JPS6233014Y2 - - Google Patents
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- JPS6233014Y2 JPS6233014Y2 JP10605883U JP10605883U JPS6233014Y2 JP S6233014 Y2 JPS6233014 Y2 JP S6233014Y2 JP 10605883 U JP10605883 U JP 10605883U JP 10605883 U JP10605883 U JP 10605883U JP S6233014 Y2 JPS6233014 Y2 JP S6233014Y2
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- Japan
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- ring
- gate
- chamber
- plasma
- processing apparatus
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案はプラズマ処理装置に係り、特にゲート
構造の改良に関する。
構造の改良に関する。
(b) 従来技術と問題点
従来のプラズマ処理装置、たとえば平行平板構
造のプラズマ気相成長装置について第１図に示
す。同図においてアルミニウム製のチヤンバーベ
ース１に封止用パツキン２を介して設置されたチ
ヤンバー３の内部に、反応ガス供給孔を有する中
空平板状の上部電極４が配置され、下部電極を兼
ねる試料加熱用の加熱ヒータブロツク５が対向配
置されている。６は試料たとえば半導体基板であ
り、前記加熱ヒータブロツク５上に設置されたサ
セプタ７上に載置される。また前記チヤンバーベ
ース１の一部に排気管８が付設され、チヤンバー
３の側壁に試料６を送入するためのゲート（扉）
９がＯリング１０を介して設けられている。尚ゲ
ート９の外側には試料搬送機構１１が付設されて
いる。
造のプラズマ気相成長装置について第１図に示
す。同図においてアルミニウム製のチヤンバーベ
ース１に封止用パツキン２を介して設置されたチ
ヤンバー３の内部に、反応ガス供給孔を有する中
空平板状の上部電極４が配置され、下部電極を兼
ねる試料加熱用の加熱ヒータブロツク５が対向配
置されている。６は試料たとえば半導体基板であ
り、前記加熱ヒータブロツク５上に設置されたサ
セプタ７上に載置される。また前記チヤンバーベ
ース１の一部に排気管８が付設され、チヤンバー
３の側壁に試料６を送入するためのゲート（扉）
９がＯリング１０を介して設けられている。尚ゲ
ート９の外側には試料搬送機構１１が付設されて
いる。
かかる装置を用いて、たとえば半導体基板６上
に窒化シリコン膜の気相成長を行なう場合には、
排気管８より真空排気して、チヤンバー３内の真
空度が約1Torrになるように上部電極４の反応ガ
ス供給孔より反応ガス、シラン（SiH4）・アンモ
ニア（NH3）と、キヤリヤとしての窒素（N2）もし
くはアルゴン（Ar）との混合ガスを導入し、上
部電極４と下部電極５の間に高周波電源１２によ
り高周波電圧（13.56MHz）を印加し、前記混合
ガスをプラズマ化し、このプラズマの存在下で反
応ガス間に次の反応式に示されるような化学反応
が生じ半導体基板６上に窒化シリコン膜
（Si3N4）が形成される。
に窒化シリコン膜の気相成長を行なう場合には、
排気管８より真空排気して、チヤンバー３内の真
空度が約1Torrになるように上部電極４の反応ガ
ス供給孔より反応ガス、シラン（SiH4）・アンモ
ニア（NH3）と、キヤリヤとしての窒素（N2）もし
くはアルゴン（Ar）との混合ガスを導入し、上
部電極４と下部電極５の間に高周波電源１２によ
り高周波電圧（13.56MHz）を印加し、前記混合
ガスをプラズマ化し、このプラズマの存在下で反
応ガス間に次の反応式に示されるような化学反応
が生じ半導体基板６上に窒化シリコン膜
（Si3N4）が形成される。
3SiH4＋4NH4→Si3N4＋12H2
ところでこの場合、大部分の反応ガスは上記の
化学反応によりSi3N4となり半導体基板６上に析
出し、副産物は排気されるが、一部未反応ガスお
よび反応の副産物がチヤンバー内の低温部たとえ
ばチヤンバー３内壁、ゲート９内壁などに残留物
として附着する。これらの付着物の一部は半導体
基板６の出し入れのためゲート９を開けた際にチ
ヤンバー内に流入する空気中の水分によつて加水
分解され酸化物と化す。この酸化物は吸湿性が強
いため次の気相成長時にチヤンバー内の排気を困
難にし、あるいは半導体基板６上に付着してピン
ホールの原因となるなど不都合を生じている。
化学反応によりSi3N4となり半導体基板６上に析
出し、副産物は排気されるが、一部未反応ガスお
よび反応の副産物がチヤンバー内の低温部たとえ
ばチヤンバー３内壁、ゲート９内壁などに残留物
として附着する。これらの付着物の一部は半導体
基板６の出し入れのためゲート９を開けた際にチ
ヤンバー内に流入する空気中の水分によつて加水
分解され酸化物と化す。この酸化物は吸湿性が強
いため次の気相成長時にチヤンバー内の排気を困
難にし、あるいは半導体基板６上に付着してピン
ホールの原因となるなど不都合を生じている。
従つて多数回の気相成長にわたつてSi3N4の膜
質を維持するには上記付着物の除去を頻繁に行な
わなければならない。この除去方法（クリーニン
グ）はフレオン（CF4）のプラズマエツチングに
よつて行なわれるが頻繁な除去作業によつてシー
ル用のＯリングが腐食されリークの原因となりＯ
リングの交換が必要となる。
質を維持するには上記付着物の除去を頻繁に行な
わなければならない。この除去方法（クリーニン
グ）はフレオン（CF4）のプラズマエツチングに
よつて行なわれるが頻繁な除去作業によつてシー
ル用のＯリングが腐食されリークの原因となりＯ
リングの交換が必要となる。
しかしながらゲート９の側辺には搬送機構１１
などが付設されているためゲート９のシール用Ｏ
リング１０の交換には長時間を要し、このため生
産性低下の原因となつていた。
などが付設されているためゲート９のシール用Ｏ
リング１０の交換には長時間を要し、このため生
産性低下の原因となつていた。
(c) 考案の目的
本考案の目的はかかる問題点に鑑みなされたも
ので、ゲートのシール用に使用されるＯリングの
プラズマによる腐食を防止するためのゲート構造
を有するプラズマ処理装置の提供にある。
ので、ゲートのシール用に使用されるＯリングの
プラズマによる腐食を防止するためのゲート構造
を有するプラズマ処理装置の提供にある。
(d) 考案の構成
その目的を達成するため本考案は試料送入用ゲ
ートのＯリングを二重にシール構成とし内側のＯ
リングに金属、或は金属コートゴムを用いた構造
を有することを特徴とする。
ートのＯリングを二重にシール構成とし内側のＯ
リングに金属、或は金属コートゴムを用いた構造
を有することを特徴とする。
(e) 考案の実施例
以下本考案の実施例について図面を参照して説
明する。第２図は本考案の一実施例のプラズマ処
理装置の模式的概略構成図、第３図は同じくプラ
ズマ処理装置のゲートの平面図、第４図は同じく
ゲートシール部の要部拡大断面図である。尚前図
と同等の部分については同一符号を付している。
明する。第２図は本考案の一実施例のプラズマ処
理装置の模式的概略構成図、第３図は同じくプラ
ズマ処理装置のゲートの平面図、第４図は同じく
ゲートシール部の要部拡大断面図である。尚前図
と同等の部分については同一符号を付している。
第２図において２０は試料送入用ゲート、２１
は外側のシール用Ｏリング、２２は内側のＯリン
グを示す。
は外側のシール用Ｏリング、２２は内側のＯリン
グを示す。
図から明らかなように特に従来と異なる点はゲ
ート２０に第３図に示すごとくＯリングを二重に
シール構成とし、外側のＯリング２１は従来通り
たとえばシリコンゴムの材質よりなるＯリングを
使用し、更に内側に金属たとえば前述したフレオ
ン（CF4）に腐食されないアルミニウム、或いは
アルミニウムコートゴムのＯリング２２を設けた
点にある。
ート２０に第３図に示すごとくＯリングを二重に
シール構成とし、外側のＯリング２１は従来通り
たとえばシリコンゴムの材質よりなるＯリングを
使用し、更に内側に金属たとえば前述したフレオ
ン（CF4）に腐食されないアルミニウム、或いは
アルミニウムコートゴムのＯリング２２を設けた
点にある。
この場合、第４図のに示すごとく内側のＯリン
グ２２の断面径ｄは外側のＯリング２１の断面径
Ｄより小さくしてシールされる場合外側のＯリン
グ２１によつて密閉封止され内側のＯリング２２
はチヤンバー３の接着面にほぼ接着するか、もし
くはわずかの隙間があいてもよい構成とする。
グ２２の断面径ｄは外側のＯリング２１の断面径
Ｄより小さくしてシールされる場合外側のＯリン
グ２１によつて密閉封止され内側のＯリング２２
はチヤンバー３の接着面にほぼ接着するか、もし
くはわずかの隙間があいてもよい構成とする。
かかるゲート構造においては前述したチヤンバ
ー３内の付着物のクリーニングの際に、CF4のプ
ラズマは内側のアルミニウム、或はアルミニウム
コートゴムのＯリング２２によつて遮蔽され、外
側のＯリング２１には到達せず、従つてＯリング
２１は腐食されることがなくチヤンバー内のリー
クが防止される。
ー３内の付着物のクリーニングの際に、CF4のプ
ラズマは内側のアルミニウム、或はアルミニウム
コートゴムのＯリング２２によつて遮蔽され、外
側のＯリング２１には到達せず、従つてＯリング
２１は腐食されることがなくチヤンバー内のリー
クが防止される。
(f) 考案の効果
以上説明したごとく本考案によれば試料送入用
ゲートのＯリングを二重にシール構成とし、内側
のＯリングにプラズマガスに腐食されない金属、
或は金属コートゴムを用いることによつて外側の
Ｏリングの腐食を防止することが可能となりＯリ
ングの交換の手間が省け生産性向上に効果があ
る。
ゲートのＯリングを二重にシール構成とし、内側
のＯリングにプラズマガスに腐食されない金属、
或は金属コートゴムを用いることによつて外側の
Ｏリングの腐食を防止することが可能となりＯリ
ングの交換の手間が省け生産性向上に効果があ
る。
第１図は従来のプラズマ処理装置の模式的概略
構成図、第２図は本考案の一実施例のプラズマ処
理装置の模式的概略構成図、第３図は同じくプラ
ズマ処理装置のゲートの平面図、第４図は同じく
ゲートシール部の要部拡大断面図である。図にお
いて３はチヤンバー、６は試料、２０は試料送入
用ゲート、２１は外側のＯリング、２２は内側の
Ｏリングを示す。
構成図、第２図は本考案の一実施例のプラズマ処
理装置の模式的概略構成図、第３図は同じくプラ
ズマ処理装置のゲートの平面図、第４図は同じく
ゲートシール部の要部拡大断面図である。図にお
いて３はチヤンバー、６は試料、２０は試料送入
用ゲート、２１は外側のＯリング、２２は内側の
Ｏリングを示す。
Claims (1)
- 試料送入用ゲートのＯリングを二重にシール構
成とし、内側のＯリングに金属、或は金属コート
ゴムを用いた構造を有することを特徴とするプラ
ズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10605883U JPS6013960U (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10605883U JPS6013960U (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013960U JPS6013960U (ja) | 1985-01-30 |
| JPS6233014Y2 true JPS6233014Y2 (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=30248351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10605883U Granted JPS6013960U (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013960U (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62102827A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Natl Res Inst For Metals | 金属窒化物微粒子の製造法 |
| JP5243089B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のシール構造、シール方法およびプラズマ処理装置 |
| JP5490435B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブ装置 |
| JP7164992B2 (ja) * | 2018-08-21 | 2022-11-02 | 株式会社荏原製作所 | 希ガス回収装置 |
-
1983
- 1983-07-07 JP JP10605883U patent/JPS6013960U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6013960U (ja) | 1985-01-30 |
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