JP2001298043A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁回路基板に対する半導体基板上の電極パ
ッドの接続信頼性を向上する。 【解決手段】 半導体基板３の電極パッド１が、絶縁回
路基板１１の開口２３を通して背面の端子電極１５に対
向するように実装し、開口２３を通る接続用導体５によ
り電極パッド１と端子電極１５を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板の絶
縁回路基板への実装技術に関する。さらに詳しくは、半
導体基板上の電極パッドと絶縁回路基板上の端子電極と
を、絶縁回路基板に設けたスルーホールを通して接続用
導体により接続した半導体装置およびその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】図８は、従来の半導体装置において、半
導体基板を絶縁回路基板上に実装した接続部近傍の断面
図を示す。図８において、３は半導体基板、１は半導体
基板３の電極パッド、２５は電極パッド１に設けられた
接続用下地金属膜、７は半導体基板３の保護絶縁膜、１
１は絶縁回路基板、１５は絶縁回路基板１１の端子電
極、３１は電極パッド１と端子電極１１を電気接続する
バンプ（共晶ハンダ）、２１は半導体基板１と絶縁回路
基板１１との間を封止する封止樹脂、２７はソルダーレ
ジストを示し、３０’はこれらを含む従来の半導体装置
を示している。

【０００３】図８を参照すると、従来の半導体装置３
０’では、半導体基板３の電極パッド１に設けた接続用
下地金属膜２５と、絶縁回路基板１１上の端子電極１５
上に設けられたバンプ３１（共晶ハンダ）とが対応する
ように位置決めしたうえで、バンプ３１を溶触して接続
用下地金属膜２５と接合させる。その後、絶縁回路基板
１１と半導体基板３間を封止樹脂２１で封止している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような半導体装置
において、デバイスの高集積化に伴い半導体基板３上の
電極パッド１の狭ピッチ化が進むと、半導体基板３と絶
縁回路基板１１の隙間が狭くなる。このため、半導体基
板３と絶縁回路基板１１の熱膨張のミスマッチが発生す
る恐れがあり、バンプ３１に生じる応力が増大するとい
う問題点があった。

【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、絶縁回路基板に設けられたスル
ーホールを利用し、半導体基板上の電極パッドを絶縁回
路基板の端子電極に接続用導体を介して接続するデバイ
ス構造を実現するものである。これにより、絶縁回路基
板に対する半導体基板上の電極パッドの接続信頼性を向
上できる。同時に、半導体デバイスの高集積化に伴う電
極パッドの狭ピッチ化に対しても、絶縁回路基板に対す
る半導体基板上の電極パッドの接続信頼性を確保できる
ようになる。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明にかかる
半導体装置は、電極パッドが形成された半導体基板と、
主面と背面とを有し、主面が前記半導体基板の電極パッ
ドに対向して配置され、前記電極パッドに対応する位置
で、主面と背面との間、または背面に端子電極が形成さ
れ、前記主面から前記端子電極に至る開口が形成された
絶縁回路基板と、前記開口内を通り、前記半導体基板の
電極パッドと前記絶縁回路基板の端子電極との間を接続
する接続用導体と、を備えたものである。

【０００７】請求項２の発明にかかる半導体装置は、電
極パッドが形成された半導体基板と、主面と背面とを有
し、主面が前記半導体基板の電極パッドに対向して配置
され、前記電極パッドに対応する位置に開口が形成さ
れ、この開口の内壁面に端子電極が形成された絶縁回路
基板と、前記開口内を通り、前記半導体基板の電極パッ
ドと前記絶縁回路基板の端子電極との間を接続する接続
用導体と、を備えたものである。

【０００８】請求項３の発明にかかる半導体装置は、電
極パッドが形成された半導体基板と、主面と背面とを有
し、主面が前記半導体基板の電極パッドに対向して配置
され、前記電極パッドに対応する位置に開口が形成さ
れ、主面と背面との間の中間の平面で、または背面の平
面で、前記開口に接して前記開口の周りに端子電極が形
成された絶縁回路基板と、前記開口内を通り、前記半導
体基板の電極パッドと前記絶縁回路基板の端子電極との
間を接続する接続用導体と、を備えたものである。

【０００９】請求項４の発明にかかる半導体装置は、電
極パッドが形成された半導体基板と、主面と背面とを有
し、主面が前記半導体基板の電極パッドに対向して配置
され、前記電極パッドに対応する位置に開口が形成さ
れ、前記背面の前記開口の近辺に端子電極が形成された
絶縁回路基板と、前記開口内を通って、前記半導体基板
の電極パッドと前記絶縁回路基板の端子電極との間を接
続する接続用導体と、を備えたものである。

【００１０】請求項５の発明にかかる半導体装置は、請
求項１〜４のいずれかに記載のものにおいて、前記絶縁
回路基板が、主面、背面、または主面と背面との中間層
において、合わせて２層以上の配線層を備えたものであ
る。

【００１１】請求項６の発明にかかる半導体装置は、請
求項５に記載のものにおいて、前記主面または中間層の
２層以上の配線層が、前記開口部において前記接続用導
体に電気的に接続されたものである。

【００１２】請求項７の発明にかかる半導体装置は、請
求項１〜４のいずれかに記載のものにおいて、前記接続
用導体が、同一の材質の連続体により形成されたもので
ある。

【００１３】請求項８の発明にかかる半導体装置は、請
求項１〜４のいずれかに記載のものにおいて、前記接続
用導体が、２種以上の材質を積層して形成されたもので
ある。

【００１４】請求項９の発明にかかる半導体装置は、請
求項４に記載のものにおいて、前記接続用導体が、前記
半導体基板の電極パッドに接合された塊状の第一の導体
部分と、この第一の導電部分から前記絶縁回路基板の端
子電極に至る線状の第二の導体部分とからなるものであ
る。

【００１５】請求項１０の発明にかかる半導体装置は、
請求項４に記載のものにおいて、前記絶縁回路基板の背
面側から前記接続用導体を封止する封止樹脂を備えたも
のである。

【００１６】請求項１１の発明にかかる半導体装置は、
請求項１〜４のいずれかに記載のものにおいて、前記開
口は、その断面形状が円形、楕円形、ほぼ四角形を含む
所望の形状に形成されたものである。

【００１７】請求項１２の発明にかかる半導体装置は、
請求項１〜４のいずれかに記載のものにおいて、前記接
続用導体は、前記開口の内面に少なくとも一部が接する
ように形成されるか、もしくは、接しないように形成さ
れたものである。

【００１８】請求項１３の発明にかかる半導体装置は、
請求項１２に記載のものにおいて、前記開口の前記接続
用導体との間隙は、空隙であるかまたは非導電性樹脂が
設置されたものである。

【００１９】請求項１４の発明にかかる半導体装置は、
請求項１〜４のいずれかに記載のものにおいて、前記半
導体基板と前記絶縁回路基板との間に非導電性樹脂が設
置されたものである。

【００２０】請求項１５の発明にかかる半導体装置は、
請求項１〜４のいずれかに記載のものにおいて、前記非
導電性樹脂により前記半導体基板と前記絶縁回路基板と
が固着されたものである。

【００２１】請求項１６の発明にかかる半導体装置の製
造方法は、主面と背面とを有する絶縁回路基板に、主面
側から、背面または主面と背面との間に配置された端子
電極に達する開口を形成する工程と、電極パッドが形成
された半導体基板を前記電極パッドと前記開口とが対応
するようにして、前記半導体基板を前記絶縁回路基板に
搭載する工程と、前記電極パッドと前記端子電極とを前
記開口を通る接続用導体で接続する工程と、を含むもの
である。

【００２２】請求項１７の発明にかかる半導体装置の製
造方法は、請求項１６に記載の製造方法において、前記
接続用導体を予め前記半導体基板の電極パッドの上に形
成する工程と、前記非導電性の樹脂を予め前記絶縁回路
基板上に設置する工程と、を含むものである。

【００２３】請求項１８の発明にかかる半導体装置の製
造方法は、請求項１６に記載の製造方法において、前記
接続用導体の一部を予め前記半導体基板の電極パッドの
上に形成するとともに、前記接続用導体の他の一部を予
め前記絶縁回路基板の開口内に形成する工程と、前記非
導電性の樹脂を予め前記絶縁回路基板上に設置する工程
と、を含むものである。

【００２４】請求項１９の発明にかかる半導体装置の製
造方法は、半導体基板の電極パッド上に接続用導体を形
成する工程と、主面と背面とを有し、背面に端子電極を
有する絶縁回路基板に開口を設ける工程と、前記電極パ
ッド上の接続用導体が前記絶縁回路基板の主面側の前記
開口内に位置するようにして前記半導体基板を前記絶縁
回路基板に搭載する工程と、前記接続用導体と前記端子
電極とを前記開口を介して電気的に接続する工程と、前
記絶縁回路基板の背面から前記接続用導体と前記端子電
極とを樹脂封止する工程と、を含むものである。

【００２５】請求項２０の発明にかかる半導体装置の製
造方法は、請求項１６または１９に記載の製造方法にお
いて、前記電極パッド上の接続用導体が前記絶縁回路基
板の開口の内壁に接触して固定されるように前記半導体
基板を前記絶縁回路基板に搭載するものである。

【００２６】請求項２１の発明にかかる半導体装置の製
造方法は、請求項１６または１９に記載の製造方法にお
いて、前記電極パッド上の接続用導体が前記絶縁回路基
板の開口の内壁に接触しないように前記半導体基板を前
記絶縁回路基板に搭載するものである。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施の形態につ
いて図面を参照して詳細に説明する。なお、図中、同一
または相当する部分には同一の符号を付してあり、場合
によりその説明を簡略化ないし省略する。 実施の形態１．以下、この発明の実施の形態１を図面を
参照して詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、この
発明の実施の形態１による半導体装置における、半導体
基板と絶縁回路基板との接続部近傍の断面図である。ま
た、図１（ｅ）は図１（ａ）〜（ｄ）の半導体装置の上
面図の概念図を一般的に示すものである。図１（ａ）〜
（ｄ）において、３は半導体基板、１は半導体基板３の
電極パッド、７は半導体基板３の保護絶縁膜を示す。保
護膜７は、例えばガラスコート膜７ａとポリイミド膜７
ｂとの積層膜として形成されているが、このような構成
に限定されるものではない。また、１１は絶縁回路基
板、１３は絶縁回路基板１１の配線層、１５は絶縁回路
基板１１の端子電極、１７は絶縁回路基板１１の外部端
子用電極、１９は外部端子、２３は絶縁回路基板１１に
設けた開口（この例ではスルーホール）を示す。さら
に、５はスルーホール２３に設置された接続用導体、９
は半導体基板３と絶縁回路基板１１の間に設置された非
導電性樹脂であり、３０はこれらを含む半導体装置を示
す。

【００２８】図１（ａ）に示すように、本実施の形態の
第一例の半導体装置３０では、半導体基板３は、その表
面に電極パッド１が設けられ、その周りは保護絶縁膜７
で覆われている。絶縁回路基板１１は、半導体基板３に
対向する表面（主面）と、その反対側の裏面（背面）に
それぞれ配線層１３を有している。また、半導体基板３
の電極パッド１に対応する位置にスルーホール２３が設
けられ、スルーホール２３の底部、すなわち、絶縁回路
基板１１の背面には端子電極１５が形成されている。こ
のような半導体基板３を絶縁回路基板１１に搭載し、半
導体基板３の電極パッド１と絶縁回路基板１１の端子電
極１５とをスルーホール２３に設置した接続用導体５を
介して電気的に接続している。さらに、半導体基板３と
絶縁回路基板１１との隙間に非導電性樹脂９を設置して
封止している。

【００２９】図１（ａ）に示すように、この半導体装置
３０では、絶縁回路基板１１の、半導体基板３が搭載さ
れている面と反対側（背面）に端子電極１５を設け、こ
の端子電極１５の位置で絶縁回路基板１１にスルーホー
ル２３を設けている。そして、このスルーホール２３を
通過する接続用導体により、半導体基板３の電極パッド
１と絶縁回路基板１１の端子電極１５とを接続してい
る。これにより、絶縁回路基板１１の厚みの分だけ多く
接続用導体５の高さを確保することができる。同時に、
半導体基板３と絶縁回路基板１１間の熱膨張のミスマッ
チに主因して生じる接続用導体５内での応力を低下させ
ることができる。なお、接続用導体５は同一の材質の連
続体により形成されていてもよく、また製造方法によっ
ては、複数種類の材質を継ぎ足すように構成されていて
もよい。すなわち、積層構造であってもよい。なおま
た、接続用導体５と絶縁回路基板１１の端子電極１５と
の接続は放熱を目的としたものではない。したがって、
接続用導体５に接続された端子電極１５が外部端子１９
に熱伝導的に接続されている必要はない。また、端子電
極１５が露出している必要はなく、保護膜などで覆われ
ていてもよい。

【００３０】また、図１（ａ）に示すように、この半導
体装置３０では、絶縁回路基板１１の表裏２層に配線層
１３を形成しているため、絶縁回路基板１１の配線層１
３の自由度を向上できる。また、図１（ａ）の左端に示
すように、絶縁回路基板１１の半導体基板３側（主面）
に、外部端子用電極１７を設けており、スルーホールを
通して外部端子１９を接続している。また、半導体基板
３と絶縁回路基板１１間との間に非導電性樹脂９を配置
している。これにより、半導体基板３と絶縁回路基板１
１の熱膨張のミスマッチに起因して生じる応力を緩和さ
せることができる。

【００３１】次に、図１（ｂ）に示すように、本実施の
形態の第二例では、絶縁回路基板１１が複数の基板から
構成されており、絶縁回路基板１１の中間の厚みの位置
で、基板の層間に端子電極１５を設けている。そして、
絶縁回路基板１１には、この中間の端子電極１５までの
開口（この場合ビアホール）２３が形成されている。そ
して、半導体基板３の電極パッド１と絶縁回路基板１１
の中間位置の端子電極１５とがビアホール２３に設置さ
れた接続用導体５により接続されている。このように、
絶縁回路基板１１が２層以上の基板から構成されている
場合にも、図１（ａ）の場合と同様の作用・効果が実現
できる。すなわち、本実施の形態は、２層以上の多層構
造の絶縁回路基板１１にも適応でき、半導体基板３と絶
縁回路基板１１の電気的接続を行う接続用導体５に生じ
る応力を低下させることができる。

【００３２】次に、図１（ｃ）に示すように、本実施の
形態の第三例では、絶縁回路基板１１が２層の基板から
構成され、それぞれの表面に配線層１３が形成されてい
る。絶縁回路基板１１の半導体基板３側と反対側（背
面）に端子電極１５が設けられ、そこに達するスルーホ
ール２３が形成されている。半導体基板３の電極パッド
１と絶縁回路基板１１の電極端子１５とは、スルーホー
ル２３に設置された接続用導体５で電気的に接続されて
いる。このとき、絶縁回路基板１１の中間層の配線１３
も接続導体５と電気的に接続される。すなわち、スルー
ホール２３を用いて絶縁回路基板１１の２層の配線層を
接続している。このような構造によっても、図１（ａ）
に示すケースと同様の作用・効果を実現できる。

【００３３】次に、図１（ｄ）に示すように、本実施の
形態の第四の例では、図１（ａ）に示したような絶縁回
路基板１１のスルーホール２３を貫通した接続用導体５
と、スルーホールを貫通しない通常の接続用導体５との
両方を備えている。電極パッド１はＡｌ（アルミニウ
ム）を主体に構成され、電極パッド１の周辺は絶縁樹脂
（ＰＩ）によって被覆されている。なお、以上の本実施
の形態で、スルーホール２３の内面と接続用導体５との
間隙は、空隙であっても、非導電性樹脂が配置されてい
てもよい。また、その混合であってもよい。また、接続
用導体５が一部でのみスルーホール２３の内面に接触し
ていてもよい。接続用導体５がスルーホール２３に充満
して固定化するよりも、接続用導体５に及ぼす応力を緩
和できる。

【００３４】次に、図１（ｅ）は、この実施の形態の半
導体装置３０を絶縁回路基板１１の背面側から見た平面
図である。絶縁回路基板１１のほぼ中心線上に端子電極
１５が配列され、その両側に基板電極１９が配列され、
両者が配線１３で接続されている。なお、本実施の形態
において、絶縁回路基板１１としては、両面にそれぞれ
配線層１３を備えた１層以上の基板を、他の基板ととも
に積層した多層構造の絶縁回路基板であってもよい。

【００３５】次に、本発明の実施の形態１にかかる半導
体装置の製造方法を説明する。図２（ａ），（ｂ）は、
本発明の本実施の形態１による半導体装置の製造方法を
説明するための図であり、半導体装置における半導体基
板と絶縁回路基板との接続部近傍の断面図である。

【００３６】本実施の形態の半導体装置の製造方法の第
一例では、図２（ａ）に示すように、半導体基板３の表
面に設けられた電極パッド１上のみに接続用導体５を形
成し、絶縁回路基板１１と半導体基板３との間隙を充填
するために非導電性樹脂９を絶縁回路基板１１上に設け
たうえで、接続用導体５と端子電極１５が対応するよう
に加熱圧着を行う。図示矢印は、上方から半導体基板３
を絶縁回路基板１１の方向へ押圧する状態を示してい
る。このとき、接続用導体５は絶縁回路基板１１のスル
ーホール２３の壁面には接合せず、端子電極１５と接合
される。スルーホール２３がない場合に比べて、接続用
導体５は絶縁回路基板１１分だけ高い構造となる。

【００３７】次に、図２（ｂ）に示すように、本実施の
形態の半導体装置の製造方法の第二例では、半導体基板
３の表面に設けられた電極パッド１の上、および絶縁回
路基板１１の端子電極１５の上、すなわちスルーホール
２３内に、接続用導体５をそれぞれ形成し、非導電性樹
脂９を挟んで両方の接続用導体５が対応するように加熱
圧着を行う。これにより、電極パッド１と端子電極１５
とが接続用導体５を介して接続される。なお、このよう
な製造方法では、電極パッド１上および端子電極１５上
のそれぞれに形成された接続用導体５の材質を変えるこ
ともできる。

【００３８】通常、電極パッド１が狭ピッチになるにつ
れて、半導体基板３上の電極パッド１に形成できる接続
用導体５は直径が小さくなるとともに、その高さも低く
形成されることになる。本実施の形態では、あらかじ
め、絶縁回路基板１１のスルーホール２３内にも一方の
接続用導体５を形成したうえで、半導体基板３の電極パ
ッド１の上の接続用導体５と圧着し、電極パッド１とを
端子電極１５を接続する。これにより接続用導体５の高
さを確保し、接続の安定性を向上させることができる。

【００３９】電極パッド１上に接続用導体５を形成する
手法としては、共晶ハンダやＡｕ（金）等を用いたバン
プスタッドボンディングや成膜技術等が適用できる。ま
た、絶縁回路基板１１にスルーホール２３を形成する手
法としては、レーザー加工等が適用できる。また、絶縁
回路基板１１と半導体基板３との間隙を充填する手法と
しては、エポキシ系の樹脂フィルム状で供給した非導電
性樹脂９を加熱加圧する技術等が適用できる。また、電
極パッド１および端子電極１５の少なくともいずれかの
表面には、接続用導体５の接合性を加味して、多層薄膜
を形成してもよい。

【００４０】以上説明したように実施の形態１によれ
ば、絶縁回路基板１１に設けられた開口２３（スルーホ
ールまたはビアホール）を利用して接続用導体５の高さ
を増やすことができる。また、開口２３を介して絶縁回
路基板１１の半導体基板３から遠い側の裏面の端子電極
１５に接続用導体５を接続することによって、接続用導
体５の応力の増加を回避できる。また、スルーホール２
３と接続用導体５との間隙をルースにすることによっ
て、接続用導体５にかかる応力を抑制することができ
る。一方、スルーホール２３の壁面を接合エリアとする
場合には半導体基板３と絶縁回路基板１１の接合強度を
増加できる。以上のような結果、絶縁回路基板１１に対
する半導体基板３上の電極パッド１の接続信頼性を向上
できる。同時に、半導体デバイスの高集積化に伴う電極
パッド１の狭ピッチ化に対しても、絶縁回路基板１１と
半導体基板３上の電極パッド１との接続信頼性を確保で
きるようになる。

【００４１】実施の形態２．以下、この発明の実施の形
態２を図面に基づいて説明する。図３（ａ）〜（ｆ）
は、本発明の実施の形態２による半導体装置における、
半導体基板と絶縁回路基板との接続部近傍の断面図であ
る。図３（ａ）〜（ｆ）において、３は半導体基板、１
は半導体基板３の電極パッド、７は半導体基板３の保護
絶縁膜を示す。保護膜７は、例えばガラスコート膜７ａ
とポリイミド膜７ｂとの積層膜として形成されている
が、このような構成に限定されるものではない。また、
１１は絶縁回路基板、１３は絶縁回路基板１１の配線
層、１５は絶縁回路基板１１の端子電極、２３は絶縁回
路基板１１に設けた開口（スルーホールまたはビアホー
ル）を示す。さらに、５は開口２３に設置された接続用
導体、９は半導体基板３と絶縁回路基板１１の間に充填
された非導電性樹脂であり、３０はこれらを含む半導体
装置を示す。

【００４２】図３（ａ）に示すように、本実施の形態の
第一例の半導体装置３０は、絶縁回路基板１１のスルー
ホール２３の壁面に形成された端子電極１５を、半導体
基板３上の電極パッド１に接続用導体５を介して接続し
ている。これにより、端子電極１５の接合エリアを増加
し、接続用導体５の高さの増加を図ることができ、接合
信頼性を向上できるようになる。

【００４３】次に、図３（ｂ）に示すように、本実施の
形態の第二例では、半導体基板３の電極パッド１に接合
された接続用導体５と、絶縁回路基板１１の端子電極１
５に接合された接続用導体５とを異なる材質で形成し、
接続用導体５全体としては複数種類の材質を積層して接
合した形に形成することもできる。次に、図３（ｃ）に
示すように、本実施の形態の第三例では、絶縁回路基板
１１の端子電極１５が絶縁回路基板１１の表裏面でスル
ーホール２３の周囲に形成されているが、スルーホール
２３の内面には形成されていない。このように生産性を
考慮して、スルーホール２３の壁面を接合エリアとしな
い構造とすることもできる。

【００４４】以上の図３（ａ），（ｂ），（ｃ）の構造
では、絶縁回路基板１１への半導体基板３の搭載を接続
用導体５のみで行なっている。すなわち、保護膜７で被
覆された半導体基板３は、絶縁回路基板１１に直接に接
しており、その間に非導電性樹脂は介在しない。また、
図３（ａ）および（ｃ）に示す構造では、半導体基板３
と絶縁回路基板１１の固定を治具により、または半導体
基板３と絶縁回路基板１１との密着力を用いて行っても
よい。

【００４５】また、図３（ｂ）に示すデバイス構造で
は、前記と同様の方法、または、半導体基板３に形成さ
れた突起物（例えば接続用導体５）を用いて半導体基板
３と絶縁回路基板１１の固定を行っている。多くの場
合、電極パッド１上に形成された接続用導体５とスルー
ホール２３との接触を用いて半導体基板３と絶縁回路基
板１１との固定を行っている。

【００４６】次に、図３（ｄ）および同図（ｅ）に示す
ように、本実施の形態の第四例および第五例では、半導
体基板３と絶縁回路基板１１との間に非導電性樹脂９を
充填した構造にしている。なお、図３（ｄ）では、絶縁
回路基板１１の端子電極１５がスルーホール２３の内面
に設けられ、スルーホール２３は貫通している。図３
（ｅ）では、端子電極１５がスルーホール２３の底面を
塞ぐように絶縁回路基板１１の背面に形成されている。

【００４７】次に、図３（ｆ）に示すように、本実施の
形態の第六例では、絶縁回路基板１１が複数の基板から
形成され、中間の位置に端子電極１５と配線層１３が形
成されている。そして、中間位置の端子電極１５に至る
ビアホール２３が形成され、このビアホール２３に接続
用導体５が設置されて電極パッド１と端子電極１５とが
接続されている。また、これにより絶縁回路基板１１の
複数の配線層１３が接続用導体５と接続されている。図
３（ｄ）〜（ｆ）の例では、半導体基板３の電極パッド
１から絶縁回路基板１１の開口内の端子電極１５に接続
用導体５が延長しているが、この接続用導体５は非導電
性樹脂９の位置では開口の延長線上より一部外側にはみ
出て接続用導体５と確実に固着・接続している。また、
この場合、非導電性樹脂９は感光性樹脂である必要はな
く、一般の接着性を示す樹脂でよい。なお、本実施の形
態で、絶縁回路基板１１は、端子電極１５を備えた基板
と、他の基板とを積層した多層構造の絶縁回路基板であ
ってもよい。

【００４８】次に、本発明の実施の形態２にかかる半導
体装置の製造方法を説明する。図４は、本発明の実施の
形態２にかかる半導体装置の製造方法を説明するための
半導体基板と絶縁回路基板との接続部近傍の断面図であ
る。図中で、左側の図の中の矢印は、半導体基板３を絶
縁回路基板１１に向かって押圧することを示している。
また、左右の図の中間の矢印は、プロセスが左側の状態
から右側の状態へ進むことを示している。

【００４９】図４（ａ）に示すように、本発明の実施の
形態２にかかる半導体装置の製造方法の第一例では、半
導体基板３の表面に設けられた電極パッド１と、絶縁回
路基板１１のスルーホール２３および端子電極１５とが
対応するように位置決めしたうえで、接続用導体５をス
ルーホール２３内に挿入することによって、図３（ａ）
に示すデバイス構造を実現している。

【００５０】次に、図４（ｂ）に示すように、本実施の
形態の製造方法の第二例では、半導体基板３の表面の電
極パッド１上に接続用導体５を接合させておく。この接
続用導体５を絶縁回路基板１１のスルーホール２３対応
するように位置決めしたうえで、接続用導体５をスルー
ホール２３内に挿入する。これにより、接続用導体５と
端子電極１５を接合させるとともに、半導体基板３と絶
縁回路基板１１との固定を行って、図３（ａ）に示すデ
バイス構造を実現している。

【００５１】次に、図４（ｃ）に示すように、本実施の
形態の製造方法の第三例では、半導体基板３の表面の電
極パッド１上に接続用導体５を接合しておく。この接続
用導体５と絶縁回路基板１１のスルーホール２３とを位
置決めしたうえで、接続用導体５をスルーホール２３内
に挿入してスルーホール２３底面の端子電極１５に当接
させる。これにより、接続用導体５と端子電極１５との
接合を行なう。また、半導体基板３と絶縁回路基板１１
との間に非導電性樹脂を充填し、半導体基板３と絶縁回
路基板１１との固定を行って、図３（ｅ）に示すデバイ
ス構造を実現している。

【００５２】次に、図４（ｄ）に示すように、本実施の
形態の製造方法の第四例では、半導体基板３の表面の電
極パッド１上に接続用導体５を接合させておく。一方、
絶縁回路基板１１の上には非導電性樹脂９（フィルム）
を載せておく。接続用導体５を絶縁回路基板１１のスル
ーホール２３に対応するように位置決めしたうえで、接
続用導体５を、非導電性樹脂９のスルーホール２３の位
置に当接し、加熱して押込む。これにより、接続用導体
５と端子電極１５との接合を図るとともに、半導体基板
３と絶縁回路基板１１との固定を行って、図３（ｄ）に
示すデバイス構造を実現している。

【００５３】次に、図４（ｅ）に示すように、本実施の
形態の製造方法の第五例では、半導体基板３の表面に設
けられた電極パッド１上に接続用導体５を接合させてお
く。一方、絶縁回路基板１１の上には非導電性樹脂９
（フィルム）を載せておく。接続用導体５を絶縁回路基
板１１のスルーホール２３に対応するように位置決めし
たうえで、接続用導体５を、非導電性樹脂９のスルーホ
ール２３の位置に当接し、加熱して押込む。この場合、
接続用導体５の量を少なくしておくと、接続用導体５が
スルーホール２３の全体を充填するには至らない。そこ
で、絶縁回路基板１１の反対側からスルーホール２３に
他の接続用導体５を挿入し、半導体基板３側の接続用導
体５と接合する。これにより、接続用導体５と電極端子
１５とを接合する。また、非導電性樹脂９により、半導
体基板３と絶縁回路基板１１との固定を行なう。この場
合、接続用導体５には、異なる２種類の材料を用いても
よい。

【００５４】なお、本実施の形態の製造方法では、スル
ーホール２３にあらかじめ接続用導体５を設けておく方
法も可能である。以上の方法では、非導電性樹脂９のス
ルーホール２３に対応させた位置のエッチング等が省
け、比較的容易に製造できる。なお、以上の本実施の形
態で、スルーホール２３の内面と接続用導体５との間隙
は、空隙であっても、非導電性樹脂が配置されていても
よい。また、その混合であってもよい。また、接続用導
体５が一部でのみスルーホール２３の内面に接触してい
てもよい。接続用導体５がスルーホール２３に充満して
固定化するよりも、接続用導体５に及ぼす応力を緩和で
きる。

【００５５】実施の形態３．以下、この発明の実施の形
態３を図面に基づいて説明する。図５（ａ）〜（ｃ）
は、この発明の実施の形態３による半導体装置におけ
る、半導体基板と絶縁回路基板との接続部近傍の断面図
である。図５（ａ）〜（ｃ）において、３は半導体基
板、１は半導体基板３の電極パッド、７は半導体基板３
の保護絶縁膜を示す。保護膜７は、例えばガラスコート
膜７ａとポリイミド膜７ｂとの積層膜として形成されて
いるが、このような構成に限定されるものではない。ま
た、１１は絶縁回路基板、２３は絶縁回路基板１１に設
けた開口（この場合スルーホール）、１３は絶縁回路基
板１１の開口２３の近傍に配置された配線層、１５は同
じく開口２３の近傍に配置された絶縁回路基板１１の端
子電極を示す。さらに、５ａは電極パッド１に接合され
た接続用導体、５ｃは接続用導体５ａに接合された接続
用導体、５ｂは接続用導体５ａまたは５ｃと端子電極１
５とを接続する接続用導体であり、５ａ，５ｂ，５ｃを
合わせて接続用導体５とする。なお、接続用導体５ｂ
は、配線１３を跨いで開口２３近傍の端子電極１５に接
続されている。また、９は半導体基板３と絶縁回路基板
１１の間に充填された非導電性樹脂であり、２１はスル
ーホール２３を充填し接続用導体５ａ，５ｂおよび端子
電極１５を封止する封止樹脂、３０はこれらを含む半導
体装置を示す。

【００５６】図５（ａ）に示すように、本実施の形態の
第一例の半導体装置３０は、半導体基板３の電極パッド
１の上に接続用導体５ａを接合し、絶縁回路基板１１の
スルーホール２３の位置に対向させている。絶縁回路基
板１１は、半導体基板３を搭載する側の反対側、すなわ
ち、半導体基板３から遠い方の表面（背面）の上で、ス
ルーホール２３の近辺に端子電極１５を備えている。そ
して、非導電性樹脂９を半導体基板３と絶縁回路基板１
１の間に充填し、両者を固定している。そして、接続用
導体５ａと端子電極１５とを、スルーホール２３にフレ
キシブルな接続用導体５ｂを通して接続し、接続用導体
５ａ，５ｂと端子電極１５とを封止樹脂２１で封止して
いる。これにより、電極パッド１〜接続用導体５ａ，５
ｂ〜端子電極１５間の接合信頼性を図ることができる。
また、接続用導体５ｂの長さを変えて最適化することに
より、絶縁回路基板１１における配線層１３の設計が容
易になる。

【００５７】次に、図５（ｂ）に示すように、本実施の
形態の第二例の半導体装置３０では、スルーホール２３
にフレキシブルな接続用導体５ｂを通して、接続用導体
５ａとの間に中間の接続部材５ｃを挿入して接続する。
その他は図５（ａ）と同様であるから、説明を省略す
る。

【００５８】次に、図５（ｃ）に示すように、本実施の
形態の第三例の半導体装置３０では、図５（ｂ）と類似
の構造であるが、半導体基板３と絶縁回路基板１１の間
に充填した非導電性樹脂９と、接続用導体５ａ〜５ｃ封
止する封止樹脂２１とが一体に成形されている。これは
半導体基板３と絶縁回路基板１１とを仮固定しておい
て、封止樹脂２１を充填して半導体基板３と絶縁回路基
板１１の間を固定するようにした構造である。このよう
な構造でも図２（ａ），（ｂ）と同様の作用・効果が得
られる。

【００５９】次に、本発明の実施の形態３にかかる半導
体装置の製造方法を説明する。図６は、本発明の実施の
形態３にかかる半導体装置の製造方法を説明するための
半導体基板と絶縁回路基板との接続部近傍の断面図であ
る。図中で、左側の図の中の矢印は、半導体基板３を絶
縁回路基板１１に向かって押圧することを示している。
また、左右の図の中間の矢印は、プロセスが左側の状態
から右側の状態へ進むことを示している。

【００６０】図６（ａ）に示すように、本実施の形態の
半導体装置の製造方法の第一例では、まず、半導体基板
３上の電極パッド１に接続用導体５ａを接合する。この
接続用導体５ａが絶縁回路基板１１のスルーホール２３
に対応するように位置決めし、絶縁回路基板１１の上に
載せた非導電性樹脂９に、半導体基板３側から接続用導
体５を挿入し貫通させるすることにより、半導体基板３
を絶縁回路基板１１に搭載する。そして、フレキシブル
な接続用導体５ｂを接続部材５ｃを介して接続導体５ａ
に接続し、他端を端子電極１５と電気的に接続する。そ
の後に接続用導体５ａ，５ｂ，５ｃを封止樹脂２１で封
止することによって，図５（ｂ）に示すデバイス構造を
実現している。

【００６１】なお、この製造方法において、具体的に
は、絶縁回路基板１１と半導体基板３とを位置合わせし
た後、絶縁回路基板１１のスルーホール２３内でワイヤ
状の接続用導体５ｂを接続導体５ａにワイヤボンディン
グする方法がある。これにより図５（ａ）の形状のもの
が製造できる。また、ワイヤボンディングの仕方によっ
て、ボンディング部に接続部材５ｃのような塊状の部材
を形成すれば、接合が強固になる。さらには、絶縁回路
基板１１と半導体基板３とを位置合わせした後、絶縁回
路基板１１越しに接続用導体５ａの上に接続用導体５ｃ
を形成して後、絶縁回路基板１１の背面から接続用導体
５ｂを接続用導体５ｃに接続するようにしてもよい。こ
のような製造方法により図５（ｂ）の形状のものが製造
できる。

【００６２】また、図６（ｂ）に示すように、本実施の
形態の半導体装置の製造方法の第二例では、半導体基板
３上の電極パッド１に形成された接続用導体５を絶縁回
路基板１１のスルーホール２３に対応するように位置決
めし、半導体基板３側から接続用導体５をスルーホール
２３に挿入した状態で、半導体基板３と絶縁回路基板１
１とを仮固定する。そして、フレキシブルな接続用導体
５ｂを、接続用部材５ｃを用いて、接続用導体５ａに接
続し、他方の端部を端子電極１５に接続する。その後に
非導電性樹脂２１をスルーホール２３を通して半導体基
板３と絶縁回路基板１１の間に充填し、かつ接続用導体
５ａ，５ｂ，５ｃを封止することによって、図５（ｃ）
に示すデバイス構造を実現している。以上説明したこの
実施の形態の製造方法によれば、スルーホール２３内で
パッド電極１に対してではなく、パッド電極１の上に接
合された接続用導体５ａまたは５ｃに対してワイヤボン
ディングなどの方法により接続用導体５ｂを接続すれば
よいので、接続作業が容易になる。したがって、スルー
ホール２３の径が小さくても接続作業が容易である。

【００６３】本実施の形態で、半導体基板３と絶縁回路
基板１１の保持を行う手法としては、半導体基板３と絶
縁回路基板１１間に非導電性樹脂９を充填する方法、あ
るいは、治具を用いる手法、または半導体基板３と絶縁
回路基板１１の密着力を用いる手法、例えば半導体基板
３に形成された突起物を用いる手法等を用いることがで
きる。半導体基板３に形成された突起物を用いる手法で
は、多くの場合、半導体基板３の電極パッド１上に形成
された接続用導体５とスルーホール２３との接触を用い
る。

【００６４】実施の形態４．以下、この発明の実施の形
態４を図面に基づいて説明する。図７（ａ）〜（ｄ）
は、この発明の実施の形態４による半導体装置におけ
る、絶縁回路基板と接続用導体との関係を示す断面図で
ある。図７（ａ）〜（ｄ）は、絶縁回路基板１１に平行
な面で切ったスルーホール２３近傍の断面図である。図
７（ａ），（ｂ）はスルーホール２３と接続用導体５の
接触有無を示している。図７（ｃ），（ｄ）はスルーホ
ール２３の形状と接続用導体５の大きさとの関係を示し
ている。図７（ａ）〜（ｄ）において、５は接続用導
体、１１は絶縁回路基板、２３はスルーホール、２４は
スルーホール２３と接続用導体５との間隙またはその間
隙に設置された非導電性樹脂を示している。

【００６５】図７（ａ）に示すように、本実施の形態の
第一例では、接続用導体５がスルーホール２３の内面に
部分的に、具体的には４点で、接している。このように
接触部分が存在する場合、半導体基板３と絶縁回路基板
１１の工程内での保持を、接続用導体５と絶縁回路基板
１１の接触を用いて行なうことができる。

【００６６】次に、図７（ｂ）に示すように、本実施の
形態の第二例では、接続用導体５の径がスルーホール２
３の径より小さく、接続用導体５はスルーホール２３の
内面に接していない。このように接触部分が存在しない
場合、半導体基板３と絶縁回路基板１１の工程内での保
持を、両者間の突起部分などを用いた密着力または治具
による固定手法を用いて行なう。この例のように、接続
用導体５がスルーホール２３と接触していない場合に
は、接続用導体５がスルーホール２３による拘束力を受
けず、応力集中点をなくすことができる利点がある。な
お、スルーホール２３と接続用導体５の間隙は、空隙で
あってもよく、また、非導電性樹脂が充填されていても
よい。弾力性がある方が、接続用導体５に応力がかかる
のを抑制できる。

【００６７】次に、図７（ｃ）に示すように、本実施の
形態の第三例では、接続用導体５のピッチが広い方向に
スルーホール２３の形状を長くしている。スルーホール
２３の平面形状は接続用導体５のごく近傍の拘束力を決
定する。接続用導体５がスルーホール２３内の端子電極
１５に濡れ広がる場合、接合面積を大きく取るためにピ
ッチが広い方向にスルーホール２３の面積をある程度大
きく取るようにする。また、スルーホール２３を長くす
る方向は、接続用導体５にかかる熱応力を緩和する方向
にとることもできる。接続用導体５にかかる応力は、こ
の例のように、接続用導体５がスルーホール２３の内面
に接触せず、封止樹脂２１に接しているほうが緩和でき
る。

【００６８】次に、図７（ｄ）に示すように、本実施の
形態の第四例では、スルーホール２３の形状を長くし
て、２個の接続用導体５を一つのスルーホール２３の中
に通している。このように、接続用導体５のピッチが狭
い時等には、２つ以上の接続用導体５を１つのスルーホ
ール２３を通して接続するようにしてもよい。これによ
り、スルーホール２３を孤立した電極パッド１にでも、
あるいは近接して複数ある電極パッド１にでも柔軟に対
応できる形状とすることができる。以上の例では、スル
ーホール２３の断面形状が円形と長方形の場合を示した
が、これはその他に、必要に応じて正方形、楕円形など
所望の形状に選択することができる。以上、本実施の形
態で説明したスルーホール２３と接続用導体５との関係
は、実施の形態１〜３の半導体装置に、必要によりいず
れの関係も適用できるものである。

【００６９】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。また上記構
成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定され
ず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にす
ることができる。

【００７０】

【発明の効果】本発明は以上のように構成されており、
絶縁回路基板１１に半導体基板３を搭載するとき、絶縁
回路基板１１の半導体基板３の搭載側とは反対側の表面
に形成された端子電極に、スルーホール２３を通して接
続用導体５を接続する。これにより、スルーホールを利
用して接続用導体の高さを増やすことができる。また、
スルーホールを利用するので、接続用導体の応力の増加
を回避できる。また、スルーホール壁面を接合エリアと
することによって半導体基板と絶縁回路基板の接合強度
を増加できる。その結果、絶縁回路基板に対する半導体
基板上の電極パッドの接続信頼性を向上できる。また、
半導体デバイスの高集積化に伴う電極パッドの狭ピッチ
化に対しても絶縁回路基板に対する半導体基板上の電極
パッドの接続信頼性を確保できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１にかかる半導体装置に
おける、半導体基板と絶縁回路基板との接続部近傍の断
面図。

【図２】 本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の
製造方法を説明するための半導体基板と絶縁回路基板と
の接続部近傍の断面図。

【図３】 本発明の実施の形態２にかかる半導体装置に
おける、半導体基板と絶縁回路基板との接続部近傍の断
面図。

【図４】 本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の
製造方法を説明するための半導体基板と絶縁回路基板と
の接続部近傍の断面図。

【図５】 本発明の実施の形態３にかかる半導体装置に
おける、半導体基板と絶縁回路基板との接続部近傍の断
面図。

【図６】 本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の
製造方法を説明するための半導体基板と絶縁回路基板と
の接続部近傍の断面図。

【図７】 本発明の実施の形態４にかかる半導体装置の
絶縁回路基板に平行な面で切ったスルーホール近傍の上
面図。

【図８】 半導体基板を絶縁回路基板上に実装した従来
の半導体装置における半導体基板と絶縁回路基板との接
続部近傍の断面図。

【符号の説明】

１ 電極パッド、 ３ 半導体基板、 ５，５ａ，５
ｂ，５ｃ 接続用導体、７ 保護絶縁膜、 ９ 非導電
性樹脂、 １１ 絶縁回路基板、 １３ 配線層、 １
５ 端子電極、 １７ 外部端子用電極、 １９ 外部
端子、 ２１封止樹脂、 ２３ 開口（スルーホールま
たはビアホール）、 ２５ 接続用下地金属膜、 ３０
半導体装置、 ３１ バンプ（共晶ハンダ）。

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電極パッドが形成された半導体基板と、 主面と背面とを有し、主面が前記半導体基板の電極パッ
   ドに対向して配置され、前記電極パッドに対応する位置
   で、主面と背面との間、または背面に端子電極が形成さ
   れ、前記主面から前記端子電極に至る開口が形成された
   絶縁回路基板と、 前記開口内を通り、前記半導体基板の電極パッドと前記
   絶縁回路基板の端子電極との間を接続する接続用導体
   と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 電極パッドが形成された半導体基板と、 主面と背面とを有し、主面が前記半導体基板の電極パッ
   ドに対向して配置され、前記電極パッドに対応する位置
   に開口が形成され、この開口の内壁面に端子電極が形成
   された絶縁回路基板と、 前記開口内を通り、前記半導体基板の電極パッドと前記
   絶縁回路基板の端子電極との間を接続する接続用導体
   と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 電極パッドが形成された半導体基板と、 主面と背面とを有し、主面が前記半導体基板の電極パッ
   ドに対向して配置され、前記電極パッドに対応する位置
   に開口が形成され、主面と背面との間の中間の平面で、
   または背面の平面で、前記開口に接して前記開口の周り
   に端子電極が形成された絶縁回路基板と、 前記開口内を通り、前記半導体基板の電極パッドと前記
   絶縁回路基板の端子電極との間を接続する接続用導体
   と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 電極パッドが形成された半導体基板と、 主面と背面とを有し、主面が前記半導体基板の電極パッ
   ドに対向して配置され、前記電極パッドに対応する位置
   に開口が形成され、前記背面の前記開口の近辺に端子電
   極が形成された絶縁回路基板と、 前記開口内を通って、前記半導体基板の電極パッドと前
   記絶縁回路基板の端子電極との間を接続する接続用導体
   と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】 前記絶縁回路基板が、主面、背面、また
   は主面と背面との中間層において、合わせて２層以上の
   配線層を備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれ
   かに記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記主面または中間層の２層以上の配線
   層が、前記開口部において前記接続用導体に電気的に接
   続されたことを特徴とする請求項５に記載の半導体装
   置。
7. 【請求項７】 前記接続用導体が、同一の材質の連続体
   により形成されたことを特徴とする請求項１〜４のいず
   れかに記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 前記接続用導体が、２種以上の材質を積
   層して形成されたことを特徴とする請求項１〜４のいず
   れかに記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 前記接続用導体が、前記半導体基板の電
   極パッドに接合された塊状の第一の導体部分と、この第
   一の導電部分から前記絶縁回路基板の端子電極に至る線
   状の第二の導体部分とからなることを特徴とする請求項
   ４に記載の半導体装置。
10. 【請求項１０】 前記絶縁回路基板の背面側から前記接
    続用導体を封止する封止樹脂を備えたことを特徴とする
    請求項４に記載の半導体装置。
11. 【請求項１１】 前記開口は、その断面形状が円形、楕
    円形、ほぼ四角形を含む所望の形状に形成されたことを
    特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装
    置。
12. 【請求項１２】 前記接続用導体は、前記開口の内面に
    少なくとも一部が接するように形成されるか、もしく
    は、接しないように形成されたことを特徴とする請求項
    １〜４のいずれかに記載の半導体装置。
13. 【請求項１３】 前記開口の前記接続用導体との間隙
    は、空隙であるかまたは非導電性樹脂が設置されたこと
    を特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
14. 【請求項１４】 前記半導体基板と前記絶縁回路基板と
    の間に非導電性樹脂が設置されたことを特徴とする請求
    項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
15. 【請求項１５】 前記非導電性樹脂により前記半導体基
    板と前記絶縁回路基板とが固着されたことを特徴とする
    請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
16. 【請求項１６】 主面と背面とを有する絶縁回路基板
    に、主面側から、背面または主面と背面との間に配置さ
    れた端子電極に達する開口を形成する工程と、 電極パッドが形成された半導体基板を前記電極パッドと
    前記開口とが対応するようにして、前記半導体基板を前
    記絶縁回路基板に搭載する工程と、 前記電極パッドと前記端子電極とを前記開口を通る接続
    用導体で接続する工程と、を含むことを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 請求項１６に記載の方法において、前
    記接続用導体を予め前記半導体基板の電極パッドの上に
    形成する工程と、 前記非導電性の樹脂を予め前記絶縁回路基板上に設置す
    る工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
18. 【請求項１８】 請求項１６に記載の方法において、前
    記接続用導体の一部を予め前記半導体基板の電極パッド
    の上に形成するとともに、前記接続用導体の他の一部を
    予め前記絶縁回路基板の開口内に形成する工程と、 前記非導電性の樹脂を予め前記絶縁回路基板上に設置す
    る工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
19. 【請求項１９】 半導体基板の電極パッド上に接続用導
    体を形成する工程と、 主面と背面とを有し、背面に端子電極を有する絶縁回路
    基板に開口を設ける工程と、 前記電極パッド上の接続用導体が前記絶縁回路基板の主
    面側の前記開口内に位置するようにして前記半導体基板
    を前記絶縁回路基板に搭載する工程と、 前記接続用導体と前記端子電極とを前記開口を介して電
    気的に接続する工程と、 前記絶縁回路基板の背面から前記接続用導体と前記端子
    電極とを樹脂封止する工程と、を含むことを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 請求項１６または１９に記載の方法に
    おいて、前記電極パッド上の接続用導体が前記絶縁回路
    基板の開口の内壁に接触して固定されるように前記半導
    体基板を前記絶縁回路基板に搭載することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
21. 【請求項２１】 請求項１６または１９に記載の方法に
    おいて、前記電極パッド上の接続用導体が前記絶縁回路
    基板の開口の内壁に接触しないように前記半導体基板を
    前記絶縁回路基板に搭載することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。