ（東京応化）を用いて形成する。
に示すように線幅Ｗ１＝５０μｍ、１〜５Ｐ１−８５μ
ｍで多数形成する。次いで螢光体層を配列する部分に幅
Ｗ２＝５０μｍの帯状のレジスト膜１１を、ボジレジス
） ０ＦＰＲ−８ｏＯ（東京応化）を用いて形成する。
次に、このＡｔ配線２の露出部（図中格子模様 ｉ
を付した範囲）を陽極酸化し、その表面を緻密なアルミ
ナ層４で被覆する。はじめシュウ酸水溶液中で１次化成
を行なってポーラス形アルミナ膜を形成した後、ホウ酸
十ホウ酸ンーダ水溶液中において定電流で化成電圧が少
なくとも螢光体電着電圧以上になるまで２次化成を行な
い、ポーラス層の封孔処理を行なう。この結果ピンホー
ルの少ない、非常に緻密な電着電圧に対して充分な耐圧
を有するアルミナ層４が形成される。
を付した範囲）を陽極酸化し、その表面を緻密なアルミ
ナ層４で被覆する。はじめシュウ酸水溶液中で１次化成
を行なってポーラス形アルミナ膜を形成した後、ホウ酸
十ホウ酸ンーダ水溶液中において定電流で化成電圧が少
なくとも螢光体電着電圧以上になるまで２次化成を行な
い、ポーラス層の封孔処理を行なう。この結果ピンホー
ルの少ない、非常に緻密な電着電圧に対して充分な耐圧
を有するアルミナ層４が形成される。
レジスト膜１１を剥離後、絶縁ペーストのスクリーン印
刷および焼成により約２０μｍの厚みの厚膜絶縁層５を
形成した後、電気泳動法により螢光体をレジスト膜１１
を剥離したあとのＡｔ配線２表面に付着させ、螢光体層
３を形成する。次いで第１図と第３図に示すようにスリ
ット幅Ｗ３＝２００μｍのスリン）６Ａを有するグリッ
ド６を厚膜絶縁層５上に配置し、さらにその上方にフィ
ラメントタイプのカソード７を架設した。この種の螢光
光源管は１０，０００ｆｔ−Ｌ前後の高輝度が要求され
るため、螢光体層への入射電流は１００ ｍ Ａ／Ｃｍ
Ｉｃ近い高電流密度が必要である。このような高電
流密度を得るために、カン−ドアと螢光体層３との間隔
は０．５〜１．０朋と非常に狭く、グリッド６は厚膜絶
縁層５上に直接置かれる。
刷および焼成により約２０μｍの厚みの厚膜絶縁層５を
形成した後、電気泳動法により螢光体をレジスト膜１１
を剥離したあとのＡｔ配線２表面に付着させ、螢光体層
３を形成する。次いで第１図と第３図に示すようにスリ
ット幅Ｗ３＝２００μｍのスリン）６Ａを有するグリッ
ド６を厚膜絶縁層５上に配置し、さらにその上方にフィ
ラメントタイプのカソード７を架設した。この種の螢光
光源管は１０，０００ｆｔ−Ｌ前後の高輝度が要求され
るため、螢光体層への入射電流は１００ ｍ Ａ／Ｃｍ
Ｉｃ近い高電流密度が必要である。このような高電
流密度を得るために、カン−ドアと螢光体層３との間隔
は０．５〜１．０朋と非常に狭く、グリッド６は厚膜絶
縁層５上に直接置かれる。
厚膜絶縁層５は、グリッド６と陽極２との距離を十分と
少両者の電気的短絡を防止すると同時に、カン−ドアか
らの放射電子を効果的に螢光体層３へ入射させ高輝度に
する働きをする。
少両者の電気的短絡を防止すると同時に、カン−ドアか
らの放射電子を効果的に螢光体層３へ入射させ高輝度に
する働きをする。
その後、ガラス基板１に図示しないフェースガラスを封
着し、真空容器を形成し念。このとき、Ａｔ配線２の一
端、つまシ外部す−ド部は真空容器外部まで延在する。
着し、真空容器を形成し念。このとき、Ａｔ配線２の一
端、つまシ外部す−ド部は真空容器外部まで延在する。
このように形成した螢光光源管は、発光特性および寿命
４！性ともに歳好であるとともに、発光点の面積精度も
１０％以内のばらつきできわめて良好であった。
４！性ともに歳好であるとともに、発光点の面積精度も
１０％以内のばらつきできわめて良好であった。
〔発明の効果〕
以上説明し友ように、本発明によれば、陽極兼リードの
螢光体並布部以外の表面を陽極酸化絶縁被膜で覆ったこ
とにより、電気泳動法で螢光体層を精度良く形成するこ
とができ、露光法のようにフォトレジストや現像液で螢
光体が劣化するととがなく、高輝度・長寿命の螢光体層
が得られるとともに、グリッド開口部で発光面積をコン
トロールする必要がないためグリッドの変形による発光
点の面積のばらつきも防ぐことができ、すぐれた光源管
が実現できる。
螢光体並布部以外の表面を陽極酸化絶縁被膜で覆ったこ
とにより、電気泳動法で螢光体層を精度良く形成するこ
とができ、露光法のようにフォトレジストや現像液で螢
光体が劣化するととがなく、高輝度・長寿命の螢光体層
が得られるとともに、グリッド開口部で発光面積をコン
トロールする必要がないためグリッドの変形による発光
点の面積のばらつきも防ぐことができ、すぐれた光源管
が実現できる。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示し、第１図
は要部断面図、第２図および第３図は製造途中の平面図
である。 １・・・・ガラス基板、２・・・・Ａｔ配線、３・・・
・螢光体層、４・・・・アルミナ層。 特許出願人 伊勢電子工業株式会社 代 理 人 山 川 政 樹（ほか２名）第１図 １７１□ 第２図 υｖＩ
は要部断面図、第２図および第３図は製造途中の平面図
である。 １・・・・ガラス基板、２・・・・Ａｔ配線、３・・・
・螢光体層、４・・・・アルミナ層。 特許出願人 伊勢電子工業株式会社 代 理 人 山 川 政 樹（ほか２名）第１図 １７１□ 第２図 υｖＩ
Claims (1)
- 絶縁基板上に形成された陽極上に塗布された螢光体によ
り発光点が形成され、この発光点が一方向に複数個並ん
で発光点列を形成しており、上記絶縁基板上の真空容器
外に引き出された任意の陽極リードを選択することによ
り陽極リード延長上の陽極に塗布された螢光体がカソー
ドルミネセンスにより発光する螢光光源管において、陽
極および陽極リードは絶縁基板上に形成されたアルミニ
ウム薄膜からなり、このアルミニウム薄膜は、螢光体を
塗布する部分を残してその表面が当該アルミニウムを陽
極酸化してなる絶縁被膜で覆われるとともにこの絶縁被
膜で覆われないアルミニウム薄膜表面に電気泳動法によ
り螢光体層が形成されたことを特徴とする螢光光源管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16989385A JPS6231922A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 螢光光源管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16989385A JPS6231922A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 螢光光源管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231922A true JPS6231922A (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=15894913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16989385A Pending JPS6231922A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 螢光光源管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231922A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933041B2 (en) * | 1998-03-03 | 2005-08-23 | Acktar Ltd. | Method for producing high surface area foil electrodes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5763753A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Ise Electronics Corp | Positive subatrate of fluorescent display tube andits manufacturing method |
| JPS58108642A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Ise Electronics Corp | 螢光光源管 |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP16989385A patent/JPS6231922A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5763753A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Ise Electronics Corp | Positive subatrate of fluorescent display tube andits manufacturing method |
| JPS58108642A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Ise Electronics Corp | 螢光光源管 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933041B2 (en) * | 1998-03-03 | 2005-08-23 | Acktar Ltd. | Method for producing high surface area foil electrodes |
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