JPS6233753A - 雰囲気ガスの制御方法 - Google Patents
雰囲気ガスの制御方法Info
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- JPS6233753A JPS6233753A JP17219085A JP17219085A JPS6233753A JP S6233753 A JPS6233753 A JP S6233753A JP 17219085 A JP17219085 A JP 17219085A JP 17219085 A JP17219085 A JP 17219085A JP S6233753 A JPS6233753 A JP S6233753A
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- furnace
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Landscapes
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔卒業上の利用分野〕
° 本発明は変成炉を使用せず、原料ガスとエアーある
いは酸素等を直接炉内に供給して熱処理を行う場合に特
に有効な雰囲気ガスの制御方法に関するもので、扉開閉
時あるいは扉シール部からのエアーの侵入を完全に阻止
する必要がなく、したがってＳ部を完全シール１造とす
る必要がな（、経済的であり−さらに雰囲気の乱れを防
止できるものである。
いは酸素等を直接炉内に供給して熱処理を行う場合に特
に有効な雰囲気ガスの制御方法に関するもので、扉開閉
時あるいは扉シール部からのエアーの侵入を完全に阻止
する必要がなく、したがってＳ部を完全シール１造とす
る必要がな（、経済的であり−さらに雰囲気の乱れを防
止できるものである。
近時、変成ｒを［・Ｊ！川することなく、原料ガスとエ
アーあるいは酸素等Ｃ以下単にエアーという。）を直接
炉内に供給して熱処理を行う方法が提供されている（例
えば特開昭５１−７０１３６号公報）。
アーあるいは酸素等Ｃ以下単にエアーという。）を直接
炉内に供給して熱処理を行う方法が提供されている（例
えば特開昭５１−７０１３６号公報）。
上記方法は炉内に供給されたブタン（０４ＺＨ１０）。
メタン（ＯＨ，）等の原料ガス（炭化水素ガス）の熱分
解及びエアー中の酸素によりＣＯ、ａ−生成され。
解及びエアー中の酸素によりＣＯ、ａ−生成され。
該ＣＯにより浸炭が行われるものであるが、従来の一般
的方法、すなわち−い内雰囲気の乱れあるいは爆発等の
危険を防止するために炉内雰囲気が１時間あたり、５〜
ｌＯ回置換えられるようにエンドサーミツクガス（〉の
キャリアーガスを大量に供給して炉内圧を保ち、さらに
必要に応じてエンリッチガスを供給する關合と異り。
的方法、すなわち−い内雰囲気の乱れあるいは爆発等の
危険を防止するために炉内雰囲気が１時間あたり、５〜
ｌＯ回置換えられるようにエンドサーミツクガス（〉の
キャリアーガスを大量に供給して炉内圧を保ち、さらに
必要に応じてエンリッチガスを供給する關合と異り。
炉内への供給ガス量が極端に少いため、被処理品の装入
、＠送等のため入口扉、中間扉、出口扉の開閉が行われ
ると、炉内が負圧となり、扉部及び扉シール部等からエ
アーが吸込まれる現象があった。
、＠送等のため入口扉、中間扉、出口扉の開閉が行われ
ると、炉内が負圧となり、扉部及び扉シール部等からエ
アーが吸込まれる現象があった。
その結果、炉内の酸素濃度が必要以上となり。
雰囲気が乱されるものであった。
上記問題点を解決するためには炉構造を完全シール構造
とすること等が考えられるが、実際上は極めて困難で高
価となり、さらには扉開閉時のエアー侵入はさけがたい
ものであった。
とすること等が考えられるが、実際上は極めて困難で高
価となり、さらには扉開閉時のエアー侵入はさけがたい
ものであった。
本発明は上記扉開閉時あるいは扉シール部等からのエア
ー侵入を予め見込んで炉内に供給するエアー量を減少１
５制御するものであり、雰囲気の乱れを防止できるもの
であり、さらに、上記扉シール部等は従来の炉と同程度
に比較的ラフな構成でよく、経済的であるものである、
〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するため１本発明は炉内に定」の原料
ガスを供給し、炉内に配置した酸素センサーにより扉開
閉時あるいは扉シール部から浸入したエアー量を検出し
、該検出信号により炉内へのエアー供給量を減少制御す
る構成としたものである。
ー侵入を予め見込んで炉内に供給するエアー量を減少１
５制御するものであり、雰囲気の乱れを防止できるもの
であり、さらに、上記扉シール部等は従来の炉と同程度
に比較的ラフな構成でよく、経済的であるものである、
〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するため１本発明は炉内に定」の原料
ガスを供給し、炉内に配置した酸素センサーにより扉開
閉時あるいは扉シール部から浸入したエアー量を検出し
、該検出信号により炉内へのエアー供給量を減少制御す
る構成としたものである。
本発明によれば、原料ガスの供給が常に定量とされる。
したがって、炉内に入る時間当りのガス量が一定となり
、炉内雰囲気の安定化が図られる。
、炉内雰囲気の安定化が図られる。
すなわち、炉内雰囲気は上記原料ガスの供給量によって
も制御することも可能であるが、その場合には扉部等の
シールが悪い時にはガスの供給量を増し、上記シールが
良い時には原料ガスの供給量を減する等の操作が必要と
なり、炉内に入る時間当りのガス量が一定とならずした
がって、エアー供給量も制御しなければならず。
も制御することも可能であるが、その場合には扉部等の
シールが悪い時にはガスの供給量を増し、上記シールが
良い時には原料ガスの供給量を減する等の操作が必要と
なり、炉内に入る時間当りのガス量が一定とならずした
がって、エアー供給量も制御しなければならず。
正確な雰囲気制御が困難である。
しかし１本発明のごとく、炉内に常に定量の原料ガスを
供給することにすれば、侵入エアーを含めて原料ガス量
に見合うエアーのみを供給すればよ（制御が極めて容易
となるものである。
供給することにすれば、侵入エアーを含めて原料ガス量
に見合うエアーのみを供給すればよ（制御が極めて容易
となるものである。
図中ｆｉｌは雰囲気熱処理炉、（２）は原料ガス源。
（３）は原料ガスの供給配管、（４）はエアー源、（５
）はエアーの供給源管である。
）はエアーの供給源管である。
また、（６）は炉内に配置された酸素センサーであり、
炉内の酸素分圧に応じて生じた起電力が炉外に信号とし
て引き出され、熱電対（７）による炉内温度信号ととも
に調節計（８）に導入される。
炉内の酸素分圧に応じて生じた起電力が炉外に信号とし
て引き出され、熱電対（７）による炉内温度信号ととも
に調節計（８）に導入される。
なお、（９）は調節計（８）により制御駆動される・エ
アー供給用のモータである。
アー供給用のモータである。
本発明の方法では原料ガス源（２）から、その供給管路
（３）を介して定量の原料ガスが常に炉内に供給される
。
（３）を介して定量の原料ガスが常に炉内に供給される
。
一方、酸素センサー（６）からの起電力と熱電対（７）
で測定された炉内温度により、炉内酸素分圧が求められ
る。
で測定された炉内温度により、炉内酸素分圧が求められ
る。
そして、調節計（８）内において、定量供給されている
原料ガスに対する必要エアー量と炉内酸素量が比較演算
され、不足分のみエアー供給用のモータ（９）が制御駆
動させられて炉内に必要量のエアーが供給されて雰囲気
の安定化が図られるものである。
原料ガスに対する必要エアー量と炉内酸素量が比較演算
され、不足分のみエアー供給用のモータ（９）が制御駆
動させられて炉内に必要量のエアーが供給されて雰囲気
の安定化が図られるものである。
上記本発明の方法によれば、炉内の酸素濃度が必要以上
となって雰囲気が乱されることもなＩ＋１゜ すなわち、通常の浸炭炉を使用した実験では必要酸素量
の略半分近くが扉開閉あるいは扉シール部から侵入して
おり、原料ガスに対する必要エアー量の半分を外部、す
なわち、エアー供給用のモータ（９）により供給するこ
とになるためである。
となって雰囲気が乱されることもなＩ＋１゜ すなわち、通常の浸炭炉を使用した実験では必要酸素量
の略半分近くが扉開閉あるいは扉シール部から侵入して
おり、原料ガスに対する必要エアー量の半分を外部、す
なわち、エアー供給用のモータ（９）により供給するこ
とになるためである。
本発明によれば、変成炉を使用せず、直接炉内に原料ガ
スとエアー等を供給して行う熱処理において炉内が負圧
になってエアー等が侵入しても、それを有効に利用して
雰囲気の乱れを防止できるとともに、炉構造を完全シー
ル構造等とする必要がな（、従来炉を使用して上記熱処
理を行うことができ、経済的であるものである。
スとエアー等を供給して行う熱処理において炉内が負圧
になってエアー等が侵入しても、それを有効に利用して
雰囲気の乱れを防止できるとともに、炉構造を完全シー
ル構造等とする必要がな（、従来炉を使用して上記熱処
理を行うことができ、経済的であるものである。
図面は本発明の一実施例を示すもので、その回路図であ
る。 （１）・・・雰囲気熱処理炉、（２）・・・原料ガス源
。 （４）・・・エアー源、（６）・・・酸素センサー、（
９）・・・エアー供給用のモータ。
る。 （１）・・・雰囲気熱処理炉、（２）・・・原料ガス源
。 （４）・・・エアー源、（６）・・・酸素センサー、（
９）・・・エアー供給用のモータ。
Claims (1)
- 炉内に定量の原料ガスを供給し、炉内に配置した酸素セ
ンサーにより扉開閉時あるいは扉シール部から侵入する
酸素濃度を検出し、該検出信号により炉内へのエアー供
給量を減少制御することを特徴とする雰囲気ガスの制御
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17219085A JPS6233753A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 雰囲気ガスの制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17219085A JPS6233753A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 雰囲気ガスの制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233753A true JPS6233753A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15937242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17219085A Pending JPS6233753A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 雰囲気ガスの制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233753A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992005295A1 (fr) * | 1986-08-12 | 1992-04-02 | Nobuo Nishioka | Procede et appareil de cementation au gaz |
| US5596214A (en) * | 1994-05-30 | 1997-01-21 | Nec Corporation | Non-volatile semiconductor memory device having a metal-insulator-semiconductor gate structure and method for fabricating the same |
| JP2009231844A (ja) * | 2009-04-27 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
| US8253183B2 (en) | 2001-06-28 | 2012-08-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Charge trapping nonvolatile memory devices with a high-K blocking insulation layer |
| US9761314B2 (en) | 2001-06-28 | 2017-09-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory devices and methods of operating the same |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP17219085A patent/JPS6233753A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992005295A1 (fr) * | 1986-08-12 | 1992-04-02 | Nobuo Nishioka | Procede et appareil de cementation au gaz |
| US5596214A (en) * | 1994-05-30 | 1997-01-21 | Nec Corporation | Non-volatile semiconductor memory device having a metal-insulator-semiconductor gate structure and method for fabricating the same |
| US8253183B2 (en) | 2001-06-28 | 2012-08-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Charge trapping nonvolatile memory devices with a high-K blocking insulation layer |
| US9761314B2 (en) | 2001-06-28 | 2017-09-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory devices and methods of operating the same |
| JP2009231844A (ja) * | 2009-04-27 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
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