JPS6234069A - 導通／絶縁試験機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用骨ＩＪｆコ この発明は、導通／絶縁試験機（導通／絶縁テスター）
に関するものであり、特に印刷配線基板のパターンの導
通／絶縁試験を？ｆう試験機において、その／Ｉ０１定
ポイント数を大きくしても精度がよく、比較的高電圧で
の絶縁試験が可能な導通試験機に関するものである。

［従来の技術］ 印刷配線基板のパターンの導通状態や、各パターン間の
絶縁状態を試験する場合には、一般に、導通／絶縁試験
機が用いられている。

この試験機は、多（のスイッチ回路を有していて、その
スイッチング素子としては、ゲート・ソ−ス間のリーク
電流が少ないということで、ＭＯＳＦＥＴが使用されて
いる。

ところで、最近の傾向としては、絶縁試験電圧の高圧化
（例えばｔｏｏｖ程度）に伴ない、このスイッチ回路を
行うＭＯＳＦＥＴにパワー型のＭＯＳＦＥＴが使用され
るようになって来ている。

さて、印刷配線基板に対するパターンの絶縁試験にあっ
ては、一般に多くのパターンに対応してあらかじめピン
を接触させておき、所定のピンを選択し、選択されたピ
ンに対応するスイッチ回路を動作させて、パターン間の
電流値を測定するものが一般的であり、この測定電流値
と印加電圧値とからその間のリーク抵抗（絶縁抵抗）を
測定することが行われる。

第２図は、このような従来の印刷配線基板に対する導通
／絶縁試験機のスイッチ回路を中心とした原理的な説明
図である。

この回路において、各スイッチ回路は、ＭＯＳＦＥＴで
構成され、切換えスイッチ１をＤ接点側に切換えること
により導通試験機として動作し、Ｚ接点側に切換えるこ
とにより絶縁試験機として動作する。

導通試験機としての動作は、まず、測定ポイントに対応
するＭＯＳＦＥＴで構成されるスイッチ回路Ｓ／　＋　
８２　＋　　’　”＋　Ｓｔ　＋　　”　”Ｓｎと、同
様な導通試験としてのスイッチ回路Ｌ７＋Ｌ２＋＊・、
Ｌｌ、　　・・Ｌｎとのうちで測定したいパターンＴｔ
　＋　Ｔ２　＋　　・・・ｌ　Ｔｎに対応するスイッチ
回路がそれぞれ選択されて閉じられる。その結果、定電
流源２から切換えスイッチ１の１〕接点側を経て、選択
されたスイッチ回路８１　　（ｉ＝ｌ〜ｎＬピンＰ／　
＋　Ｐ２　＋　”　”＋　Ｐ＋、＊　”Ｐｎのうちそれ
に対応するピンＰＩ　　（ｉ＝１〜ｎ）に電流が供給さ
れ、対応するパターン７１　　（ｉ＝１〜ｒｌＬ　対応
するピンＰｋ　　（ｋ＝ｌ−ｎ）、選択されたスイッチ
回路Ｌｋ　　（ｋ＝１〜ｎ）を経てアースへと電流が流
れる。このとき電流の一部は、ＳＩに対応するスイッチ
回路Ｒ１を経て電圧計３へと流れ、電圧計からアースへ
と至る。

そこで、電圧計３によりこのときの電圧値が測定され、
定電流源２からの定電流値とこのときの測定′市川とか
ら選択されたパターンＴＩの導通状態（導通抵抗）が測
定される。

一方、絶縁試験機としての動作は、切換えスイッチ１を
２接点側に切換えて、測定ポイント（パターン間）に対
応するスイッチ回路８１　　（ｉ＝１〜ｎ）と、同様な
絶縁試験機としてのスイッチ回路Ｌ１．Ｌ２．　　・・
ｔ　　Ｌｋ、ｅ＊Ｌｎのうちからスイッチ回路Ｌｋ　　
（ｋ＝１〜ｎ）とがそれぞれ選択されて閉じられる。そ
の結果、定電圧源４から電流計５、切換えスイッチ１の
Ｚ接点を経て、選択されたスイッチ回路Ｓｔ　　（ｉ＝
１〜ｎＬ　それに対応するピンＰＩ　　（ｉ＝１〜ｎ）
に電流が供給され、対応するパターンＴｉ　　（ｉ＝１
〜ｎ）、Ｔｊ　　（ｊ＝１〜ｎ）を経て、対応するピン
Ｐｋ　　（ｋ＝１〜ｎ　）　Ｔ選択されたスイッチ回路
Ｌｋ　　（ｋ＝１〜ｎ）＋　そしてアースへと電流が流
れる。そこで電流３１５によりこのときの電流値が測定
され、その電流値から選択されたパターン’ｌ’ｉ、Ｔ
ｊ間の絶縁状態、例えばリーク抵抗ｒ見の価が測定され
るものである。

［発明が解決しようとする問題点コ このような？ｌ１ｌｌ定回路にあっては、測定すべきパ
ターンに対応してそれぞれに接触するピンがそれぞれ設
けられいるので、各スイッチ回路を介して測定回路から
各パターンへとリーク電流が流れてしまうことになる。

一般に、絶縁試験の場合にその測定抵抗値が１０ＭΩ〜
１００ＭΩとなってきており、測定される電流値は、１
測定ポイント当り、数μＡ〜１０μＡ程度と非常に低い
電流値であるので、１つのスイッチ回路からのリークが
微小なものであっても、スイッチ回路の数が多くなれば
リークが多くなり、測定に及ぼす影響もそれだけ大きく
なる。しかも、パワーＭＯ３ＦＥＴでは１本当りのリー
ク電流値は、数百ｎＡにもなって、その影響は大きい。

・方、最近では、ＩＣ，ＬＳＩ等の電子部品の高密度化
に伴なって、これらの回路の接続を行う印刷配線基板に
おけるパターンの配線密度が高くなり、かつその７！ｌ
１１定ポイント数も数万、さらには６カ、７万ポイント
と次第に膨大な数に増加する傾向にある。

このような状態のドに印刷配線基板においてそのパター
ン間の絶縁試験を行う場合には、測定ポイント数の膨大
な増加は、各接触点を介して測定回路からパターンへの
リーク電流が加算されて増加して行くことを意味し、最
近のごとくパターン間の密度が増加すると、これに拍屯
をかけることになる。そして加えて隣接するパターンへ
の絶縁抵抗が低くなって、さらにリークが重畳されてく
る。そこで絶縁試験においては測定回路からのリークが
無視できないものとなる。

このようなことからリークの影響により誤測定が発生す
るｉ１能性が生じる。そこで、絶縁試験の場合における
測定回路は、特に、よりリークが少なく、より高精度の
ものが、要求される。

一方、マイクロコンピュータの制御による自動４！す定
や測定したデータを自動的に処理する場合などでは、測
定回路のリーク等の影響によって誤測定が発生すると、
信頼性は低下するばかりか、作業能率の低下をもまねく
。しかも高密度化された印刷配線基板に対するより精度
の高い測定とその自動的な処理についての要請は、今後
益々高くなる傾向にある。

ところで、パワーＭＯ８ＦＥＴを採用して、その測定ポ
イント数を増加し、配線数が多い、高密度の基板に対し
て絶縁試験をする試験機にあっては、そのソース−ドレ
イン間のリーク電流値が大きいという欠点があるので、
パワー型でない一般のＭＯＳＦＥＴを使用することが考
えられる。しかしこれで高電圧の絶縁試験を行えるよう
にするには、電圧を分圧形態で受けて構成した場合、Ｍ
ＯＳＦＥＴの使用数も多くなり、回路も複雑化すること
が考えられ、製作原価が高いばかりでなく、装置自体が
大型化して信頼性も低ドすることになりかねない。

そこで、この出願人は、このような最近の動向とこのよ
うな従来技術の問題点を解決し、より多くの接触点につ
いてより精度が高い絶縁試験が可能で、特に高密度な印
刷配線基板のパターン間の絶縁試験に適する絶縁試験機
として、バイポーラトランジスタによるスイッチ回路を
設けて、このバイポーラトランジスタを所定の定電流値
で駆動し、スイッチングさせて２点間に電流を流し、測
定電流値から１１；１記の所定の定電流値を減算するこ
とにより２点間の電流値を得るという技術を提案し、先
に出願済みである。

しかしながら、このバイポーラトランジスタによるスイ
ッチ回路を使用した絶縁試験機を導通試験として動作を
させて使用し、導通試験を行う場合にあっては、バイポ
ーラトランジスタのコレクターエミッタ間の飽和電圧の
変動乃至ばらつきが導通試験の際の測定電圧に影響を与
えて、より精度の高い測定を行い難いという問題点があ
ることが判った。

［発明の目的コ この発明は、このような最近の動向と従来技術の問題点
及び先行技術の問題点等にかんがみてなされたものであ
って、このような問題点等を解決するとともに、より多
くの接触点についてより精度が高い導通試験が可能で、
しかも高密度な印刷配線基板のパターン間の絶縁試験に
も適する導通／絶縁試験機を提供することを［１的とす
る。

［問題点を解決する手段コ このような目的を達成し、前記の問題点を解決するこの
発明の導通／絶縁試験機の構成は、第１のバイポーラト
ランジスタをヒ流側のスイッチ回路とし、第２のバイポ
ーラトランジスタを下流側のスイッチ回路としてこれら
を直列に接続した回路を１組として、この組を複数個備
えていて、ある組の第１のバイポーラトランジスタと他
の組の第２のバイポーラトランジスタとを“ＯＮ”状態
にして、ある組の第１のバイポーラトランジスタから２
点間を経て前記他の組の第２のバイポーラトランジスタ
へと回路を形成し、ある組の第１のバイポーラトランジ
スタ側に接続される一方の点の７［ｉ位を第３のバイポ
ーラトランジスタを介して計ｉ’ｆｆｌして導通試験を
行うものであって、第３のバイポーラトランジスタのベ
ース側及びエミッタｆｌ＋ＩＩには、それぞれ定電流回
路が挿入されていて、この第３のバイポーラトランジス
タを定電流にて駆動するというものである。

さて、この発明者は、パワーＭＯ８ＦＥＴを採用して、
その測定ポイント数を増加し、配線数か多い、＋７７１
密度の基板に対して絶縁試験をする試験機では、そのソ
ース−ドレイン間のリーク電流値が大きいという欠点が
あることに着目して、スイッチング素子としては、コレ
クターエミッタ間のリークが無視でき、コレクタ［株］
ベース間のリーク電流が、Ｉｃｂｏ＝ｌＯ〜５０ＰＡ程
度と極めて少なく、比較的高い耐圧を持つバイポーラト
ランジスタを使用することを考えた。

以１−は、絶縁試験について着目したものであって、導
通試験の場合には、２点間に定電流源から電流を供給し
てその電圧又はそのうちの１点とリファレンス；Ｕ位と
の間の電圧をｄ−１定しなければならない。

そこで、先に述べたごとく、バイポーラトランジスタを
使用した場合には、これをスイッチングさせたときにそ
の“ＯＮ”状態におけるコレ４ターエミツタ間の飽和電
圧の変動乃至ばらつきが問題となる。

［作用コ このような変動及びばらつきによる影響をできるだけ排
除するために、前記のごとき構成を取るものである。す
なわち、バイポーラトランジスタを介して接触点の電位
を４１１１定するものであって、このことにより、この
バイポーラトランジスタのコレクターエミッタ間の飽和
電圧と下流側に位置するバイポーラトランジスタのコレ
クターエミッタ間の飽和電圧とを相殺する。

ところで、バイポーラトランジスタを介して接触点の電
位を測定するためにこれを定電圧ドライブでスイッチン
グすると、エミッタ側に配置される電圧計の電位がこの
バイポーラトランジスタのベース電位により固定されて
いまい、肝心の測定ができないとう問題を生じる。

そこで、この発明にあってはこのバイポーラトランジス
タを定電流駆動とし、さらに測定すべき２点間の電流値
に定電流を流すために、そのエミッタ側に定電流回路を
挿入しているものである。

したがって、印刷配線基板等のように測定ポイント数が
膨大な数ににる高密度な配線に対しても対応でき、より
精度の高い導通／絶縁試験が可能となる。

［実施例コ 以下、この発明の一実施例について図面を参照して１説
明する。

第１図は、この発明を適用した一実施例である印刷配線
基板に対する導通／絶縁試験機のスイッチ回路を中心と
した原理的な回路図である。なお、第２図に示すものと
同一のものは同一の符号で示す。

ＱＩＪ　／　ｌ　　ＱＬＩ　２＋　　”　”＋　　Ｑ旧
、　　１１１１．　　ＱＵｎは、それぞれ定電圧源４か
らの電流に対して上流側に位置するＰＮＰ型のバイポー
ラトランジスタであって、第２図に見るスイッチ回路ｓ
ｌ、ｓ２．　　・・、Ｓｌ、　　・・Ｓｎに対応するも
のである。一方、ＱＬ７．ＱＬ２ｔ　　・１１．　　Ｑ
Ｌｌ、　　＃　＊、　　ＱＬｎは、それぞれ下流側に位
置するＮＰＮ型のバイポーラトランジスタであって、ス
イッチ回路Ｌ　ｔ　＋　　Ｌ　２１・・、Ｌｌ、　　・
・Ｌｎに対応している。

そして、各バイポーラトランジスタＱＵ／、ＱＵ２１　
　・・＋　　ｑＵｌ、　　＠　＠　Ｉ　　ｇ　Ｕｎのエ
ミッタ側は、共通に切換えスイッチ１に接続されていて
、そのそれぞれのベース側は、アナログスイッチ回路１
０の対応する端子にそれぞれ接続されている。一方、各
バイポーラトランジスタＱＬｌ、ＱＬ２゜・・、　ＱＬ
Ｉ、　　・・、ＱＬｎのエミッタ側は、共通に定電圧源
４及び定電流源２のアース対応側に接続されていて、そ
のそれぞれのベース側は、所定の抵抗を介してデコーダ
１１の対応する端子にそれぞれ接続されている。

そして、これら各バイポーラトランジスタＱＵｌ、ＱＵ
２．・・、ＱＵｌ、・・、ＱＵｎのコレクタ側は、各バ
イポーラトランジスタＱＬ／、ＱＬ２゜・・、　　ＱＬ
Ｉ、　　・・、ＱＬｎのコレクタ側とそれぞれ接続され
ていて、その接続点には、それぞれＰ）。

Ｐ２．　　・・、Ｐｌ、・・Ｐｎが接続されている。

また、ＱＲｔ　、ＱＲ２，ｅ拳、　Ｑ’ＲＩ、　　ｅ拳
、ＱＲｎは、そのコレクタが、ＱＬ　７　、　ＱＬ　２
．　　＊　＊。

ＱＬｉ＋　　・＊＋　　ＱＬｎと同様にＱＵ７．ＱＬＩ
２．ｓ。

ＱＵＩ、　　・・、ＱＵｎのコレクタに接続された下流
側に位置するＮ　Ｐ　Ｎ　Ｉ！；”！のバイポーラトラ
ンジスタであって、スイッチ回路Ｒ７，Ｒ２，拳＊、Ｒ
１゜・１Ｒｎに対応している。

この各バイポーラトランジスタＱＲ／、ＱＲ２・・、　
ＱＲＩ、　　拳・、ＱＲｎのベースは、アナログスイッ
チ回路１２の対応する端子にそれぞれ接続されて、この
アナログスイッチ回路１２を介して定電流源１５に接続
されている。また、そのそれぞれのエミッタは、それぞ
れ共通に電圧計３に接続されるとともに、抵抗Ｒｓを介
して定電流源１６に接続されていている。そして各バイ
ポーラトランジスタＱＲ１＋　ＱＲ２＋　　−会、　Ｑ
ＲＩ、　　・・、ＱＲｎのエミッタ側及びベース側は、
この定電流源１６．１５を介してそれぞれアースへと接
続されている。

ここに、抵抗Ｒｓは、”ＯＦＦ”状態にある他の回路の
バイポーラトランジスタＱＲｊ（ｊ＝１〜ｎ）が順方向
にバイアスされて動作してしまうの、　　を防ぐために
挿入したレベルシフト用の抵抗である。

一方、アナログスイッチ回路１０及び１２は、デコーダ
１３からの選択制御信号に応じて、選択された対応する
スイッチを“ＯＮ”状態とする。

、　　これら各アナログスイッチ回路１０．１２は、図
示するごとく、それぞれ一端が共通に接続されていて、
アナログスイッチ回路１０の他端に当るそれぞれの入力
端子側は、各バイポーラトランジスタＱｏ　／　ｓ　Ｑ
Ｕ　２＊　　”　”＋　ＱＩＪＬ　　”　翳ＱＵｎのベ
ース側に接続され、１１」記共通端子側は、定電流源１
４に接続され、アナログスイッチ回路１２の他端に当る
それぞれの入力端子側、各バイポーラトランジスタＱＲ
１，ＱＲ２，・・、　ＱＲＩ、　　・−１ＱＲｎのベー
ス側に接続され、前記共通端子側は、定電流源１５に接
続されている。

ここに、定電流［１４は、各バイポーラトランジスタＱ
Ｕ　／　＋　ＱＵ　２９　　＠　＠ｔ　ＱＵＩ＋　　６
６１　ＱＵｎのうちアナログスイッチ回路１ｏにより選
択されたあるバイポーラトランジスタＱＵＩ　（ｉ　＝
　１〜ｒ１；ノヘースに７ｊ［ｍ（ｉ＋Ｈを流すもので
あって、この電ｍイＩＬ［Ｉは、各バイポーラトランジ
スタＱＵＩ。

ＱＵ２．・・、ＱＵｌ、・・、ＱＵｎを“ＯＮ″伏態と
してスイッチングするのに十分な値に設定されている。

また、定電流源１５は、各バイポーラトランジスタＱＲ
／、ＱＲ２，・・、Ｑ旧、　　１１　・、ＱＲｎのうち
、選択されたあるバイポーラトランジスタＱ旧（ｉ＝１
〜ｎ）に対応してアナログスイッチ回路１２の対応する
位置のスイッチが“ＯＮ”となる。このことで、選択さ
れた対応のバイポーラトランジスタＱＲＩのベースに定
電流（ｆｌ　Ｉ　ｂを流すものである。この電流値Ｉｂ
は、各バイポーラトランジスタＱＲｔ＋　ＱＲ２１１＋
１４　ｃ＞Ｒｆ、６８．ＱＲｎ、　　ｅ　＊、　ＱＵＩ
、　　＊　＊、　ＱＩＪｎの１つを“ＯＮ”状態として
スイッチングするのに１・分な値に設定されている。そ
して定電流源１６は、アナログスイッチ回路１２の対応
する位置のスイッチが“”ＯＮ″となることで、前記選
択されたバイポーラトランジスタＱＲ１のエミッタに定
電流値ｉｅを流すものである。

−・方、デコーダ１１．１３は、それぞれ制御回路■７
からの制御信号に応じて制御されて、デコーダ１３は、
選択すべき第１のピンｐｉ　　（ｉ＝１〜ｎ、第１の接
触点）に対応する駆動信号をアナログスイッチ回路１０
及び１２に送出する。その結果、第１のピンＰｉに接続
される、選択されたあるバイポーラトランジスタＱＵＩ
　（ｉ　＝ｌＮｎ）及び選択された対応のバイポーラト
ランジスタＱＲ１（ｉ　＝　１〜ｎ）をそれぞれ“ＯＮ
”状態とし、バイポーラトランジスタＱＲＩのベースと
エミッタとにそれぞれＩｂ、Ｉｅの定電流が流されるこ
とになる。

デコーダ１１は、選択すべき第２のピンＰｊ　　（ｊ＝
１〜ｎ、ｉ−！ｋｊ＋第２の接触点）に対応するバイポ
ーラトランジスタＱＬ／　Ｔ　ＱＬ　２　、　　・・。

ＱＬＩ、　　ｇｓ　＊、　ＱＬｎのｌっＱＬｋ（ｋ＝１
〜ｎ）を“ＯＮ”状態とする駆動信号を対応するバイボ
ーラトランジスタＱＬｋのベースに送出する。その結果
、選択された第２のピンＰｊに接続されるバイポーラト
ランジスタＱＬｋが“ＯＮ”状態となる。

ここで、導通試験の場合において、定電流源２の電流値
をＩｃとすると、測定すべき２点間に流れる電流値ｉｒ
ｘは、次の式のごとくなる。

Ｉｒｘ＝ＩＣ−Ｉｅ　＋Ｉｂ ここに、Ｉｃｙ　　Ｉｃｙ　　Ｉｂは、それぞれ定電流
値であるので、測定すべき２点間に流れる電流値■ｒｘ
も定電流値となる。

ここで、測定すべき２点間の電圧値について考えてみる
と、バイポーラトランジスタＱＬｋが“０Ｎｌｌ状態と
なっていることにより、第２のピンＰｊは、アース電位
に比べて、このバイポーラトランジスタＱＬｋのコレク
ターエミッタ間の飽和電圧分たけ子方向へとシフトされ
ている。そこで第１のピンＰ１の電位もこの分だけ子方
向ヘシフトすることになる。しかし、電圧計３の接続さ
れた位置は、バイポーラトランジスタＱＲＩのエミッタ
の後であるので、このバイポーラトランジスタＱＲＩの
コレクターエミッタ間の飽和電圧分だけ一方向へとシフ
トされることになる。

その結果、バイポーラトランジスタＱＬｋのコレクター
エミッタ間の飽和電圧分がバイポーラトランジスタＱＲ
ｊのコレクターエミッタ間の飽和電圧分で相殺している
ことになる。したがって、電圧計３の測定値は、ピンｐ
ｉ、Ｐｊ間の電圧にほぼ等しい値となる。

次に、その動作を説明する。

導通試験の場合には、まず、切換えスイッチ１の接続状
態をＤ接点側に切換える。そして導通試験をする所定の
ポイント番号を操作パネル（又はキーボード）１８から
入力すると、その入力信号が制御回路１７へと人力され
て、導通試験では、デコーダ１３に、導通試験に対応す
る制御信号及び測定すべき２点間の第１のピンＰ１に対
応する選択制御信号が送出され、デコーダ１１には、測
定すべき２点間の第２のピンＰＪに対応する選択制御（
５号が送出される。

その結果、デコーダ１１．１３でそれぞれの制御信１）
が選択駆動イ＝号としてデコードされ、導通試験ではデ
コーダ１３がアナログスイッチ回路ｌＯ及び１２にこの
デコードされた選択駆動信号をそれぞれ送出する。

そこで、選択されたバイポーラトランジスタＱ旧及びＱ
ＲｌとバイポーラトランジスタＱＬｋとを“ＯＮ”状態
にする（Ｌ　　ｋ＝１〜ｎ、１ｎｋ）。

例えば、今仮にピンＰ２．ＰＪ　　（回路は図示せず）
に接触しているあるパターンＴｊの導通抵抗を測定する
場合を考えたとする。

この場合には、アナログスイッチ回路１０及び１２にお
いてバイポーラトランジスタＱＵ２及びＱＲ２のそれぞ
れのベースに接続されたスイッチが“ＯＮ”状態となる
制御信号がデコーダ１３からアナログスイッチ回路１０
及び１２に送出されることになる。−・方、デコーダＩ
Ｉからは、バイポーラトランジスタＱＬＪ（図示せず）
を“ＯＮ”状態とする制御信号が発生して、そのベース
に送出される。

その結果、電圧計３で測定される電圧Ｖは、ピンＰ２．
ＰＪに接触しているパターンの導通抵抗ｒｘに対する電
圧面Ｆ値とほぼ等しくなり、このとき導通抵抗ｒｘに流
れる電流１ｒｘは、次の式で求めることができる。

Ｉｒｘ＝Ｉｃ　−Ｉｅ　＋Ｉｂ　−Ｉ そこで、求める抵抗値ｒｘは、 ｒｘ　＝Ｖ／　（Ｉｃ−Ｉｅ　＋Ｉｂ−Ｉ）の式により
求めることができる。なお、■は電圧計３の測定値であ
る。

ここで、選択されたバイポーラトランジスタＱＵ２は、
必ずしも定電流駆動する必要はなく、定電圧駆動による
場合には、上記式において、■＝０として抵抗値ｒｘを
算出すればよい。

以−ヒは、導通試験の場合である。

次に絶縁試験の動作について説明する。

絶縁試験の場合には、まず、切換えスイッチｌの接続状
態をＺ接点側に切換える。そして絶縁試験をする所定の
ポイント番号を操作パネル（又はキーボード）１８から
人力すると、その人力信号が制御回路１７へと入力され
て、絶縁試験では、デコーダ１３には、絶縁試験に対応
する制御信号及びｉ［Ｉ＋定すべき２点間の第１のピン
ＰＩに対応する選択制御信号が送出され、デコーダ１１
には、測定すべき２点間の第２のピンＰＪに対応する選
択制御信号が送出される。

その結果、デコーダ１１．１３でそれぞれの制御信号が
選択駆動信号としてデコードされ、絶縁試験ではデコー
ダ１３がアナログスイッチ回路ＩＯにこのデコードされ
た選択駆動信号を送出する。

なお、この場合には、アナログスイッチ回路１２には選
択駆動信号が送出されず、この回路は動作しない。

その結果、選択されたバイポーラトランジスタＱ旧とバ
イポーラトランジスタＱＬｋとを“ＯＮ”状態にする（
ｉ＋　　ｋ＝ｌ　〜ｎｌ　　ｉ≠ｋ）。

先と同様に、今仮にビンＰ２．ＰＪ（回路は図示せず）
に接触しているそれぞれのパターン間の絶縁抵抗ｒｙを
測定するものとする。

そこで、アナログスイッチ回路１０においてバイポーラ
トランジスタＱＵ２のベースに接続されたスイッチが“
ＯＮ”状態となる制御信号がデコーダ１３からアナログ
スイッチ回路ｌＯに送出され、デコーダ１１からは、バ
イポーラトランジスタＱＬ３　（図示せず）を“ＯＮ”
状態とする制御信号が発生して、そのベースに送出され
ることになる。なお、この場合には、バイポーラトラン
ジスタＱＲ２は、”ＯＮ”とはならない。

その結果、電流計５に流れる電流は、ビンＰ２゜Ｐ３に
接続されたパターン間の絶縁抵抗ｒｙに対する電流値と
定電流源１４の電流値Ｉとの和となる。

したがって、測定すべき絶縁抵抗ｒｙは、バイポーラト
ランジスタＱ　Ｕ　２　＊　Ｑ　Ｌ　Ｊの飽和電圧を無
視するとすれば、定電圧源４の電圧をＶＯとし、電流計
５の読みをＩｓとすると、ｒｙ＝Ｖｏ／（Ｉｓ−Ｉ）と
して得られる。そして、このときスイッチング動作して
いない他のバイポーラトランジスタＱＵ　ｔ　、　　・
・、Ｑ旧　＊　＊　、　Ｑ　Ｕｎ、　Ｑ　Ｌ　／　ｔＱ
Ｌ　２　＊　　”　”　＋　ＱＬＩ＋　　”　”　＋　
　ＱＬｎ等からのリークは非常に少ないのでこの測定に
悪影響を及ぼすことはない。

ところで、バイポーラトランジスタは、コレクタ・ベー
ス間のリーク電流が、Ｉｃｂｏ＝１０〜５０ｐＡ程度と
極めて少ないということから、パターンへのリークを最
小限に抑えるのに川に有効であるばかりでなく、−・股
にパワーＭＯ８ＦＥＴより、その形状は、小型であって
、安価である。そこで配線密度が高い印刷配線基板のよ
うに測定ポイントが多いものの場合には、その使用スイ
ッチ回路数が多くなることから、バイポーラトランジス
タの使用が、装置の小型化に貢献するのみならず、安価
な装置を提供できる利点がある。しかも計算により７１
１＋１定値を求めることができることからその処理が効
率的なものとなり、自動的な処理に適する。

以−Ｌ説明して来たが、このように上流側、上流側のす
べてのスイッチ回路をバイポーラトランジスタとして構
成すれば、小型でかつよりリークが少なく、精度の高い
導通／絶縁試験機を実現できる。

また、実施例では、バイポーラトランジスタとしてＰＮ
Ｐ型とＮＰＮ型とを組合わせて相補形態で使用している
が、必ずしもこのような形態によることはなく、ＰＮＰ
型とＮＰＮ型の一方だけであってもよい。

さらに、実施例にあっては、側御回路とデコーダとを別
々の回路構成としているが、これらは一体的に構成され
てもよく、デコーダを用いずに選択信号を発生させるこ
ともできる。

実施例の回路形式は、原理的なものを示す一例であって
、バイポーラトランジスタを使用してスイッチングさせ
て、スイッチ回路として使用する範囲でのその使用形態
や構成の仕方は自由に設計し、変更できるところである
。

また、実施例では、印刷配線基板のパターンの測定を中
心に説明しているが、東線の導通／絶縁検査をはじめと
し、バックボードの布線等、各種の導通／絶縁検査の測
定回路に対して適用できるものであって、この発明は、
実施例で示す印刷配線基板のパターンの絶縁試験に限定
されるものではない。

［発明の効果］ 以［−の説明から理解できるように、この発明にあって
は、第１のバイポーラトランジスタを上流側のスイッチ
回路とし、第２のバイポーラトランジスタをド流側のス
イッチ回路としてこれらを直列に接続した回路を１組と
して、この組を複数個備えていて、ある組の第１のバイ
ポーラトランジスタと他の組の第２のバイポーラトラン
ジスタとを“ＯＮ”状態にして、ある組の第１のバイポ
ーラトランジスタから２点間を経て前記他の組の第２の
バイポーラトランジスタへと回路を形成し、ある組の第
１のバイポーラトランジスタ側に接続される一方の点の
電位を第３のバイポーラトランジスタを介して計測して
導通試験を行うものであって、第３のバイポーラトラン
ジスタのベース側及びエミッタ側には、それぞれ定電流
回路が挿入されていて、この第３のバイポーラトランジ
スタを定電流にて駆動するというものであるので、導通
試験の際に電圧計を接続するスイッチング動作ヲ行ウバ
イポーラトランジスタのコレクターエミッタ間の飽和電
圧と下流側に位置するバイポーラトランジスタのコレク
ターエミッタ間の飽和電圧とを相殺した状態で導通試験
の際の２点間のより重鐘な電圧を測定することができる
。

したがって、印刷配線基板等のように測定ポイント数が
膨大な数に上る高密度な配線に対しても対応でき、より
精度の高い導通／絶縁試験が可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明を適用した一実施例の印刷配線基板
に対する導通／絶縁試験機のスイッチ回路を中心とした
原理的な回路図、第２図は、従来の印刷配線基板に対す
る導通／絶縁試験機のスイッチ回路中心とした原理的な
説明図である。 １は切換えスイッチ、２，１４，１５．１８は定電流源
、３は電圧計、４は定電圧源、５は電流計、ｔｏ、１２
はアナログスイッチ回路、１１゜１３はデコーダ、１７
は制御回路、 １８は操作パネル（キーボード）、ＱＵｌ、ＱＵ２．Ｑ
ＵＩ−ＱＵｎ、ＱＬｔ、ＱＬ２．ＱＬＩ＊　ＱＬｎ、　
ＱＲ１、ＱＲ２、ＱＲＩ、　ＱＲｎはそれぞれバイポー
ラトランジスタ、Ｓ／　−３２−Ｓ　Ｉ　ｒ　　Ｓｎ、
Ｒ／　＋　Ｒ２１Ｒ１，Ｒｎ＋　　Ｌ／　＊　Ｌ２９　
ＬＩＴＬｎはＭＯＳＦＥＴのスイッチ回路ｓＰｚ、Ｐ２
、ＰＩ、Ｐｎはピンである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも２点間に電圧源から電流を供給し、こ
   れら２点間に流れる電流値を測定して、これら２点間の
   絶縁試験を行い、かつ前記２点間に定電流源から電流を
   供給し、その電圧又はそのうちの１点とリファレンス電
   位との間の電圧を測定して導通試験を行う導通／絶縁試
   験機において、第１のバイポーラトランジスタを上流側
   のスイッチ回路とし、第２のバイポーラトランジスタを
   下流側のスイッチ回路としてこれらを直列に接続した回
   路を１組として、この組を複数個備え、ある組の第１の
   バイポーラトランジスタと他の組の第２のバイポーラト
   ランジスタとを“ＯＮ”状態にして、前記ある組の第１
   のバイポーラトランジスタから前記２点間を経て前記他
   の組の第２のバイポーラトランジスタへと回路を形成し
   、前記ある組の第１のバイポーラトランジスタ側に接続
   される一方の点の電位を第３のバイポーラトランジスタ
   を介して計測して前記導通試験を行うものであって、第
   ３のバイポーラトランジスタのベース側及びエミッタ側
   には、それぞれ定電流回路が挿入されていて、この第３
   のバイポーラトランジスタを定電流にて駆動することを
   特徴とする導通／絶縁試験機。