JPS61203555A - 螢光光源管 - Google Patents
螢光光源管Info
- Publication number
- JPS61203555A JPS61203555A JP4192785A JP4192785A JPS61203555A JP S61203555 A JPS61203555 A JP S61203555A JP 4192785 A JP4192785 A JP 4192785A JP 4192785 A JP4192785 A JP 4192785A JP S61203555 A JPS61203555 A JP S61203555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- anode
- light source
- source tube
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
- H01J63/06—Lamps with luminescent screen excited by the ray or stream
Landscapes
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はファクシミリ用光源や複写機用光源などに用い
られる螢光光源管に関するものである。
られる螢光光源管に関するものである。
螢光光源管は、絶縁基板上に形成した陽極上に塗布筋れ
た螢光体により発光点を形成し、この発光点を一方向に
複数個並置せしめて発光点列を構成して、上記絶縁基板
上の真空容器外に引き出された陽極リードのうち任意の
1ii)ffllJ−ドを選択することにより、選択さ
れた陽極上の螢光体をカソードルミネセンスにより発光
きせるようにしたもので、ファクシミリ用光源や複写機
用光源として用いられている。
た螢光体により発光点を形成し、この発光点を一方向に
複数個並置せしめて発光点列を構成して、上記絶縁基板
上の真空容器外に引き出された陽極リードのうち任意の
1ii)ffllJ−ドを選択することにより、選択さ
れた陽極上の螢光体をカソードルミネセンスにより発光
きせるようにしたもので、ファクシミリ用光源や複写機
用光源として用いられている。
第3図は従来の螢光光源管の基板構造を示す平面図であ
る。同図において、1は絶縁基板、2はその詳細を第4
図に示すように、一端2aが陽極として一直線上に配置
され、他端2bが外部IJ−ドとして交互に真空容器外
に引き出されて、絶縁基板1上に配置された複数個の陽
極兼外部リードである。また、3はその詳細を第5図に
示すように、各陽極兼外部リード2の一端2a (以下
、陽極という)上に塗布されて発光点を形成する例えば
znO:znからなる螢光体であり、これら螢光体3が
絶縁基板1上の長手方向に沿って一列に並置されて発光
点列を形成している。4は前記絶縁基板1上の螢光体3
の配列方向に沿って該螢光体3を露出させるべく形成さ
れたスリット状の開口部10を有する絶縁層、5はこの
絶縁層4上に配置されたスリット状の開口部11を有す
るグリッド′電極、6はこのグリッド電極5上に張設さ
れたカソードでおる。なお、絶縁基板1は図示しないフ
ェースガラスと封着され、真空容器を形成している。ま
た、第5図中符号dはグリッドtff15の開口部11
の幅を示している。
る。同図において、1は絶縁基板、2はその詳細を第4
図に示すように、一端2aが陽極として一直線上に配置
され、他端2bが外部IJ−ドとして交互に真空容器外
に引き出されて、絶縁基板1上に配置された複数個の陽
極兼外部リードである。また、3はその詳細を第5図に
示すように、各陽極兼外部リード2の一端2a (以下
、陽極という)上に塗布されて発光点を形成する例えば
znO:znからなる螢光体であり、これら螢光体3が
絶縁基板1上の長手方向に沿って一列に並置されて発光
点列を形成している。4は前記絶縁基板1上の螢光体3
の配列方向に沿って該螢光体3を露出させるべく形成さ
れたスリット状の開口部10を有する絶縁層、5はこの
絶縁層4上に配置されたスリット状の開口部11を有す
るグリッド′電極、6はこのグリッド電極5上に張設さ
れたカソードでおる。なお、絶縁基板1は図示しないフ
ェースガラスと封着され、真空容器を形成している。ま
た、第5図中符号dはグリッドtff15の開口部11
の幅を示している。
ところで、このように構成された螢光光源管は、10.
000 fL 前後の高輝度が要求されるため、螢光体
層への入射電流は100 mAA−In近い高電流密度
が必要になる。このような高電流密度を得るために、カ
ソード6と螢光体3との間隔は0.5〜1mと非常に狭
く、グリッド電極5は絶縁層4上に直接置かれている。
000 fL 前後の高輝度が要求されるため、螢光体
層への入射電流は100 mAA−In近い高電流密度
が必要になる。このような高電流密度を得るために、カ
ソード6と螢光体3との間隔は0.5〜1mと非常に狭
く、グリッド電極5は絶縁層4上に直接置かれている。
従って、絶縁層4としては、絶縁基板1上の発光点列に
相当する30(−FF1程度に近い長さにわたって位置
精度や形状が良好なことはもちろんグリッド電極5と陽
極2a とが電気的にタッチしないようにピンホールの
ないことが必要になる。嘔らに、グリッド電極5と絶縁
基板1との間隙部9に螢光体や導電性のゴミなどがある
と、グリッド電極5と陽極2aにタッチが生じる□ので
、絶縁層4の厚みは厚い方が望ましい。
相当する30(−FF1程度に近い長さにわたって位置
精度や形状が良好なことはもちろんグリッド電極5と陽
極2a とが電気的にタッチしないようにピンホールの
ないことが必要になる。嘔らに、グリッド電極5と絶縁
基板1との間隙部9に螢光体や導電性のゴミなどがある
と、グリッド電極5と陽極2aにタッチが生じる□ので
、絶縁層4の厚みは厚い方が望ましい。
ところが、上記した従来の螢光光源管においては、絶縁
層4はスクリーン印刷法によって形成しているため、次
のような問題点を有していた。すなわち、■スクリーン
製版の伸び縮み等により細長いスリット状の開口部10
を精度良く形成できない。■印刷機の機械的精度等によ
り発光点列とのくり返し位置合せ精度が悪い。■絶縁ペ
ーストの印刷後のダレを防ぐためと厚みを得るために、
ペースト中にフィラーを添加している。このため、ピン
ホールが発生しやすい(フィラー添加をしていない絶縁
ペーストの印刷はダレが生じ全く使用で、きない)。な
どの問題を有し、製造上、歩留や信頼性を低下させる要
因となっていた。
層4はスクリーン印刷法によって形成しているため、次
のような問題点を有していた。すなわち、■スクリーン
製版の伸び縮み等により細長いスリット状の開口部10
を精度良く形成できない。■印刷機の機械的精度等によ
り発光点列とのくり返し位置合せ精度が悪い。■絶縁ペ
ーストの印刷後のダレを防ぐためと厚みを得るために、
ペースト中にフィラーを添加している。このため、ピン
ホールが発生しやすい(フィラー添加をしていない絶縁
ペーストの印刷はダレが生じ全く使用で、きない)。な
どの問題を有し、製造上、歩留や信頼性を低下させる要
因となっていた。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、絶
縁層を多層構造としこの絶縁層上にグリッド電極を配設
することにより、歩留および信頼性を向上せしめた螢光
光源管を提供するものである。
′・、〔問題点を解決するだめの手段〕 本発明に係る螢光光源管は、絶縁基板上に形成した陽極
上に塗布でれた螢光体により発光点を形成し、この発光
点を一方向に複数個配列して発光点列を構成して、前記
絶縁基板上の真空容器外に引き出された任意の陽極リー
ドを選択することにより、この陽ffi IJ−ド上の
延長上の陽極上の螢光体がカソードルミネセンスにより
発光する螢光光源管において、前記絶縁基板上の発光点
列を構成する陽極上の螢光体の配列方向に沿って該螢光
体を露出させるべく形成されたスリット状の開口部を有
する複数層の絶縁層を設け、かつこの絶縁層上にその開
口部と対応して形成でれたスリット状の開口部を有する
グリッド電極を積み重ねて設けたものである。
縁層を多層構造としこの絶縁層上にグリッド電極を配設
することにより、歩留および信頼性を向上せしめた螢光
光源管を提供するものである。
′・、〔問題点を解決するだめの手段〕 本発明に係る螢光光源管は、絶縁基板上に形成した陽極
上に塗布でれた螢光体により発光点を形成し、この発光
点を一方向に複数個配列して発光点列を構成して、前記
絶縁基板上の真空容器外に引き出された任意の陽極リー
ドを選択することにより、この陽ffi IJ−ド上の
延長上の陽極上の螢光体がカソードルミネセンスにより
発光する螢光光源管において、前記絶縁基板上の発光点
列を構成する陽極上の螢光体の配列方向に沿って該螢光
体を露出させるべく形成されたスリット状の開口部を有
する複数層の絶縁層を設け、かつこの絶縁層上にその開
口部と対応して形成でれたスリット状の開口部を有する
グリッド電極を積み重ねて設けたものである。
本発明においては、顛縁基板上の発光点列を構成する陽
極上の螢光体の配列方向にスリット状の開口部を有する
複数層の絶縁層を形成し、この絶縁層上にグリッド電極
5を重ねて配設することにより、前記絶縁層のピンホー
ルが少なく、しかも該絶縁層へのグリッド電極の位置精
度が良好となり、グリッド電極と陽極との電気的タッチ
を低減することが可能になる。
極上の螢光体の配列方向にスリット状の開口部を有する
複数層の絶縁層を形成し、この絶縁層上にグリッド電極
5を重ねて配設することにより、前記絶縁層のピンホー
ルが少なく、しかも該絶縁層へのグリッド電極の位置精
度が良好となり、グリッド電極と陽極との電気的タッチ
を低減することが可能になる。
以下、本発明を図面に示す実症例に基いて説明する。
第1図および第2図は本発明に係る螢光光源管の一実施
例を示す第5図相当の断面図およびその平面図であり、
第3図乃至第5図と同一符号は同一または相当部分を示
す。この実施例の螢光光源管が上記した従来のものと異
なる点は、絶縁基板1上の発光点列を構成する陽iZa
上の螢光体3の配列方向に沿って該螢光体を露出すべ
くスリット状の開口部12を有する第1層の絶縁層7を
露光法により形成するとともに、この絶縁J@i 7上
にスリット状の開口部13を有する第2層の絶縁層8を
印刷法により形成して2層構造とし、この絶縁層8丘に
スリット状の開口部11を有するグリッド電画5を積み
重ねて配設するようにしたことである。この場合、前記
絶縁層1はスリット状の開口部(以下スリットと称する
)12がそのとに積み重ねられた絶縁層8のスリット1
3より螢光体3の発光点列側に接近して形成場れる。ま
た、グリッドを極5はそのスリット11が前記絶縁層8
のスリット13より発光点列側に接近して日差し状に飛
び出して形成きれている。なお、図中符号7、および8
、は前記各絶縁NJ7および8のスリット部分の端部を
示し、符号5□はグリッド″aLisのスリット部分の
端部を示している。
例を示す第5図相当の断面図およびその平面図であり、
第3図乃至第5図と同一符号は同一または相当部分を示
す。この実施例の螢光光源管が上記した従来のものと異
なる点は、絶縁基板1上の発光点列を構成する陽iZa
上の螢光体3の配列方向に沿って該螢光体を露出すべ
くスリット状の開口部12を有する第1層の絶縁層7を
露光法により形成するとともに、この絶縁J@i 7上
にスリット状の開口部13を有する第2層の絶縁層8を
印刷法により形成して2層構造とし、この絶縁層8丘に
スリット状の開口部11を有するグリッド電画5を積み
重ねて配設するようにしたことである。この場合、前記
絶縁層1はスリット状の開口部(以下スリットと称する
)12がそのとに積み重ねられた絶縁層8のスリット1
3より螢光体3の発光点列側に接近して形成場れる。ま
た、グリッドを極5はそのスリット11が前記絶縁層8
のスリット13より発光点列側に接近して日差し状に飛
び出して形成きれている。なお、図中符号7、および8
、は前記各絶縁NJ7および8のスリット部分の端部を
示し、符号5□はグリッド″aLisのスリット部分の
端部を示している。
次に、上記各絶縁層7.8の形成方法について具体的に
説明する。まず、ピンホールの少ない絶縁材料としてフ
ィラーを含まない非晶質ガラスを使用し、陽極兼外部リ
ード2(第4図参照)を複数個並置して陽極パターンが
形成された絶縁基板1上に1層目の絶縁層7を露光法に
より形成する。
説明する。まず、ピンホールの少ない絶縁材料としてフ
ィラーを含まない非晶質ガラスを使用し、陽極兼外部リ
ード2(第4図参照)を複数個並置して陽極パターンが
形成された絶縁基板1上に1層目の絶縁層7を露光法に
より形成する。
すなわち、水溶性のフォトレジスト(例えばジアゾ系の
もの)を用いて陽極2a 上に螢光体3が形成場れる幅
より広い幅で螢光体と同じ方向に露光によりライン状に
7オトレジストのパターンを10〜20μmの厚みで形
成する。次に、油性のフィラーを11ない非晶質材のガ
ラスペーストをスクリーン印刷により形成し、乾燥後先
の水溶性フォトレジストを水洗により除去すると、この
パターン上にある絶縁層は一緒に除去される(いわゆる
リフトオフ法)。これでスリット12を有する絶縁層I
のパターンが形成てれる。この時、絶縁層7は乾燥、固
化されているので、フィラーを含まなくてもダレは生じ
ない。この後、焼成によりガラス化し、約10μm厚み
の絶縁層7が形成される。このようにしてフィラーを含
まない非晶質ガラスペーストを露光法により形成するこ
とにより、ピンホールの少ない位置精度の良いスリット
12を有する絶縁層7が形成できる。
もの)を用いて陽極2a 上に螢光体3が形成場れる幅
より広い幅で螢光体と同じ方向に露光によりライン状に
7オトレジストのパターンを10〜20μmの厚みで形
成する。次に、油性のフィラーを11ない非晶質材のガ
ラスペーストをスクリーン印刷により形成し、乾燥後先
の水溶性フォトレジストを水洗により除去すると、この
パターン上にある絶縁層は一緒に除去される(いわゆる
リフトオフ法)。これでスリット12を有する絶縁層I
のパターンが形成てれる。この時、絶縁層7は乾燥、固
化されているので、フィラーを含まなくてもダレは生じ
ない。この後、焼成によりガラス化し、約10μm厚み
の絶縁層7が形成される。このようにしてフィラーを含
まない非晶質ガラスペーストを露光法により形成するこ
とにより、ピンホールの少ない位置精度の良いスリット
12を有する絶縁層7が形成できる。
次いで、このように形成した第1層の絶縁層7上に絶縁
層8を印刷法により積層して形成する。
層8を印刷法により積層して形成する。
これは、従来のように1層の絶縁層上K1ff接グリン
ド電極5を積み重ねた場合、(1)絶縁層の厚みが〜1
0μm程度と薄く、その螢光体側の間隙部9の位置での
タッチが生じやすい。また、(11)非晶質ガラス層自
体はピンホールは非常に少ないが、基板上にゴミ等があ
れば結果的にピンホールとなる等の問題が生じており、
この問題点を解決するために、上記絶縁層7の上に絶縁
層8を債み重ねて2層構造としたものである。すなわち
、スリット12を有する第1層の絶縁層7の上に、非晶
質ガラス材に屁、03粒子などのフィラーを加えた通常
の絶縁ガラスペーストを通常のスクリーン印刷法にて形
成し、その後焼成してスリット13を有する絶縁層8を
約20μmの厚みで重ねて形成する。この場合、第2層
の絶縁層8のスリット13の幅は、すでにパターン精度
の良い第1層の絶縁層7が形成されているため、余裕を
もって第1層の絶縁層7のスリット幅よりも比較的広く
とれ、またパターン精度も比較的ラフでよい。さらに第
1層の絶縁層7はピンホールが少ないため、第2層の絶
縁層8に多少のピンホールがあっても、これら各層の絶
縁層7および8のピンホールが重なる場合は極めて希で
ある。
ド電極5を積み重ねた場合、(1)絶縁層の厚みが〜1
0μm程度と薄く、その螢光体側の間隙部9の位置での
タッチが生じやすい。また、(11)非晶質ガラス層自
体はピンホールは非常に少ないが、基板上にゴミ等があ
れば結果的にピンホールとなる等の問題が生じており、
この問題点を解決するために、上記絶縁層7の上に絶縁
層8を債み重ねて2層構造としたものである。すなわち
、スリット12を有する第1層の絶縁層7の上に、非晶
質ガラス材に屁、03粒子などのフィラーを加えた通常
の絶縁ガラスペーストを通常のスクリーン印刷法にて形
成し、その後焼成してスリット13を有する絶縁層8を
約20μmの厚みで重ねて形成する。この場合、第2層
の絶縁層8のスリット13の幅は、すでにパターン精度
の良い第1層の絶縁層7が形成されているため、余裕を
もって第1層の絶縁層7のスリット幅よりも比較的広く
とれ、またパターン精度も比較的ラフでよい。さらに第
1層の絶縁層7はピンホールが少ないため、第2層の絶
縁層8に多少のピンホールがあっても、これら各層の絶
縁層7および8のピンホールが重なる場合は極めて希で
ある。
このようにして形成された絶縁層7および8においてそ
の長でが約300−のスリットの一例を示すと、第1層
7はスリット12の幅が150±10μmで螢光体3の
発光点列との平行度はきわめて良好(中心線上で10μ
m以内のズレ)であった。また第2層8はスリット13
の幅が350士100μm1中心線上のズレが100μ
m以内であった。
の長でが約300−のスリットの一例を示すと、第1層
7はスリット12の幅が150±10μmで螢光体3の
発光点列との平行度はきわめて良好(中心線上で10μ
m以内のズレ)であった。また第2層8はスリット13
の幅が350士100μm1中心線上のズレが100μ
m以内であった。
次に、これら第1.第2層の絶縁層7および8上に積み
重ねたスリット11を有するグリッド電極5について述
べる。このグリッド電極5はカソード6からの電子を効
果的に螢光体3上に導くためのものである。そのため、
精度良い細いスリット(通常150μm程度)11を有
するグリッド電極5を位置精度良く積み重ねる必要があ
る。このため、絶縁層上で位置合せをするが、従来の第
5図に示すように絶縁層4が1層の場合は、螢光体3の
面と絶縁層面の基板よりの高さがほぼ同じになるので、
グリッド電極の位置合せ中に螢光面に当たりやすい。ま
た、絶縁層4がグリッド電極5のスリット11内に露出
すると、そこにカソード6からの電子がたまり(チャー
ジアップ)、発光強度が下がる。従って、絶縁層4が露
出しないように形成するためには、そのスリット100
幅に余裕をとると、グリッド電極5と基板1間の螢光体
残渣による部分9のタッチが多く発生する不具合があっ
た。例えば、グリッド電極5のスリット11に150μ
mを使用したとき、スクリーン印刷で形成する絶縁層4
はスリット幅300±25μm1中心線上でのプレ50
μmが必要となる。これは非常に難しい寸法精度である
。本発明による2層構造の絶縁層7および8上に積み重
ねられたグリッド電極5においては、 +11 グリッド電極5のスリット110幅を第1層
の絶縁層7のスリット12の幅とほぼ同じにすることに
より、グリッドの位置合せがやり易く、かつ精度良くで
きる。
重ねたスリット11を有するグリッド電極5について述
べる。このグリッド電極5はカソード6からの電子を効
果的に螢光体3上に導くためのものである。そのため、
精度良い細いスリット(通常150μm程度)11を有
するグリッド電極5を位置精度良く積み重ねる必要があ
る。このため、絶縁層上で位置合せをするが、従来の第
5図に示すように絶縁層4が1層の場合は、螢光体3の
面と絶縁層面の基板よりの高さがほぼ同じになるので、
グリッド電極の位置合せ中に螢光面に当たりやすい。ま
た、絶縁層4がグリッド電極5のスリット11内に露出
すると、そこにカソード6からの電子がたまり(チャー
ジアップ)、発光強度が下がる。従って、絶縁層4が露
出しないように形成するためには、そのスリット100
幅に余裕をとると、グリッド電極5と基板1間の螢光体
残渣による部分9のタッチが多く発生する不具合があっ
た。例えば、グリッド電極5のスリット11に150μ
mを使用したとき、スクリーン印刷で形成する絶縁層4
はスリット幅300±25μm1中心線上でのプレ50
μmが必要となる。これは非常に難しい寸法精度である
。本発明による2層構造の絶縁層7および8上に積み重
ねられたグリッド電極5においては、 +11 グリッド電極5のスリット110幅を第1層
の絶縁層7のスリット12の幅とほぼ同じにすることに
より、グリッドの位置合せがやり易く、かつ精度良くで
きる。
(2)絶縁層8の面を螢光体面より高くすることができ
、グリッド電極5の位置合わせ作業中の螢光体3に触る
ことがない。
、グリッド電極5の位置合わせ作業中の螢光体3に触る
ことがない。
(3)第2層の絶縁層8はそのスリット13の幅を広く
とっても、グリッド電極5の日差し部と基板1上との間
に残った残渣部分91は一方が第1層の絶縁層7のため
電気的タッチにならない。
とっても、グリッド電極5の日差し部と基板1上との間
に残った残渣部分91は一方が第1層の絶縁層7のため
電気的タッチにならない。
などの利点を奏する。
なお、上記した実施例では第1層の絶縁層T上にさらに
1層を積層した場合について示したが、2層、3層と積
層しても勿論良い。
1層を積層した場合について示したが、2層、3層と積
層しても勿論良い。
また、第1層の絶縁層7は、ガラスペーストを用いたリ
フトオフ法により形成した厚膜絶縁層について述べたが
、ピンホールの少ない精度の良い絶縁層であれば良く、
例えばスパッタl cvo I蒸着法などにより成膜し
露光によりパターニングを行なった8%02 、 A/
、20B などの非晶質薄膜絶縁層でも良い。
フトオフ法により形成した厚膜絶縁層について述べたが
、ピンホールの少ない精度の良い絶縁層であれば良く、
例えばスパッタl cvo I蒸着法などにより成膜し
露光によりパターニングを行なった8%02 、 A/
、20B などの非晶質薄膜絶縁層でも良い。
以上説明したように本発明に係る螢光光源管によれば、
絶縁基板上の発光点列を構成する陽極上の螢光体の配列
方向にスリットを有する複数層の絶縁層を設け、この絶
縁層上にグリッド電極を配置した構造とすることにより
、前記絶縁層のピンホールが少なく加工精度も向上して
、その絶縁層へのグリッド電極の位置精度が良好となる
。これによって、グリッド電極と陽極との電気的タッチ
が低減化され、歩留ならびに信頼性の向上がはかれる効
果がある。
絶縁基板上の発光点列を構成する陽極上の螢光体の配列
方向にスリットを有する複数層の絶縁層を設け、この絶
縁層上にグリッド電極を配置した構造とすることにより
、前記絶縁層のピンホールが少なく加工精度も向上して
、その絶縁層へのグリッド電極の位置精度が良好となる
。これによって、グリッド電極と陽極との電気的タッチ
が低減化され、歩留ならびに信頼性の向上がはかれる効
果がある。
第1図および第2図は本発明に係る螢光光源管の一実施
例を示す要部新館図およびその平面図、第3図は従来の
螢光光源管の基板構造を示す平面図、第4図は第3図の
陽極兼外部リードの一部を示す拡大平面図、第5図は従
来の螢光光源管の断面図である。 1・・・・絶縁基板、乏・・・・陽極兼外部リード、2
a ・・・・陽−”、3・・・・螢光体、5・・・・
グリッド電極、6・・・・カソード、7・・・・第1層
の絶縁層゛、8・・・・第2層の絶縁層、11・・・・
スリット状の開口部(スリット)、12.13・・・・
スリット状の開口部(スリット)。
例を示す要部新館図およびその平面図、第3図は従来の
螢光光源管の基板構造を示す平面図、第4図は第3図の
陽極兼外部リードの一部を示す拡大平面図、第5図は従
来の螢光光源管の断面図である。 1・・・・絶縁基板、乏・・・・陽極兼外部リード、2
a ・・・・陽−”、3・・・・螢光体、5・・・・
グリッド電極、6・・・・カソード、7・・・・第1層
の絶縁層゛、8・・・・第2層の絶縁層、11・・・・
スリット状の開口部(スリット)、12.13・・・・
スリット状の開口部(スリット)。
Claims (2)
- (1)絶縁基板上に形成した陽極上に塗布された螢光体
により発光点を形成し、この発光点を一方向に複数個配
列して発光点列を構成して、前記絶縁基板上の真空容器
外に引き出された任意の陽極リードを選択することによ
り、陽極リード上の延長上の陽極上の螢光体がカソード
ルミネセンスにより発光する螢光光源管において、前記
絶縁基板上の発光点列を構成する陽極上の螢光体の配列
方向に沿つて該螢光体を露出させるべく形成されたスリ
ット状の開口部を有する複数層の絶縁層を設け、前記絶
縁層の第1層の開口部はその上に積み重ねられた絶縁層
の開口部より前記発光点列に接近して形成されかつこの
絶縁層上にその開口部と対応して形成されたスリット状
の開口部を有するグリッド電極を積み重ねて設けたこと
を特徴とする螢光光源管。 - (2)複数層の絶縁層のうち第1層目の絶縁層は非晶質
ガラス材料を用いて露光法により形成し、第1層上の絶
縁層の少くとも1層は非晶質ガラス材にフィラーを含有
した材料で印刷法により形成したことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の螢光光源管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4192785A JPS61203555A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 螢光光源管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4192785A JPS61203555A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 螢光光源管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203555A true JPS61203555A (ja) | 1986-09-09 |
| JPH0574903B2 JPH0574903B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=12621869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4192785A Granted JPS61203555A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 螢光光源管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203555A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4949099A (en) * | 1987-10-07 | 1990-08-14 | Futaba Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Fluorescent printer head using a single filamentary cathode |
| JPH04123751A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-23 | Futaba Corp | 蛍光プリンタヘッド及びその製造方法 |
| US5754216A (en) * | 1993-09-22 | 1998-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording head and image recording apparatus |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP4192785A patent/JPS61203555A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4949099A (en) * | 1987-10-07 | 1990-08-14 | Futaba Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Fluorescent printer head using a single filamentary cathode |
| JPH04123751A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-23 | Futaba Corp | 蛍光プリンタヘッド及びその製造方法 |
| US5754216A (en) * | 1993-09-22 | 1998-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording head and image recording apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574903B2 (ja) | 1993-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100345972B1 (ko) | 유기전자발광표시장치및그제조방법 | |
| US6414432B1 (en) | Organic EL device and method for manufacturing same | |
| KR20000023402A (ko) | 광학적 소자 및 그 제조 방법 | |
| JPH03757B2 (ja) | ||
| US3906285A (en) | Luminescent display tube anode assembly comprising anode segments each having a tungsten carbide conductive layer | |
| US5592206A (en) | Write head for fluorescent printer | |
| EP1843396A2 (en) | Organic electroluminscence device and method for manufacturing the same | |
| JPS61203555A (ja) | 螢光光源管 | |
| JP2001237071A (ja) | メタルマスク及びその製造方法 | |
| JP2848384B1 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
| KR100274865B1 (ko) | 전계방사형 음극 및 그 제조방법 | |
| JP5183807B2 (ja) | 発光スクリーン及び画像表示装置 | |
| US6749476B2 (en) | Field emission display cathode (FED) plate with an internal via and the fabrication method for the cathode plate | |
| JP3062637B2 (ja) | 蛍光表示管の製造方法 | |
| GB2173451A (en) | Write head for optical printer | |
| KR20030018488A (ko) | 형광표시관 | |
| KR100879291B1 (ko) | 전계 방출 표시 소자 및 이 소자의 후면 기판 제조 방법 | |
| JPH0222977B2 (ja) | ||
| JPH0831349A (ja) | 蛍光表示管 | |
| JPS6231922A (ja) | 螢光光源管 | |
| KR940009499B1 (ko) | 박막 전장 발광 표시소자 및 제조방법 | |
| KR950003650B1 (ko) | 형광표시관의 전극구조 | |
| JPH02106861A (ja) | 蛍光表示管 | |
| KR100511257B1 (ko) | 전계방출소자 및 그의 제조방법 | |
| TW432439B (en) | Faceplate structure of field emission display and its manufacturing method |