JPS6233367Y2 - - Google Patents
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- JPS6233367Y2 JPS6233367Y2 JP5728382U JP5728382U JPS6233367Y2 JP S6233367 Y2 JPS6233367 Y2 JP S6233367Y2 JP 5728382 U JP5728382 U JP 5728382U JP 5728382 U JP5728382 U JP 5728382U JP S6233367 Y2 JPS6233367 Y2 JP S6233367Y2
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- attenuation circuit
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は複数個の不平衡形減衰回路を切換接
続することにより所望の減衰量を得るようにした
切換形可変抵抗減衰器に関する。
続することにより所望の減衰量を得るようにした
切換形可変抵抗減衰器に関する。
従来のこの種の可変減衰器は、第1図に示すよ
うに抵抗素子R1,R2,R3がT形に接続された減
衰回路11,12,13,14が縦続接続され、
その縦続接続の両端は端子15,16とされ、か
つ各減衰回路11,12,13,14の共通端子
はスイツチS1,S2,S3,S4をそれぞれ通じて外部
共通端子17に接続され、また各減衰回路11,
12,13,14の各直列素子の両端間にスイツ
チS5,S6,S7,S8がそれぞれ接続される。スイツ
チS1〜S4はそれぞれスイツチS5〜S8と互に逆
ON,OFF制御される。
うに抵抗素子R1,R2,R3がT形に接続された減
衰回路11,12,13,14が縦続接続され、
その縦続接続の両端は端子15,16とされ、か
つ各減衰回路11,12,13,14の共通端子
はスイツチS1,S2,S3,S4をそれぞれ通じて外部
共通端子17に接続され、また各減衰回路11,
12,13,14の各直列素子の両端間にスイツ
チS5,S6,S7,S8がそれぞれ接続される。スイツ
チS1〜S4はそれぞれスイツチS5〜S8と互に逆
ON,OFF制御される。
第1図ではスイツチS1,S3,S6,S8がOFF,
S2,S4,S5,S7がONとされ、減衰回路12,1
4のみが端子15,16間に挿入される。このよ
うにスイツチS1〜S8を制御することにより端子1
5,16間に挿入される減衰回路を制御して端子
15,16間の減衰量を所望の値に設定してい
た。例えば減衰回路11,12,13,14の各
減衰量が1,2,4,8dBの場合は、スイツチの
選択制御により0〜15dBの16通りの減衰量の何
れかに設定できる。
S2,S4,S5,S7がONとされ、減衰回路12,1
4のみが端子15,16間に挿入される。このよ
うにスイツチS1〜S8を制御することにより端子1
5,16間に挿入される減衰回路を制御して端子
15,16間の減衰量を所望の値に設定してい
た。例えば減衰回路11,12,13,14の各
減衰量が1,2,4,8dBの場合は、スイツチの
選択制御により0〜15dBの16通りの減衰量の何
れかに設定できる。
このように所望の減衰量を得るために、スイツ
チS1S5,S2S6,S3S7,S4,S8はそれぞれ各1つの
操作子により制御され、つまり操作子は減衰回路
の数と同数だけ必要であり、4つの操作子を設定
制御する必要があり、このように操作子の数が多
いことは操作が面倒で手間が掛り、しかも部品点
数が多く構造が複雑で大形になる。
チS1S5,S2S6,S3S7,S4,S8はそれぞれ各1つの
操作子により制御され、つまり操作子は減衰回路
の数と同数だけ必要であり、4つの操作子を設定
制御する必要があり、このように操作子の数が多
いことは操作が面倒で手間が掛り、しかも部品点
数が多く構造が複雑で大形になる。
この考案は少ない操作子で構成でき、従つて操
作が容易で部品点数が少なく、構造が簡単で、小
形に構成できる切換形可変抵抗減衰器を提供する
ものである。
作が容易で部品点数が少なく、構造が簡単で、小
形に構成できる切換形可変抵抗減衰器を提供する
ものである。
第2図はこの考案の一実施例を示し、不平衡形
減衰回路11〜14が縦続接続され、その両端は
端子15,16に接続される。不平衡形減衰回路
11〜14は例えば図に示すように抵抗素子
R1,R2,R3をそれぞれT形に接続したもの、そ
の他π形に接続したものなどが用いられ、それぞ
れ二つの入出力端子と内部共通端子、つまり1a
1b1c,2a2b2c,3a3b3c,4a4
b4cをそれぞれ有する。少なくとも隣接する二
つの減衰回路11,12,13,14が組とさ
れ、それぞれ共通の絶縁基板18,19に形成さ
れる。
減衰回路11〜14が縦続接続され、その両端は
端子15,16に接続される。不平衡形減衰回路
11〜14は例えば図に示すように抵抗素子
R1,R2,R3をそれぞれT形に接続したもの、そ
の他π形に接続したものなどが用いられ、それぞ
れ二つの入出力端子と内部共通端子、つまり1a
1b1c,2a2b2c,3a3b3c,4a4
b4cをそれぞれ有する。少なくとも隣接する二
つの減衰回路11,12,13,14が組とさ
れ、それぞれ共通の絶縁基板18,19に形成さ
れる。
減衰回路11の入出力端子1a,1bは固定接
点対21a,21bに接続され、内部共通端子1
c、外部共通端子17は固定接点対22a,22
bにそれぞれ接続される。同様に各減衰回路1
2,13,14に対し、各2組の固定接点対23
a,23b,24a24b,25a25b,26
a26b,27a27b,28a28bがそれぞ
れ設けられ、各入出力端子、共通端子が対応する
ものに接続される。
点対21a,21bに接続され、内部共通端子1
c、外部共通端子17は固定接点対22a,22
bにそれぞれ接続される。同様に各減衰回路1
2,13,14に対し、各2組の固定接点対23
a,23b,24a24b,25a25b,26
a26b,27a27b,28a28bがそれぞ
れ設けられ、各入出力端子、共通端子が対応する
ものに接続される。
組をなす減衰回路11,12の固定接点対21
a21b,22a22b,23a23b,24a
24bをそれぞれ短絡たり、その短絡を解除する
ための接触子5a,5b,5c,5dが設けられ
る。この実施例においてはこれら接触子5a〜5
dは共通の回転子(図示せず)に保持され、これ
ら接触子による固定接点対の短絡は特定したもの
によることなく、減衰量の設定に応じて変更され
る。減衰回路13,14の固定接点対の短絡制御
用に4個の接触子6a〜6dが設けられる。
a21b,22a22b,23a23b,24a
24bをそれぞれ短絡たり、その短絡を解除する
ための接触子5a,5b,5c,5dが設けられ
る。この実施例においてはこれら接触子5a〜5
dは共通の回転子(図示せず)に保持され、これ
ら接触子による固定接点対の短絡は特定したもの
によることなく、減衰量の設定に応じて変更され
る。減衰回路13,14の固定接点対の短絡制御
用に4個の接触子6a〜6dが設けられる。
このような接触子と固定接点対との切換接触を
行なうため、例えば第3図に示すように、抵抗素
子R1〜R3及び固定接点対がパタン状に構成され
る。即ち長方形の共通のセラミツクなどの絶縁基
板18に、その長手方向に沿つて減衰回路11,
12,13,14が配列形成される。回路11,
12の中心31を中心に固定接点対21a,21
bと固定接点対22a,22bとは互に90゜ずれ
て配され、固定接点対23a,23bと固定接点
対24a,24bとは180゜ずれて配され、かつ
これら4つの固定接点対は同一の二重円上に位置
される。同様に中心32に対し固定接点対25a
25bと26a,26bとは90゜ずらされ、固定
接点対27a,27bと28a,28bとは180
゜ずれされる。このような配置された固定接点対
に対して各減衰回路の抵抗素子R1,R2,R3が第
2図の回路を構成するようにパターン形成され
る。
行なうため、例えば第3図に示すように、抵抗素
子R1〜R3及び固定接点対がパタン状に構成され
る。即ち長方形の共通のセラミツクなどの絶縁基
板18に、その長手方向に沿つて減衰回路11,
12,13,14が配列形成される。回路11,
12の中心31を中心に固定接点対21a,21
bと固定接点対22a,22bとは互に90゜ずれ
て配され、固定接点対23a,23bと固定接点
対24a,24bとは180゜ずれて配され、かつ
これら4つの固定接点対は同一の二重円上に位置
される。同様に中心32に対し固定接点対25a
25bと26a,26bとは90゜ずらされ、固定
接点対27a,27bと28a,28bとは180
゜ずれされる。このような配置された固定接点対
に対して各減衰回路の抵抗素子R1,R2,R3が第
2図の回路を構成するようにパターン形成され
る。
接触子5a〜5dは第4図に示すように、半円
孤状に導体片33の両端部が180度離れた接触子
5a,5bとされ、導体片33の両端部はそれぞ
れその円弧に沿つて2本に分割されて構成され
る。また4分の1円弧を90度ずらして二つ連結し
た導体片34の各部に接触子5c,5dが90度ず
らして設けられ、かつその端部は円弧に沿つて2
分されている。これら接触子5a〜5dは同一円
上に位置し、各分割された外側の部分は、固定接
点21a,22b,23a,24aを通る円と一
致し、内側の部分は固定接点21b,22a,2
3b,24bを通る円と一致している。
孤状に導体片33の両端部が180度離れた接触子
5a,5bとされ、導体片33の両端部はそれぞ
れその円弧に沿つて2本に分割されて構成され
る。また4分の1円弧を90度ずらして二つ連結し
た導体片34の各部に接触子5c,5dが90度ず
らして設けられ、かつその端部は円弧に沿つて2
分されている。これら接触子5a〜5dは同一円
上に位置し、各分割された外側の部分は、固定接
点21a,22b,23a,24aを通る円と一
致し、内側の部分は固定接点21b,22a,2
3b,24bを通る円と一致している。
従つて減衰回路11,12の各減衰量を1dB,
2dBとし、第5図Aに示すように接触子5a,5
bをそれぞれ固定接点対21a21b,24a2
4bと接触させてこれらが短絡されると、固定接
点対22a22b,23a23bはそれぞれ開放
となり、減衰回路11,12は共に減衰量ゼロと
される。この位置より接触子5a〜5dを90度だ
け第5図で反時計方向に回動すると、第5図Bに
示すように接触子5a,5cにより固定接点対2
2a,22b,24a,24bがそれぞれ短絡さ
れ、他の固定接点対は開放となり、減衰回路11
は1dB、減衰回路12はゼロとなる。以下同様に
して接触子5a〜5dをそれぞれ更に90度、180
度だけ反時計方向に回動すると第5図C,Dに示
す状態となり、減衰回路11,12はそれぞれゼ
ロ、2dB,1dB,2dBとなる。減衰回路11,1
2の縦続接続の両端間で減衰量0,1,2,3dB
をそれぞれ得る場合に何れの接触子により何れの
固定接点対が短絡されるかを示す関係を第6図に
示す。第6図において空欄の固定接点対は開放と
されてるいる。
2dBとし、第5図Aに示すように接触子5a,5
bをそれぞれ固定接点対21a21b,24a2
4bと接触させてこれらが短絡されると、固定接
点対22a22b,23a23bはそれぞれ開放
となり、減衰回路11,12は共に減衰量ゼロと
される。この位置より接触子5a〜5dを90度だ
け第5図で反時計方向に回動すると、第5図Bに
示すように接触子5a,5cにより固定接点対2
2a,22b,24a,24bがそれぞれ短絡さ
れ、他の固定接点対は開放となり、減衰回路11
は1dB、減衰回路12はゼロとなる。以下同様に
して接触子5a〜5dをそれぞれ更に90度、180
度だけ反時計方向に回動すると第5図C,Dに示
す状態となり、減衰回路11,12はそれぞれゼ
ロ、2dB,1dB,2dBとなる。減衰回路11,1
2の縦続接続の両端間で減衰量0,1,2,3dB
をそれぞれ得る場合に何れの接触子により何れの
固定接点対が短絡されるかを示す関係を第6図に
示す。第6図において空欄の固定接点対は開放と
されてるいる。
次に第3図に示したパタンをもつ基板18に対
して第4図に示した接触子を用いて減衰量を可変
とするための基板18に対する接触子5a〜5
d,6a〜6dを回動保持するための具体例を第
7図乃至第11図を参照して説明する。第8図は
可変減衰器の断面図を示し、第9図はその分解斜
視図であり、絶縁基板18上には第3図に示した
ように減衰回路11〜14、固定接点対のパタン
が形成され、これらと対向して絶縁基板18上
に、合成樹脂材の絶縁物よりなる回転体35,3
6が回転自在に配される。回転体35,36はそ
れぞれほゞ円板状をしており、その絶縁基板18
との対向面に、それぞれ導体片33,34,3
7,38が取付けられる。導体片37,38は導
体片33,34と同一形状をしており、これらに
接触子6a〜6dが、接触子5a〜5dと同様の
関係で形成されている。これら回転体に対するこ
れら導体片の取付けは、回転体に一体に形成した
ピン39を導電片に形成した小孔41に挿通して
熱加締により行なうことができる。回転体35,
36の基板18との対向面の中心にボス35a,
35bが一体に形成され、ボス35a,35bの
端面が基板18と近接される。
して第4図に示した接触子を用いて減衰量を可変
とするための基板18に対する接触子5a〜5
d,6a〜6dを回動保持するための具体例を第
7図乃至第11図を参照して説明する。第8図は
可変減衰器の断面図を示し、第9図はその分解斜
視図であり、絶縁基板18上には第3図に示した
ように減衰回路11〜14、固定接点対のパタン
が形成され、これらと対向して絶縁基板18上
に、合成樹脂材の絶縁物よりなる回転体35,3
6が回転自在に配される。回転体35,36はそ
れぞれほゞ円板状をしており、その絶縁基板18
との対向面に、それぞれ導体片33,34,3
7,38が取付けられる。導体片37,38は導
体片33,34と同一形状をしており、これらに
接触子6a〜6dが、接触子5a〜5dと同様の
関係で形成されている。これら回転体に対するこ
れら導体片の取付けは、回転体に一体に形成した
ピン39を導電片に形成した小孔41に挿通して
熱加締により行なうことができる。回転体35,
36の基板18との対向面の中心にボス35a,
35bが一体に形成され、ボス35a,35bの
端面が基板18と近接される。
回転体35,36を被つて基板18上に合成樹
脂材などからなるケース42が配される。ケース
42の絶縁基板18側は開放面とされ、その開放
面側の内周面に段部43が形成され、絶縁基板1
8はケース42にその開放面を塞ぐように嵌合さ
れ、その周縁部が段部43と対接される。絶縁基
板18の底面に接着剤44を埋めてケース42、
基板18間が密封接着される。
脂材などからなるケース42が配される。ケース
42の絶縁基板18側は開放面とされ、その開放
面側の内周面に段部43が形成され、絶縁基板1
8はケース42にその開放面を塞ぐように嵌合さ
れ、その周縁部が段部43と対接される。絶縁基
板18の底面に接着剤44を埋めてケース42、
基板18間が密封接着される。
ケース42の絶縁基板18との対向面に回転体
35,36が収容される凹部45,46が第8
図、第10図、第11図に示すように形成され、
その凹部45,46の中央部に円形孔47,48
が開口されている。回転体35,36の基板18
と反対の面に短かい回転軸51,52がそれぞれ
一体に形成され、これら回転軸51,52は円形
孔47,48内に嵌合軸受されている。回転軸5
1,52の端面には回転体35,36を回転する
ためのドライバを挿入係合するドライバ溝53,
54が形成されている。ドライバ溝53,54は
回転体35,36の減衰量設定位置をも示すこと
ができるように矢印状に形成されている。回転体
35,36とケース42との対向面にOリング5
5,56が介在されて、ケース42内を気密に保
持している。
35,36が収容される凹部45,46が第8
図、第10図、第11図に示すように形成され、
その凹部45,46の中央部に円形孔47,48
が開口されている。回転体35,36の基板18
と反対の面に短かい回転軸51,52がそれぞれ
一体に形成され、これら回転軸51,52は円形
孔47,48内に嵌合軸受されている。回転軸5
1,52の端面には回転体35,36を回転する
ためのドライバを挿入係合するドライバ溝53,
54が形成されている。ドライバ溝53,54は
回転体35,36の減衰量設定位置をも示すこと
ができるように矢印状に形成されている。回転体
35,36とケース42との対向面にOリング5
5,56が介在されて、ケース42内を気密に保
持している。
導体片33,34,36,37の各接触子5a
〜5d,6a〜6d部分は基板18側に折曲げら
れ、基板18と弾性的に接触する。回転体35,
36を回動して接触子5a〜5d,6a〜6dに
て固定接点対21a21b〜24a24b,25
a25b〜28a28bの所望のものを短絡させ
て所望の減衰量を得る。その減衰量を得る設定角
度位置に対し、第9図に示すように対応する減衰
量がケース42の表面に表示57,58が付けら
れている。また回転体35,36を、設定角度位
置に正しく設定したことの感触を得ると共にその
設定位置が保持されるようにする。そのために例
えば第9図、第12図に示すように回転体35,
36の周面にそれぞれその周方向に沿つて反対方
向に延長したアームが一体に形成され、回転体3
5の両アームの遊端部の外周面側にクリツク用突
部61,62が回転体36の両アームの遊端部に
同様にクリツク用突部63,64が一体にそれぞ
れ180度の角間隔をもつて形成される。一方、ケ
ース42の凹部45,46の内周面にはクリツク
用突部61,62,63,64とそれぞれ係合す
るクリツク用凹所65,66がそれぞれ90度の角
間隔で4個ずつ形成され、クリツク用突部61,
62が二つの凹所65と、クリツク用突部63,
64が二つの凹所66とそれぞれ係合した状態
で、ドライバ溝53,54の矢印はケース表面の
表示57,58の各1つを指すようにされる。こ
の状態より回転体35,36がそれぞれ回転駆動
されると、各クリツク用突部はそのアームが弾性
変形されて回転体35,36の周面に近ずき、係
合凹所65,66より外れる。
〜5d,6a〜6d部分は基板18側に折曲げら
れ、基板18と弾性的に接触する。回転体35,
36を回動して接触子5a〜5d,6a〜6dに
て固定接点対21a21b〜24a24b,25
a25b〜28a28bの所望のものを短絡させ
て所望の減衰量を得る。その減衰量を得る設定角
度位置に対し、第9図に示すように対応する減衰
量がケース42の表面に表示57,58が付けら
れている。また回転体35,36を、設定角度位
置に正しく設定したことの感触を得ると共にその
設定位置が保持されるようにする。そのために例
えば第9図、第12図に示すように回転体35,
36の周面にそれぞれその周方向に沿つて反対方
向に延長したアームが一体に形成され、回転体3
5の両アームの遊端部の外周面側にクリツク用突
部61,62が回転体36の両アームの遊端部に
同様にクリツク用突部63,64が一体にそれぞ
れ180度の角間隔をもつて形成される。一方、ケ
ース42の凹部45,46の内周面にはクリツク
用突部61,62,63,64とそれぞれ係合す
るクリツク用凹所65,66がそれぞれ90度の角
間隔で4個ずつ形成され、クリツク用突部61,
62が二つの凹所65と、クリツク用突部63,
64が二つの凹所66とそれぞれ係合した状態
で、ドライバ溝53,54の矢印はケース表面の
表示57,58の各1つを指すようにされる。こ
の状態より回転体35,36がそれぞれ回転駆動
されると、各クリツク用突部はそのアームが弾性
変形されて回転体35,36の周面に近ずき、係
合凹所65,66より外れる。
なお、ケース42の内面にピン67が一体に突
出され、ピン67が基板18の小孔68に挿通さ
れ、その突出端が漬されて加締付けられる。この
実施例では2本のピン67を設け、その太さを互
に異ならして基板18とケース42との姿勢合せ
に利用している。更に絶縁基板18の四隅に切欠
き69が形成され、その切欠き69と嵌合する土
手71がケース42の四隅に一体に形成され、そ
の土手71が潰されてケース42と基板18との
固定に利用されている。絶縁基板18の四隅に小
孔15′,16′,17′がそれぞれ貫通され、こ
れらに端子ピン15,16,17が挿通固定され
る。基板18上の固定接点対以外のパタン上に絶
縁被膜が形成され、接触子5a〜5d,6a〜6
dが悪影響しないようにされる。この絶縁被膜は
抵抗素子R1〜R8の劣化防止にも役立つ。
出され、ピン67が基板18の小孔68に挿通さ
れ、その突出端が漬されて加締付けられる。この
実施例では2本のピン67を設け、その太さを互
に異ならして基板18とケース42との姿勢合せ
に利用している。更に絶縁基板18の四隅に切欠
き69が形成され、その切欠き69と嵌合する土
手71がケース42の四隅に一体に形成され、そ
の土手71が潰されてケース42と基板18との
固定に利用されている。絶縁基板18の四隅に小
孔15′,16′,17′がそれぞれ貫通され、こ
れらに端子ピン15,16,17が挿通固定され
る。基板18上の固定接点対以外のパタン上に絶
縁被膜が形成され、接触子5a〜5d,6a〜6
dが悪影響しないようにされる。この絶縁被膜は
抵抗素子R1〜R8の劣化防止にも役立つ。
接触子5a〜5dとしては例えば第13図に示
すように接触子5a,5dを導体片33と一体に
形成し、接触子5b,5cを導体片34と一体に
形成してもよい。更に接触子5a〜5dは同一円
上に設けなくてもよい。例えば第14図に示すよ
うに180度離れた接触子5a,5bを外側の円上
に、90度離れた接触子5c,5dを内側の円上に
あるように構成する。かつ接触子5a,5bを同
一導体片33と一体に、接触子5c,5dを導体
片34に一体に構成した場合である。このような
接触子5a〜5dに対しては固定接点対21a2
1b〜24a24bを例えば第15図に示すよう
に形成すればよい。またこの場合において、第1
6図に示すように接触子5a,5bを導体片33
に形成し、接触子5b,5cを導体片34に一体
に形成してもよい。なお上述において接触子5a
〜5dを二つづつ一つの導体片に形成したが、各
一つの導体片に形成してもよく、一つの導体片に
二つの接触子を形成すれば部品点数が少なく、組
立ても容易となる。
すように接触子5a,5dを導体片33と一体に
形成し、接触子5b,5cを導体片34と一体に
形成してもよい。更に接触子5a〜5dは同一円
上に設けなくてもよい。例えば第14図に示すよ
うに180度離れた接触子5a,5bを外側の円上
に、90度離れた接触子5c,5dを内側の円上に
あるように構成する。かつ接触子5a,5bを同
一導体片33と一体に、接触子5c,5dを導体
片34に一体に構成した場合である。このような
接触子5a〜5dに対しては固定接点対21a2
1b〜24a24bを例えば第15図に示すよう
に形成すればよい。またこの場合において、第1
6図に示すように接触子5a,5bを導体片33
に形成し、接触子5b,5cを導体片34に一体
に形成してもよい。なお上述において接触子5a
〜5dを二つづつ一つの導体片に形成したが、各
一つの導体片に形成してもよく、一つの導体片に
二つの接触子を形成すれば部品点数が少なく、組
立ても容易となる。
以上述べたようにこの考案によれば、例えば
0,1,2,3dBの設定を1つの回転体35を回
動することにより選択設定することができ、その
操作が容易で、かつ部品点数が少なく、構造も簡
単で組立ても容易である。不平衡減衰回路13,
14の減衰量をそれぞれ4dB,8dBとすれば二つ
の回転体35,36を用いて0〜15dBの16通り
の設定が可能となる。
0,1,2,3dBの設定を1つの回転体35を回
動することにより選択設定することができ、その
操作が容易で、かつ部品点数が少なく、構造も簡
単で組立ても容易である。不平衡減衰回路13,
14の減衰量をそれぞれ4dB,8dBとすれば二つ
の回転体35,36を用いて0〜15dBの16通り
の設定が可能となる。
第1図は従来の切換形可変抵抗減衰器を示す回
路図、第2図はこの考案による切換形可変抵抗減
衰器の一例を示す回路図、第3図はこの考案の可
変抵抗減衰器における絶縁基板上のパタンの一例
を示す図、第4図は接触子5a〜5dの一例を示
す平面図、第5図は第4図の接触子と第3図の基
板とを用いた減衰量設定状態を示す図、第6図は
第5図の設定状態の固定接点対を短絡する接触子
の関係を示す図、第7図はこの考案の実施例を示
す斜視図、第8図は第7図の縦断面図、第9図は
第7図の分解斜視図、第10図はケース42の底
面図、第11図はケース42の縦断面図、第12
図は回転体35の底面図、第13図は接触子5a
〜5dの他の例を示す平面図、第14図は接触子
5a〜5dの更に他の例を示す平面図、第15図
は第14図の接触子に対する絶縁基板18上のパ
タンの他の例を示す図、第16図は第14図の接
触子の他の例を示す平面図である。 1a〜4a,1b〜4b:入出力端子、1c〜
4c:内部共通端子、5a〜5d,6a〜6d:
接触子、11〜14:不平衡形減衰回路、15,
16:外部入出力端子、17:外部共通端子、1
8:絶縁基板、21a21b〜28a28b:固
定接点対、35,36:回転体、42:ケース。
路図、第2図はこの考案による切換形可変抵抗減
衰器の一例を示す回路図、第3図はこの考案の可
変抵抗減衰器における絶縁基板上のパタンの一例
を示す図、第4図は接触子5a〜5dの一例を示
す平面図、第5図は第4図の接触子と第3図の基
板とを用いた減衰量設定状態を示す図、第6図は
第5図の設定状態の固定接点対を短絡する接触子
の関係を示す図、第7図はこの考案の実施例を示
す斜視図、第8図は第7図の縦断面図、第9図は
第7図の分解斜視図、第10図はケース42の底
面図、第11図はケース42の縦断面図、第12
図は回転体35の底面図、第13図は接触子5a
〜5dの他の例を示す平面図、第14図は接触子
5a〜5dの更に他の例を示す平面図、第15図
は第14図の接触子に対する絶縁基板18上のパ
タンの他の例を示す図、第16図は第14図の接
触子の他の例を示す平面図である。 1a〜4a,1b〜4b:入出力端子、1c〜
4c:内部共通端子、5a〜5d,6a〜6d:
接触子、11〜14:不平衡形減衰回路、15,
16:外部入出力端子、17:外部共通端子、1
8:絶縁基板、21a21b〜28a28b:固
定接点対、35,36:回転体、42:ケース。
Claims (1)
- 絶縁基板上に第1、第2入出力端子と1つの内
部共通端子とを備えた3端子の第1、第2不平衡
形減衰回路が設けられ、その第1不平衡形減衰回
路の第2入出力端子と第2不平衡形減衰回路の第
1入出力端子とが互に接続され、第1、第2、第
3及び第4固定接点対及び外部共通端子が上記絶
縁基板に設けられ、その第1固定接点対に上記第
1不平衡形減衰回路の第1、第2入出力端子がそ
れぞれ接続され、上記第2固定接点対に、上記第
1不平衡形減衰回路の内部共通端子及び上記外部
共通端子がそれぞれ接続され、上記第3固定接点
対に上記第2不平衡形減衰回路の内部共通端子及
び上記外部共通端子がそれぞれ接続され、上記第
4固定接点対に上記第2不平衡形減衰回路の第
1、第2入出力端子がそれぞれ接続され、これら
第1、第2、第3、第4固定接点対と対向して回
転体が回動自在に配され、その回転体には上記絶
縁基板と対向して第1、第2、第3、第4短絡用
接触子が取付けられ、上記回転体の第1回動角位
置で上記第1接触子が上記第1固定接点対と接触
し、上記第4接触子が上記第4固定接点対と接触
し、第2回動角位置で上記第1接触子が上記第2
固定接点対と接触し、かつ上記第3接触子が上記
第4固定接点対と接触し、第3回動角位置で上記
第2接触子が上記第1固定接点対と接触し、上記
第4接触子は上記第3固定接点対と接触し、第4
回動角位置で上記第2接触子は上記第2固定接点
対と接触し、上記第3接触子は上記第3固定接点
対と接触するように上記固定接点対の配置と、上
記接触子の配置とが選定されている切換形可変抵
抗減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5728382U JPS58161320U (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 切換形可変抵抗減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5728382U JPS58161320U (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 切換形可変抵抗減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161320U JPS58161320U (ja) | 1983-10-27 |
| JPS6233367Y2 true JPS6233367Y2 (ja) | 1987-08-26 |
Family
ID=30067747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5728382U Granted JPS58161320U (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 切換形可変抵抗減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161320U (ja) |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP5728382U patent/JPS58161320U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58161320U (ja) | 1983-10-27 |
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