JPS6234431A - 光通信用受信装置 - Google Patents
光通信用受信装置Info
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- JPS6234431A JPS6234431A JP60246751A JP24675185A JPS6234431A JP S6234431 A JPS6234431 A JP S6234431A JP 60246751 A JP60246751 A JP 60246751A JP 24675185 A JP24675185 A JP 24675185A JP S6234431 A JPS6234431 A JP S6234431A
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Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産1ユ!l旧1盆I一
本発明は、光信号を信号伝達に用いる光通信装置に閃し
、更に詳しくは、その受信装置に関する。
、更に詳しくは、その受信装置に関する。
従迷!口支泣−
従来、ホトダイオードなどの光電素子を受光手段として
坩い、送信装置からの光信号を該光電素子によって受信
して情報の伝達や他の装置の遠隔操作を可能にする光通
信装置は知られている。そして、このような受信5fc
置において、光電素子に抵抗が直列に接続されている構
成は知られでいる。
坩い、送信装置からの光信号を該光電素子によって受信
して情報の伝達や他の装置の遠隔操作を可能にする光通
信装置は知られている。そして、このような受信5fc
置において、光電素子に抵抗が直列に接続されている構
成は知られでいる。
明が Ll=ようとする ヴ
しかしながら、このような構成では、屋外で使用される
場合などのように周外光が明るいと、光電流が増加し、
光電素子と抵抗との接続点の電位が上昇して電源電圧に
近づき、光電流が流れにくくなって感度が悪化するとい
う欠点がある。
場合などのように周外光が明るいと、光電流が増加し、
光電素子と抵抗との接続点の電位が上昇して電源電圧に
近づき、光電流が流れにくくなって感度が悪化するとい
う欠点がある。
そこで、従来の構成では、高照度になると受信可能距離
が短くなり、また逆に、受信可能距離を長くしようとす
ると低照度でしか使用できないということになる。
が短くなり、また逆に、受信可能距離を長くしようとす
ると低照度でしか使用できないということになる。
そこで、本発明は、屋外など周外光が多いところで使用
されても周外光によって感度が悪化することなく、信号
光を正確に受信することができる光通信用受信装置を提
供することを目的とするものである。
されても周外光によって感度が悪化することなく、信号
光を正確に受信することができる光通信用受信装置を提
供することを目的とするものである。
ヴ するための1
そして、上記目的を達成するために、本発明は、離れた
位置から発せられた光信号を受信する光通イJ用受信v
装置において、光信号受信用の光電素子と、光1!素子
に直列に接続され、光電素子に生じる信号のうち、所定
周波数以下の信号を流すインダクタンスとを有すること
を特徴とするものである。
位置から発せられた光信号を受信する光通イJ用受信v
装置において、光信号受信用の光電素子と、光1!素子
に直列に接続され、光電素子に生じる信号のうち、所定
周波数以下の信号を流すインダクタンスとを有すること
を特徴とするものである。
作」L
従って、本発明によれば、周波数の低い周外光成分はイ
ンダクタンスの方に流れるので、たとえ周外光成分が多
くとも感度が悪化することはなく、光信号に応じた信号
光成分のみを正確に読み出すことができる。
ンダクタンスの方に流れるので、たとえ周外光成分が多
くとも感度が悪化することはなく、光信号に応じた信号
光成分のみを正確に読み出すことができる。
(以下余白)
大11例−
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第1図は、本発明実施例の光通信装置を用いて測光イn
報の伝達や動作の制御を行うカメラシステムを示す斜視
図である。第1図に於いて、(2)は撮影レンズ(4)
が装着されたカメラ本体、(6)は後述のようにしてカ
メラ本体(2)に電気的かつ機械的に接続された光通信
VC置の受信機、(8)はカメラ本体(2)の下面にお
いて該カメラ本体(2)と電気的かつ機械的に接続され
たブラケット、(10)は該ブラケット(8)を介して
カメラ本体(2)に電気的に接続された電子閃光vc置
である。
報の伝達や動作の制御を行うカメラシステムを示す斜視
図である。第1図に於いて、(2)は撮影レンズ(4)
が装着されたカメラ本体、(6)は後述のようにしてカ
メラ本体(2)に電気的かつ機械的に接続された光通信
VC置の受信機、(8)はカメラ本体(2)の下面にお
いて該カメラ本体(2)と電気的かつ機械的に接続され
たブラケット、(10)は該ブラケット(8)を介して
カメラ本体(2)に電気的に接続された電子閃光vc置
である。
受信fi(6)には、第2図の正面図に示されるように
、第3図図示の送信機からの光信号を受光するための受
光窓(101)、電源スィッチ(102)、および後述
のバッテリーチェック回路によって電源電圧が不足して
いると1!り断された場合に照灯せしめられる電圧低下
警告用の発光ダイオード(103)が設けられている。
、第3図図示の送信機からの光信号を受光するための受
光窓(101)、電源スィッチ(102)、および後述
のバッテリーチェック回路によって電源電圧が不足して
いると1!り断された場合に照灯せしめられる電圧低下
警告用の発光ダイオード(103)が設けられている。
更に、受光窓(101)内には、一対の受光レンズ(1
04)と開閉可能な上下一対の遮光7−ド(105)と
がそれぞれ配置されている。その遮光7−ド(105)
には、手動によって開閉するための一対の突起(105
a)が形成されている。(106)は受信表示窓であり
、正常な受信動作がおこなわれると、その内部に配置さ
れた後述の受信表示用発光ダイオード(107)が点滅
されて、正常な受信動作が行なわれたことが送信機をフ
ントロールしている操作者に知らされる。一対の受光レ
ンズ(104)の後方には、それぞれ後述するホトダイ
オードからなる受光素子(P D 、)(P D 2)
が配置されている。
04)と開閉可能な上下一対の遮光7−ド(105)と
がそれぞれ配置されている。その遮光7−ド(105)
には、手動によって開閉するための一対の突起(105
a)が形成されている。(106)は受信表示窓であり
、正常な受信動作がおこなわれると、その内部に配置さ
れた後述の受信表示用発光ダイオード(107)が点滅
されて、正常な受信動作が行なわれたことが送信機をフ
ントロールしている操作者に知らされる。一対の受光レ
ンズ(104)の後方には、それぞれ後述するホトダイ
オードからなる受光素子(P D 、)(P D 2)
が配置されている。
そして、受信fi(6)は、上部(6&)と下部(6b
)とからなり、下部(6b)に設けられたシュー77)
(108)がカメラ本体(2)の7クセサリシユーに嵌
入することによってカメラ本体(2)に装着され、その
状態が固定すy)(109)によって固定される。この
状態では、シュー77)(108)に形成された可動M
、烹ビン(110)がカメラ本体(2)のアクセサリシ
ューに設けられた固定接点と接触して、受信R(6)と
カメラ本体(2)とが1!気的に接続されている。これ
によって、カメラ本体(2)は、送信機から送られる露
出データや制御データを受信fi(6’)を介して受は
取り、さらにこれらのデータの内必要なものは、ブラケ
ット(8)を介して電子閃光装ff1(10)にも伝達
される。
)とからなり、下部(6b)に設けられたシュー77)
(108)がカメラ本体(2)の7クセサリシユーに嵌
入することによってカメラ本体(2)に装着され、その
状態が固定すy)(109)によって固定される。この
状態では、シュー77)(108)に形成された可動M
、烹ビン(110)がカメラ本体(2)のアクセサリシ
ューに設けられた固定接点と接触して、受信R(6)と
カメラ本体(2)とが1!気的に接続されている。これ
によって、カメラ本体(2)は、送信機から送られる露
出データや制御データを受信fi(6’)を介して受は
取り、さらにこれらのデータの内必要なものは、ブラケ
ット(8)を介して電子閃光装ff1(10)にも伝達
される。
受mR(6’)の上部(6a)は、下部(Gb)l:対
シテ、第2図の上下方向にのびる軸(X)を中心として
相対回動可能であり、受光窓(101)および受光表示
窓(106)の向く方向を変更することができる。
シテ、第2図の上下方向にのびる軸(X)を中心として
相対回動可能であり、受光窓(101)および受光表示
窓(106)の向く方向を変更することができる。
尚、受信ff1(6)によって受信された露出データは
、カメラ本体(2)の入力端子(2a)に接続される信
号コード(111)を介してカメラ本体(2)に伝達さ
れるように構成しても良いし、また、露出データは可動
接直ピン(110)がら制御データは信号コード(11
1)から、それぞれ、カメラ本体(2)に伝達されるよ
うに構成しても良い。
、カメラ本体(2)の入力端子(2a)に接続される信
号コード(111)を介してカメラ本体(2)に伝達さ
れるように構成しても良いし、また、露出データは可動
接直ピン(110)がら制御データは信号コード(11
1)から、それぞれ、カメラ本体(2)に伝達されるよ
うに構成しても良い。
第3図は、本実施例の電気回路を示すブロック図である
。tjIJ3図に於いて、(12)は伝達しようとする
ディノタル信号を数10KHzに変調したものを赤外光
として発信する光通信装置の送信融を示し、送F機(1
2)内には、メータ(M)と送信回路(1’2a)とが
設けられている。ここで、メータ(M)は、例えば、特
願昭59−17897号においで本願出願人が提案した
ように、被写体輝度およVフラッシュ発光量を入射光式
で測光して記憶し、フィルム感度、シャ7り速度、絞り
値などの設定データと測光結果とから適正なシャッタ速
度や絞り値を演算して露出データとして出力するもので
ある。そして、この露出データは送信回路(12a)に
よって赤外光信号に変換されで送信され、受信fi(6
)のホトダイオードからなる受光素子(PD、)(PD
2)によって受信される。
。tjIJ3図に於いて、(12)は伝達しようとする
ディノタル信号を数10KHzに変調したものを赤外光
として発信する光通信装置の送信融を示し、送F機(1
2)内には、メータ(M)と送信回路(1’2a)とが
設けられている。ここで、メータ(M)は、例えば、特
願昭59−17897号においで本願出願人が提案した
ように、被写体輝度およVフラッシュ発光量を入射光式
で測光して記憶し、フィルム感度、シャ7り速度、絞り
値などの設定データと測光結果とから適正なシャッタ速
度や絞り値を演算して露出データとして出力するもので
ある。そして、この露出データは送信回路(12a)に
よって赤外光信号に変換されで送信され、受信fi(6
)のホトダイオードからなる受光素子(PD、)(PD
2)によって受信される。
(E)は受信機(6)の電源電池であり、(SW、)は
受信機(6)の電源スィッチである。電源スィッチ(S
W、)が閉成されていると、受光素子(PD、)(P
D 2)は送信fi(12)からの赤外光信号を受光し
て、その強度に応じた電流(a)を出力する。この出力
電流(、)は増幅検波回路(14)に入力され、増幅検
波回路(14)はこの出力電流(、)を増幅し検波して
データ信号(b)として後段のデータ読取回路(16)
に伝達する。更に、この増幅検波回路(14)は、送信
!(12>からの赤外光信号に関係せずに受信+j!(
6)の受光素子(P D 、)(P D 2)に入射す
る定常光成分(以下、周外光という)が所定値以上の強
度になったときに警告信号(c)を出力する。この増幅
検波回路(14)の詳細な構成についてはtj44図に
示し、後に詳述する。
受信機(6)の電源スィッチである。電源スィッチ(S
W、)が閉成されていると、受光素子(PD、)(P
D 2)は送信fi(12)からの赤外光信号を受光し
て、その強度に応じた電流(a)を出力する。この出力
電流(、)は増幅検波回路(14)に入力され、増幅検
波回路(14)はこの出力電流(、)を増幅し検波して
データ信号(b)として後段のデータ読取回路(16)
に伝達する。更に、この増幅検波回路(14)は、送信
!(12>からの赤外光信号に関係せずに受信+j!(
6)の受光素子(P D 、)(P D 2)に入射す
る定常光成分(以下、周外光という)が所定値以上の強
度になったときに警告信号(c)を出力する。この増幅
検波回路(14)の詳細な構成についてはtj44図に
示し、後に詳述する。
データ読取回路(16)は、増幅検波回路(14)から
のデータ信号(b)を読み取ってチェックし、そのデー
タをカメラ本体(2)に伝達するために記憶してそのデ
ータ転送を行う回路であり、データ転送用のインターフ
ェイス回路を含んでいる。そして、データ読取回路(1
6)は、読み取られた露出データを第2図図示の可動接
へピン(110)を介してカメラ本体(2)に転送する
。更に、データ読取回路(16)は、増幅検波回路(1
4)から伝達されたデータ信号(b)が正しく読み取れ
た場合には、光通信によって伝達された信号が正確に読
み取られたことを示す信号(d)を出力する。以後、こ
の信号(d)をベリファイ信号という。
のデータ信号(b)を読み取ってチェックし、そのデー
タをカメラ本体(2)に伝達するために記憶してそのデ
ータ転送を行う回路であり、データ転送用のインターフ
ェイス回路を含んでいる。そして、データ読取回路(1
6)は、読み取られた露出データを第2図図示の可動接
へピン(110)を介してカメラ本体(2)に転送する
。更に、データ読取回路(16)は、増幅検波回路(1
4)から伝達されたデータ信号(b)が正しく読み取れ
た場合には、光通信によって伝達された信号が正確に読
み取られたことを示す信号(d)を出力する。以後、こ
の信号(d)をベリファイ信号という。
(18)はタイマー回路であり、電源スィッチ(SW
+ )が閉成されてから一定時間の開、出力されるタイ
マー信号(e)をH”にする。このタイマー信号(e)
は、前述のベリファイ信号(d)とともにノア回路(N
OR,)に入力され、更にこのノア回路(NOR,)の
出力信号(g>はアンド回路(AND、)の一方の入力
端子に入力される。アンド回路(AND、)、 の他方
の入力端子には、発振器(20)の出力信号(r)が入
力されている。そして、ノア回路(NOR3)の出力信
号(g)およびアンド回路(AND、)の出力信号(h
)は、それぞれワンショット回路(22)(24)に入
力されている。これらのワンシミツト回路(22)(2
4)はそれぞれ、入力される信号(g)(h)の立ち上
がりに応じて一定時間幅のパルスを出力するように構成
されている。
+ )が閉成されてから一定時間の開、出力されるタイ
マー信号(e)をH”にする。このタイマー信号(e)
は、前述のベリファイ信号(d)とともにノア回路(N
OR,)に入力され、更にこのノア回路(NOR,)の
出力信号(g>はアンド回路(AND、)の一方の入力
端子に入力される。アンド回路(AND、)、 の他方
の入力端子には、発振器(20)の出力信号(r)が入
力されている。そして、ノア回路(NOR3)の出力信
号(g)およびアンド回路(AND、)の出力信号(h
)は、それぞれワンショット回路(22)(24)に入
力されている。これらのワンシミツト回路(22)(2
4)はそれぞれ、入力される信号(g)(h)の立ち上
がりに応じて一定時間幅のパルスを出力するように構成
されている。
両フンシタット回路(22)(24)の出力信号(i)
(j)は、共にオア回路(OR1)を介して、信号(k
)としてバッテリーチェック回路(26)に入力される
。lφラッテリーチック回路(26)は、入力される信
号(k)に応じたタイミングで電源電圧Vccをチェッ
クし、電源電圧Vccが所定値以下であると、それをラ
ッチして出力信号(1)を出力して、電圧低下警告用発
光グイオード(BCLED)を点灯させる。このバッテ
リーチェックの動作については後に詳述する。
(j)は、共にオア回路(OR1)を介して、信号(k
)としてバッテリーチェック回路(26)に入力される
。lφラッテリーチック回路(26)は、入力される信
号(k)に応じたタイミングで電源電圧Vccをチェッ
クし、電源電圧Vccが所定値以下であると、それをラ
ッチして出力信号(1)を出力して、電圧低下警告用発
光グイオード(BCLED)を点灯させる。このバッテ
リーチェックの動作については後に詳述する。
増幅検波回路(14)の警告信号(c)、データ読取回
路(16)のベリファイ信号(d)、およびタイマー回
路(18)のタイマー信号(e)は、それぞれオア回路
(OR,)に入力される。そして、オア回路(OR1)
の出力は、遅延回路(28)を介して信号(Im)とし
て表示駆動回路(30)に入力されており、オア回路(
OR,)のいずれが1つの入力信号が”H″になると、
それから遅延回路(28)で定められる一定時間の後に
表示駆動回路(30)によってベリファイ表示用発光ダ
イオード(VLED)が、党灯される。すなわち、ベリ
ファイ表示用発光ダイオード(V L E D )は、
周外光の強度が所定値以上ある場合、およびデータの読
み取りが正確になされた場合に、タイマー回路(18)
からタイマー信号(e)が出力されていれば、表示駆動
回路(30)の出力信号(n)によって点灯させられる
。また、オア回路(OR,)の出力がL″になると、そ
れから遅矩回路(28)で定められる一定時間の後に表
示駆動回路(30)によってベリファイ表示用発光グイ
オード(V L E D ’)は消灯される。
路(16)のベリファイ信号(d)、およびタイマー回
路(18)のタイマー信号(e)は、それぞれオア回路
(OR,)に入力される。そして、オア回路(OR1)
の出力は、遅延回路(28)を介して信号(Im)とし
て表示駆動回路(30)に入力されており、オア回路(
OR,)のいずれが1つの入力信号が”H″になると、
それから遅延回路(28)で定められる一定時間の後に
表示駆動回路(30)によってベリファイ表示用発光ダ
イオード(VLED)が、党灯される。すなわち、ベリ
ファイ表示用発光ダイオード(V L E D )は、
周外光の強度が所定値以上ある場合、およびデータの読
み取りが正確になされた場合に、タイマー回路(18)
からタイマー信号(e)が出力されていれば、表示駆動
回路(30)の出力信号(n)によって点灯させられる
。また、オア回路(OR,)の出力がL″になると、そ
れから遅矩回路(28)で定められる一定時間の後に表
示駆動回路(30)によってベリファイ表示用発光グイ
オード(V L E D ’)は消灯される。
次に、第4図に本実施例の増幅検波回路(14)の詳細
な構成を示す。第4図に於いて、2つのホトグイオード
からなる受光素子(P D 、)(P D 2)は互い
に並列に接続されており、その7ノード側から出カイ3
号(、)が取り出される。両受光素子(PD、)(PD
2)のアノードは、インダクタンス(Ll)およ1抵抗
(R9)を介して接地されている。更に、出力イd号C
a>はコンデンサ(C5)を介して増幅器(32)に入
力されており、該出力信号(、)は増幅器(32)によ
って増幅される。この増幅された信号は検波回路(34
)に入力され、検波回路(34)によって数10KHz
に変調されていた信号が検知されでもとのディノタル信
号に復調され、後段の波形整形回路(36)に伝達され
る。波形整形回路(36)は、入力された信号の波形を
後段のデータ読取回路(16)に適するように整形して
、データ信号(b)として出力する。
な構成を示す。第4図に於いて、2つのホトグイオード
からなる受光素子(P D 、)(P D 2)は互い
に並列に接続されており、その7ノード側から出カイ3
号(、)が取り出される。両受光素子(PD、)(PD
2)のアノードは、インダクタンス(Ll)およ1抵抗
(R9)を介して接地されている。更に、出力イd号C
a>はコンデンサ(C5)を介して増幅器(32)に入
力されており、該出力信号(、)は増幅器(32)によ
って増幅される。この増幅された信号は検波回路(34
)に入力され、検波回路(34)によって数10KHz
に変調されていた信号が検知されでもとのディノタル信
号に復調され、後段の波形整形回路(36)に伝達され
る。波形整形回路(36)は、入力された信号の波形を
後段のデータ読取回路(16)に適するように整形して
、データ信号(b)として出力する。
インダクタンス(Ll)は抵抗(R1)と直列に接続さ
れるとともに、その接続点はフンパレータ(CON、)
の非反転入力端子に接続される。一方、コンパレータ(
CON、)の反転入力端子には、基準電圧を作り出す基
準電源(Vref、)が接続されている。そして、フン
パレータ(CON、)の出力は、前述の警告信号(e)
として出力されるとともに、トランジスタ(Tr、)の
ベースにも入力される。このトランジスタ(T r、
)のコレクタは抵抗(R1)を介して検波回路(34)
に接続されており、エミッタは接地されている。更に、
検波回113(34)は抵抗(R2)を介して接地され
ている。ここで、トランジスタ(Tri)はスイッチと
して使用されるものであり、フンパレータ(CONI)
の出力信号が“H”のとき導通し、”L”のとき不導通
となる。
れるとともに、その接続点はフンパレータ(CON、)
の非反転入力端子に接続される。一方、コンパレータ(
CON、)の反転入力端子には、基準電圧を作り出す基
準電源(Vref、)が接続されている。そして、フン
パレータ(CON、)の出力は、前述の警告信号(e)
として出力されるとともに、トランジスタ(Tr、)の
ベースにも入力される。このトランジスタ(T r、
)のコレクタは抵抗(R1)を介して検波回路(34)
に接続されており、エミッタは接地されている。更に、
検波回113(34)は抵抗(R2)を介して接地され
ている。ここで、トランジスタ(Tri)はスイッチと
して使用されるものであり、フンパレータ(CONI)
の出力信号が“H”のとき導通し、”L”のとき不導通
となる。
このような構成からなる増幅検波回路の動作について説
明する。まず、送信される信号とは無関係な周外光が受
光素子(P D 、)(P D 2)に入射すると、周
外光の強度に比例する光電流が発生する。
明する。まず、送信される信号とは無関係な周外光が受
光素子(P D 、)(P D 2)に入射すると、周
外光の強度に比例する光電流が発生する。
このような光電流は、直流成分あるいは60 Hz×2
(もしくは50HzX2)の商用周波数成分であると考
えられるので、インダクタンス(Ll)の方向のインピ
ーダンスは低く、コンデンサ(C3)の方向の入力イン
ビーグン又は直流成分あるいは60Hz(もしくは50
Hz)X 2の低周波成分については高インピーダン
スであるため、上記光rtt流はインダクタンス(L、
)および抵抗(R3)の方向に流れる。そして、抵抗(
R2)の両端には光電流に応じた電圧が生じる。この電
圧がコンパレータ(CON、)によって基準電源(Vr
eL)の基準電圧と比較され、基準電圧よりも抵抗(R
1)の両端の電圧が低い場合には、周外光成分の強度が
低く受光素子(PDI)(PD2)に発生する光電流が
少ないので、コンパレータ(CON、)の出力はL″と
なり、警告信号(c)は発生させられない。従って、こ
の場合にはトランジスタ(Tr、)は不導通となり、検
波回路(34)からアースに流れる電流は抵抗(R2)
によって小さく保たれ、その検波感度は高く設定される
。すなわち、周外光成分が少なくて受光素子(PD、)
(PD2)に発生する光電流が少ない場合には、検波回
路(34)の感度は高く設定される。
(もしくは50HzX2)の商用周波数成分であると考
えられるので、インダクタンス(Ll)の方向のインピ
ーダンスは低く、コンデンサ(C3)の方向の入力イン
ビーグン又は直流成分あるいは60Hz(もしくは50
Hz)X 2の低周波成分については高インピーダン
スであるため、上記光rtt流はインダクタンス(L、
)および抵抗(R3)の方向に流れる。そして、抵抗(
R2)の両端には光電流に応じた電圧が生じる。この電
圧がコンパレータ(CON、)によって基準電源(Vr
eL)の基準電圧と比較され、基準電圧よりも抵抗(R
1)の両端の電圧が低い場合には、周外光成分の強度が
低く受光素子(PDI)(PD2)に発生する光電流が
少ないので、コンパレータ(CON、)の出力はL″と
なり、警告信号(c)は発生させられない。従って、こ
の場合にはトランジスタ(Tr、)は不導通となり、検
波回路(34)からアースに流れる電流は抵抗(R2)
によって小さく保たれ、その検波感度は高く設定される
。すなわち、周外光成分が少なくて受光素子(PD、)
(PD2)に発生する光電流が少ない場合には、検波回
路(34)の感度は高く設定される。
このような状態で、送信機(12)から数10KHzに
′!i調された赤外光信号が受光素子(PD、)(PD
2)に入射すると、受光素子(P D 、)(P D
2)は周外光成分による光電流と赤外光信号による光電
流とを発生する。しかし、インダクタンス(L、)は交
流成分に対しては高いインピーダンスを持ち、一方コン
デンサ(C,)のインピーダンスは下がるので、受光素
子(P D 、)(P D2)の出力光電流のうちの交
流成分すなわち赤外光信号成分による光電流成分は、コ
ンデンサ(C3)を介して増幅器(32)に入力されて
増幅される。そして、直流成分すなわち周外光による光
電流成分は、コンデンサ(C5〉によってカットされる
ので、インピーダンス(Ll)および抵抗(R1)の方
に流れる。増幅器(32)によって増幅された信号は、
前述のように高感度に設定されている検波回路(34)
に入力されて検波され、波形整形回路(36)によって
波形が整形されてデータイ3号(b)としてデータ読取
回路(16)に出力される。
′!i調された赤外光信号が受光素子(PD、)(PD
2)に入射すると、受光素子(P D 、)(P D
2)は周外光成分による光電流と赤外光信号による光電
流とを発生する。しかし、インダクタンス(L、)は交
流成分に対しては高いインピーダンスを持ち、一方コン
デンサ(C,)のインピーダンスは下がるので、受光素
子(P D 、)(P D2)の出力光電流のうちの交
流成分すなわち赤外光信号成分による光電流成分は、コ
ンデンサ(C3)を介して増幅器(32)に入力されて
増幅される。そして、直流成分すなわち周外光による光
電流成分は、コンデンサ(C5〉によってカットされる
ので、インピーダンス(Ll)および抵抗(R1)の方
に流れる。増幅器(32)によって増幅された信号は、
前述のように高感度に設定されている検波回路(34)
に入力されて検波され、波形整形回路(36)によって
波形が整形されてデータイ3号(b)としてデータ読取
回路(16)に出力される。
逆−二、周外光成分による受光素子(P D 、)(P
D、)の出力光′SL流成分成分きくて抵抗(R1)
の両端電圧が基準電圧よりも大きい場合は、コンパレー
タ(CON、)の出力がI(”になり、警告信号(c)
が発せられでべり7Tイ表示用発光グイオード(■L
E D )が点灯させられ、周外光によって正確な信号
の伝達が妨害されるおそれのあることが使用者に警告さ
れる。更に、フンパレータ(CON、)の出力がI4″
′になるとトランジスタ(Tr、)が導通し、抵抗(R
2)に加えて抵抗(R1)を介して検波回路(34)が
接地され、検波回路(34)からアースに流れる電流が
増えるのでその感度は低(なる。
D、)の出力光′SL流成分成分きくて抵抗(R1)
の両端電圧が基準電圧よりも大きい場合は、コンパレー
タ(CON、)の出力がI(”になり、警告信号(c)
が発せられでべり7Tイ表示用発光グイオード(■L
E D )が点灯させられ、周外光によって正確な信号
の伝達が妨害されるおそれのあることが使用者に警告さ
れる。更に、フンパレータ(CON、)の出力がI4″
′になるとトランジスタ(Tr、)が導通し、抵抗(R
2)に加えて抵抗(R1)を介して検波回路(34)が
接地され、検波回路(34)からアースに流れる電流が
増えるのでその感度は低(なる。
これは、周知のシタット雑音や蛍光灯の影響を除去する
ためである。すなわち、ショット雑音の強度はほぼ周外
光の明るさの平方根に比例し、周外光が強い場合には、
上記シタット雑音を信号成分と誤認してしまうことがあ
り、また蛍光灯などのパルス光を信号成分と誤認してし
まうことがあるので、これを防止するために、本実施例
にお〜1ては周外光成分が強い場合には検波回路(34
)の感度を低くしてこれらの雑音が信号として伝達され
ないようにしているのである。
ためである。すなわち、ショット雑音の強度はほぼ周外
光の明るさの平方根に比例し、周外光が強い場合には、
上記シタット雑音を信号成分と誤認してしまうことがあ
り、また蛍光灯などのパルス光を信号成分と誤認してし
まうことがあるので、これを防止するために、本実施例
にお〜1ては周外光成分が強い場合には検波回路(34
)の感度を低くしてこれらの雑音が信号として伝達され
ないようにしているのである。
ここで、交流点灯している光源の照明によってコンパレ
ータ(CON、)の出力がH″g″1.″を繰り返すの
を防止するためには、フンパレータ(CON、)にヒス
テリシスを持たせることが必要な場合があるが、本発明
には直接関係しないので、その説明は省略する。
ータ(CON、)の出力がH″g″1.″を繰り返すの
を防止するためには、フンパレータ(CON、)にヒス
テリシスを持たせることが必要な場合があるが、本発明
には直接関係しないので、その説明は省略する。
すなわち、第4図図示の回路の各電気素子の作用と動作
とをまとめると、まず、コンデンサ(C1)は直流成分
をカットするものであり、インダクタンス(L、)と抵
抗(R1)とは信号成分による光電流をコンデジサ(C
1)の方向に流し周外光成分による光電流をインダクタ
ンス(L、)の方向に流す役目をする。更に、コンパレ
ータ(CON、)は、周外光成分の強度に応じた抵抗(
Ro)の両端電圧を基準電圧と比較して、周外光の強度
が所定値以上か否かを判定する。ここで、インダクタン
ス(Ll)は直流抵抗値をほとんど持たないので、抵抗
(R1)の抵抗値を小さくすることによって受光素子(
PD 、)(P D 2)に負荷抵抗を接続して使用す
る場合の負荷特性を改善することがで終る。つまり、高
照度下においても回路が飽和してしまうことなしに、光
信号を正確に受信することが可能となるのである。ただ
し、あまり高照度になると周外光成分による雑音がデー
タ信号(b)としてデータ読取回路(16)に伝達され
てしまうので、本実施例では、コンパレータ(CON、
)による判定結果に応じて検波感度を制御して、雑音が
データ読取回路(16)に伝達されるのを防止するとと
もに、周外光成分が強い場合に表示を行っているのであ
る。
とをまとめると、まず、コンデンサ(C1)は直流成分
をカットするものであり、インダクタンス(L、)と抵
抗(R1)とは信号成分による光電流をコンデジサ(C
1)の方向に流し周外光成分による光電流をインダクタ
ンス(L、)の方向に流す役目をする。更に、コンパレ
ータ(CON、)は、周外光成分の強度に応じた抵抗(
Ro)の両端電圧を基準電圧と比較して、周外光の強度
が所定値以上か否かを判定する。ここで、インダクタン
ス(Ll)は直流抵抗値をほとんど持たないので、抵抗
(R1)の抵抗値を小さくすることによって受光素子(
PD 、)(P D 2)に負荷抵抗を接続して使用す
る場合の負荷特性を改善することがで終る。つまり、高
照度下においても回路が飽和してしまうことなしに、光
信号を正確に受信することが可能となるのである。ただ
し、あまり高照度になると周外光成分による雑音がデー
タ信号(b)としてデータ読取回路(16)に伝達され
てしまうので、本実施例では、コンパレータ(CON、
)による判定結果に応じて検波感度を制御して、雑音が
データ読取回路(16)に伝達されるのを防止するとと
もに、周外光成分が強い場合に表示を行っているのであ
る。
j!35図は、PIS4図の増幅検波回路の変形例を示
す回路図である。第4図の構成ではコンパレータ(CO
N、)の判定結果に応じて検波回路(34)の感度を切
り換えていたけれども、本変形例ではコンパレータ(C
ONI)のt’q定結果に応じて増幅器(32)の増幅
度を51!整している。第5図図示の構成について、第
4図の構成と異なる点を説明すると、増幅器(32)は
、抵抗(R6)お上りコンデンサ(C2)を介して接地
されている。そして、第4図と非反転入力・反転入力の
関係が逆のコンパレータ(CONl)の出力は、増幅器
(32)とコンデンサ(C2)との開に接続された抵抗
(R6)に直列にコレクタ・エミッタが接続されたトラ
ンジスタ(Trz)のペースに接続されでいる。従って
、増幅器(32)の増幅度は抵抗(Rs)(R,)によ
って定められる。
す回路図である。第4図の構成ではコンパレータ(CO
N、)の判定結果に応じて検波回路(34)の感度を切
り換えていたけれども、本変形例ではコンパレータ(C
ONI)のt’q定結果に応じて増幅器(32)の増幅
度を51!整している。第5図図示の構成について、第
4図の構成と異なる点を説明すると、増幅器(32)は
、抵抗(R6)お上りコンデンサ(C2)を介して接地
されている。そして、第4図と非反転入力・反転入力の
関係が逆のコンパレータ(CONl)の出力は、増幅器
(32)とコンデンサ(C2)との開に接続された抵抗
(R6)に直列にコレクタ・エミッタが接続されたトラ
ンジスタ(Trz)のペースに接続されでいる。従って
、増幅器(32)の増幅度は抵抗(Rs)(R,)によ
って定められる。
すなわち、周外光成分が小さくてそれによる光電流が少
ない場合には、コンパレータ(CON、)の出力は′H
”であり、トランジスタ(Tr2)は導通しているので
、増幅器(32)の増幅度は抵抗(R1)(R6)の両
方によって定められ、高い増幅度に設定されている。そ
して、周外光成分が大きくてそれによる光電流が基準電
圧よりも高い場合には、コンパレータ(CON、)の出
力が′″L″″になりトランジスタ(Tr2)が不導通
にさせられるので、増幅器(32)の増幅度は抵抗(R
2)のみによって定められ、より低い増幅度に設定され
る。従って、本変形例によれば、周外光成分が強い場合
には増幅器(32)の増幅度を低くすることによって、
雑音がデータ信号(1,)としてデータ読取面vt(1
6)に伝達されるのを防止している。尚、本変形例にお
いては、コンパレータ(CON、)の出力がインバータ
(I V)に入力され、このインバータ(IV)の出力
が警告信号(c)として用いられる。
ない場合には、コンパレータ(CON、)の出力は′H
”であり、トランジスタ(Tr2)は導通しているので
、増幅器(32)の増幅度は抵抗(R1)(R6)の両
方によって定められ、高い増幅度に設定されている。そ
して、周外光成分が大きくてそれによる光電流が基準電
圧よりも高い場合には、コンパレータ(CON、)の出
力が′″L″″になりトランジスタ(Tr2)が不導通
にさせられるので、増幅器(32)の増幅度は抵抗(R
2)のみによって定められ、より低い増幅度に設定され
る。従って、本変形例によれば、周外光成分が強い場合
には増幅器(32)の増幅度を低くすることによって、
雑音がデータ信号(1,)としてデータ読取面vt(1
6)に伝達されるのを防止している。尚、本変形例にお
いては、コンパレータ(CON、)の出力がインバータ
(I V)に入力され、このインバータ(IV)の出力
が警告信号(c)として用いられる。
更に、第6図は第4図図示の増幅検波回路の別の変形例
を示す回路図である。本変形例においては、コンパレー
タ(CON、)の判定結果に応じて検波回路(34)の
感度を3段階に切り換えるように構成されている。本変
形例において、インダクタンス(L、)と抵抗(R3)
との接続点は第2のコンパレータ(CON2)の非反転
入力端子に接続されている。そして、その反転入力端子
には基準電源(Vrefl)よりも高い基準電圧を発生
する第2の基rtA電源(Vref2)が接続されてい
る。そして、このコンパレータ(、CON 2)の出力
は、検波回路(34)とアースとの間に設けられた抵抗
(R1)に直列にフ゛レクタ・エミッタが接続されたト
ランジスタ(Tr3)のベースに接続されて−するに のような構成により、周外光成分の強度番二応じた抵抗
(R1)の両端電圧が十分に低ければ、コンパレータ(
CON、)(CON2)ともにその出力(土″L”であ
り、従ってトランジスタ(T rl)(T r*)とも
に不導通であるから、検波回路(34)の感度は抵抗(
Rz)のみによって定められ、もつとも高感度となる。
を示す回路図である。本変形例においては、コンパレー
タ(CON、)の判定結果に応じて検波回路(34)の
感度を3段階に切り換えるように構成されている。本変
形例において、インダクタンス(L、)と抵抗(R3)
との接続点は第2のコンパレータ(CON2)の非反転
入力端子に接続されている。そして、その反転入力端子
には基準電源(Vrefl)よりも高い基準電圧を発生
する第2の基rtA電源(Vref2)が接続されてい
る。そして、このコンパレータ(、CON 2)の出力
は、検波回路(34)とアースとの間に設けられた抵抗
(R1)に直列にフ゛レクタ・エミッタが接続されたト
ランジスタ(Tr3)のベースに接続されて−するに のような構成により、周外光成分の強度番二応じた抵抗
(R1)の両端電圧が十分に低ければ、コンパレータ(
CON、)(CON2)ともにその出力(土″L”であ
り、従ってトランジスタ(T rl)(T r*)とも
に不導通であるから、検波回路(34)の感度は抵抗(
Rz)のみによって定められ、もつとも高感度となる。
そして、抵抗(R1)の両端電圧がそれよりも少し高く
なると、基準電源(Vrerl)の基準電圧の方が基準
電源(Vre(’z)の基準電圧よりも低いので、コン
パレータ(CON、)の出力のみが”H”になり、トラ
ンジスタ(Tr、)のみが導通して抵抗(R2)に並列
に抵抗(R7)が接続される。従って、この場合には、
検波回路(34)の感度力弓段だけ落とされる。更に、
周外光成分が更に強くて抵抗(R1)の両端電圧が更に
高くなると、コンパレータ(CON 1)(CON 2
)ともに出力がH″になりトランジスタ(T rl)
(T rs)ともに導通するので、抵抗(R2)に並列
に抵抗(R1)および抵抗(R2)が接続され、検波回
路(34)の感度が更に2段目まで落とされる。このよ
うにして、本変形例によれば、検波回路(34)の感度
を3段階に変化せしめることができる。尚、本変形例に
おいてはフンパレータ(CONz)の出力が警告信号(
c)として用いられる。
なると、基準電源(Vrerl)の基準電圧の方が基準
電源(Vre(’z)の基準電圧よりも低いので、コン
パレータ(CON、)の出力のみが”H”になり、トラ
ンジスタ(Tr、)のみが導通して抵抗(R2)に並列
に抵抗(R7)が接続される。従って、この場合には、
検波回路(34)の感度力弓段だけ落とされる。更に、
周外光成分が更に強くて抵抗(R1)の両端電圧が更に
高くなると、コンパレータ(CON 1)(CON 2
)ともに出力がH″になりトランジスタ(T rl)
(T rs)ともに導通するので、抵抗(R2)に並列
に抵抗(R1)および抵抗(R2)が接続され、検波回
路(34)の感度が更に2段目まで落とされる。このよ
うにして、本変形例によれば、検波回路(34)の感度
を3段階に変化せしめることができる。尚、本変形例に
おいてはフンパレータ(CONz)の出力が警告信号(
c)として用いられる。
そして、4段階以上の検波回路の感度変化が必要であれ
ば、同様にして抵抗、トランジスタ、コンパレータ、お
よび基準電源を増やしていけばよい。又、第5図の変形
例と同様にして増幅器(32)の増幅度を周外光成分の
強度に応じて3段階以上に変化せしめることも容易に行
うことができる。
ば、同様にして抵抗、トランジスタ、コンパレータ、お
よび基準電源を増やしていけばよい。又、第5図の変形
例と同様にして増幅器(32)の増幅度を周外光成分の
強度に応じて3段階以上に変化せしめることも容易に行
うことができる。
第7図は受光素子(P D 1)(P D 2)を構成
するホ)ダイオードの負荷特性が明るいところでも良い
ので、回路が飽和することなく信号を読み取ることがで
きる場合の回路構成を示している。このような場合には
、受光素子(P CI)(P D 2)とインダクタン
ス(Ll)との接続点にコンデンサ(C,)を介して増
幅器(32)の入力端子を接続している。この場合には
、受光素子(PD、)(PD2)の出力光電流は、コン
デンサ(C,)によって直流成分が除去されて増幅器(
32)に入力されて増幅され、検波回路(34)によっ
て信号のみが検波されて波形整形回路(36)によって
出力波形が整形される。ただし、このような!flI#
、では、前述のごとき周外光成分の強度による表示、検
波回路(34)の感度切り換え、および増幅f!(32
)の増幅度切り換えはできない。
するホ)ダイオードの負荷特性が明るいところでも良い
ので、回路が飽和することなく信号を読み取ることがで
きる場合の回路構成を示している。このような場合には
、受光素子(P CI)(P D 2)とインダクタン
ス(Ll)との接続点にコンデンサ(C,)を介して増
幅器(32)の入力端子を接続している。この場合には
、受光素子(PD、)(PD2)の出力光電流は、コン
デンサ(C,)によって直流成分が除去されて増幅器(
32)に入力されて増幅され、検波回路(34)によっ
て信号のみが検波されて波形整形回路(36)によって
出力波形が整形される。ただし、このような!flI#
、では、前述のごとき周外光成分の強度による表示、検
波回路(34)の感度切り換え、および増幅f!(32
)の増幅度切り換えはできない。
第8図は、第4図の増幅検波回路の更に別の変形例を示
す回路図である。本変形例においては、フンパレータ(
CON、)の出力は、一方の入力端子に波形整形回路(
36)の出力が接続されたオア回路(IC,)の他方の
入力端子に接続されている。
す回路図である。本変形例においては、フンパレータ(
CON、)の出力は、一方の入力端子に波形整形回路(
36)の出力が接続されたオア回路(IC,)の他方の
入力端子に接続されている。
このような構成により、周外光成分の強度が低い場合に
は、フンパレータ(CON、)の出力はL”の*まであ
るので、オア回路(IC,)からは波形整形回路(36
)の出力信号がそ−のまま出力されて、データ読取回路
(16)に入力される。一方、周外光成分の強度が大き
い場合には、フンパレータ(CONl)の出力が”H”
となり、オフ回路(rc、)の出力は波形整形回路(3
6)の出力によらず′H”のままとなる。つまり、周外
光成分が大きい場合には、波形整形回路(36)からの
信号はデータ読取回路(16)には入力されずに nH
″に固定されてしまう。このように構成すれば、周外光
成分による雑音をデータ読取回路(16)に伝達するこ
とはなく、誤信号をデータ信号(b)としてデータ読取
回路(16)に伝達する誤動作は生じない。
は、フンパレータ(CON、)の出力はL”の*まであ
るので、オア回路(IC,)からは波形整形回路(36
)の出力信号がそ−のまま出力されて、データ読取回路
(16)に入力される。一方、周外光成分の強度が大き
い場合には、フンパレータ(CONl)の出力が”H”
となり、オフ回路(rc、)の出力は波形整形回路(3
6)の出力によらず′H”のままとなる。つまり、周外
光成分が大きい場合には、波形整形回路(36)からの
信号はデータ読取回路(16)には入力されずに nH
″に固定されてしまう。このように構成すれば、周外光
成分による雑音をデータ読取回路(16)に伝達するこ
とはなく、誤信号をデータ信号(b)としてデータ読取
回路(16)に伝達する誤動作は生じない。
fjS9図は、受光素子(P D 1)(P D 2)
の光電流のうち周外光成分に対応する直流成分のみを選
択する別の変形例を示す回路図である。本変形例では、
受光素子(PD、)(PD2)の光電流のうち直流成分
のみを取り出すために、抵抗(Ra)とコンデンサ(C
a)とからなる平滑回路が用いられている。そして、こ
の平滑回路の時定数は、蛍光灯などの60f(z程度の
交流成分は抵抗(Ra)とコンデンサ(Ca)との接続
点から取り出されるように設定されている。
の光電流のうち周外光成分に対応する直流成分のみを選
択する別の変形例を示す回路図である。本変形例では、
受光素子(PD、)(PD2)の光電流のうち直流成分
のみを取り出すために、抵抗(Ra)とコンデンサ(C
a)とからなる平滑回路が用いられている。そして、こ
の平滑回路の時定数は、蛍光灯などの60f(z程度の
交流成分は抵抗(Ra)とコンデンサ(Ca)との接続
点から取り出されるように設定されている。
そして、この接続、αの出力に応じて周外光の強度を判
定するように構成すれば、簡単な構成で周外光成分のみ
を取り出すことができる。
定するように構成すれば、簡単な構成で周外光成分のみ
を取り出すことができる。
次に、第3図図示のバッテリチェックシステムの動作に
ついて第10図のタイムチャートを用いて説明する。第
10図において、(1)は電源電池(E)の電圧が十分
ある場合の動作を示しており、まず時!II t o
1′電源スイツチ(SW、)が閉成されると、時刻t1
までタイマー回路(18)から一定時間T、のタイマー
信号(e)が発せられる。又、Mlaスイッチ(SW、
)の閉成によって発振器(20)から信号(r)が発せ
られる。この場合には、増幅検波回路(14)の警告信
号(C)およゾデータ読取回路(16)のベリファイ信
号(d)はともに発せられず、両出力はL″のままであ
る。そして、発振器(20)の出力信号(f)によって
オア回路(OR,)の出力がH″になり、従ってオア回
路(OR,)の出力がH”になってから所定時開τ。だ
け遅れて遅延回路(28)の出力信号(、)が”H”に
なる。更に、この遅延回路(28)の出力信号(論)に
よって表示駆動回路(30)が駆動され、その出力信号
(n)がH”となってベリフアイ表示用発光ダイオード
(VLED)が点灯させられる。ここで、タイマー信号
(e)が”H”となるのでノア回路(N OR、)の出
力信号(g)は”L”になり、従って発振器(20)の
出力信号D)はアンド回路(A N D 、)の出力(
11)には現れない。
ついて第10図のタイムチャートを用いて説明する。第
10図において、(1)は電源電池(E)の電圧が十分
ある場合の動作を示しており、まず時!II t o
1′電源スイツチ(SW、)が閉成されると、時刻t1
までタイマー回路(18)から一定時間T、のタイマー
信号(e)が発せられる。又、Mlaスイッチ(SW、
)の閉成によって発振器(20)から信号(r)が発せ
られる。この場合には、増幅検波回路(14)の警告信
号(C)およゾデータ読取回路(16)のベリファイ信
号(d)はともに発せられず、両出力はL″のままであ
る。そして、発振器(20)の出力信号(f)によって
オア回路(OR,)の出力がH″になり、従ってオア回
路(OR,)の出力がH”になってから所定時開τ。だ
け遅れて遅延回路(28)の出力信号(、)が”H”に
なる。更に、この遅延回路(28)の出力信号(論)に
よって表示駆動回路(30)が駆動され、その出力信号
(n)がH”となってベリフアイ表示用発光ダイオード
(VLED)が点灯させられる。ここで、タイマー信号
(e)が”H”となるのでノア回路(N OR、)の出
力信号(g)は”L”になり、従って発振器(20)の
出力信号D)はアンド回路(A N D 、)の出力(
11)には現れない。
時刻し、においで、タイマー回路(18)のタイマー信
号(e)がL″になると、ノア回路(NOR,)の出力
信号(g)はH”に反転し、ワンショット回路(22)
から短いパルス信号(i)が発せられる。このパルス信
号(i)はオア回路(OR2)を介して信号(k)とし
てバッテリチェック回路(26)に入力される。
号(e)がL″になると、ノア回路(NOR,)の出力
信号(g)はH”に反転し、ワンショット回路(22)
から短いパルス信号(i)が発せられる。このパルス信
号(i)はオア回路(OR2)を介して信号(k)とし
てバッテリチェック回路(26)に入力される。
そして、バッテリチェック回路(26)はこの入力パル
ス(k)に応じたタイミングで電源電池(E)の電圧V
ccをチェックし、電源電圧Vccが第10図にVre
r、にて示される所定値以上か否かを判定する。このバ
ッテリチェックがなされている時間内は、遅延回路(2
8)の出力信号(m)がオア回路(OR,)の出力より
時間τ。だけ遅れておりH”であるから、ベリファイ表
示用発光ダイオード(VLED)が点灯され続けている
。
ス(k)に応じたタイミングで電源電池(E)の電圧V
ccをチェックし、電源電圧Vccが第10図にVre
r、にて示される所定値以上か否かを判定する。このバ
ッテリチェックがなされている時間内は、遅延回路(2
8)の出力信号(m)がオア回路(OR,)の出力より
時間τ。だけ遅れておりH”であるから、ベリファイ表
示用発光ダイオード(VLED)が点灯され続けている
。
そして、時刻り。よりタイマー回路(18)によって定
められた一定時間T1が経過するとそのタイマー信号(
e)は”L”になる。すると、ノア回路(NOR,)の
出力信号(g)が”H”に反転するので、アンド回路(
AND、)からは発振器(20)の発振信号(f)に同
期した信号がアンド回路(AND、)から出力され、信
号(11)としてワンショット回路(24)に入力され
る。従って、ワンショット回路(24)からは信号(h
)の立ち上が9ごとに短いパルス信号(j)が出力され
る。そして、このパルス信号(j)の周期は発振器(2
0)の発振信号に同期している。
められた一定時間T1が経過するとそのタイマー信号(
e)は”L”になる。すると、ノア回路(NOR,)の
出力信号(g)が”H”に反転するので、アンド回路(
AND、)からは発振器(20)の発振信号(f)に同
期した信号がアンド回路(AND、)から出力され、信
号(11)としてワンショット回路(24)に入力され
る。従って、ワンショット回路(24)からは信号(h
)の立ち上が9ごとに短いパルス信号(j)が出力され
る。そして、このパルス信号(j)の周期は発振器(2
0)の発振信号に同期している。
このパルス信号(j)は、オフ回路(OR2)を通って
信号(k)としてバッテリチェック回路(26)に入力
され、このパルス信号(k)に応じたタイミングで電源
電圧Vecのチェックがなされる。
信号(k)としてバッテリチェック回路(26)に入力
され、このパルス信号(k)に応じたタイミングで電源
電圧Vecのチェックがなされる。
第10図の時刻t2からt、までの時間T2および時刻
t、からt5までの時間T2は、送信8!(12)から
送信データに応じた赤外光信号が送信され、その信号が
増@!g2波回路(14)仲よって増幅されて検波され
、データ読取回路(16)によって読み取られた場合の
各信号の状態を示している。この場合、タイマー回路(
18)のタイマー信号(e)は″L”のままであり、周
外光成分は少ないので増幅検波回路(14)からの警告
信号(c)もL”のままである。
t、からt5までの時間T2は、送信8!(12)から
送信データに応じた赤外光信号が送信され、その信号が
増@!g2波回路(14)仲よって増幅されて検波され
、データ読取回路(16)によって読み取られた場合の
各信号の状態を示している。この場合、タイマー回路(
18)のタイマー信号(e)は″L”のままであり、周
外光成分は少ないので増幅検波回路(14)からの警告
信号(c)もL”のままである。
データ読取回路(16)が送信されたデータを正確に読
み取った場合には、一定時間T2だけH″のべり7アイ
信号(d)が発せられる。このベリファイ信号(d)に
よってオア回路(OR,)の出力は一定時間T2だけ′
H”となり、従って遅延回路(28)からは、時間τ。
み取った場合には、一定時間T2だけH″のべり7アイ
信号(d)が発せられる。このベリファイ信号(d)に
よってオア回路(OR,)の出力は一定時間T2だけ′
H”となり、従って遅延回路(28)からは、時間τ。
遅れて’)(”の信号(論)が時間T2だけ出力される
。この”!4”の信号(、)によって表示駆動回路(3
0)が駆動されて、一定時間T2だけ14″の信号(n
)を出力し、従ってベリファイ表示用発光ダイオード(
VLED)が時間T2だけ点灯される。更に、”H″の
べり7アイ信号(d)はノア回路(NOR,)の出力信
号(g)を”L″に反転させるので、アンド回1i8(
A N D 、)の一方の入力がL”となるから、アン
ド回路(AND、)の出力信号(11)は”■4′のま
まとなる。故に、発振器(20)の出力信号(f)はア
ンド回路(AND、)の出力信号(h)には現れなくな
る。従って、データの読み取り中は、オア回vr(OR
2)のいずれの入力(i)(j)もL″のままであるの
で、この時間内はバッテリチェック動作は行なわれない
。
。この”!4”の信号(、)によって表示駆動回路(3
0)が駆動されて、一定時間T2だけ14″の信号(n
)を出力し、従ってベリファイ表示用発光ダイオード(
VLED)が時間T2だけ点灯される。更に、”H″の
べり7アイ信号(d)はノア回路(NOR,)の出力信
号(g)を”L″に反転させるので、アンド回1i8(
A N D 、)の一方の入力がL”となるから、アン
ド回路(AND、)の出力信号(11)は”■4′のま
まとなる。故に、発振器(20)の出力信号(f)はア
ンド回路(AND、)の出力信号(h)には現れなくな
る。従って、データの読み取り中は、オア回vr(OR
2)のいずれの入力(i)(j)もL″のままであるの
で、この時間内はバッテリチェック動作は行なわれない
。
そして、時刻し、もしくはt、においでデータ読取回路
(16)のベリ7フイ信号(d)が”L”に反転すると
、時刻tlと同様にワンショット回路(22)の出力信
号(i)に短いパルス信号が現れ、このパルスのタイミ
ングに応じてバッテリーチェック回路(26)によって
電源電圧Vccがチェックされる。
(16)のベリ7フイ信号(d)が”L”に反転すると
、時刻tlと同様にワンショット回路(22)の出力信
号(i)に短いパルス信号が現れ、このパルスのタイミ
ングに応じてバッテリーチェック回路(26)によって
電源電圧Vccがチェックされる。
このときに、遅延回路(28)によってベリファイ信号
(d)の反転は時+ffiτ。だけ遅れて表示駆動回路
(30)に入力されるので、ベリファイ表示用発光ダイ
オード(V L E D )は、6灯させられている。
(d)の反転は時+ffiτ。だけ遅れて表示駆動回路
(30)に入力されるので、ベリファイ表示用発光ダイ
オード(V L E D )は、6灯させられている。
次に、第10図の時刻L6からL7までの動作について
説明する。これは周外光の強度が高い場合の動作である
。まず、増幅検波回路(14)が周外光強度が所定値以
上であると判定すると、警告信号(c)として”H″を
出力する。これによって、オア回路(OR,)の出力は
”!(″となり、警告信号(c)の立ち上がりから時間
τ0だけ遅れてベリファイ表示用発光ダイオード(VL
ED)が点灯させられて、使用者に周外光強度が高いこ
とが警告される。
説明する。これは周外光の強度が高い場合の動作である
。まず、増幅検波回路(14)が周外光強度が所定値以
上であると判定すると、警告信号(c)として”H″を
出力する。これによって、オア回路(OR,)の出力は
”!(″となり、警告信号(c)の立ち上がりから時間
τ0だけ遅れてベリファイ表示用発光ダイオード(VL
ED)が点灯させられて、使用者に周外光強度が高いこ
とが警告される。
この場合には、タイマー回路(18)のタイマー信号(
e)は”L″であり、データ読取回路(16)のベリフ
ァイ信号(d)も1ml、I+である。従って、ノア回
路(NOR,)の出力信号(g)は”H″となり、オア
回路(OR,)の出力信号(k)としては発振W<20
)の発振信号(f)に応じて短いパルスが発せられる。
e)は”L″であり、データ読取回路(16)のベリフ
ァイ信号(d)も1ml、I+である。従って、ノア回
路(NOR,)の出力信号(g)は”H″となり、オア
回路(OR,)の出力信号(k)としては発振W<20
)の発振信号(f)に応じて短いパルスが発せられる。
これによって、バッテリーチェック回路(26)は電源
電圧Vccを周期的にチェックする。
電圧Vccを周期的にチェックする。
ここで、バッテリーチェック回路(26)を作動させる
ためのタイミングパルス(M号(k))が、特大1to
から1+の間、t2からし、の1I11.およびり、が
らt5の間に発せられず、それ以外の時間にのみ発せら
れるのは、以下の理由による。まず、時刻t0から1の
間は′It源スイッチ(SW、)が閉成された直後であ
り、電源スィッチ(SW、)の閉成がら一定時間T、の
間はベリファイ表示用発光ダイオード(VLED)を点
灯させて、その間は表示のまぎられしさを除くために電
圧低下警告用発光ダイオード(BCLED)を点灯させ
ないためである。そして、時刻t2から1.およびし、
からし、の間は、もしこの間にバッテリーチェックが行
なわれて電源電圧Vccが所定値Vref−以下である
と判定されると、バッテリーチェック回路(26)の出
力信号(0)から”Hoがデータ読取回路(16)に入
力され、それに上ってベリファイ信号(d)が”トI″
に反転してべり7アイ表示用発光ダイオード(v t、
E D )が消灯させられるとともに、動作を停止す
るように構成されているので、ベリファイ表示用発光ダ
イオード(VLED)の点灯時間が短くなって一定時[
T 2でな(なってしまうからである、そこで、本実施
例では上記3つの時間内はバッテリーチェック動作をさ
せないように構成されているのである。
ためのタイミングパルス(M号(k))が、特大1to
から1+の間、t2からし、の1I11.およびり、が
らt5の間に発せられず、それ以外の時間にのみ発せら
れるのは、以下の理由による。まず、時刻t0から1の
間は′It源スイッチ(SW、)が閉成された直後であ
り、電源スィッチ(SW、)の閉成がら一定時間T、の
間はベリファイ表示用発光ダイオード(VLED)を点
灯させて、その間は表示のまぎられしさを除くために電
圧低下警告用発光ダイオード(BCLED)を点灯させ
ないためである。そして、時刻t2から1.およびし、
からし、の間は、もしこの間にバッテリーチェックが行
なわれて電源電圧Vccが所定値Vref−以下である
と判定されると、バッテリーチェック回路(26)の出
力信号(0)から”Hoがデータ読取回路(16)に入
力され、それに上ってベリファイ信号(d)が”トI″
に反転してべり7アイ表示用発光ダイオード(v t、
E D )が消灯させられるとともに、動作を停止す
るように構成されているので、ベリファイ表示用発光ダ
イオード(VLED)の点灯時間が短くなって一定時[
T 2でな(なってしまうからである、そこで、本実施
例では上記3つの時間内はバッテリーチェック動作をさ
せないように構成されているのである。
更に、このような光通信装置の受信機においては、その
発光表示は遠く離れた位置から確認できることが必要で
あり、そのために表示用発光ダイオードは非常に大きな
電流で駆動される。従って、ベリファイ表示用発光ダイ
オード(VLED)の、α灯中に電圧低下警告用発光ダ
イオード(B CL ED)をも点灯させるのは好まし
くないので、時刻t。からtl、t2から15、および
t、からt、の間はバッテリーチェックがなされないよ
うに構成されているのである。
発光表示は遠く離れた位置から確認できることが必要で
あり、そのために表示用発光ダイオードは非常に大きな
電流で駆動される。従って、ベリファイ表示用発光ダイ
オード(VLED)の、α灯中に電圧低下警告用発光ダ
イオード(B CL ED)をも点灯させるのは好まし
くないので、時刻t。からtl、t2から15、および
t、からt、の間はバッテリーチェックがなされないよ
うに構成されているのである。
ただし、時刻L0+τ。からt1+τ。、t2+τ。か
らt、+τo1 およびt、十τ0からt5+τ0のベ
リファイ表示用発光ダイオード(VLED)点灯中にお
いては、この発光ダイオード(VLED)が消灯される
直前に電源電圧Vccが最も低下していると思われるの
で、発光ダイオード(V L E D )の消灯のτ。
らt、+τo1 およびt、十τ0からt5+τ0のベ
リファイ表示用発光ダイオード(VLED)点灯中にお
いては、この発光ダイオード(VLED)が消灯される
直前に電源電圧Vccが最も低下していると思われるの
で、発光ダイオード(V L E D )の消灯のτ。
だけ前、すなわち時刻し4、t2、t、においでバッテ
リーチェックが行なわれて電’fAN圧が以後安定して
供給されるか杏かをチェックするように構成されている
。
リーチェックが行なわれて電’fAN圧が以後安定して
供給されるか杏かをチェックするように構成されている
。
第10図のタイムチャートの(2)は、電源電圧Vcc
が所定値Vre4−以下に低下した場合の動作を示して
いる。バッテリーチェック回路(26)はオア回路(O
R2)からの出力パルス(k)に応じて71源電圧Vc
cをチェックし、時刻t、で?!!源電圧Vccが所定
値Vrefs以下になったと判定すると、出力(1)(
、)からそれぞれH″を出力する。これによって、電圧
低下警告用発光ダイオード(BCLED>が点灯せしめ
られて電源電圧の低下が表示されるとともに、データ読
取回路(16)の動作が停止させられる。そして、バッ
テリーチェック回路(26)は、一旦電源電圧Vccが
所定値Vref3以下になると、その後に所定値Vre
4−以上になっても出力(1)(o)は”H”のままの
状態を保持し、この解除は電源スィッチ(SW、)を開
放することによってなされる6更に、第10図のタイム
チャートの(3)は、電源スィッチ(SWI)がI!’
]成されてタイマー回路(18)が作動している間に電
源電圧Vccが所定値Vref3以下に低下した場合の
動作を示している。ここで、前述のようにタイマー回路
(18)のタイマー信号(e)が”H″である時刻[、
からtl。の間の時間T、はバッテリーチェックが行な
われず、タイマー信号(e)がL”になってから時刻【
1゜ではじめてバッテリーチェック回路(26)が作動
させられて、電源電圧Vccが所定値Vrefz以下で
あることが判定され、電圧低下警告用発光ダイオード(
BCLED)が、α灯させられる。
が所定値Vre4−以下に低下した場合の動作を示して
いる。バッテリーチェック回路(26)はオア回路(O
R2)からの出力パルス(k)に応じて71源電圧Vc
cをチェックし、時刻t、で?!!源電圧Vccが所定
値Vrefs以下になったと判定すると、出力(1)(
、)からそれぞれH″を出力する。これによって、電圧
低下警告用発光ダイオード(BCLED>が点灯せしめ
られて電源電圧の低下が表示されるとともに、データ読
取回路(16)の動作が停止させられる。そして、バッ
テリーチェック回路(26)は、一旦電源電圧Vccが
所定値Vref3以下になると、その後に所定値Vre
4−以上になっても出力(1)(o)は”H”のままの
状態を保持し、この解除は電源スィッチ(SW、)を開
放することによってなされる6更に、第10図のタイム
チャートの(3)は、電源スィッチ(SWI)がI!’
]成されてタイマー回路(18)が作動している間に電
源電圧Vccが所定値Vref3以下に低下した場合の
動作を示している。ここで、前述のようにタイマー回路
(18)のタイマー信号(e)が”H″である時刻[、
からtl。の間の時間T、はバッテリーチェックが行な
われず、タイマー信号(e)がL”になってから時刻【
1゜ではじめてバッテリーチェック回路(26)が作動
させられて、電源電圧Vccが所定値Vrefz以下で
あることが判定され、電圧低下警告用発光ダイオード(
BCLED)が、α灯させられる。
更に、タイムチャートの(4)は、電源電池(E)が消
耗されていて、電源スィッチ(SW、)のV!i戊時点
tllよりも前に電池電圧Eが回路動作や発光ダイオー
ド駆動のだめの限界電圧■。よりも低くなっている場合
の動作を示している。この場合には、′trL源スイッ
チ(SWI)を閉成しても面発光グイt−)’(VLE
D)(BCLED)とも+:、#灯りないので、電源電
池(E)の電圧低下が直ちに示される。 ここで、タイ
ムチャートの(1)と(4)とを比べると明らかなよう
に、(1)の正常状態では電源スィッチ(SW、)を閉
成してから一定時間T1だけベリファイ表示用発光ダイ
オード(VLED)を点灯させないと、(4)の電池電
圧低下時と区別した表示を行うことができないので、本
実施例では正常状態において一定時間T1だけベリファ
イ表示m発光ダイオード(V L E D )を、1.
kK灯させているのである。
耗されていて、電源スィッチ(SW、)のV!i戊時点
tllよりも前に電池電圧Eが回路動作や発光ダイオー
ド駆動のだめの限界電圧■。よりも低くなっている場合
の動作を示している。この場合には、′trL源スイッ
チ(SWI)を閉成しても面発光グイt−)’(VLE
D)(BCLED)とも+:、#灯りないので、電源電
池(E)の電圧低下が直ちに示される。 ここで、タイ
ムチャートの(1)と(4)とを比べると明らかなよう
に、(1)の正常状態では電源スィッチ(SW、)を閉
成してから一定時間T1だけベリファイ表示用発光ダイ
オード(VLED)を点灯させないと、(4)の電池電
圧低下時と区別した表示を行うことができないので、本
実施例では正常状態において一定時間T1だけベリファ
イ表示m発光ダイオード(V L E D )を、1.
kK灯させているのである。
タイムチャートの(5)は送(i!されたデータをデー
タ読取回路(16)が正確に読み取り、それによりて”
H″のベリファイ信号(d)が出力されてベリフアイ表
示用発光ダイオード(VLED)が点灯させられている
間に、電源電圧Vecが所定値Vre「−以下になった
場合の動作を示している。この場合には、前述のように
べり7アイ表示用発光ダイオード(VLED)が消灯さ
せられる時点t14のバッテリーチェック用タイミング
パルス(k)によってバッテリーチェック回路(26)
が作動させられ、電源電圧Vccのチェックがなされて
その低下が判定されて、電圧低下警告用発光ダイオード
(BCLED)が点灯させられ、電源電圧の低下が警告
される。
タ読取回路(16)が正確に読み取り、それによりて”
H″のベリファイ信号(d)が出力されてベリフアイ表
示用発光ダイオード(VLED)が点灯させられている
間に、電源電圧Vecが所定値Vre「−以下になった
場合の動作を示している。この場合には、前述のように
べり7アイ表示用発光ダイオード(VLED)が消灯さ
せられる時点t14のバッテリーチェック用タイミング
パルス(k)によってバッテリーチェック回路(26)
が作動させられ、電源電圧Vccのチェックがなされて
その低下が判定されて、電圧低下警告用発光ダイオード
(BCLED)が点灯させられ、電源電圧の低下が警告
される。
次に、第1図図示の受信機(6)の内部の構造について
説明する。まず、第11図(a)(b)は、第1図のB
断面である。第11図(a)(b)において、受光窓(
101)の内部には一対の受光レンズ(104)、−肘
の帯域透過フィルタ(112)、および受光素子(PD
、)(PD2)が外界から順に配設されている。また、
受光レンズ(104)の外界側にはそれぞれ上下一対の
遮光7=′(105)が設けられている。第11図(a
)は遮光7−ド(ios)の開き角度を大にした場合、
第11図(b)は遮光7−ド(105)の開き角度を小
にした場合の、それぞれ遮光フード(105)の位置と
受光素子(PDP)(P D 2)中の素子チップ(P
Da)に向かう入射光との関係を示すゆ 第12図は上記1′Nの遮光7−ド(105)とその回
転軸(113)との構成を示す斜視図である。
説明する。まず、第11図(a)(b)は、第1図のB
断面である。第11図(a)(b)において、受光窓(
101)の内部には一対の受光レンズ(104)、−肘
の帯域透過フィルタ(112)、および受光素子(PD
、)(PD2)が外界から順に配設されている。また、
受光レンズ(104)の外界側にはそれぞれ上下一対の
遮光7=′(105)が設けられている。第11図(a
)は遮光7−ド(ios)の開き角度を大にした場合、
第11図(b)は遮光7−ド(105)の開き角度を小
にした場合の、それぞれ遮光フード(105)の位置と
受光素子(PDP)(P D 2)中の素子チップ(P
Da)に向かう入射光との関係を示すゆ 第12図は上記1′Nの遮光7−ド(105)とその回
転軸(113)との構成を示す斜視図である。
遮光7−ド(105)は、その回動基部(105b)と
受M’ff1本体(6)に固定して設けられた回転軸(
113)の9n部(113a)との間にはさまれた摩擦
ワッシャ(1,14)の摩擦力により、回転軸(113
)に摩擦保持されている。そして、遮光7−ド(105
)はその操作端(105a)を手動操作することにより
2個の回転軸(1,13)のまわりに回軒可能で、第1
1図に示す(、)の状態や(b)の状態に、個々に開き
角度を任意に連続無段階に設定可能である。
受M’ff1本体(6)に固定して設けられた回転軸(
113)の9n部(113a)との間にはさまれた摩擦
ワッシャ(1,14)の摩擦力により、回転軸(113
)に摩擦保持されている。そして、遮光7−ド(105
)はその操作端(105a)を手動操作することにより
2個の回転軸(1,13)のまわりに回軒可能で、第1
1図に示す(、)の状態や(b)の状態に、個々に開き
角度を任意に連続無段階に設定可能である。
第13図は受光素子(P D 、)(P D 2)の入
射光束についての比感度入射特性を示すグラフである。
射光束についての比感度入射特性を示すグラフである。
!m13図において、(A)の曲線はfjS11図(a
)のように遮光フード(105)の開き角度を大にした
場合の特性を示し、CB)の曲線は第11図(b)のよ
うに遮光フード(105)の開き角度を小にした場合の
特性を示している。
)のように遮光フード(105)の開き角度を大にした
場合の特性を示し、CB)の曲線は第11図(b)のよ
うに遮光フード(105)の開き角度を小にした場合の
特性を示している。
遮光7−ド(105)は、通常は第11図(a>に示す
開き角度最大の状態で使用される。この場合、光軸から
の入射角α以内の範囲で入射する光束を、素子チップ(
PDa)の全面で捕捉することが可能である。二の場合
の受光部の比感度特性は第13図に曲!<A)で示す幅
広のものとなる。一方、周外光が極端に多い場合、すな
わち送信機の背影の輝度が極端に高い場合は、受信機は
正常受信不可能となる。この場合は第11図(b)に示
すように遮光フード(105)の開き角度を小さくする
のが効果的である。この状態では、光軸とほぼ平行に入
射する光束のみが素子チップ(PDa)の全面で受光可
能であり、入射角がβ以上となる光束は全く素子チップ
(PDn)に届かない。この場合の受光部の比感度特性
は第13図に曲41(B)で示す幅狭のものとなる。曲
#a(A)と曲線(B)とを比較すると、光軸上(θ=
0)においては両回線ともに比感度がほとんど等しく、
曲線と横軸で囲まれる面積は曲#1(B)の方が曲線(
A)の数分の1であることがわかる。したがって、周外
光が強い場合には、曲#1(B)で表わされる比感度特
性を得るように第11 [Z<1+)ノ状態1.[光7
−)’(105)を操作し、受信機(6)の光軸上に送
信機(12)を設置して通信を行えば、送信機(12)
に対する感度はほぼ第11図(a)の状態と同等のまま
、周外光の影響を数分の1に低減することができる。そ
れにより第11図(a)の状態では正常受信不可能であ
ったものを可能とすることができる。
開き角度最大の状態で使用される。この場合、光軸から
の入射角α以内の範囲で入射する光束を、素子チップ(
PDa)の全面で捕捉することが可能である。二の場合
の受光部の比感度特性は第13図に曲!<A)で示す幅
広のものとなる。一方、周外光が極端に多い場合、すな
わち送信機の背影の輝度が極端に高い場合は、受信機は
正常受信不可能となる。この場合は第11図(b)に示
すように遮光フード(105)の開き角度を小さくする
のが効果的である。この状態では、光軸とほぼ平行に入
射する光束のみが素子チップ(PDa)の全面で受光可
能であり、入射角がβ以上となる光束は全く素子チップ
(PDn)に届かない。この場合の受光部の比感度特性
は第13図に曲41(B)で示す幅狭のものとなる。曲
#a(A)と曲線(B)とを比較すると、光軸上(θ=
0)においては両回線ともに比感度がほとんど等しく、
曲線と横軸で囲まれる面積は曲#1(B)の方が曲線(
A)の数分の1であることがわかる。したがって、周外
光が強い場合には、曲#1(B)で表わされる比感度特
性を得るように第11 [Z<1+)ノ状態1.[光7
−)’(105)を操作し、受信機(6)の光軸上に送
信機(12)を設置して通信を行えば、送信機(12)
に対する感度はほぼ第11図(a)の状態と同等のまま
、周外光の影響を数分の1に低減することができる。そ
れにより第11図(a)の状態では正常受信不可能であ
ったものを可能とすることができる。
又、遮光7−ド(105)は2個がそれぞれ別個に開開
調節可能であるので、2個の7−ドにより作られる開口
の中心を光軸からずれた位置に設定することも可能であ
る。従って、第13図に曲線(B)で示されるような比
感度特性を、中心を光軸からずらせて設定することも可
能である。
調節可能であるので、2個の7−ドにより作られる開口
の中心を光軸からずれた位置に設定することも可能であ
る。従って、第13図に曲線(B)で示されるような比
感度特性を、中心を光軸からずらせて設定することも可
能である。
第14図(a)(b)はそれぞれ第1図のA断面を示し
ている。f514図(a)(b)において、受イ3表示
窓(10G)の内部には、ベリファイ表示用発光ダイオ
ード(VLED)が収納されている。第14図(、)は
、受信表示窓(106)をその光軸上の遠方から見た場
合に受信表示窓外?iL側面で反射する光線の逆トレー
スを示している。また、第14図(b)は、受信表示窓
(106)をその光軸からある角度ずれた遠方から見た
場合の光線の逆トレースを示している。また、fpJ1
5図は上記受信表示窓(106)の波長に対する分光透
過率特性(C)と、ベリファイ表示用発光ダイオード(
VLED)が発する光の波長に対する相対強度特性(D
)とを重ね合わせて示したものである。
ている。f514図(a)(b)において、受イ3表示
窓(10G)の内部には、ベリファイ表示用発光ダイオ
ード(VLED)が収納されている。第14図(、)は
、受信表示窓(106)をその光軸上の遠方から見た場
合に受信表示窓外?iL側面で反射する光線の逆トレー
スを示している。また、第14図(b)は、受信表示窓
(106)をその光軸からある角度ずれた遠方から見た
場合の光線の逆トレースを示している。また、fpJ1
5図は上記受信表示窓(106)の波長に対する分光透
過率特性(C)と、ベリファイ表示用発光ダイオード(
VLED)が発する光の波長に対する相対強度特性(D
)とを重ね合わせて示したものである。
受信表示窓(106)の外界面(106a)における反
射光については、第14図(a)(b)が示すように、
目に届く光線はすべて受信機本体(6)の坑壁部(6c
)から発するものである。したがって、受信表示窓(1
06)をながめると、その表面(106a)には受信機
本体の坑壁部(6c)が映ることになる。そして、この
坑壁部(6c)は黒塗装等により低反射率にされている
。よって、この構成により、受信表示窓(106)の外
界面(106a)に外界からの直射反射光が映って見え
ることなく、また低反射率の面が映って見えることにな
るので、受信表示窓(IOC)の表面の輝度を低く保つ
ことが可能である。また受信表示窓(106)の発光ダ
イオード側面(106b)についても上記外界面(10
6b)と全く同じ効果がある。このように構成すれば、
外界から見た場合の受信表示窓(106)の外光反射の
輝度を低減することができるので、内部のベリファイ表
示用発光ダイオード(VLED)の点灯時の外界から見
た輝度のS/N比を高めることができ、観察者による点
滅の確認が容易になる。
射光については、第14図(a)(b)が示すように、
目に届く光線はすべて受信機本体(6)の坑壁部(6c
)から発するものである。したがって、受信表示窓(1
06)をながめると、その表面(106a)には受信機
本体の坑壁部(6c)が映ることになる。そして、この
坑壁部(6c)は黒塗装等により低反射率にされている
。よって、この構成により、受信表示窓(106)の外
界面(106a)に外界からの直射反射光が映って見え
ることなく、また低反射率の面が映って見えることにな
るので、受信表示窓(IOC)の表面の輝度を低く保つ
ことが可能である。また受信表示窓(106)の発光ダ
イオード側面(106b)についても上記外界面(10
6b)と全く同じ効果がある。このように構成すれば、
外界から見た場合の受信表示窓(106)の外光反射の
輝度を低減することができるので、内部のベリファイ表
示用発光ダイオード(VLED)の点灯時の外界から見
た輝度のS/N比を高めることができ、観察者による点
滅の確認が容易になる。
また受信表示窓(106)はPt515図に曲#R(C
)で示されるように、可視域では、ベリファイ表示用発
光ダイオード(VLED)が発する光の大半を透過し、
それ以外の帯域の光を吸収する材料で作られている。し
たがって、発光ダイオード(VLED)のチップ面(a
h)および反射傘面(rp)を照らす外光は過半数の成
分が受信表示窓(106)により遮断される。一方、ベ
リファイ表示用発光ダイオード(VLED)から発する
光はその大半が受信表示窓(106)を透過して外界へ
出ることができる。よって、この受M表示窓(106)
の分光透過率特性によっても、内部のべり7アイ表示用
発光ダイオード(VLED)の点滅時の外界から見た輝
度のS/N比を高めることができ、観察者による点滅の
確認が容易になる。
)で示されるように、可視域では、ベリファイ表示用発
光ダイオード(VLED)が発する光の大半を透過し、
それ以外の帯域の光を吸収する材料で作られている。し
たがって、発光ダイオード(VLED)のチップ面(a
h)および反射傘面(rp)を照らす外光は過半数の成
分が受信表示窓(106)により遮断される。一方、ベ
リファイ表示用発光ダイオード(VLED)から発する
光はその大半が受信表示窓(106)を透過して外界へ
出ることができる。よって、この受M表示窓(106)
の分光透過率特性によっても、内部のべり7アイ表示用
発光ダイオード(VLED)の点滅時の外界から見た輝
度のS/N比を高めることができ、観察者による点滅の
確認が容易になる。
以上詳述したように、本実施例によれば、周外光の強度
が強くて信号光による正確なデータ通信がなされない可
能性がある場合は、べり7アイ表示用発光ダイオード(
V L E D )が点灯せしめられて警告がなされる
ので、使用者が受信機(6)の向きを変えるなどして正
確なデータ通信がなされるように対応することがでさ、
不正確な情報伝達による誤動作を未然に防ぐことができ
る。更に、周外光の強度が強い場合は増幅検波回路(1
4)の感度を低下させて、周外光による誤動作の可能性
を減少させることができる。更に、本実施例によれば、
電源電圧が十分にある場合には電源スィッチ(SWI)
の閉成から一定時間だけベリファイ表示用発光ダイオー
ド(V L E D )が点灯せしめられ、?!!源電
圧電圧ずかに低下している場合には上記ベリファイ表示
用発光ダイオード(VLED)と電圧低下警告用発光ダ
イオード(BCLED)とが点灯せしめられる上に、電
源電圧が非常に低下している場合には両売光ダイオード
(V L E D )(B CLED)ともに点灯せし
められないので、2つの表示素子によって3種の状態を
それぞれ区別して表示することができる。また、本実施
例によれば、増幅検波回路(14)によって、周外光成
分に応じた光電流と信号成分に応じた光電流とを分離す
ることができ、この周外光成分に応じて上述のごとき表
示や感度切り換えをおこなうことができるので、屋外の
ような周外光成分の強い場所でも正確な光通信を行うこ
とができる。
が強くて信号光による正確なデータ通信がなされない可
能性がある場合は、べり7アイ表示用発光ダイオード(
V L E D )が点灯せしめられて警告がなされる
ので、使用者が受信機(6)の向きを変えるなどして正
確なデータ通信がなされるように対応することがでさ、
不正確な情報伝達による誤動作を未然に防ぐことができ
る。更に、周外光の強度が強い場合は増幅検波回路(1
4)の感度を低下させて、周外光による誤動作の可能性
を減少させることができる。更に、本実施例によれば、
電源電圧が十分にある場合には電源スィッチ(SWI)
の閉成から一定時間だけベリファイ表示用発光ダイオー
ド(V L E D )が点灯せしめられ、?!!源電
圧電圧ずかに低下している場合には上記ベリファイ表示
用発光ダイオード(VLED)と電圧低下警告用発光ダ
イオード(BCLED)とが点灯せしめられる上に、電
源電圧が非常に低下している場合には両売光ダイオード
(V L E D )(B CLED)ともに点灯せし
められないので、2つの表示素子によって3種の状態を
それぞれ区別して表示することができる。また、本実施
例によれば、増幅検波回路(14)によって、周外光成
分に応じた光電流と信号成分に応じた光電流とを分離す
ることができ、この周外光成分に応じて上述のごとき表
示や感度切り換えをおこなうことができるので、屋外の
ような周外光成分の強い場所でも正確な光通信を行うこ
とができる。
尚、本実施例においては、信号受信用の受光素子(P
D 、)(P D 2)の出力から周外光成分を検出す
るように構成されでいたが、これに限定されるものでは
なく、周外光検出用に受光素子を別に設けても良い。た
だし、本実施例のように信号受信用受光素子と兼用すれ
ば、構成を簡単にすることができる。
D 、)(P D 2)の出力から周外光成分を検出す
るように構成されでいたが、これに限定されるものでは
なく、周外光検出用に受光素子を別に設けても良い。た
だし、本実施例のように信号受信用受光素子と兼用すれ
ば、構成を簡単にすることができる。
f516図は、温度に応じてホトダイオードからなる受
光素子(PD、)(PD2)のどちらが一方を選別して
使用する本発明の別実施例の要部を示す回路図である。
光素子(PD、)(PD2)のどちらが一方を選別して
使用する本発明の別実施例の要部を示す回路図である。
第16図において、電源電池(E)がらの電圧(Vcc
)は、それぞれ受光素子(PD、)(PD2)のカソー
ドに直列に接続されたアナログスイッチ(S W 2)
(S W 3)にそれぞれ接続されている。そして、コ
ンパレータ(CON 、)の反転入力端子は、温度を検
知して検地された温度に比例する電圧に変えて出力する
温度検知回路(TD)に接続されている。一方、コンパ
レータ(CON3)の非反転入力端子は、接地を基準と
する基*ffl圧を作り出す基準電源(Vref、)に
接続されている。そして、コンパレータ(CON、)の
出力はアナログスイッチ(SW2)のデートに接続され
ているとともに、インバータ回路(IC3)を介してア
ナログスイッチ(SW、)のデートにも接続されている
。また、受光素子(P D 、)(P D 2)の7ノ
ードは出カイ3号(、)とじて第3図図示の増幅検波回
路(1・口に接続されてν・る。ここで、第17図に受
光素子(P D 、)(P D 2)の分光感度特性を
曲m(K )(F )にそれぞれ示゛t。
)は、それぞれ受光素子(PD、)(PD2)のカソー
ドに直列に接続されたアナログスイッチ(S W 2)
(S W 3)にそれぞれ接続されている。そして、コ
ンパレータ(CON 、)の反転入力端子は、温度を検
知して検地された温度に比例する電圧に変えて出力する
温度検知回路(TD)に接続されている。一方、コンパ
レータ(CON3)の非反転入力端子は、接地を基準と
する基*ffl圧を作り出す基準電源(Vref、)に
接続されている。そして、コンパレータ(CON、)の
出力はアナログスイッチ(SW2)のデートに接続され
ているとともに、インバータ回路(IC3)を介してア
ナログスイッチ(SW、)のデートにも接続されている
。また、受光素子(P D 、)(P D 2)の7ノ
ードは出カイ3号(、)とじて第3図図示の増幅検波回
路(1・口に接続されてν・る。ここで、第17図に受
光素子(P D 、)(P D 2)の分光感度特性を
曲m(K )(F )にそれぞれ示゛t。
次に、本実施例の動作につり)て説明する。まず、光信
号によって遠隔通信を行う装置におり1て、受信機側の
受光素子の分光感度と送Mt91側の発光ダイオードの
分光感度とを一致させて使用するのが〜番良いが、一般
に、発光ダイオードの発光ピーク波長は、第18図の如
く温度が上昇するにつれて(G)から(ト1)(I)へ
と長波長側へシフトする。
号によって遠隔通信を行う装置におり1て、受信機側の
受光素子の分光感度と送Mt91側の発光ダイオードの
分光感度とを一致させて使用するのが〜番良いが、一般
に、発光ダイオードの発光ピーク波長は、第18図の如
く温度が上昇するにつれて(G)から(ト1)(I)へ
と長波長側へシフトする。
従って、低温で受光素子(PD、)(PD2)が互り・
に同じ分光感度を持ち、発光ダイオードとの分光感度特
性と一致していても、発光ダイオードは温度上昇により
分光感度が変わるので、受光素子(PD 、)(P D
2)により発生する光電流のうち信号1こよるものが
小さくなり、周外光を二よる光電流のみが火さく発生し
てしまうことになり、S/N比が悪くなる。そこで、本
実施例では、第17図のような互いに異なる分光感度を
持つ2つの受光素子(P D 、)(P D 2)を設
けて、低温では受光素子(PD、)の出力を用い、高温
になると受光素子(PD2)の出力を使用するようにv
1戊することによって、低温でも高温でもS/N比の高
い状態で動作させることができるのである。
に同じ分光感度を持ち、発光ダイオードとの分光感度特
性と一致していても、発光ダイオードは温度上昇により
分光感度が変わるので、受光素子(PD 、)(P D
2)により発生する光電流のうち信号1こよるものが
小さくなり、周外光を二よる光電流のみが火さく発生し
てしまうことになり、S/N比が悪くなる。そこで、本
実施例では、第17図のような互いに異なる分光感度を
持つ2つの受光素子(P D 、)(P D 2)を設
けて、低温では受光素子(PD、)の出力を用い、高温
になると受光素子(PD2)の出力を使用するようにv
1戊することによって、低温でも高温でもS/N比の高
い状態で動作させることができるのである。
ここで、本実施例に使用している温度検知回路(TD)
は、温度を検知してその温度に比例する電圧を出力する
ように構成されている。つまり、温度が低い場合には温
度検知回路(TD)が出力する電圧は小さく、温度が高
い場合には出力する電圧が大きくなるようになっている
。そこで、基準電源(Vrcf、)からの電圧よりも温
度検知回路(TD)からの出力電圧が小さい場合、すな
わち、低温の場合はコンパレータ(CON 、)の出力
はH”となる。すると、このH”の信号がアナログスイ
ッチ(SW2)のデートに入ることにより、アナログス
イッチ(SW2)は導通し、第17図の曲#1(K)に
示される分光感度特性を持つ受光素子(PD、)の出力
が採用される。また、この時、インツイータ回路(IC
,)の出力は”1、”となるので、アナログスイッチ(
SV/))は不導通状態にある。
は、温度を検知してその温度に比例する電圧を出力する
ように構成されている。つまり、温度が低い場合には温
度検知回路(TD)が出力する電圧は小さく、温度が高
い場合には出力する電圧が大きくなるようになっている
。そこで、基準電源(Vrcf、)からの電圧よりも温
度検知回路(TD)からの出力電圧が小さい場合、すな
わち、低温の場合はコンパレータ(CON 、)の出力
はH”となる。すると、このH”の信号がアナログスイ
ッチ(SW2)のデートに入ることにより、アナログス
イッチ(SW2)は導通し、第17図の曲#1(K)に
示される分光感度特性を持つ受光素子(PD、)の出力
が採用される。また、この時、インツイータ回路(IC
,)の出力は”1、”となるので、アナログスイッチ(
SV/))は不導通状態にある。
そして、温度が上昇するにつれて温度検知回路(TD)
が出力する電圧は大きくなっていき、基準電源(Vre
ldからの電圧より大きくなった時(高温になった時)
には、コンパレータ(CONs)の出力は”L″となる
。すると、この信号によりアナログスイッチ(SW2)
は不導通状態となり、一方、インバータ回路(ICz)
の出力が”H’になるのでアナログスイッチ(SVV)
)のデートに”11″の信号が入って該アナログスイッ
チ(SW))は導通し、受光素子(PD2)の出力が受
光素子(PD、)の出力に代わって採用されるようにな
る。
が出力する電圧は大きくなっていき、基準電源(Vre
ldからの電圧より大きくなった時(高温になった時)
には、コンパレータ(CONs)の出力は”L″となる
。すると、この信号によりアナログスイッチ(SW2)
は不導通状態となり、一方、インバータ回路(ICz)
の出力が”H’になるのでアナログスイッチ(SVV)
)のデートに”11″の信号が入って該アナログスイッ
チ(SW))は導通し、受光素子(PD2)の出力が受
光素子(PD、)の出力に代わって採用されるようにな
る。
このように異なった分光感度を持つ2つの受光素子(P
D、)(PD2)を用いて、低温では発光ダイオードの
低温時の発光特性に似た分光感度を有する受光素子(P
D、)の出力を採用し、高温では発光ダイオードの高温
時の発光特性−二似た分光感度を有する受光素子(P
D 、)の出力を採用することによって、低温でも高温
でも受光素子と発光ダイオードとの分光特性を互いに合
わせることができ、S/N比をより向上させることがで
きろ。
D、)(PD2)を用いて、低温では発光ダイオードの
低温時の発光特性に似た分光感度を有する受光素子(P
D、)の出力を採用し、高温では発光ダイオードの高温
時の発光特性−二似た分光感度を有する受光素子(P
D 、)の出力を採用することによって、低温でも高温
でも受光素子と発光ダイオードとの分光特性を互いに合
わせることができ、S/N比をより向上させることがで
きろ。
尚、ここで、受光素子(P D 、)(P D 2)の
分光感度特性は発光、ダイオードの分光特性に類似して
おれば良(、f:tS17図の通りでな(でもよい。
分光感度特性は発光、ダイオードの分光特性に類似して
おれば良(、f:tS17図の通りでな(でもよい。
更に、f519図は第16図の実施例の変形例を示す回
路図である。第19図図示の変形例は、3つ(分光感度
が3通り)の受光素子を設けて、そのうちの1つを温度
に応じて採用する構成を示している。第20図は、さき
の2つの受光素子(PD、)(P D 2)に加えて用
いられる第3の受光素子(PD、)の分光感度特性を示
すグラフである。尚、ここで、受光素子を4つ以上用い
てその1つの出力を温度に応じて選択的に採用するよう
に構成しても良いが、そのh7成は第19図から容易に
考えられるので、ここでの説明は省くことにする。
路図である。第19図図示の変形例は、3つ(分光感度
が3通り)の受光素子を設けて、そのうちの1つを温度
に応じて採用する構成を示している。第20図は、さき
の2つの受光素子(PD、)(P D 2)に加えて用
いられる第3の受光素子(PD、)の分光感度特性を示
すグラフである。尚、ここで、受光素子を4つ以上用い
てその1つの出力を温度に応じて選択的に採用するよう
に構成しても良いが、そのh7成は第19図から容易に
考えられるので、ここでの説明は省くことにする。
tiS19図において、温度検知回路(TD)は、第1
6図I:示される通りのものであり、その出力は比較選
別回路(CS)に入力される。そして、比較選別回路(
CS )の出力(OtJT、)は受光素子(PD、)に
直列接続されたアナログスイッチ(SW2)のデートに
接続されており、出力(OUT2)は受光素子−(PD
3>に直列接続されたアナログスイッチ(SW v )
のデート接続されており、出力(OUT、)は受光素T
−(PD2)に直列接続されたアナログスイッチ(SW
<)のデ・−Fに接続されている。ここで、比較選別回
路(CS)は、温度検知回路(TD)からの温度に比例
した電圧を取り込み、その電圧が小さい時、すなわち、
低温の時は出力(OUT、)の信号だけを1(”にする
。このとき出力(OU T 、)および(OUT3)の
信号はともに1.”である。そして、温度が少し上昇し
て、比較選別回路(CS )の入力電圧が上がると出力
(OUT2)の信号だけを”H”l:して、出力(OU
T、)おJ−u(OUT、)のイボ号はとらにL″′と
する。さらに、温度が上昇して比較選別回路(CS)の
入力電圧が更に上がると、比較選別回路(CS )は出
力(OU T 、)の信号だけを”+−(”にする。
6図I:示される通りのものであり、その出力は比較選
別回路(CS)に入力される。そして、比較選別回路(
CS )の出力(OtJT、)は受光素子(PD、)に
直列接続されたアナログスイッチ(SW2)のデートに
接続されており、出力(OUT2)は受光素子−(PD
3>に直列接続されたアナログスイッチ(SW v )
のデート接続されており、出力(OUT、)は受光素T
−(PD2)に直列接続されたアナログスイッチ(SW
<)のデ・−Fに接続されている。ここで、比較選別回
路(CS)は、温度検知回路(TD)からの温度に比例
した電圧を取り込み、その電圧が小さい時、すなわち、
低温の時は出力(OUT、)の信号だけを1(”にする
。このとき出力(OU T 、)および(OUT3)の
信号はともに1.”である。そして、温度が少し上昇し
て、比較選別回路(CS )の入力電圧が上がると出力
(OUT2)の信号だけを”H”l:して、出力(OU
T、)おJ−u(OUT、)のイボ号はとらにL″′と
する。さらに、温度が上昇して比較選別回路(CS)の
入力電圧が更に上がると、比較選別回路(CS )は出
力(OU T 、)の信号だけを”+−(”にする。
次に本変形例の動作について説明する。ここで、動作の
詳細についてはf:rS16図の実施例の説明によって
理解されるものとし、ここでは簡単に進める。温度検知
回路(TI))によって検知された温度が低温の場合は
、比較選別回路(CS )の出力(OUT、)の信号だ
けがH″となり、これによってアナログスイッチ(SW
2)だけが導通され、受光素子(PD、)の出力が採用
される。そして、温度が」二昇して受光素子(PD、)
の出力を使用するよりも受光素子(PDff)の出力を
使用した方がS/N比が良くなる温度になると、比較選
別回路(CS )は出力(OU T 、)だけをH″に
して、受光素子(PD3)の出力を採用する。さらに、
温度が上昇して受光素子(PD、)よりも受光素子(P
D 、、)の出力を採用した方がS/N比が良くなる
温度になると、比較選別回路(CS)は出力(OUTz
)だけを11”にし、受光素子(PD2)の出力を採用
する。
詳細についてはf:rS16図の実施例の説明によって
理解されるものとし、ここでは簡単に進める。温度検知
回路(TI))によって検知された温度が低温の場合は
、比較選別回路(CS )の出力(OUT、)の信号だ
けがH″となり、これによってアナログスイッチ(SW
2)だけが導通され、受光素子(PD、)の出力が採用
される。そして、温度が」二昇して受光素子(PD、)
の出力を使用するよりも受光素子(PDff)の出力を
使用した方がS/N比が良くなる温度になると、比較選
別回路(CS )は出力(OU T 、)だけをH″に
して、受光素子(PD3)の出力を採用する。さらに、
温度が上昇して受光素子(PD、)よりも受光素子(P
D 、、)の出力を採用した方がS/N比が良くなる
温度になると、比較選別回路(CS)は出力(OUTz
)だけを11”にし、受光素子(PD2)の出力を採用
する。
このように複数の互いに違った分光感度を持つ受光素子
を使うことにより、Q)16図の実施例よりもさらにS
/N比を向上させることができる。
を使うことにより、Q)16図の実施例よりもさらにS
/N比を向上させることができる。
尚、ここで受光素子(P D 、)(PD 、)(P
D 、)の分光感度特性は第17図およびfjS20図
図示の通りでなくてもよく、発光ダイオードの分光特性
に類似していれば良い。
D 、)の分光感度特性は第17図およびfjS20図
図示の通りでなくてもよく、発光ダイオードの分光特性
に類似していれば良い。
発準りニア日先
以上詳述したように、本発明は、離れた位置から発せら
れた光信号を受信する光通信用受信y&置において、光
信号受信用の光電素子と、光電素子にwf列に接続され
、光電素子に生じる信号のうち、所定周波数以下の信号
を流すインダクタンスとを有することを特徴とするしの
であり、このように構成することによって、周波数の低
い周外光成分はインダクタンスの方に流れるので、たと
え周外光成分が多くとも感度が悪化することはなく、光
信号に応じたイご9光成分のみを正確に読み出すことが
でき、屋外など周外光が多いところで使用されても周外
光によって感度が悪化することなく、信号光を正確に受
信することができる光通信用量イご装置を得ることがで
きる。更に、本発明においては、照度に応じて受信可能
距離を変化させることなく、高照度下においても艮い受
信可能距離を得ることができる。又、本発明においては
、インダクタンスから周外光成分のみを収り出すことが
できる。。
れた光信号を受信する光通信用受信y&置において、光
信号受信用の光電素子と、光電素子にwf列に接続され
、光電素子に生じる信号のうち、所定周波数以下の信号
を流すインダクタンスとを有することを特徴とするしの
であり、このように構成することによって、周波数の低
い周外光成分はインダクタンスの方に流れるので、たと
え周外光成分が多くとも感度が悪化することはなく、光
信号に応じたイご9光成分のみを正確に読み出すことが
でき、屋外など周外光が多いところで使用されても周外
光によって感度が悪化することなく、信号光を正確に受
信することができる光通信用量イご装置を得ることがで
きる。更に、本発明においては、照度に応じて受信可能
距離を変化させることなく、高照度下においても艮い受
信可能距離を得ることができる。又、本発明においては
、インダクタンスから周外光成分のみを収り出すことが
できる。。
fjS1図は本発明実施例の光通信用受信装置を用いる
カメラシステムを示す斜視図、第2図はその受信装置の
正面図、tjIJ3図はそのシステムの電気回路を示す
ブロック図、14図はその増幅検波回路の具体的構成を
示す回路図、第5図から第9図まではそれぞれその増幅
検波回路の変形例を示す回路図、第10図は第3図のシ
ステムの動作を示すタイムチャート、第11図は@1図
のB断面図、fjS12図はその遮光7−ドの構成を示
す斜視図、f513図はその遮光7−ドの開用による受
光素Tの比感度の変化を示すグラフ、第14図は第1図
のA断面図、f515図は受信表示窓の分光透過率特性
と発光ダイオードの発光特性を示すグラフ、第16図は
別の実施例の要部を示す回路図、第17図はその受光素
子の分光感度特性を示すグラフ、ttS18図は温度に
よる発光ダイオードの発光特性の変化を示すグラフ、m
19図は第16図の変形例を示す回路図、第20図はそ
の受光素子の分光感度特性を示すグラフである。 (P D 、)(P D 2);光電素子、(L、);
インダクタンス。 以 上 出[人ミ/ルタカメラ株式会社 系1図 第1θ 図 ω (2)と了)
(4−2とf)rl 7
じ刀 V(c 第 ざ図 fL ↓Vrd+ 1シ15 ノ3 図 →呟Lζ41へ) 第q図
カメラシステムを示す斜視図、第2図はその受信装置の
正面図、tjIJ3図はそのシステムの電気回路を示す
ブロック図、14図はその増幅検波回路の具体的構成を
示す回路図、第5図から第9図まではそれぞれその増幅
検波回路の変形例を示す回路図、第10図は第3図のシ
ステムの動作を示すタイムチャート、第11図は@1図
のB断面図、fjS12図はその遮光7−ドの構成を示
す斜視図、f513図はその遮光7−ドの開用による受
光素Tの比感度の変化を示すグラフ、第14図は第1図
のA断面図、f515図は受信表示窓の分光透過率特性
と発光ダイオードの発光特性を示すグラフ、第16図は
別の実施例の要部を示す回路図、第17図はその受光素
子の分光感度特性を示すグラフ、ttS18図は温度に
よる発光ダイオードの発光特性の変化を示すグラフ、m
19図は第16図の変形例を示す回路図、第20図はそ
の受光素子の分光感度特性を示すグラフである。 (P D 、)(P D 2);光電素子、(L、);
インダクタンス。 以 上 出[人ミ/ルタカメラ株式会社 系1図 第1θ 図 ω (2)と了)
(4−2とf)rl 7
じ刀 V(c 第 ざ図 fL ↓Vrd+ 1シ15 ノ3 図 →呟Lζ41へ) 第q図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 離れた位置から発せられた光信号を受信する光通信用受
信装置において、 光信号受信用の光電素子と、 光電素子に直列に接続され、光電素子に生じる信号のう
ち、所定周波数以下の信号を流すインダクタンスとを有
することを特徴とする光通信用受信装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246751A JPS6234431A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 光通信用受信装置 |
| US06/893,404 US4821338A (en) | 1985-08-07 | 1986-08-05 | Optical signal receiving apparatus with compensation for peripheral light |
| DE19863626670 DE3626670A1 (de) | 1985-08-07 | 1986-08-07 | Optische signalempfangsvorrichtung zur optischen verbindung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246751A JPS6234431A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 光通信用受信装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60173818A Division JPS6234429A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 光通信用受信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234431A true JPS6234431A (ja) | 1987-02-14 |
Family
ID=17153111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60246751A Pending JPS6234431A (ja) | 1985-08-07 | 1985-11-01 | 光通信用受信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6234431A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001298043A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-11-01 JP JP60246751A patent/JPS6234431A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001298043A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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