JPS6232615A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPS6232615A JPS6232615A JP60171893A JP17189385A JPS6232615A JP S6232615 A JPS6232615 A JP S6232615A JP 60171893 A JP60171893 A JP 60171893A JP 17189385 A JP17189385 A JP 17189385A JP S6232615 A JPS6232615 A JP S6232615A
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- JP
- Japan
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- optical signal
- optical
- signal
- wafer
- selection means
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明は、レチクルパターンまたはマスクパターンをウ
ェハに転写するための投影露光装置に関し、特に投影光
学系を用いたスルー・ザ・レンズ(TTL)方式の位置
合せを行なう投影露光IA置に関する。
ェハに転写するための投影露光装置に関し、特に投影光
学系を用いたスルー・ザ・レンズ(TTL)方式の位置
合せを行なう投影露光IA置に関する。
[発明の背県]
一般に、LSIまたはVLSI製造用の投影露光装置に
おいては、レチクルパターン(またはマスクパターン)
は115あるいは1/10程度の縮小倍率の投影レンズ
を通してウェハに投影され、この時1枚のウェハ上には
同一パターンが繰り返し露光される。そのため、−回毎
の露光の前にレチクルとウェハの相対位置を投影レンズ
を通して測定し、位置合せする必要が生じる。この作業
を自動的に行なうためにレチクルおよびウェハには位置
合せのためのマークすなわちレチクルマークおよびウェ
ハマークが必要となる。しかも、通常、LS I VL
S Iの製造工程においては上記位置合せおよび露光工
程は複数口金まれているため、上記アライメントマーク
も前工程で使用したマークとは異なる位置に順次複数個
作り込まれることが多い。
おいては、レチクルパターン(またはマスクパターン)
は115あるいは1/10程度の縮小倍率の投影レンズ
を通してウェハに投影され、この時1枚のウェハ上には
同一パターンが繰り返し露光される。そのため、−回毎
の露光の前にレチクルとウェハの相対位置を投影レンズ
を通して測定し、位置合せする必要が生じる。この作業
を自動的に行なうためにレチクルおよびウェハには位置
合せのためのマークすなわちレチクルマークおよびウェ
ハマークが必要となる。しかも、通常、LS I VL
S Iの製造工程においては上記位置合せおよび露光工
程は複数口金まれているため、上記アライメントマーク
も前工程で使用したマークとは異なる位置に順次複数個
作り込まれることが多い。
一般に投影露光装置の投影レンズには両テレセンタイプ
と片テレセンタイプの二種類があり、レチクル投影像の
ウェハ側主光線は、両テレセンタイプも片テレセンタイ
プもウェハ面に垂直に入射するが、レチクル側の主光線
は両テレセンタイプの場合はレチクル面に垂直であるの
に対し、片テレセンタイプの場合、光軸以外の像高では
レチクル面に対して垂直からはずれた傾きをもって、1
5す、この傾きは像高によって変化する。
と片テレセンタイプの二種類があり、レチクル投影像の
ウェハ側主光線は、両テレセンタイプも片テレセンタイ
プもウェハ面に垂直に入射するが、レチクル側の主光線
は両テレセンタイプの場合はレチクル面に垂直であるの
に対し、片テレセンタイプの場合、光軸以外の像高では
レチクル面に対して垂直からはずれた傾きをもって、1
5す、この傾きは像高によって変化する。
従って、従来、投影レンズに片テレセンレンズを用い、
レチクルとウェハの相対位置を検出するためレンズを通
してウェハマークの光信号を検出する場合、ウェハマー
クの像高が変わると、レチクル側主光線は光軸以外の像
高ではレチクル面に対し垂直からはずれた傾きをもって
おりこの傾きが像高により変化するため、ウェハマーク
の光信号選択手段に入射する光信号の光軸位置が変化し
正しい光信号検出ができなくなるという欠点があった。
レチクルとウェハの相対位置を検出するためレンズを通
してウェハマークの光信号を検出する場合、ウェハマー
クの像高が変わると、レチクル側主光線は光軸以外の像
高ではレチクル面に対し垂直からはずれた傾きをもって
おりこの傾きが像高により変化するため、ウェハマーク
の光信号選択手段に入射する光信号の光軸位置が変化し
正しい光信号検出ができなくなるという欠点があった。
また、投影レンズに両テレセンレンズを用い、レンズを
通してウェハマークの光信号を検出する場合であっても
、レンズにテレセン度誤差がある場合にはウェハマーク
の像高が変わると光信号選択手段に入用する光信号の光
軸位置がテレセン石肌差分だけ変化するため、片テレセ
ンタイプのレンズを用いた場合と同様に光信号選択手段
に対する光信号の結像位置がずれてしまい正しい光信号
の検出ができなくなるという欠点があった。
通してウェハマークの光信号を検出する場合であっても
、レンズにテレセン度誤差がある場合にはウェハマーク
の像高が変わると光信号選択手段に入用する光信号の光
軸位置がテレセン石肌差分だけ変化するため、片テレセ
ンタイプのレンズを用いた場合と同様に光信号選択手段
に対する光信号の結像位置がずれてしまい正しい光信号
の検出ができなくなるという欠点があった。
[発明の目的]
本発明は、上述の従来例の欠点を除去するもので、投影
レンズのテレセン度特性による光信号結像位置の変動に
応じて平行平面ガラスを傾かせ光信号光軸を平行移動さ
せることにより光信号光軸位置と光信号選択手段との相
対位置を自動的に補正する機能を持ち、レチクルとウェ
ハの相対位置合せ信号を常に光信号選択手段の最適位置
に入射させることのできる投影露光装置を提供すること
を目的とする。
レンズのテレセン度特性による光信号結像位置の変動に
応じて平行平面ガラスを傾かせ光信号光軸を平行移動さ
せることにより光信号光軸位置と光信号選択手段との相
対位置を自動的に補正する機能を持ち、レチクルとウェ
ハの相対位置合せ信号を常に光信号選択手段の最適位置
に入射させることのできる投影露光装置を提供すること
を目的とする。
[実施例の説明]
以下、本発明を実施例についてより具体的に説明する。
第5図は、レチクルとウェハの相対位置検出のために投
影レンズを通してウェハマークの光信号を検出するvc
置において、ウェハマークの光信号光軸とアライメント
光学系光軸が一致している状態を示す。
影レンズを通してウェハマークの光信号を検出するvc
置において、ウェハマークの光信号光軸とアライメント
光学系光軸が一致している状態を示す。
レーザ1から発射されたアライメント光はレンズ2を通
過した後、ポリゴンミラー3、ミラー4、対物レンズ5
を介してレチクル6に照射される。
過した後、ポリゴンミラー3、ミラー4、対物レンズ5
を介してレチクル6に照射される。
レチクル6にはウェハ8との位置合わせ用マークが設け
てあり、レチクル6を通過したアライメント光は投影レ
ンズ7を介してウェハ8のスクライブエリアに設けられ
たウェハマークに照射される。
てあり、レチクル6を通過したアライメント光は投影レ
ンズ7を介してウェハ8のスクライブエリアに設けられ
たウェハマークに照射される。
なお、ウェハ8は試料台9に載せられている。ウェハマ
ークでの反射光、すなわちウェハマークからの光信号は
投影レンズ7を通り入射光と同じ経路を通ってミラー4
に達し、ミラー4により入射時とは別光路に導かれ、レ
ンズ10を通ってレチクル6とウェハ8の相対位置を検
出するための光信号選択手段11および選択された光を
電気信号に変換する光電変換手段12に入射する。この
光電変換手段の出力を電気的に処理することにより、レ
チクル6とウェハ8の相対位置が検出される。
ークでの反射光、すなわちウェハマークからの光信号は
投影レンズ7を通り入射光と同じ経路を通ってミラー4
に達し、ミラー4により入射時とは別光路に導かれ、レ
ンズ10を通ってレチクル6とウェハ8の相対位置を検
出するための光信号選択手段11および選択された光を
電気信号に変換する光電変換手段12に入射する。この
光電変換手段の出力を電気的に処理することにより、レ
チクル6とウェハ8の相対位置が検出される。
第2図は、光信号と光信号選択手段との位置関係を示し
、81〜S4はウェハマークの形状に応じて方向性の決
まった光信号である。W1〜W4は光信号選択窓で、光
信号の結像位置および方向性に合せて配置されている。
、81〜S4はウェハマークの形状に応じて方向性の決
まった光信号である。W1〜W4は光信号選択窓で、光
信号の結像位置および方向性に合せて配置されている。
第3図は、光電変換手段の配置を示す平面図で、各光電
変換素子D1〜D4はそれぞれ光信号81〜S4を各々
独立に電気信号に変換するため光信号選択窓W1〜W4
の位置に対応して配置されている。
変換素子D1〜D4はそれぞれ光信号81〜S4を各々
独立に電気信号に変換するため光信号選択窓W1〜W4
の位置に対応して配置されている。
第4図は、光電変換素子D1〜D4の各々の出力電圧波
形およびその電圧値を示し、波形v1〜V4および電圧
値■1〜■4は光電変換素子D1〜D4のそれぞれに対
応している。
形およびその電圧値を示し、波形v1〜V4および電圧
値■1〜■4は光電変換素子D1〜D4のそれぞれに対
応している。
第5図に示すように、光信号光軸とアライメント光学系
光軸とが一致している場合には、出力電圧■1〜v4は
vl −v2 =v3 =v4となる。
光軸とが一致している場合には、出力電圧■1〜v4は
vl −v2 =v3 =v4となる。
これが、光信号選択手段と光信号光軸との相対位置が最
適な場合である。
適な場合である。
第1図は、本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略
のブロック構成を示す。同図の装置は、投影光学系光軸
に対してアライメント光学系光軸を変化させる場合に、
前記光信号選択手段11に入射する光信号光軸位置を投
影レンズ7のテレセン度特性に応じた最適位置に自動補
正する嶺能を有している。なお、符号1〜12は第5図
と同一である。
のブロック構成を示す。同図の装置は、投影光学系光軸
に対してアライメント光学系光軸を変化させる場合に、
前記光信号選択手段11に入射する光信号光軸位置を投
影レンズ7のテレセン度特性に応じた最適位置に自動補
正する嶺能を有している。なお、符号1〜12は第5図
と同一である。
以下、第1図の装置について詳細に説明ザる。
前記第5図で説明したウェハマークの光信号光軸とアラ
イメント光学系光軸が一致している像高aから、第1図
に示すような像高すにウェハマークの像高を変化させた
場合、投影レンズ7のテレセン度特性により、光信号選
択手段11に入射するウェハマークの光信号光軸位置が
破線で示すように変化する。そのため、光信号選択手段
11に対する光信号結像位置がΔYだけずれてしまい、
そのままでは正しい光信号検出ができなくなってしまう
。
イメント光学系光軸が一致している像高aから、第1図
に示すような像高すにウェハマークの像高を変化させた
場合、投影レンズ7のテレセン度特性により、光信号選
択手段11に入射するウェハマークの光信号光軸位置が
破線で示すように変化する。そのため、光信号選択手段
11に対する光信号結像位置がΔYだけずれてしまい、
そのままでは正しい光信号検出ができなくなってしまう
。
第6図は、光信号選択手段に対し光信号結像位置がずれ
ている状態を示す。
ている状態を示す。
第7図は、第6図の状態での光電変換手段からの出力電
圧波形を示す。Vl’〜V4’ は、光信号選択窓W1
〜W4を通過した光信号の光電変検出力波形、vl’〜
v4’ は、その出力電圧値である。
圧波形を示す。Vl’〜V4’ は、光信号選択窓W1
〜W4を通過した光信号の光電変検出力波形、vl’〜
v4’ は、その出力電圧値である。
そこで、本実施例においては、投影光学系光軸とアライ
メント光学系光軸の相対位置を知る手段(以下、検出手
段という)13により第7図のような光電変換手段12
からの出力電圧vl’〜v4’に基づいて第6図のよう
に光信号81’〜34’と光信号選択手段11との相対
位置関係がずれていることを検出し、この検出手段13
からの検出信号を基にコントローラ14によって出力電
圧vl’〜v4’ が等しくなるようにすなわち4ケの
光信号光器がバランスするように傾き調整機構15を駆
動して平行平面ガラス16を傾かせ、これにより光信号
結像位置(すなわち光信号光軸位置)を最適位置に補正
する。
メント光学系光軸の相対位置を知る手段(以下、検出手
段という)13により第7図のような光電変換手段12
からの出力電圧vl’〜v4’に基づいて第6図のよう
に光信号81’〜34’と光信号選択手段11との相対
位置関係がずれていることを検出し、この検出手段13
からの検出信号を基にコントローラ14によって出力電
圧vl’〜v4’ が等しくなるようにすなわち4ケの
光信号光器がバランスするように傾き調整機構15を駆
動して平行平面ガラス16を傾かせ、これにより光信号
結像位置(すなわち光信号光軸位置)を最適位置に補正
する。
次に、第1図の露光装置において光信号光軸を光信号選
択手段11に自動位置合せする場合の動作を第8図のフ
ローチャートを参照しながら説明する。この動作の制御
は図示しないマイクロプロセッサ等からなる第1図の検
出手段13およびコントローラ14にて行なわれる。
択手段11に自動位置合せする場合の動作を第8図のフ
ローチャートを参照しながら説明する。この動作の制御
は図示しないマイクロプロセッサ等からなる第1図の検
出手段13およびコントローラ14にて行なわれる。
オートアライメント開始侵、検出手段13においては各
光電変換素子D1〜D4の出力信号を監視しており、ウ
ェハマーク信号が検知されると、まず出力電圧■1と■
2とを比較する。ここで、第1図における紙面垂直方向
をX軸、上下方向をY軸、左右方向を2軸とすると、も
し、■1とV2の大きさが異なっていれば、光信号選択
手段11に対し光信号光軸位置がY軸方向にずれている
のであるからvlと■2どの大小を判別して大小判別信
号を出力する。コントローラ14においてはこの大小判
別信号に応じて傾き調整手段15を駆動する。
光電変換素子D1〜D4の出力信号を監視しており、ウ
ェハマーク信号が検知されると、まず出力電圧■1と■
2とを比較する。ここで、第1図における紙面垂直方向
をX軸、上下方向をY軸、左右方向を2軸とすると、も
し、■1とV2の大きさが異なっていれば、光信号選択
手段11に対し光信号光軸位置がY軸方向にずれている
のであるからvlと■2どの大小を判別して大小判別信
号を出力する。コントローラ14においてはこの大小判
別信号に応じて傾き調整手段15を駆動する。
この駆動は、例えばvl <v2なら平行平面ガラス1
6がX軸を回転軸として時計回り方向へ、■1>v2で
あれば反時計回り方向へ回動するように傾き調整手段1
5を作動させる。
6がX軸を回転軸として時計回り方向へ、■1>v2で
あれば反時計回り方向へ回動するように傾き調整手段1
5を作動させる。
一方、出力電圧v1とv2が等しいとき、または上述し
た出力電圧の大小判別および平行平面ガラス16の回動
を必要回数繰返した結果出力電圧v1とv2とが等しく
なったときは、次に、出力電圧■3と■4に基づいて上
記と同様にX方向のずれ検出、および傾き調整手段15
を駆動してのずれ補正を行なう。これにより、光信号光
軸が光信号選択手段11に対し最適位置に位置合せされ
る。
た出力電圧の大小判別および平行平面ガラス16の回動
を必要回数繰返した結果出力電圧v1とv2とが等しく
なったときは、次に、出力電圧■3と■4に基づいて上
記と同様にX方向のずれ検出、および傾き調整手段15
を駆動してのずれ補正を行なう。これにより、光信号光
軸が光信号選択手段11に対し最適位置に位置合せされ
る。
以下、従来通りの方法によりオートアライメントを実行
し、露光を行なう。
し、露光を行なう。
[実施例の変形例]
なお、前記実施例では光信号選択手段11に対する光信
号光軸のずれを検出した後、平行平面ガラス16を駆動
したが、ずれ検出の前段階で既知のテしけン度誤差設計
値に基づき平行平面ガラス16を予め傾けて光信号光軸
位置を補正しておき、その後ずれ母を検出して平行平面
ガラス16を最終的に傾き調整するのも有効である。こ
の場合、傾き調整すなわち光信号光軸位置補正に要する
時間の短縮を図ることができる。
号光軸のずれを検出した後、平行平面ガラス16を駆動
したが、ずれ検出の前段階で既知のテしけン度誤差設計
値に基づき平行平面ガラス16を予め傾けて光信号光軸
位置を補正しておき、その後ずれ母を検出して平行平面
ガラス16を最終的に傾き調整するのも有効である。こ
の場合、傾き調整すなわち光信号光軸位置補正に要する
時間の短縮を図ることができる。
また、ウェハ上のアライメントマークのエツジの傾きが
一方に偏る等1.マークの形成状態によっては光信号選
択手段の最適位置における出力電圧■1〜■4が必ずし
もvl =v2 =v3−v4とならない場合がある。
一方に偏る等1.マークの形成状態によっては光信号選
択手段の最適位置における出力電圧■1〜■4が必ずし
もvl =v2 =v3−v4とならない場合がある。
このような場合は、例えば先ず標準ウェハを用いて平行
平面ガラス16の傾き調整を行ない、続いて対象ウェハ
を同じ位置に合せ、このときの誤差信号が零となるよう
に、すなわち検出手段13の4つの入力電圧が等しくな
るように各光電変換素子D1〜D4の出力を可変抵抗器
等により設定すればよい。または、検出手段13におい
て上記と等価となるようにv1〜v4に適当な係数を掛
けた1lvlとv2および■3と■4とを比較するよう
にしてもよい。これらの場合、各光電変換素子D1〜D
4で光信号対電気信号特性にばらつきがあるときはこの
ばらつきも含めて条件設定することができる。
平面ガラス16の傾き調整を行ない、続いて対象ウェハ
を同じ位置に合せ、このときの誤差信号が零となるよう
に、すなわち検出手段13の4つの入力電圧が等しくな
るように各光電変換素子D1〜D4の出力を可変抵抗器
等により設定すればよい。または、検出手段13におい
て上記と等価となるようにv1〜v4に適当な係数を掛
けた1lvlとv2および■3と■4とを比較するよう
にしてもよい。これらの場合、各光電変換素子D1〜D
4で光信号対電気信号特性にばらつきがあるときはこの
ばらつきも含めて条件設定することができる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、投影レンズのテレ
セン度特性あるいはテレセン度誤差によるウェハマーク
の光信号結像位置変化があっても、その変化に応じて平
行平面ガラスを傾けることで光信号結像位置を光信号選
択手段に位置合せすることができ、レチクルとウェハの
アライメン1〜精度を高精度に維持することができる。
セン度特性あるいはテレセン度誤差によるウェハマーク
の光信号結像位置変化があっても、その変化に応じて平
行平面ガラスを傾けることで光信号結像位置を光信号選
択手段に位置合せすることができ、レチクルとウェハの
アライメン1〜精度を高精度に維持することができる。
第1図は本発明の一実m例に係る投影露光装置の概略構
成図、 第2図は光信号と光信号選択手段との位置関係を示す図
、 第3図は光信号を電気信号に変換する光電変換手段配置
を示す図、 第4図は第3図の光電変換手段からの出力電圧波形を示
す図、 第5図はウェハマークの光信号光軸とアライメント光学
系光軸が一致している場合のウェハマークの光信号検出
を説明する図、 第6図は光信号選択手段に対して光信号結像位置がずれ
ている状態を示す図、 第7図は第6図の状態における光電変換手段からの出力
電圧波形を示す図、そして 第8図は第1図の装置における光信号選択手段の自動位
置合せ動作を説明するためのフローチャートである。 1・・・レーザ、 2・・・レンズ、3・・
・ポリゴンミラー、 4・・・ミラー、5・・・対物レ
ンズ、 6・・・レチクル、7・・・投影レンズ、
8・・・ウェハ、9・・・試料台、 1
0・・・レンズ、11・・・光信号選択手段、 12・
・・光電変換手段、13・・・投影光学系光軸とアライ
メント光学系光軸の相対位置を知る手段(検出手段)、 14・・・コントローラ、 15・・・傾き調整手段
、16・・・平行平面ガラス、 81〜84 、81 ’ 〜84 ’ 、、、光信号、
W1〜W4・・・光信号選択窓、 01〜D4・・・光電変換素子、 ■1〜V4 、 Vl ’〜V4’・・・光電変換素子
からの出力波形。
成図、 第2図は光信号と光信号選択手段との位置関係を示す図
、 第3図は光信号を電気信号に変換する光電変換手段配置
を示す図、 第4図は第3図の光電変換手段からの出力電圧波形を示
す図、 第5図はウェハマークの光信号光軸とアライメント光学
系光軸が一致している場合のウェハマークの光信号検出
を説明する図、 第6図は光信号選択手段に対して光信号結像位置がずれ
ている状態を示す図、 第7図は第6図の状態における光電変換手段からの出力
電圧波形を示す図、そして 第8図は第1図の装置における光信号選択手段の自動位
置合せ動作を説明するためのフローチャートである。 1・・・レーザ、 2・・・レンズ、3・・
・ポリゴンミラー、 4・・・ミラー、5・・・対物レ
ンズ、 6・・・レチクル、7・・・投影レンズ、
8・・・ウェハ、9・・・試料台、 1
0・・・レンズ、11・・・光信号選択手段、 12・
・・光電変換手段、13・・・投影光学系光軸とアライ
メント光学系光軸の相対位置を知る手段(検出手段)、 14・・・コントローラ、 15・・・傾き調整手段
、16・・・平行平面ガラス、 81〜84 、81 ’ 〜84 ’ 、、、光信号、
W1〜W4・・・光信号選択窓、 01〜D4・・・光電変換素子、 ■1〜V4 、 Vl ’〜V4’・・・光電変換素子
からの出力波形。
Claims (1)
- レチクルまたはマスクのパターン像をウェハに転写する
ための投影光学系と、光信号選択手段および選択された
光信号を電気信号に変換する光電変換手段を備え上記投
影光学系を介してレチクルまたはマスクとウェハとの相
対位置合せ信号を検出するためのアライメント光学系と
を有する投影露光装置において、上記アライメント光学
系内の光信号選択手段より前でかつ光信号光路中に傾き
自由な平行平面ガラスを配置するとともに、上記光信号
選択手段に対する上記アライメント光学系の光信号光軸
のずれを検出する手段と、該検出手段の出力に基づき上
記平行平面ガラスを傾動させる手段とを設け、上記光信
号選択手段に入射する光信号の結像位置を自動的に調整
するようにしたことを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171893A JPS6232615A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171893A JPS6232615A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232615A true JPS6232615A (ja) | 1987-02-12 |
| JPH0577168B2 JPH0577168B2 (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=15931760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171893A Granted JPS6232615A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63306624A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-14 | Nikon Corp | アライメント方法 |
| US5099358A (en) * | 1989-01-13 | 1992-03-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for recording image including an afocal optical system |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5234907A (en) * | 1975-09-11 | 1977-03-17 | Dantani Plywood Co | Method of producing decorated boards with gloss change |
| JPS5612729A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-07 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ?alignmening device for ic projection exposure equipment |
| JPS61121437A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60171893A patent/JPS6232615A/ja active Granted
Patent Citations (4)
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| JPS494549A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-16 | ||
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| JPS63306624A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-14 | Nikon Corp | アライメント方法 |
| US5099358A (en) * | 1989-01-13 | 1992-03-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for recording image including an afocal optical system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0577168B2 (ja) | 1993-10-26 |
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