JPS6232607A - 成長・分析装置 - Google Patents
成長・分析装置Info
- Publication number
- JPS6232607A JPS6232607A JP17211485A JP17211485A JPS6232607A JP S6232607 A JPS6232607 A JP S6232607A JP 17211485 A JP17211485 A JP 17211485A JP 17211485 A JP17211485 A JP 17211485A JP S6232607 A JPS6232607 A JP S6232607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- growth
- laser beam
- laser
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
真空室を共有する成長・分析装置の分析用の放射線を導
入する放射窓が成長物質の付着により汚染されて曇るた
め、清浄化する必要がある。そのためレーザビームによ
る加熱で汚染を除去できる機構を具備する装置を提案す
る。
入する放射窓が成長物質の付着により汚染されて曇るた
め、清浄化する必要がある。そのためレーザビームによ
る加熱で汚染を除去できる機構を具備する装置を提案す
る。
ｒ産業上の利用分野〕
浄化する機構を備えた成長・分析装置に関する。
従来は上記放射窓は成長物質が付着して、放射線の透過
率を減衰させるため、成長と分析をそれぞれ別々の真空
室で行い、即時分析ができなかった。そのため、成長中
に同時に分析ができる装置が要望されている。
率を減衰させるため、成長と分析をそれぞれ別々の真空
室で行い、即時分析ができなかった。そのため、成長中
に同時に分析ができる装置が要望されている。
第２図は従来の成長・分析装置の構成を説明する概念的
な断面図である。
な断面図である。
図において、２１は成長室、２２は分析室、２３は試料
移動機構を有する試料移動室である。
移動機構を有する試料移動室である。
上記の構成では、試料を分析するときは成長を中断して
、試料を試料移動室２３を経由して分析室２２に移動さ
せる必要があった。
、試料を試料移動室２３を経由して分析室２２に移動さ
せる必要があった。
分析と成長を同一真空室内で行えなかった原因は前述の
ように分析用の放射線を導入する放射窓に成長物質が付
着して放射線の透過率を減衰させるためであった。
ように分析用の放射線を導入する放射窓に成長物質が付
着して放射線の透過率を減衰させるためであった。
即時分析を可能とするため、分析と成長を同一真空室内
で行うと放射窓に成長物質が付着して放射線の透過率を
減衰させるという欠点があった。
で行うと放射窓に成長物質が付着して放射線の透過率を
減衰させるという欠点があった。
上記問題点の解決は、分析用の放射線を導入する放射窓
（１）とレーザ光を専大するレーザ用窓（２）を有する
真空室（３）内に成長機構（４）を設けてなり、かつ、
外部より該レーザ用窓（２）を経由してレーザ光を該真
空室（３）内に導き該放射窓（１）に照射して、該放射
窓（１）の表面の汚染物質を選択的に加熱することによ
り、該汚染物質を蒸発させて該放射窓（１）の表面を清
浄化する機構を有する本発明による成長・分析装置によ
り達成される。
（１）とレーザ光を専大するレーザ用窓（２）を有する
真空室（３）内に成長機構（４）を設けてなり、かつ、
外部より該レーザ用窓（２）を経由してレーザ光を該真
空室（３）内に導き該放射窓（１）に照射して、該放射
窓（１）の表面の汚染物質を選択的に加熱することによ
り、該汚染物質を蒸発させて該放射窓（１）の表面を清
浄化する機構を有する本発明による成長・分析装置によ
り達成される。
本発明は、
（１１放射窓表面に付着する汚染物質の光学的吸収係数
が高いため、ここに選択的にレーザ光を吸収し、 （２）かつ窓ガラスの熱伝導率が低いためにレーザ光を
照射した部分だけが局部的に温度上昇し、（３） さ
らに汚染物質の多（は蒸発しやすい（例えば、燐、砒素
等は蒸気圧が高い）、 等の作用を利用して、レーザ光の照射により汚染を除去
する機構を設けた。
が高いため、ここに選択的にレーザ光を吸収し、 （２）かつ窓ガラスの熱伝導率が低いためにレーザ光を
照射した部分だけが局部的に温度上昇し、（３） さ
らに汚染物質の多（は蒸発しやすい（例えば、燐、砒素
等は蒸気圧が高い）、 等の作用を利用して、レーザ光の照射により汚染を除去
する機構を設けた。
第１図は本発明の成長・分析装置の構成を説明する概念
的な断面図である。
的な断面図である。
図において、１は分析用の放射線を導入する放射窓で、
アルミニウム（Ａｌ）とマグネシウム（Ｍｇ）のターゲ
ットをもつ、一般によく使われる光電子分光装置のＸ線
源の窓である。
アルミニウム（Ａｌ）とマグネシウム（Ｍｇ）のターゲ
ットをもつ、一般によく使われる光電子分光装置のＸ線
源の窓である。
波長５１４５人のアルゴン（八ｒ）イオンレーザ５より
出る光を入射角６０°で放射窓１を照射できるように、
真空室３にレーザ用窓２と、ミラー６．７を配置した。
出る光を入射角６０°で放射窓１を照射できるように、
真空室３にレーザ用窓２と、ミラー６．７を配置した。
８はシャッタである。
４はガリウム砒素（ＧａＡｓ）の分子線エピタキシャル
（ＭＢＥ） 成長用のセルである。
（ＭＢＥ） 成長用のセルである。
この装置内で、ＧａＡｓのＭＢＥ成長と光電子分光測定
を行って本発明の効果を確かめた。
を行って本発明の効果を確かめた。
ＧａＡｓの成長は通常、Ｇａに対するＡｓビームの流量
比が５０倍以上と大きいため、真空室３内にはアモルフ
ァス状、または金属状のＡｓが付着する。
比が５０倍以上と大きいため、真空室３内にはアモルフ
ァス状、または金属状のＡｓが付着する。
Ｘ線電子分光測定はＡＩの励起線（Ｋα）でＧａ２ｐ３
／２準位（結合エネルギ１１１５ｅＶ）について行った
。
／２準位（結合エネルギ１１１５ｅＶ）について行った
。
ＧａＡｓの成長を１００時間以上行い、Ｇａピークの強
度（Ｉ Ｇ−）が初期強度ＣｒＧ−０）の７０％に減少
した状態で、放射窓（Ｘ線窓）■にレーザビームを照射
した。
度（Ｉ Ｇ−）が初期強度ＣｒＧ−０）の７０％に減少
した状態で、放射窓（Ｘ線窓）■にレーザビームを照射
した。
第３図は放射窓に照射したレーザパワー密度とＧａピー
クの強度比（Ｉ ｃ−／ Ｉ ｃ−０）の関係を示す図
である。
クの強度比（Ｉ ｃ−／ Ｉ ｃ−０）の関係を示す図
である。
ここで、レーザビームの照射時間は１０分間である。
図より、レーザビームの強度が１０：ｌＷ／ｃｍ２以上
になるとＧａピークの強度の増加がみられ、１０’Ｗ／
ｃｍ２の照射で強度比が９５％に改善される。
になるとＧａピークの強度の増加がみられ、１０’Ｗ／
ｃｍ２の照射で強度比が９５％に改善される。
これは、レーザビームの照射前は成長中のＡｓビームの
一部が放射窓１に付着し、ＡＩＫα励起線を吸収し、試
料の励起線強度を小さくしていたためと考えられる。
一部が放射窓１に付着し、ＡＩＫα励起線を吸収し、試
料の励起線強度を小さくしていたためと考えられる。
レーザビームを照射することにより、放射窓１に付着し
たＡｓが選択的にレーザ光を吸収して、温度が上昇し再
蒸発させる効果があったことを、この実施例は示してい
る。
たＡｓが選択的にレーザ光を吸収して、温度が上昇し再
蒸発させる効果があったことを、この実施例は示してい
る。
実施例ではＡｓを含む材料について述べたが、これの代
わりに蒸気圧の高い他の元素を含む材料による汚染に対
しても本発明は当然効果がある。
わりに蒸気圧の高い他の元素を含む材料による汚染に対
しても本発明は当然効果がある。
以上詳細に説明したように本発明によれば、成長後の放
射窓の清浄が可能であるだけでなく、成長中にレーザ光
を照射することにより窓の汚染が防止できる。さらに成
長中に表面分析を同時に行うことが可能となる。
射窓の清浄が可能であるだけでなく、成長中にレーザ光
を照射することにより窓の汚染が防止できる。さらに成
長中に表面分析を同時に行うことが可能となる。
第１図は本発明の成長・分析装置の構成を説明する概念
的な断面図、 第２図は従来の成長・分析装置の構成を説明する概念的
な断面図、 第３図は放射窓に照射したレーザパワー密度とＧａピー
クの強゛度比（ｒ 、、／ Ｉ Ｇ、、）の関係を示す
図である。 図において、 １は分析用の放射線を導入する放射窓で光電子分光装置
のＸ線源の窓、 ２はし・−ザ用窓、 ３は真空室、 ４はＧａＡｓのＭＢＥ成長用のセル、 ５はアルゴンイオンレーザ、 ６．７はミラー、 ８はシャンク
的な断面図、 第２図は従来の成長・分析装置の構成を説明する概念的
な断面図、 第３図は放射窓に照射したレーザパワー密度とＧａピー
クの強゛度比（ｒ 、、／ Ｉ Ｇ、、）の関係を示す
図である。 図において、 １は分析用の放射線を導入する放射窓で光電子分光装置
のＸ線源の窓、 ２はし・−ザ用窓、 ３は真空室、 ４はＧａＡｓのＭＢＥ成長用のセル、 ５はアルゴンイオンレーザ、 ６．７はミラー、 ８はシャンク
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 分析用の放射線を導入する放射窓（１）とレーザ光を導
入するレーザ用窓（２）を有する真空室（３）内に成長
機構（４）を設けてなり、 かつ、外部より該レーザ用窓（２）を経由してレーザ光
を該真空室（３）内に導き該放射窓（１）に照射して、
該放射窓（１）の表面の汚染物質を選択的に加熱するこ
とにより、該汚染物質を蒸発させて該放射窓（１）の表
面を清浄化する機構を有することを特徴とする成長・分
析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17211485A JPS6232607A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 成長・分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17211485A JPS6232607A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 成長・分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232607A true JPS6232607A (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=15935813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17211485A Pending JPS6232607A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 成長・分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232607A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015531743A (ja) * | 2012-08-30 | 2015-11-05 | トゥーエイ テクノロジーズ プライベート リミテッド | ダイヤモンドを生成し、リアルタイム現場分析を実行するための装置及び方法 |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP17211485A patent/JPS6232607A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015531743A (ja) * | 2012-08-30 | 2015-11-05 | トゥーエイ テクノロジーズ プライベート リミテッド | ダイヤモンドを生成し、リアルタイム現場分析を実行するための装置及び方法 |
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